專利名稱：雙掃描式硅片調(diào)焦調(diào)平測(cè)量裝置及系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種調(diào)焦調(diào)平測(cè)量裝置，特別是一種用于測(cè)量硅片表面特定區(qū) 域相對(duì)于投影物鏡最佳焦平面的高度和傾斜度的調(diào)焦調(diào)平測(cè)量裝置及系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
在投影光刻裝置中，為了對(duì)硅片表面的位置進(jìn)行高精度的測(cè)量，同時(shí)為了 避免測(cè)量裝置損傷硅片，調(diào)焦調(diào)平測(cè)量必須是非接觸式測(cè)量，即裝置本身不直接接觸被測(cè)物體。常用的非接觸式調(diào)焦調(diào)平測(cè)量方法有三種光學(xué)測(cè)量法、電 容測(cè)量法以及氣壓測(cè)量法。請(qǐng)參閱圖1,其中顯示了光學(xué)曝光系統(tǒng)平面原理示意圖。如圖所示，在照明 系統(tǒng)100的照射下，光源通過(guò)投影物鏡310將掩模220上的圖像投影曝光到硅 片420上。掩模220由掩模臺(tái)210支承，硅片420由工件臺(tái)410支承。在圖1 中，在投影物鏡310和硅片420之間有一個(gè)硅片調(diào)焦調(diào)平測(cè)量裝置500，該裝置 與投影物鏡310或投影物鏡支承300進(jìn)行剛性聯(lián)接，用于對(duì)硅片420表面的位 置信息進(jìn)行測(cè)量，測(cè)量結(jié)果送往硅片表面位置控制系統(tǒng)560,經(jīng)過(guò)信號(hào)處理和調(diào) 焦調(diào)平量的計(jì)算后，驅(qū)動(dòng)調(diào)焦調(diào)平執(zhí)行器430對(duì)工件臺(tái)410的位置進(jìn)行調(diào)整， 完成硅片420的調(diào)焦調(diào)平。硅片調(diào)焦調(diào)平測(cè)量裝置的光機(jī)部分一般由照明單元、投影單元、成像單元 以及探測(cè)單元組成，其中投影單元將狹縫(陣列)投影在硅片表面，并形成測(cè) 量光斑(陣列)?，F(xiàn)有技術(shù)的掃描投影光刻裝置中，多使用光學(xué)測(cè)量法實(shí)現(xiàn)調(diào)焦調(diào)平測(cè)量， 光學(xué)調(diào)焦調(diào)平測(cè)量裝置的技術(shù)多種多樣。其中，Nikon公司采用基于掃描反射鏡調(diào)制的技術(shù)，具體參見(jiàn)美國(guó)早期專利US4558949,公開(kāi)于1985年12月17日， 該發(fā)明專利所揭示的技術(shù)方案是使用掃描反射鏡對(duì)測(cè)量信號(hào)進(jìn)行調(diào)制，進(jìn)而使 用相敏解調(diào)對(duì)光電轉(zhuǎn)換之后的電信號(hào)進(jìn)行解調(diào)，從而獲得與硅片表面高度一一對(duì)應(yīng)的電信號(hào)，該技術(shù)方案很好地解決了測(cè)量信號(hào)信噪比較低的問(wèn)題，但同時(shí)也存在以下幾點(diǎn)不足(1) 有效的線性化區(qū)域有限。經(jīng)過(guò)相敏解調(diào)出的信號(hào)為與掃描反射4竟掃描頻率同頻率的信號(hào)，該信號(hào)的 強(qiáng)度直接反映了當(dāng)前硅片表面的高度，但該信號(hào)的強(qiáng)度與硅片表面高度信號(hào)之 間呈類似于正弦曲線的變化趨勢(shì)，當(dāng)測(cè)量光斑中心與探測(cè)狹縫中心的偏移量越 來(lái)越大時(shí)，測(cè)量裝置的靈敏度越低，其重復(fù)精度也越低。