專利名稱：具有參考校準(zhǔn)數(shù)據(jù)的照相元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及攝影術(shù)，尤其涉及具有參考校準(zhǔn)數(shù)據(jù)的照相元件。
背景技術(shù)：
在本領(lǐng)域中已知在光學(xué)印刷期間使用參考校準(zhǔn)補(bǔ)片在膠片上曝光能夠?qū)崿F(xiàn)較好的曝光控制。例如見1998，6，16公布的Terashita的美國專利5767983。還表明使用參考校準(zhǔn)補(bǔ)片在數(shù)字印刷中確定掃描膠片數(shù)據(jù)的校正值是有用的。例如見1997，9，16公布的Reem等人的美國專利5667944，以及1997，7，15公布的Wheeler等人的美國專利5649260。
已知的作為先進(jìn)的照相系統(tǒng)(APS)的膠片格式，如同在所述先進(jìn)的照相系統(tǒng)的系統(tǒng)規(guī)范中規(guī)定的，參見APS紅皮書，在APS格式的膠片帶上保留一個特定的區(qū)域被洗印像設(shè)備使用。這些區(qū)域可以用于曝光參考校準(zhǔn)補(bǔ)片和在洗印像處理中使用的其它的數(shù)據(jù)。參見圖4，APS格式照相元件10具有在上述的APS紅皮書中圖200-1，200-2，210-1，400和600規(guī)定的幾何構(gòu)型。所述照相元件包括第一區(qū)域12，其被保留供在洗印設(shè)備中使用，第一成像幀141，最后成像幀14n，和第二區(qū)域16，其被保留用于洗印設(shè)備。在照相元件10上為每個成像幀提供有預(yù)穿孔201-20n，以及計量孔221-22n。在相應(yīng)于一個預(yù)穿孔的位置提供有卷繞孔23的附加的一端。對于用于一次性使用的照相機(jī)中的膠片帶，在卷繞孔23的一端之后的相應(yīng)于計量孔的位置提供有卷繞孔的另一端。
保留區(qū)12和16比位于141-14n的曝光的圖像區(qū)域(未示出)和印刷的或投影的圖像區(qū)域(也未示出)較寬(沿著照相元件10的長度方向)。這些區(qū)域的尺寸如表1所示。
表1幀寬度(mm) 長度(mm)保留的區(qū)域12 37.7 16.7保留的區(qū)域16 32.45 16.7幀14的曝光的圖像區(qū)域 30.2 16.7
幀14的印刷或投影的圖像區(qū)域 27.4 15.6當(dāng)利用在APS格式照相元件上的保留區(qū)12和/或16上提供的參考校準(zhǔn)數(shù)據(jù)時碰到了一些問題。一個問題發(fā)生在使用為掃描APS成像幀14而研制的常規(guī)的掃描裝置掃描在保留區(qū)12和/或16的額外的寬度時。這些裝置被設(shè)計用于掃描尺寸等于或小于在幀14內(nèi)曝光圖像區(qū)域的圖像。需要額外的掃描硬件和軟件來掃描保留區(qū)12和16的整個寬度。此外，如果整個區(qū)域被掃描，則需要附加的存儲器用來存儲來自掃描的保留區(qū)的額外的象素信息。另一個問題發(fā)生在定位校準(zhǔn)數(shù)據(jù)使得現(xiàn)有的掃描儀可以精確和容易地檢索數(shù)據(jù)時。一些現(xiàn)有的掃描儀存在的另一個問題是在物理上它們不能接近第二保留區(qū)16。還有一個問題是，在掃描期間在照相元件的記錄或定位期間校準(zhǔn)數(shù)據(jù)的布置中的改變可以引起數(shù)據(jù)讀出部分的故障。
因此，需要一種改進(jìn)的能夠避免上述問題的用于在APS格式照相元件上記錄校準(zhǔn)數(shù)據(jù)的方法。

發(fā)明內(nèi)容
上述需要由本發(fā)明滿足了，本發(fā)明提供了一種用于在具有為洗印設(shè)備利用的保留區(qū)和相對于保留區(qū)分布的穿孔的APS格式照相元件上記錄參考校準(zhǔn)目標(biāo)的方法，包括以下步驟產(chǎn)生寬度不大于30.2mm高度不大于16.7mm的參考校準(zhǔn)目標(biāo)；相對于所述穿孔定位照相元件的保留區(qū)；以及在保留區(qū)內(nèi)記錄參考校準(zhǔn)目標(biāo)。
在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，參考校準(zhǔn)目標(biāo)被記錄在第一保留區(qū)。
