專利名稱：共平面開關(guān)模式液晶顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種共平面開關(guān)(IPS)模式液晶顯示器及其制造方法。
背景技術(shù)：
近來，隨著用戶對信息顯示的興趣不斷增加以及對便攜式(移動)信息設(shè)備的需求不斷增長，輕薄型平板顯示器(FPD)得到了積極的研究和商業(yè)化，其可取代現(xiàn)存的顯示器件陰極射線管(Cathode Ray Tube)。
在FPD中，液晶顯示器(LCD)，一種通過利用液晶的光學(xué)各向異性顯示圖像的器件，具有優(yōu)異的分辨率和色彩、圖像質(zhì)量，因此LCD通常應(yīng)用于筆記本型電腦或臺式監(jiān)視器等。
LCD包括濾色片基板、陣列基板和形成在該濾色片基板和該陣列基板之間的液晶層。
薄膜晶體管(TFT)一般用作LCD的開關(guān)元件，并且非晶硅薄膜用作TFT的溝道層。
參照圖1將詳細(xì)描述現(xiàn)有技術(shù)的LCD。
如圖1所示，LCD包括濾色片基板5、陣列基板10以及形成在濾色片基板5和陣列基板10之間的液晶層30。
濾色片基板5包括濾色片(C)，該濾色片(C)包括實現(xiàn)紅、綠和藍(lán)色的多個子濾色片7，用于驅(qū)動子濾色片7并阻止光透過液晶層30的黑矩陣6，以及向液晶層30施加電壓的透明公共電極8。
陣列基板10包括水平和垂直排列的多條柵線16和多條數(shù)據(jù)線17以限定多個像素區(qū)域(P)，形成在柵線16和數(shù)據(jù)線17的各交叉點處用作開關(guān)元件的TFT，以及形成在每個像素區(qū)域(P)上的像素電極18。
濾色片基板5和陣列基板10以相對的方式通過形成在圖像顯示區(qū)域外圍上的密封劑(未示出)粘接到一起以形成液晶顯示面板，并且兩個基板5和10通過形成在濾色片基板5或陣列基板10上的粘接鍵(未示出)進(jìn)行粘接。
作為通常用于LCD的一種驅(qū)動方法，使用，用于沿垂直于基板的方向驅(qū)動向列液晶分子的扭曲向列(TN)方法。然而，該方法具有90度的窄視角的缺點。這由于液晶分子的折射各向異性而導(dǎo)致。即當(dāng)將電壓施加到液晶面板時，與基板水平排列的液晶分子以基本垂直于基板的方向排列。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個目的是提供一種共平面開關(guān)(IPS)模式液晶顯示器及其制造方法。
本發(fā)明的另一目的是提供一種能改善孔徑比并獲得足夠粘接余量的共平面開關(guān)模式液晶顯示器。
為了實現(xiàn)這些和其它優(yōu)點并根據(jù)本文對本發(fā)明目的的具體的和概括的描述，提供的一種IPS模式LCD包括沿垂直和水平方向排列形成的多條柵線和多條數(shù)據(jù)線，以在第一基板上限定多個像素區(qū)域；薄膜晶體管(TFT)，形成在柵線和數(shù)據(jù)線的各交叉點處并分別包含有源層、源極和漏極；沿所述柵線方向設(shè)置的公共電極線；形成相對于所述柵線成一定傾斜角度并交替設(shè)置在像素區(qū)域的上部和下部以產(chǎn)生共平面場的多個第一像素電極和多個第一公共電極以及多個第二像素電極和多個第二公共電極；以及與第一基板粘接的第二基板。
為了實現(xiàn)以上目的，還提供一種制造IPS模式LCD的方法，其包括沿垂直和水平方向排列形成多條柵線和多條數(shù)據(jù)線以在第一基板上限定多個像素區(qū)域；在柵線和數(shù)據(jù)線各交叉點處形成TFT，該TFT具有有源層和源極、漏極；形成相對于柵線成一定傾斜角度并交替設(shè)置在像素區(qū)域的上部和下部以產(chǎn)生共平面場的多個第一像素電極和多個第一公共電極以及多個第二像素電極和多個第二公共電極；以及粘接所述第一基板和第二基板。
本發(fā)明的上述和其它目的、特征、方面和優(yōu)點在以下對本發(fā)明的進(jìn)行詳細(xì)描述并結(jié)合附圖中將變得更加明顯可見。