當(dāng)測(cè)量光斑中心與探 測(cè)狹縫中心的偏移量為探測(cè)模塊測(cè)量光斑掃描方向?qū)挾鹊囊话氲臅r(shí)候，測(cè)量裝 置的靈敏度為零。因此，在正常使用中， 一般只使用該類正弦曲線中間的某一 段。(2) 提高測(cè)量范圍往往需要增加光學(xué)系統(tǒng)的視場(chǎng)。如上所述，該測(cè)量裝置有效的線性化區(qū)域有限，從而要提高測(cè)量范圍往往 需要增大測(cè)量光斑與探測(cè)狹縫在掃描方向上的尺寸。在多點(diǎn)測(cè)量時(shí)(如Nikon 目前才幾型采用49個(gè)光斑，具體見(jiàn)"Higher NA ArF scanning exposure tool on new platform for fhrther lOOnm technology node", Proc. SPIE， 2001年第4346期，第 651-658頁(yè))，光學(xué)系統(tǒng)的視場(chǎng)勢(shì)必也要做大，這將使得光學(xué)系統(tǒng)成像質(zhì)量更難 控制，光學(xué)結(jié)構(gòu)也將更加龐大。發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，本發(fā)明的目的是提供的一種雙掃描式硅片調(diào)焦調(diào)平測(cè)量裝置， 其具有較大的有效線性化區(qū)域，且光學(xué)設(shè)計(jì)難度小，結(jié)構(gòu)相對(duì)緊湊。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明提供一種雙掃描式硅片調(diào)焦調(diào)平測(cè)量裝置，應(yīng)用 于投影光刻機(jī)的調(diào)平調(diào)焦系統(tǒng)中，所述雙掃描式硅片調(diào)焦調(diào)平測(cè)量裝置由照明 單元、投影單元、成像單元及探測(cè)單元組成，所述投影單元將狹縫或者狹縫陣 列投影在硅片表面，形成測(cè)量光斑或者光斑陣列，其中，所述探測(cè)單元包括第 一、第二探測(cè)子單元，以及電信號(hào)處理單元，所述成像單元出射的光束分別經(jīng) 由第一和第二探測(cè)子單元進(jìn)入電信號(hào)處理單元進(jìn)行相敏解調(diào)。更詳細(xì)地說(shuō)，所述第一/第二探測(cè)子單元對(duì)應(yīng)于所述狹縫或者狹縫陣列按光 路傳播的順序依次設(shè)有第一/第二掃描反射鏡或者反射鏡陣列、第一/第二探測(cè)狹縫或者探測(cè)狹縫陣列以及第一/第二能量探測(cè)器或者能量探測(cè)器陣列。所述成像 單元出射的光束經(jīng)過(guò)一分光鏡反射后入射到所述第 一掃描反射鏡或者反射鏡陣列上，經(jīng)過(guò)所述分光鏡折射后則入射到所述第二掃描反射鏡或者反射鏡陣列上； 經(jīng)所述第 一掃描反射鏡或者反射鏡陣列掃描后的光依次經(jīng)過(guò)所述第 一探測(cè)狹縫 或者探測(cè)狹縫陣列和所述第一能量探測(cè)器或者能量探測(cè)器陣列，進(jìn)入電信號(hào)處 理單元；經(jīng)所述第二掃描反射鏡或者反射鏡陣列掃描后的光依次經(jīng)過(guò)所述第二 探測(cè)狹縫或者探測(cè)狹縫陣列和所述第二能量探測(cè)器或者能量探測(cè)器陣列，進(jìn)入 電信號(hào)處理單元；其中，所述第一掃描反射鏡或者反射鏡陣列與第二掃描反射 鏡或者反射鏡陣列的掃描角的相位始終相差180度。