本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于，在洗印操作中，被設(shè)置在APS格式照相元件上的參考校準(zhǔn)目標(biāo)可以利用常規(guī)的用于掃描APS格式照相元件上的圖像幀的膠片掃描儀讀出。另一個優(yōu)點(diǎn)在于，在標(biāo)準(zhǔn)的洗印設(shè)備中通過掃描目標(biāo)而得到的所有數(shù)據(jù)可以存儲在被設(shè)計用于保持掃描的圖像數(shù)據(jù)的現(xiàn)有的存儲器中。
附圖簡述

圖1表示按照本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的在APS格式照相元件上的第一保留區(qū)和用于記錄參考校準(zhǔn)數(shù)據(jù)的區(qū)域；圖2表示按照本發(fā)明的在APS格式照相元件上的第一保留區(qū)和用于記錄參考校準(zhǔn)數(shù)據(jù)的區(qū)域；
圖3表示按照本發(fā)明的在APS格式照相元件上的第二保留區(qū)和用于記錄參考校準(zhǔn)數(shù)據(jù)的區(qū)域；圖4表示按照現(xiàn)有技術(shù)的APS格式照相元件。
發(fā)明的具體實(shí)施方案參見圖1，其中示出了按照本發(fā)明的APS格式照相元件的一部分。照相元件10至少包括具有光敏層的基體，所述光敏層能夠感光從而形成能夠顯影的潛影圖像。光敏層可以包含常規(guī)的銀的鹵化物或其它的感光材料，例如可以進(jìn)行熱或壓力顯影的化學(xué)物質(zhì)?？梢跃哂型该鞯幕w，反射的基體或者具有磁敏感涂層的基體。照相元件10可以通過標(biāo)準(zhǔn)的化學(xué)處理進(jìn)行處理，其中包括但不限于柯達(dá)處理C-41及其變種，ECN-2，VNF-1，ECP-2及其變種，D-96，D-97，E-4，E-6，K-14，R-3和RA-2SM，或RA-4；富士處理CN-16及其變種，CR-6，CP-43FA，CP-47L，CP-48S，RP-305，RA-4RT；愛克發(fā)MCS 100/101/200膠片和紙?zhí)幚?，愛克發(fā)彩色處理70，71，72和94，愛克發(fā)鉻處理44NP和63；以及柯尼卡處理CNK-4，CPK-2-22，DP，和CRK-2，以及柯尼卡ECOJETHQA-N，HQA-F HQA-P處理。照相元件10可以使用另外的方法處理，例如顯式干處理，其可以在元件中保留一些或保留所有的顯影的銀或銀的鹵化物，或者它們可以包括被添加的一層或者數(shù)量合適的水，用于泡漲照相元件。根據(jù)照相元件的10的設(shè)計，照相元件也可以使用干處理進(jìn)行處理，其中可以包括熱處理或高壓處理。所述處理也可以包括顯式干處理、干處理和傳統(tǒng)濕處理的組合。合適的其它處理和干處理包括在以下的專利文獻(xiàn)中披露的處理2000，6，3，Levy，60/211058；2000，6，3，Irving，60/21 1446；2000，6，3，Irving，60/21 1065；2000，6，3，Irving，60/211079；EP0762201A1，1997，3，12，Ishikawa；EP0926550A1，1998，12，12，Iwai；US5832328，1998，11，3，Ueda；US5758223，1998，5，26，Kobayashi；US5698382，1997，12，16，Nakahanada；US5519510，1996，5，21，Edgar；US59888961999，11，23，Edgar。
在被保留供洗印設(shè)備使用的第一區(qū)域12內(nèi)記錄有參考校準(zhǔn)目標(biāo)30作為照相元件10上的可顯影的潛影圖像，其最好包括參考校準(zhǔn)補(bǔ)片38陣列和在共同申請的美國專利09/635600中披露的二維的條形碼符號34的陣列32。按照本發(fā)明，參考校準(zhǔn)目標(biāo)30具有不大于30.2mm的寬度和不大于16.7mm的高度，這是表1所示的APS曝光的圖像區(qū)域的標(biāo)準(zhǔn)尺寸，從而用于掃描APS圖像的常規(guī)的掃描儀能夠掃描參考校準(zhǔn)目標(biāo)，而不用對掃描儀的硬件或存儲器作為物理上的改動。為了訪問和使用在參考校準(zhǔn)目標(biāo)中的信息，所需要的只是修改掃描儀中的軟件，使得能夠掃描所述的幀。