附圖提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解，其包含在說明書中并構(gòu)成說明書的一部分，說明本發(fā)明的實施方式并且與說明書一起用于闡述本發(fā)明的原理。在附圖中圖1示出了現(xiàn)有技術(shù)液晶顯示器(LCD)的剖面透視圖；圖2示出了根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的陣列基板一部分的平面圖；圖3示出了沿著圖2的陣列基板的線IIa-IIa’提取的截面圖；圖4示出了沿著圖2的陣列基板的線IIb-IIb’提取的截面圖；圖5示出了根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的陣列基板一部分的平面圖；圖6示出了圖5的陣列基板的“A”部分的放大圖；圖7示出了根據(jù)本發(fā)明第三實施方式的陣列基板一部分的平面圖；以及；圖8示出了根據(jù)本發(fā)明第四實施方式的陣列基板一部分的平面圖。
具體實施例方式
下面參照附圖描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實施方式的一種共平面開關(guān)(IPS)模式液晶顯示器(LCD)及其制造方法。
圖2示出了根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的陣列基板一部分的平面圖，圖3示出了沿著圖2的陣列基板的線IIa-IIa’提取的截面圖，以及圖4示出了沿著圖2的陣列基板的線IIb-IIb’提取的截面圖。
根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的LCD為一種IPS模式LCD，其通過沿垂直于基板的方向驅(qū)動液晶分子而具有大于170°的改進(jìn)視角。實際的LCD包括由N條柵線和M條數(shù)據(jù)線彼此交叉的M×N個像素，并且為了簡潔在附圖中只示出了一個像素。
如圖所示，沿垂直和水平方向排列柵線116和數(shù)據(jù)線117以在陣列基板110上，即透明玻璃基板上，限定像素區(qū)域。作為開關(guān)元件的薄膜晶體管(TFT)形成在柵線116和數(shù)據(jù)線117的各交叉點上。
各TFT包括形成為柵線116一部分的柵極121，與數(shù)據(jù)線117連接的源極122，以及經(jīng)由像素電極線118L與像素電極118’和118”連接的漏極123。各TFT還包括用于絕緣柵極121和源極/漏極122、123的第一絕緣薄膜115A，以及用于在源極122和漏極123之間通過提供給柵極121的柵電壓形成導(dǎo)電溝道的有源層124。
在每個像素區(qū)域中，公共電極108’和108”與像素電極118’和118”交替地設(shè)置以產(chǎn)生共平面場。公共電極108’和108”與像素電極118’和118”由諸如氧化銦錫(ITO)或氧化銦錫(IZO)的透明導(dǎo)電材料組成并形成在同一平面上。
根據(jù)本發(fā)明第一實施方式的LCD具有該2ITO結(jié)構(gòu)，其中公共電極108’和108”與像素電極118’和118”都由透明導(dǎo)電材料組成以避免當(dāng)一個內(nèi)部電極，即公共電極或像素電極，由不透明的導(dǎo)電材料組成時，在電極區(qū)域出現(xiàn)漏光，從而降低對比度并且由于不對稱場而產(chǎn)生殘留圖像的問題。
公共電極108’和108”指設(shè)置在像素區(qū)域上部的第一公共電極108’和設(shè)置在像素區(qū)域下部的第二公共電極108”。像素電極118’和118”指設(shè)置在像素區(qū)域上部并與第一公共電極108’交替設(shè)置的第一像素電極118’以及設(shè)置在像素區(qū)域下部并與第二公共電極108’交替設(shè)置的第二像素電極118”。
像素區(qū)域分為上部和下部，其中在上部中公共電極108’和108”與像素電極118’和118”具有相對于摩擦方向的第一傾角，而在下部中公共電極108’和108”與像素電極118’和118”具有相對于摩擦方向的第二傾角。在這種情況下，摩擦方向可與柵線116平行。
公共電極108’和108”與像素電極118’和118”關(guān)于摩擦方向?qū)ΨQ。在這種情況下，第一和第二傾角通常在5°到20°的范圍內(nèi)。
以這種方式，在根據(jù)本發(fā)明實施方式的LCD中，由于公共電極108’和108”與像素電極118’和118”在像素區(qū)域的上部和下部以彼此不同的方向傾斜，因此像素區(qū)域被分為兩個疇(domain)，從而改善了視角。