本發(fā)明所述的雙掃描式硅片調(diào)焦調(diào)平測(cè)量裝置，其中，所述電信號(hào)處理單 元通過(guò)產(chǎn)生一方波信號(hào)對(duì)所述第一和第二能量探測(cè)器或者能量探測(cè)器陣列輸出 的電信號(hào)進(jìn)行相敏解調(diào)，且對(duì)第一和第二能量探測(cè)器或者能量探測(cè)器陣列輸出 的電信號(hào)進(jìn)行相敏解調(diào)所使用的方波信號(hào)的相位始終相同。進(jìn)一步的，所述方 波信號(hào)的頻率與所述第 一、第二掃描反射鏡或者反射鏡陣列的諧振頻率相同。本發(fā)明所述的雙掃描式硅片調(diào)焦調(diào)平測(cè)量裝置，其中，所述電信號(hào)處理單 元進(jìn)一步包括第一/第二帶通濾波器、第一/第二乘法器、第一/第二低通濾波器以 及一減法器；所述第一/第二能量探測(cè)器輸出的電信號(hào)經(jīng)過(guò)第一/第二帶通濾波器 后，與所述方波信號(hào)一起輸入第一/第二乘法器，所述第一/第二乘法器的輸出信 號(hào)再經(jīng)由第一/第二低通濾波器進(jìn)入所述減法器。所述減法器對(duì)所述第一和第二 低通濾波器的輸出結(jié)果進(jìn)行差分計(jì)算，得到與所述硅片表面在測(cè)量光斑區(qū)域內(nèi) 高度--對(duì)應(yīng)的電信號(hào)。本發(fā)明還提供了 一種雙掃描式硅片調(diào)焦調(diào)平測(cè)量系統(tǒng)，其包括至少兩個(gè)如 前所述的雙掃描式硅片調(diào)焦調(diào)平測(cè)量裝置，所述裝置與裝置之間采用并聯(lián)或者 串聯(lián)的方式相互連接。與現(xiàn)有技術(shù)的調(diào)焦調(diào)平測(cè)量裝置相比，本發(fā)明所述的雙掃描式硅片調(diào)焦調(diào) 平測(cè)量裝置具有如下優(yōu)點(diǎn)有效的線性化區(qū)域大，即同樣的光學(xué)系統(tǒng)的視場(chǎng)， 同樣大小的光斑尺寸，同樣大小的探測(cè)狹縫尺寸，本發(fā)明卻能得到一倍半左右 的有效線性化區(qū)域；光學(xué)設(shè)計(jì)難度小，結(jié)構(gòu)相對(duì)緊湊，即要實(shí)現(xiàn)同樣大小的有 效線性化區(qū)域，本發(fā)明所述的雙掃描式硅片調(diào)焦調(diào)平測(cè)量裝置僅需要設(shè)計(jì)一半大小左右的光學(xué)視場(chǎng)，成像質(zhì)量控制難度大幅下降，整體結(jié)構(gòu)也較緊湊。


通過(guò)以下對(duì)本發(fā)明的一實(shí)施例結(jié)合其附圖的描述，可以進(jìn)一步理解其發(fā)明的目的、具體結(jié)構(gòu)特征和優(yōu)點(diǎn)。其中，附圖為 圖1顯示了光學(xué)曝光系統(tǒng)平面原理示意圖；圖2顯示了本發(fā)明的雙掃描式硅片調(diào)焦調(diào)平測(cè)量裝置的一個(gè)較佳實(shí)施例的 總體結(jié)構(gòu)示意圖；圖3顯示了本發(fā)明的雙掃描式硅片調(diào)焦調(diào)平測(cè)量裝置的一個(gè)4交佳實(shí)施例的 電信號(hào)處理單元的控制流圖；圖4顯示了本發(fā)明的雙掃描式硅片調(diào)焦調(diào)平測(cè)量裝置的一個(gè)較佳實(shí)施例的 特征曲線；圖5顯示了現(xiàn)有技術(shù)的調(diào)焦調(diào)平測(cè)量裝置的靈敏度曲線； 圖6顯示了本發(fā)明的雙掃描式硅片調(diào)焦調(diào)平測(cè)量裝置的一個(gè)較佳實(shí)施例的 靈敏度曲線。