參見圖2，其中示出了按照本發(fā)明的照相元件10的一部分。在第一保留區(qū)12內(nèi)，具有寬度30.2mm，高度16.7mm的第一區(qū)201的中心離開計量孔221的后沿206的距離204＝19.75±2.05mm，離開最靠近穿孔221的照相元件10的邊沿24的距離205＝11.89±0.5mm。第二區(qū)202寬度27.4mm，高度15.6mm，其中心離開計量孔221的后沿206為距離204，離開邊沿24為距離205。第三區(qū)203寬度23.4mm，高度12.6mm，其中心也離開計量孔221的后沿206為距離204，離開邊沿24為距離205。在洗印工業(yè)中的APS掃描儀通過檢測穿孔和邊沿測量膠片的放置位置。當(dāng)在每對成像幀之間出現(xiàn)時，區(qū)201，202和203相對于計量孔221的后沿206和邊沿24的特定的共心位置把這些區(qū)設(shè)置在對于第一成像幀141的相同的相對位置，從而需要對掃描軟件進(jìn)行微小的改變。通過限制參考校準(zhǔn)目標(biāo)30位于第一區(qū)201內(nèi)，其具有如表1所示的和幀14的APS曝光區(qū)域相同的尺寸，可以使用被設(shè)計用于掃描APS曝光的圖像區(qū)域的面積和尺寸的掃描儀。最好是，參考校準(zhǔn)目標(biāo)30被限制在第二區(qū)202內(nèi)，其尺寸和表1所示的幀14的APS印刷或投影面積相同，因此，可以使用被設(shè)計用于掃描APS印刷或投影面積掃描儀。更好是，參考校準(zhǔn)目標(biāo)30被限制在第三區(qū)203內(nèi)，使得在記錄期間參考校準(zhǔn)目標(biāo)的放置的改變或者在掃描期間膠片的位置相適應(yīng)，從而確保在參考校準(zhǔn)目標(biāo)30中的數(shù)據(jù)不會被丟失。
參見圖3，其中示出了按照本發(fā)明的照相元件10的一部分。在第二保留區(qū)16內(nèi)，具有寬度30.2mm，高度16.7mm的第一區(qū)301的中心離開計量孔22n的后沿306的距離304＝43.65±2.2mm，離開最靠近穿孔22n的照相元件10的邊沿24的距離305＝11.98±0.5mm。第二區(qū)302寬度27.4mm，高度15.6mm，其中心離開計量孔22n的后沿306為距離304，離開邊沿24為距離305。第三區(qū)303寬度23.4mm，高度12.6mm，其中心也離開計量孔22n的后沿306為距離304，離開邊沿24為距離305。當(dāng)在每對成像幀之間出現(xiàn)時，區(qū)301，302和303相對于計量孔22n的后沿306和邊沿24的特定的共心位置把這些區(qū)設(shè)置在對于最后的成像幀14n的相同的相對位置，從而需要對掃描軟件進(jìn)行微小的改變。通過限制參考校準(zhǔn)目標(biāo)30位于第一區(qū)301內(nèi)，其具有如表1所示的和幀14的APS曝光區(qū)域相同的尺寸，可以使用被設(shè)計用于掃描APS曝光的圖像區(qū)域的面積和尺寸的掃描儀。最好是，參考校準(zhǔn)目標(biāo)30被限制在第二區(qū)302內(nèi)，其尺寸和表1所示的幀14的APS印刷或投影面積相同，因此，可以使用被設(shè)計用于掃描APS印刷或投影面積掃描儀。更好是，參考校準(zhǔn)目標(biāo)30被限制在第三區(qū)303內(nèi)，使得在記錄期間參考校準(zhǔn)目標(biāo)的放置的改變或者在掃描期間膠片的位置相適應(yīng)，從而確保在參考校準(zhǔn)目標(biāo)30中的數(shù)據(jù)不會被丟失。
在使用具有含有APS格式的膠片帶的APS膠片盒的推進(jìn)裝置的掃描儀中，第二保留區(qū)16是不可進(jìn)入的。當(dāng)使用這類掃描儀時，在處理之后和掃描之前，該APS格式的膠片返回其盒中，在掃描期間，不完全從其盒中被除去。從而在掃描期間限制接近第二保留區(qū)。因此，最好使用按照本發(fā)明的第一保留區(qū)。
權(quán)利要求
1.一種用于在具有為洗印設(shè)備利用的保留區(qū)和相對于保留區(qū)分布的穿孔的APS格式照相元件上記錄參考校準(zhǔn)目標(biāo)的方法，包括以下步驟a)產(chǎn)生寬度不大于30.2mm高度不大于16.7mm的參考校準(zhǔn)目標(biāo)；b)相對于所述穿孔定位照相元件的保留區(qū)；以及c)在保留區(qū)內(nèi)記錄參考校準(zhǔn)目標(biāo)。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述穿孔是第一計量孔，并且還包括以下步驟使保留區(qū)內(nèi)的參考校準(zhǔn)目標(biāo)的中心離開第一計量孔的后沿19.75±2.05mm，離開最靠近第一計量孔照相元件的邊沿的距離11.98±0.5mm。