像素電極118’和118”與像素電極線118L相連接從而經(jīng)由形成在第二絕緣層115B處的第一接觸孔140A與漏極123相連接，并且公共電極108’和108”與公共電極圖案108B相連接從而經(jīng)由形成在第一和第二絕緣層115A、115B處的第二接觸孔140B與平行于柵線116設(shè)置的公共電極線108L相連接。
像素電極線118L和第一、第二像素電極118’、118”通過與數(shù)據(jù)線117平行設(shè)置的第一連接線118C相連接，并且公共電極線108L和第一、第二公共電極108’、108”通過平行數(shù)據(jù)線117設(shè)置的第二連接線108C相連接。設(shè)置在像素區(qū)域上部和下部的公共電極線108L通過平行于數(shù)據(jù)線117設(shè)置的支線108A相連接。
相鄰數(shù)據(jù)線117的第一連接線118C和第二連接線108C可以根據(jù)反轉(zhuǎn)驅(qū)動方法而進(jìn)行改變。例如，在2點反轉(zhuǎn)驅(qū)動的情況下，進(jìn)行Cdp減小設(shè)計，并且在水平1點反轉(zhuǎn)驅(qū)動的情況下，進(jìn)行了Cdc減小設(shè)計。這里，Cdp表示數(shù)據(jù)線117和第一連接線118C之間的電容，而Cdc表示數(shù)據(jù)線117和第二連接線108C之間的電容。
圖3中的附圖標(biāo)記125表示歐姆接觸層，用于在源極漏極122和123的一定區(qū)域和有源層124之間進(jìn)行歐姆接觸。
圖5示出了根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的陣列基板一部分的平面圖，以及圖6示出了圖5的陣列基板的“A”部分的放大圖。
除了公共電極的端部與支線的突出區(qū)域交疊外，根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的陣列基板具有與本發(fā)明第一實施方式的陣列基板相同的結(jié)構(gòu)。
如圖所示，沿垂直和水平方向排列形成柵線216和數(shù)據(jù)線127以限定陣列基板210上，即透明玻璃基板上，的像素區(qū)域。作為開關(guān)元件的薄膜晶體管(TFT)形成在柵線216和數(shù)據(jù)線217的各交叉點處。
各TFT包括形成作為柵線216一部分的柵極221、連接到數(shù)據(jù)線217的源極222，和經(jīng)由像素電極線218L連接到像素電極218’和218”的漏極223。各TFT包括用于絕緣柵極221和源/漏極222、223的第一絕緣薄膜(未示出)，以及用于通過提供給柵極221的柵電壓而在源極222和漏極223之間形成導(dǎo)電溝道的有源層(未示出)。
在各像素區(qū)域中，公共電極208’、208”和像素電極218’、218”交替設(shè)置以產(chǎn)生共平面場。
公共電極208’和208”指設(shè)置在像素區(qū)域上部的第一公共電極208’和設(shè)置在像素區(qū)域下部的第二公共電極208”。像素電極218’和218”指設(shè)置在像素區(qū)域上部并與第一公共電極208’交替設(shè)置的第一像素電極218’以及設(shè)置在像素區(qū)域的下部并與第二公共電極208”交替設(shè)置的第二像素電極218”。
像素電極218’和218”與像素電極線218L相連接從而經(jīng)由形成在第二絕緣層(未示出)處的第一接觸孔240A與漏極223電連接，并且公共電極208’和208”與公共電極圖案208B相連接從而經(jīng)由形成在第一和第二絕緣層處的第二接觸孔240B與平行于柵線216的公共電極線208L電連接。
像素電極線218L與第一、第二像素電極218’和218”通過與數(shù)據(jù)線217平行設(shè)置的第一連接線218C相連接，并且公共電極線208L與第一、第二公共電極208’、208”通過與數(shù)據(jù)線217平行設(shè)置的第二連接線208C相連接。設(shè)置在像素區(qū)域上部和下部的公共電極線208L通過與數(shù)據(jù)線217平行設(shè)置的支線208A連接。
參照圖6，在根據(jù)本發(fā)明第二實施方式的LCD中，支線208A的一定區(qū)域形成朝向公共電極208’和208”突出的突出物208P，并且公共電極208’和208”的端部與該支線208A的突出物208P交疊，從而與現(xiàn)有技術(shù)LCD相比，向錯(disclination)區(qū)域減少了約一半。