具體實(shí)施方式
以下將結(jié)合一個(gè)較佳的實(shí)施例對(duì)本發(fā)明的雙掃描式硅片調(diào)焦調(diào)平測(cè)量裝置 作進(jìn)一步的詳細(xì)描述。需要說(shuō)明的是，本發(fā)明的發(fā)明內(nèi)容主要在探測(cè)單元中， 所以在本實(shí)施例中，本發(fā)明對(duì)照明單元、投影單元以及成像單元作了筒化處理。 另外，為了使本發(fā)明更加清晰，本實(shí)施例中只討論單個(gè)狹縫，單個(gè)測(cè)量光斑的 情況，而對(duì)于多點(diǎn)測(cè)量，本發(fā)明的原理同樣適用，只需將探測(cè)單元中的單個(gè)元 件替換為元件陣列即可。請(qǐng)參閱圖2,顯示了本發(fā)明的雙掃描式硅片調(diào)焦調(diào)平測(cè)量裝置的一個(gè)較佳實(shí) 施例的總體結(jié)構(gòu)示意圖。如圖所示，測(cè)量光510經(jīng)過(guò)第一反射鏡520、投影狹縫 525、、第二反射鏡530后在硅片表面420上形成測(cè)量光斑421。經(jīng)硅片表面420 反射后，經(jīng)第三反射鏡540反射后入射到分光鏡550上。經(jīng)分光鏡550反射后 的光入射到第一掃描反射鏡560上，測(cè)量光經(jīng)第一掃描反射鏡560掃描后入射 到第一探測(cè)狹縫561后，進(jìn)入第一能量探測(cè)器562上，第一能量探測(cè)器562產(chǎn)號(hào)處理單元570中進(jìn)行電信號(hào)處理。經(jīng)分光鏡550折射后 的光經(jīng)第四反射鏡568后入射到第二掃描反射鏡565上，測(cè)量光經(jīng)第二掃描反 射鏡565掃描后入射到第二探測(cè)狹縫566后，進(jìn)入第二能量探測(cè)器567上，第 二能量探測(cè)器567產(chǎn)生的電信號(hào)也進(jìn)入電信號(hào)處理單元570中進(jìn)行電信號(hào)處理。 其中，電信號(hào)處理單元570主要完成兩個(gè)任務(wù)，第一個(gè)任務(wù)為驅(qū)動(dòng)第一掃描反 射鏡560和第二掃描反射鏡565，第二個(gè)任務(wù)為第一能量探測(cè)器562和第二能探 測(cè)器567輸出信號(hào)的相敏解調(diào)。相敏解調(diào)具體實(shí)現(xiàn)的方法較多，本實(shí)施例以乘 法器和低通濾波器為例進(jìn)行分析。圖3顯示了本發(fā)明的雙掃描式硅片調(diào)焦調(diào)平測(cè)量裝置的一個(gè)較佳實(shí)施例的 電信號(hào)處理單元的控制流圖。該電信號(hào)處理單元570產(chǎn)生一個(gè)方波信號(hào)571，該 方波信號(hào)571的頻率與第一掃描反射鏡560和第二掃描反射鏡565的諧振頻率 一致，該頻率用于對(duì)測(cè)量光斑中帶有高度信息的信號(hào)進(jìn)行調(diào)制，該信號(hào)頻率一 般在2KHz以上，本實(shí)施例假定該信號(hào)的頻率為lf。產(chǎn)生的方波信號(hào)571直接 用于觸發(fā)第一掃描反射鏡560進(jìn)行掃描，同時(shí)該方波信號(hào)571經(jīng)180度的相位 延遲之后用于觸發(fā)第二掃描反射鏡565進(jìn)行掃描。