3.如權(quán)利要求2所述的方法，其中所述參考校準(zhǔn)目標(biāo)的寬度不大于27.4mm，高度不大于15.6mm。
4.如權(quán)利要求3所述的方法，其中所述參考校準(zhǔn)目標(biāo)的寬度不大于23.4mm，高度不大于12.6mm。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述穿孔是最后一個計量孔，并且還包括以下步驟使保留區(qū)內(nèi)的參考校準(zhǔn)目標(biāo)的中心離開最后計量孔的后沿43.65±2.2mm，離開最靠近最后計量孔照相元件的邊沿的距離11.98±0.5mm。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中所述參考校準(zhǔn)目標(biāo)的寬度不大于27.4mm，高度不大于15.6mm。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中所述參考校準(zhǔn)目標(biāo)的寬度不大于23.4mm，高度不大于12.6mm。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中所述參考校準(zhǔn)目標(biāo)包括參考校準(zhǔn)補(bǔ)片的陣列和條形碼符號的陣列。
9.一種APS格式的照相元件，包括a)基體；b)在所述基體上的感光層；c)在所述基體上的穿孔；d)相對于所述穿孔設(shè)置在所述照相元件上的保留區(qū)；以及e)作為潛影圖像被記錄在保留區(qū)內(nèi)的感光層上的參考校準(zhǔn)目標(biāo)，其寬度不大于30.2mm高度不大于16.7mm。
10.如權(quán)利要求9所述的APS格式照相元件，其中所述穿孔是第一計量孔，并且在保留區(qū)內(nèi)所述參考校準(zhǔn)目標(biāo)的中心離開第一計量孔的后沿19.75±2.05mm，離開最靠近第一計量孔照相元件的邊沿的距離11.98±0.5mm。
11.如權(quán)利要求10所述的APS格式照相元件，其中所述參考校準(zhǔn)目標(biāo)的寬度不大于27.4mm，高度不大于15.6mm。
12.如權(quán)利要求11所述的APS格式照相元件，其中所述參考校準(zhǔn)目標(biāo)的寬度不大于23.4mm，高度不大于12.6mm。
13.如權(quán)利要求9所述的APS格式照相元件，其中所述穿孔是最后計量孔，并且在保留區(qū)內(nèi)所述參考校準(zhǔn)目標(biāo)的中心離開最后計量孔的后沿43.65±2.2mm，離開最靠近最后計量孔照相元件的邊沿的距離11.98±0.5mm。
14.如權(quán)利要求13所述的APS格式照相元件，其中所述參考校準(zhǔn)目標(biāo)的寬度不大于27.4mm，高度不大于15.6mm。
15.如權(quán)利要求14所述的APS格式照相元件，其中所述參考校準(zhǔn)目標(biāo)的寬度不大于23.4mm，高度不大于12.6mm。
16.如權(quán)利要求9所述的APS格式照相元件，其中所述感光層含有常規(guī)的銀的鹵化物。
17.如權(quán)利要求9所述的APS格式照相元件，其中所述感光層含有可以熱顯影的化學(xué)物質(zhì)。
18.如權(quán)利要求9所述的APS格式照相元件，其中所述感光層含有可以壓力顯影的化學(xué)物質(zhì)。
19.如權(quán)利要求9所述的APS格式照相元件，其中所述參考校準(zhǔn)目標(biāo)包括參考校準(zhǔn)補(bǔ)片的陣列和條形碼符號的陣列。
20.如權(quán)利要求9所述的APS格式照相元件，其中所述照相元件是膠片帶。
全文摘要
一種用于在具有為洗印設(shè)備利用的保留區(qū)和相對于保留區(qū)分布的穿孔的APS格式照相元件上記錄參考校準(zhǔn)目標(biāo)的方法,包括以下步驟:產(chǎn)生寬度不大于30.2mm長度不大于16.7mm的參考校準(zhǔn)目標(biāo);相對于所述穿孔定位照相元件的保留區(qū);以及在保留區(qū)內(nèi)記錄參考校準(zhǔn)目標(biāo)。
文檔編號G03C1/498GK1337592SQ01124799
公開日2002年2月27日 申請日期2001年8月9日 優(yōu)先權(quán)日2000年8月9日
發(fā)明者J·T·基奇, D·O·比奇洛, M·E·沙菲, J·P·斯彭斯 申請人:伊斯曼柯達(dá)公司