圖7示出了根據(jù)本發(fā)明第三實施方式的陣列基板一部分的平面圖，其中Cpd出現(xiàn)在數(shù)據(jù)線的一側(cè)而Cdc出現(xiàn)在數(shù)據(jù)線的另一側(cè)。
除了為了使由于陣列基板和濾色片基板粘接缺陷引起的亮度變化最小而使產(chǎn)生的向錯區(qū)域分布在相對于單個像素區(qū)域的左右外，根據(jù)本發(fā)明第三實施方式的陣列基板具有與本發(fā)明第二實施方式的陣列基板相同的結(jié)構(gòu)。
如圖所示，沿水平和垂直方向排列形成柵線316和數(shù)據(jù)線317以限定陣列基板310上，即透明玻璃基板上，的像素區(qū)域。作為開關(guān)元件的薄膜晶體管(TFT)形成在柵線316和數(shù)據(jù)線317的各交叉點處。
各TFT包括形成作為柵線316一部分的柵極321、連接到數(shù)據(jù)線317的源極322，和經(jīng)由像素電極318L連接到像素電極318’和318”的漏極323。各TFT還包括用于絕緣柵極321和源/漏極322、323的第一絕緣薄膜(未示出)和用于通過提供給柵極321的柵電壓而在源極和漏極322、323之間形成導(dǎo)電溝道的有源層(未示出)。
在各像素區(qū)域中，公共電極308’、308”和像素電極318’、318”交替地設(shè)置以產(chǎn)生共平面場。
公共電極308’和308”指設(shè)置在像素區(qū)域上部的第一公共電極308’和設(shè)置在像素區(qū)域下部的第二公共電極308”。像素電極318’和318”指設(shè)置在像素區(qū)域上部并與第一公共電極308’交替設(shè)置的第一像素電極318’，以及設(shè)置在像素區(qū)域的下部并與第二公共電極308”交替設(shè)置的第二像素電極318”。
在這種情況下，第一和第二公共電極308’、308”沿各自不同的方向延伸，并且第一和第二像素電極318’、318”也沿各自不同的方向延伸。
像素電極318’和318”與像素電極線318L相連接從而經(jīng)由形成在第二絕緣層(未示出)處的第一接觸孔340A與漏極323電連接。第一公共電極308’與第一公共電極圖案308B’相連接從而經(jīng)由形成在第一和第二絕緣層處的第二接觸孔340B與設(shè)置在像素區(qū)域上部的公共電極線308L’電連接，并且第二公共電極308”與第二公共電極圖案308B”相連接從而經(jīng)由形成在第一和第二絕緣層處的第三接觸孔340C與設(shè)置在像素區(qū)域下部的公共電極線308L”電連接。
像素電極318L與第一和第二像素電極318’、318”通過連接線318C’和318C”相連接，并且第一公共電極線308L’、第一公共電極308’、第二公共電極線308L”和第二公共電極308”通過第二連接線308C’和308”相連接。設(shè)置在像素區(qū)域上部和下部的公共電極線308L’和308L”通過與數(shù)據(jù)線317平行設(shè)置的支線308A相連接。
在本發(fā)明的第三實施方式中，與第二實施方式類似，支線308A的一定區(qū)域形成朝向公共電極308’和308”突出形成的突出物，并且公共電極308’和308”與該支線308的突出物交疊，從而與現(xiàn)有技術(shù)LCD相比減少了錯向區(qū)域。另外，將公共電極308’和308”與支線308A的交疊部分劃分為相對于像素區(qū)域上部和下部的左右，從而得到將液晶的向錯區(qū)域分布到左右的效果。
在根據(jù)本發(fā)明第三實施方式的LCD中，Cdp出現(xiàn)在數(shù)據(jù)線317的一側(cè)而Cdc出現(xiàn)在數(shù)據(jù)線317的另一側(cè)，從而與第一和第二實施方式相比，需要附加的第三接觸孔340C。然而，可以減少根據(jù)一種驅(qū)動方法的特定缺陷并且錯向區(qū)域可分布在左邊和右邊。利用該效果，可減少由陣列基板310和濾色片基板(未示出)的粘接缺陷產(chǎn)生的亮度改變量。
圖8示出了根據(jù)本發(fā)明第四實施方式的陣列基板一部分的平面圖，該陣列基板具有能改善孔徑比并且獲得粘接余量的結(jié)構(gòu)。