第一能量探測(cè)器562輸出的 電信號(hào)Vinl和第二能量探測(cè)器567輸出的電信號(hào)Vin2分別經(jīng)過(guò)第一/第二 lf帶 通濾波器574a/574b、第一/第二乘法器575a/575b以及第一/第二低通濾波器 576a/576b之后進(jìn)入減法器577進(jìn)行差分計(jì)算，得到一個(gè)電壓值Vout， Vout為與 硅片表面420在測(cè)量光斑421區(qū)域內(nèi)高度——對(duì)應(yīng)的電信號(hào)。第一lf帶通濾波 器574a和第二 lf帶通濾波器574b為完全一樣的帶通濾波器，其中心頻率與方 波信號(hào)571的頻率相同，也即第一掃描反射鏡560與第二掃描反射鏡565的掃 描頻率。第一乘法器575a和第二乘法器575b、第一低通濾波器576a和第二低 通濾波器576b也完全一樣。乘法器和低通濾波器構(gòu)成了對(duì)信號(hào)Vinl和Vin2相 敏解調(diào)環(huán)節(jié)，其輸出信號(hào)為信號(hào)Vinl和Vin2中l(wèi)f頻率的信號(hào)。由于第一掃描反射鏡560和第二掃描反射鏡565的掃描相位始終相差180 度，而在相敏解調(diào)時(shí)，Vinl和Vin2使用與同一個(gè)方波信號(hào)進(jìn)行乘法計(jì)算，所以， 電壓信號(hào)Voutl和Vout2始終反向?，F(xiàn)有技術(shù)中只使用了電壓信號(hào)Voutl和Vout2 中的某一個(gè)信號(hào)，而本發(fā)明則使用其差值用來(lái)表征硅片表面420在測(cè)量光斑421 區(qū)域內(nèi)的高度。在本實(shí)施例中假定測(cè)量光斑421在第一探測(cè)狹縫561和第二探在第一掃描反射鏡560和第二掃描反射鏡565掃描方向的 寬度為lmm，同時(shí)第一探測(cè)狹縫561和第二探測(cè)狹縫566的狹縫寬度也為lmm， 電信號(hào)處理單元570中的增益調(diào)節(jié)4吏得信號(hào)Voutl和Vout2最大不超過(guò)8.5V。圖4顯示了本發(fā)明的雙掃描式硅片調(diào)焦調(diào)平測(cè)量裝置的一個(gè)較佳實(shí)施例的 特征曲線，其橫坐標(biāo)為當(dāng)?shù)谝粧呙璺瓷溏R560和第二掃描反射鏡565掃描角為0 度或180度時(shí)，在第一探測(cè)狹縫561和第二探測(cè)狹縫566之前的像的掃描方向 的中心位置與第一探測(cè)狹縫561和第二探測(cè)狹縫566中心位置之間的偏移量。 縱坐標(biāo)為能量探測(cè)器經(jīng)相敏解調(diào)輸出的電壓值，曲線581對(duì)應(yīng)于電壓信號(hào)Vout， 曲線582對(duì)應(yīng)于電壓信號(hào)Voutl ，曲線583對(duì)應(yīng)于電壓〗言號(hào)Vout2。圖5和圖6分別為現(xiàn)有技術(shù)及本發(fā)明所涉及的裝置的特征曲線，其橫坐標(biāo) 均為當(dāng)?shù)谝粧呙璺瓷溏R560和第二掃描反射鏡565掃描角為0度或180度時(shí)， 在第一探測(cè)狹縫561和第二探測(cè)狹縫566之前的像的掃描方向的中心位置與第 一探測(cè)狹縫561和第二探測(cè)狹縫566中心位置之間的偏移量。在相同的光機(jī)結(jié) 構(gòu)下，如果要求使用0.015伏特/微米以上靈敏度的區(qū)域，現(xiàn)有技術(shù)只能精確地 測(cè)量約正負(fù)300微米左右的變化，而本實(shí)施例則可測(cè)量約正負(fù)450微米左右的 變化，為現(xiàn)有技術(shù)1.5倍左右的測(cè)量范圍。從圖4、圖5和圖6可以看出，本發(fā)明所涉及的雙掃描式硅片調(diào)焦調(diào)平測(cè)量 裝置擁有斜率更大的特征曲線，同時(shí)擁有更大靈敏度。