在根據(jù)本發(fā)明第四實施方式的陣列基板中，去除在本發(fā)明第三實施方式的陣列基板結(jié)構(gòu)中第二連接線與支線交疊的區(qū)域處的支線并且形成鄰近數(shù)據(jù)線的第二連接線。
如圖所示，沿垂直和水平方向排列形成柵線416和數(shù)據(jù)線417以限定陣列基板410上，即透明玻璃基板上，的像素區(qū)域。作為開關(guān)元件的薄膜晶體管(TFT)形成在柵線416和數(shù)據(jù)線417的各交叉點處。
各TFT包括形成作為柵線416一部分的柵極421、連接到數(shù)據(jù)線417的源極422，和經(jīng)由像素電極線418L連接到像素電極418’和418”的漏極423。各TFT還包括用于絕緣柵極421和源/漏極422、423的第一絕緣薄膜(未示出)和用于通過提供給柵極421的柵電壓而在源極422和漏極423之間形成導(dǎo)電溝道的有源層(未示出)。
在各像素區(qū)域中，公共電極408’、408”和像素電極418’、418”交替設(shè)置以產(chǎn)生共平面場。
公共電極408’和408”指設(shè)置在像素區(qū)域上部的第一公共電極408’和設(shè)置在像素區(qū)域下部的第二公共電極408”。像素電極418’和418”指設(shè)置在像素區(qū)域上部并與第一公共電極408’交替設(shè)置的第一像素電極418’，以及設(shè)置在像素區(qū)域的下部并與第二公共電極408”交替設(shè)置的第二像素電極418”。
這種情況下，第一和第二公共電極408’、408”沿各自不同的方向延伸，并且第一和第二像素區(qū)域418’、418”也沿各自不同的方向延伸。
像素電極418’和418”連接到像素電極線318L從而經(jīng)由形成在第二絕緣層(未示出)處的第一接觸孔440A連接到漏極423。第一公共電極408’連接到第一公共電極圖案408B’從而經(jīng)由形成在第一和第二絕緣層處的第二接觸孔440B電連接設(shè)置在像素區(qū)域上部的公共電極線408L’，并且第二公共電極408”連接到第二公共電極圖案408B”從而經(jīng)由形成在第一和第二絕緣層處的第三接觸孔440C電連接到設(shè)置在像素區(qū)域下部的公共電極線408L”。
像素電極線418L與第一和第二像素電極418’、418”通過連接線418C’和418C”相連接，并且第一公共電極線408L’、第一公共電極408’、第二公共電極線408L”和第二公共電極408”通過第二連接線408C’和408C”相連接。設(shè)置在像素區(qū)域上部的第一公共電極408L’連接到平行于數(shù)據(jù)線417設(shè)置的第一支線408A’，并且設(shè)置在像素區(qū)域下部的第二公共電極408L”連接到平行于數(shù)據(jù)線417設(shè)置的第二支線408A”。
在本發(fā)明的第四實施方式中，與第二實施方式類似，第一支線408A’的一定區(qū)域形成為朝向第一公共電極408’突出，并且第一公共電極408’的端部與該第一支線408A’的突出物交疊。另外，第二支線408A”的一定區(qū)域形成為朝向第二公共電極408”突出，并且第二公共電極408”的端部與該第二支線408A”的突出物交疊，從而與現(xiàn)有技術(shù)相比減少了錯向區(qū)域。
另外，將第一公共電極408’和第一支線408A’的交疊以及第二公共電極408”和第二支線408A”的交疊相對于像素區(qū)域的上部和下部而劃分為左側(cè)和右側(cè)，從而得到可以將液晶的錯向區(qū)域分為左側(cè)和右側(cè)的效果。
在根據(jù)本發(fā)明第四實施方式的LCD中，除去在支線408A’和408A”與像素區(qū)域中的第二連接線408C’和408C”交疊的部分處的支線408A’和408A”，并形成相鄰數(shù)據(jù)線417的第二連接線408C’和408C”，從而改善了LCD的孔徑比并獲得了陣列基板410和濾色片基板(未示出)的粘接余量。
在這種情況下，第一支線408A’和第二支線408A”可在像素區(qū)域的中心處連接。
本發(fā)明第一到第四實施方式的陣列基板以相對的方式通過形成在圖像顯示區(qū)域外圍處的密封劑而與濾色片基板相粘接以形成液晶顯示面板，并且在該情況下，陣列基板和濾色片基板通過形成在陣列基板和濾色片基板上的粘接鍵相粘接。
在本發(fā)明的第一到第四實施方式中，非晶硅TFT用作開關(guān)元件，但是本發(fā)明并不限于此，并且多晶硅TFT也可用作開關(guān)元件。
另外，本發(fā)明還可應(yīng)用于其它利用TFT制造的顯示器件，例如，有機(jī)發(fā)光二極管顯示器件，其中與用于LCD的方式相同，有機(jī)發(fā)光二極管與驅(qū)動晶體管相連接。
雖然在不偏離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)可以通過各種形式對本發(fā)明進(jìn)行具體描述，但是應(yīng)當(dāng)理解除非特別說明，以上所述的實施方式并不限于前文所述的任意詳細(xì)描述，而應(yīng)解釋為在所附權(quán)利要求書所限定的精神和范圍內(nèi)，并因此意圖覆蓋所有落入所附權(quán)利要求書及其等同物的范圍之內(nèi)的改進(jìn)和變型。
權(quán)利要求
1.一種共平面開關(guān)模式液晶顯示器件，包括沿垂直和水平方向排列的多條柵線和多條數(shù)據(jù)線，以在第一基板上限定多個像素區(qū)域；薄膜晶體管，其形成在所述柵線和數(shù)據(jù)線的各交叉點處并分別包括有源層、源極和漏極；沿柵線方向設(shè)置的公共電極線；多個第一像素電極和多個第一公共電極以及多個第二像素電極和多個第二公共電極，其相對于所述柵線具有一定的傾斜角度并交替設(shè)置在所述像素區(qū)域的上部和下部以產(chǎn)生共平面場；以及與所述第一基板粘接的第二基板。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，還包括經(jīng)由第一接觸孔電連接所述漏極的像素電極。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，還包括經(jīng)由第二接觸孔電連接所述公共電極線的公共電極圖案。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一和第二公共電極以及所述第一和第二像素電極由諸如氧化銦錫或氧化銦鋅的透明導(dǎo)電材料組成。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一和第二公共電極以及所述第一和第二像素電極分別相對于所述柵線對稱。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一像素電極和第一公共電極以及所述第二像素電極和第二公共電極在所述像素區(qū)域的上部和下部朝向不同的方向傾斜，并且將所述像素區(qū)域分為所述上部和下部的兩個疇。
7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的器件，其特征在于，還包括用于連接所述像素電極線和所述第一和第二像素電極的第一連接線。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，還包括用于連接所述公共電極線和所述第一和第二公共電極的第二連接線。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述公共電極線設(shè)置在所述像素區(qū)域的上部和下部處并且所述上公共電極線和下公共電極線通過平行于所述數(shù)據(jù)線設(shè)置的支線相連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的器件，其特征在于，所述支線包括朝向所述第一或第二公共電極突出形成的突出物。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的器件，其特征在于，所述支線的所述突出物與所述第一或第二公共電極的端部交疊。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，所述第一和第二公共電極沿各自不同的方向延伸，并且所述第一和第二像素電極沿各自不同的方向延伸。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的器件，其特征在于，還包括經(jīng)由所述第一接觸孔與所述漏極電連接的像素電極線。
14.根據(jù)權(quán)利要求12所述的器件，其特征在于，所述公共電極線包括經(jīng)由所述第二接觸孔與所述第一公共電極電連接的第一公共電極線。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的器件，其特征在于，所述公共電極線包括經(jīng)由第三接觸孔與所述第二公共電極電連接的第二公共電極線。