即，相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)而 言，本發(fā)明擁有更大的線性化區(qū)域。而現(xiàn)有技術(shù)如要達(dá)到本發(fā)明同樣的特征曲 線，則需要增加光斑及探測(cè)狹縫的尺寸，而在多點(diǎn)測(cè)量中，這將使得光學(xué)涉及 難度增加，結(jié)構(gòu)也將更加龐大。本發(fā)明的雙掃描式硅片調(diào)焦調(diào)平測(cè)量裝置，才艮據(jù)實(shí)際需要可以單獨(dú)使用， 也可以組合使用，即采用多個(gè)上述裝置以并聯(lián)或串聯(lián)的形式相連以形成雙掃描 式硅片調(diào)焦調(diào)平測(cè)量系統(tǒng)，以便滿足不同的使用需求。需要特別說(shuō)明的是，本發(fā)明的雙掃描式硅片調(diào)焦調(diào)平測(cè)量裝置不局限于上 述實(shí)施例中所限定的結(jié)構(gòu)，盡管參照較佳實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，本 領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行修改或者等同替換，而不脫 離本發(fā)明的精神和范圍，其均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。
權(quán)利要求
1、一種雙掃描式硅片調(diào)焦調(diào)平測(cè)量裝置，應(yīng)用于投影光刻機(jī)的調(diào)焦調(diào)平系統(tǒng)中，所述雙掃描式硅片調(diào)焦調(diào)平測(cè)量裝置由照明單元、投影單元、成像單元及探測(cè)單元組成，所述投影單元將狹縫或者狹縫陣列投影在硅片表面，形成測(cè)量光斑或者光斑陣列，其特征在于所述探測(cè)單元包括第一、第二探測(cè)子單元，以及電信號(hào)處理單元；所述成像單元出射的光束分別經(jīng)由第一和第二探測(cè)子單元進(jìn)入電信號(hào)處理單元進(jìn)行相敏解調(diào)。
2、 根據(jù)權(quán)利要求l所述的雙掃描式硅片調(diào)焦調(diào)平測(cè)量裝置，其特征在于所述第一/第二^:測(cè)子單元對(duì)應(yīng)于所述狹縫或者狹縫陣列^^姿光路傳"l番的順序依次設(shè)有第一/第二掃描反射鏡或者反射鏡陣列、第一/第二探測(cè)狹縫或者探測(cè)狹縫 陣列以及第一/第二能量探測(cè)器或者能量探測(cè)器陣列。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙掃描式硅片調(diào)焦調(diào)平測(cè)量裝置，其特征在于 所述成像單元出射的光束經(jīng)過(guò)一分光鏡反射后入射到所述第 一掃描反射鏡或者反射鏡陣列上，經(jīng)過(guò)所述分光鏡折射后則入射到所述第二掃描反射鏡或者 反射鏡陣列上；經(jīng)所述第 一掃描反射鏡或者反射鏡陣列掃描后的光依次經(jīng)過(guò)所述第 一探測(cè) 狹縫或者探測(cè)狹縫陣列和所述第一能量探測(cè)器或者能量探測(cè)器陣列，進(jìn)入電信 號(hào)處理單元；經(jīng)所述第二掃描反射鏡或者反射鏡陣列掃描后的光依次經(jīng)過(guò)所述 第二探測(cè)狹縫或者探測(cè)狹縫陣列和所述第二能量^:測(cè)器或者能量探測(cè)器陣列， 進(jìn)入電信號(hào)處理單元；其中，所述第一掃描反射鏡或者反射鏡陣列與第二掃描反射鏡或者反射鏡 陣列的掃描角的相位始終相差180度。