16.根據(jù)權(quán)利要求12所述的器件，其特征在于，還包括形成在所述像素區(qū)域的左部和右部以連接所述像素電極線以及所述第一和第二像素電極的第一連接線。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的器件，其特征在于，還包括形成在所述像素區(qū)域的左部和右部以連接所述第一公共電極線和第一公共電極以及所述第二公共電極線和第二公共電極的第二連接線。
18.根據(jù)權(quán)利要求12所述的器件，其特征在于，所述公共電極線設(shè)置在所述像素區(qū)域的上部和下部并通過平行于所述數(shù)據(jù)線設(shè)置的支線連接。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的器件，其特征在于，所述支線包括朝向所述第一或第二公共電極突出形成的突出物。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的器件，其特征在于，所述支線的所述突出物與所述第一或第二公共電極的端部交疊。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的器件，其特征在于，將所述支線與所述第一或第二公共電極之間的交疊部分劃分為相對于所述像素區(qū)域的上部和下部的左側(cè)和右側(cè)。
22.根據(jù)權(quán)利要求15所述的器件，其特征在于，還包括平行于所述數(shù)據(jù)線設(shè)置并連接到所述第一公共電極線的第一支線。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的器件，其特征在于，還包括平行于所述數(shù)據(jù)線設(shè)置并連接到所述第二公共電極線的第二支線。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的器件，其特征在于，所述第一支線包括朝向所述第一公共電極突出形成的第一突出物。
25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的器件，其特征在于，所述第一支線的所述第一突出物與所述第一公共電極的端部交疊。
26.根據(jù)權(quán)利要求23所述的器件，其特征在于，所述第二支線包括朝向所述第二公共電極突出形成的第二突出物。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的器件，其特征在于，所述第二支線的所述第二突出物與所述第二公共電極的端部交疊。
28.根據(jù)權(quán)利要求23所述的器件，其特征在于，所述設(shè)置有第二連接線的區(qū)域不具有所述第一或第二支線。
29.根據(jù)權(quán)利要求23所述的器件，其特征在于，所述第一和第二支線相連接。
30.一種制造共平面開關(guān)模式液晶顯示器件的方法，包括形成沿垂直和水平方向排列的多條柵線和多條數(shù)據(jù)線以在第一基板上限定多個像素區(qū)域；在所述柵線和數(shù)據(jù)項的交叉點處形成薄膜晶體管，其具有有源層以及源極和漏極；形成沿柵線方向排列的公共電極線；形成與柵線成一定傾斜角度并交替設(shè)置在所述像素區(qū)域的上部和下部以產(chǎn)生共平面場的多個第一像素電極和多個第一公共電極以及多個第二像素電極和多個第二公共電極；以及粘接所述第一基板和第二基板。
31.根據(jù)權(quán)利要求30所述的方法，其特征在于，還包括形成經(jīng)由第一接觸孔電連接所述柵極的像素電極；
32.根據(jù)權(quán)利要求30所述的方法，其特征在于，還包括形成經(jīng)由第二接觸孔電連接所述公共電極線的公共電極圖案。
33.根據(jù)權(quán)利要求30所述的方法，其特征在于，所述第一公共電極和第二公共電極以及所述第一像素電極和第二像素電極由諸如氧化銦錫或氧化銦鋅的透明導(dǎo)電材料組成。
34.根據(jù)權(quán)利要求31所述的方法，其特征在于，還包括形成用于連接所述像素電極線以及所述第一和第二像素電極的第一連接線。
35.根據(jù)權(quán)利要求30所述的方法，其特征在于，還包括形成用于連接所述公共電極線以及所述第一和第二公共電極的第二連接線。
36.根據(jù)權(quán)利要求30所述的方法，其特征在于，所述第一和第二公共電極沿各自不同的方向延伸，并且所述第一和第二像素電極沿各自不同的方向延伸。
37.根據(jù)權(quán)利要求36所述的方法，其特征在于，還包括經(jīng)由所述第一接觸孔電連接所述漏極的像素電極線。
38.根據(jù)權(quán)利要求36所述的方法，其特征在于，所述公共電極線包括經(jīng)由所述第二接觸孔電連接所述第一公共電極的第一公共電極線。
39.根據(jù)權(quán)利要求38所述的方法，其特征在于，所述公共電極線包括經(jīng)由第三接觸孔電連接所述第二公共電極的第二公共電極線。
40.根據(jù)權(quán)利要求36所述的方法，其特征在于，還包括在所述像素區(qū)域的左部和右部形成第一連接線，該第一連接線連接所述像素電極與所述第一和第二像素電極。
41.根據(jù)權(quán)利要求39所述的方法，其特征在于，還包括形成設(shè)置于所述像素區(qū)域的左部和右部的第二連接線，該第二連接線連接所述第一公共電極線和所述第一公共電極以及所述第二公共電極線和第二公共電極。
42.根據(jù)權(quán)利要求30或36所述的方法，其特征在于，所述公共電極線設(shè)置在所述像素區(qū)域的上部和下部。
43.根據(jù)權(quán)利要求42所述的方法，其特征在于，還包括形成設(shè)置為平行所述數(shù)據(jù)線并連接所述上公共電極線和下公共電極線的支線。
44.根據(jù)權(quán)利要求43所述的方法，其特征在于，所述支線包括朝向所述第一或第二公共電極突出的突出物。
45.根據(jù)權(quán)利要求44所述的方法，其特征在于，所述支線的所述突出物與所述第一或第二公共電極的端部交疊。
46.根據(jù)權(quán)利要求45所述的方法，其特征在于，所述支線和所述第一或第二公共電極之間的交疊區(qū)域相對于所述像素區(qū)域的上部和下部分而劃分為左側(cè)和右側(cè)。
47.根據(jù)權(quán)利要求43所述的方法，其特征在于，還包括形成平行于所述數(shù)據(jù)線并連接到所述第一公共電極線的第一支線。
48.根據(jù)權(quán)利要求47所述的方法，其特征在于，還包括形成平行于所述數(shù)據(jù)線并連接到所述第二公共電極線第二支線。
49.根據(jù)權(quán)利要求47所述的方法，其特征在于，所述第一支線包括朝向所述第一公共電極突出的第一突出物。
50.根據(jù)權(quán)利要求49所述的方法，其特征在于，所述第一支線的所述第一突出物與所述第一公共電極的端部交疊。
51.根據(jù)權(quán)利要求48所述的方法，其特征在于，所述第二支線包括朝向所述第二公共電極突出的第二突出物。
52.根據(jù)權(quán)利要求51所述的方法，其特征在于，所述第二支線的所述第二突出物與所述第二公共電極的端部交疊。
53.根據(jù)權(quán)利要求48所述的方法，其特征在于，所述設(shè)置有第二連接線的區(qū)域不具有所述第一或第二支線。
54.根據(jù)權(quán)利要求48所述的方法，其特征在于，所述第一和第二支線彼此連接。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種共平面開關(guān)模式液晶顯示器件，其包括沿垂直和水平方向排列的多條柵線和多條數(shù)據(jù)線，以在第一基板上限定多個像素區(qū)域；薄膜晶體管，其形成在所述柵線和數(shù)據(jù)線的各交叉點處并分別包括有源層、源極和漏極；沿柵線方向設(shè)置的公共電極線；多個第一像素電極和第一公共電極以及多個第二像素電極和第二公共電極，其相對于所述柵線具有一定的傾斜角度并交替設(shè)置在所述像素區(qū)域的上部和下部以產(chǎn)生共平面場；以及與所述第一基板粘接的第二基板。
文檔編號G02F1/1343GK1991554SQ200610145449
公開日2007年7月4日 申請日期2006年11月15日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月30日
發(fā)明者卓英美 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社