4、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的雙掃描式硅片調(diào)焦調(diào)平測(cè)量裝置，其特征在于 所述電信號(hào)處理單元通過(guò)產(chǎn)生一方波信號(hào)對(duì)所述第一和第二能量探測(cè)器或者能 量探測(cè)器陣列輸出的電信號(hào)進(jìn)行相敏解調(diào)，且對(duì)第一和第二能量探測(cè)器或者能 量探測(cè)器陣列輸出的電信號(hào)進(jìn)行相敏解調(diào)所使用的方波信號(hào)的相位始終相同。
5、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的雙掃描式硅片調(diào)焦調(diào)平測(cè)量裝置，其特征在于 所述方波信號(hào)的頻率與所述第 一、第二掃描反射鏡或者反射鏡陣列的諧振頻率相同。
6、 根據(jù)權(quán)利要求4所述的雙掃描式硅片調(diào)焦調(diào)平測(cè)量裝置，其特征在于 所述電信號(hào)處理單元進(jìn)一步包括第一/第二帶通濾波器、第一/第二乘法器、第一 /第二低通濾波器以及一減法器；所述第一/第二能量探測(cè)器輸出的電信號(hào)經(jīng)過(guò)第 一/第二帶通濾波器后，與所述方波信號(hào)一起輸入第一/第二乘法器，所述第一/ 第二乘法器的輸出信號(hào)再經(jīng)由第一/第二低通濾波器進(jìn)入所述減法器。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6所述的雙掃描式硅片調(diào)焦調(diào)平測(cè)量裝置，其特征在于 所述減法器對(duì)所述第一和第二低通濾波器的輸出結(jié)果進(jìn)行差分計(jì)算，得到與所 述硅片表面在測(cè)量光斑區(qū)域內(nèi)高度一一對(duì)應(yīng)的電信號(hào)。
8、 一種雙掃描式硅片調(diào)焦調(diào)平測(cè)量系統(tǒng)，其特征在于包括至少兩個(gè)如權(quán) 利要求1所述的雙掃描式硅片調(diào)焦調(diào)平測(cè)量裝置，所述裝置與裝置之間采用并 聯(lián)或者串聯(lián)的方式相互連接。
全文摘要
本發(fā)明提供一種雙掃描式硅片調(diào)焦調(diào)平測(cè)量裝置及系統(tǒng)，應(yīng)用于投影光刻機(jī)的調(diào)平調(diào)焦系統(tǒng)中，所述雙掃描式硅片調(diào)焦調(diào)平測(cè)量裝置由照明單元、投影單元、成像單元及探測(cè)單元組成，所述投影單元將狹縫或者狹縫陣列投影在硅片表面，形成測(cè)量光斑或者光斑陣列，所述探測(cè)單元包括第一、第二探測(cè)子單元，以及電信號(hào)處理單元，所述成像單元出射的光束分別經(jīng)由第一和第二探測(cè)子單元進(jìn)入電信號(hào)處理單元進(jìn)行相敏解調(diào)。本發(fā)明的雙掃描式硅片調(diào)焦調(diào)平測(cè)量裝置具有較大的有效線性化區(qū)域，其光學(xué)設(shè)計(jì)難度小，結(jié)構(gòu)相對(duì)緊湊。
文檔編號(hào)G03F7/20GK101329513SQ200810040349
公開(kāi)日2008年12月24日 申請(qǐng)日期2008年7月8日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月8日
發(fā)明者尹作海, 李志丹, 潘煉東, 陳飛彪 申請(qǐng)人:上海微電子裝備有限公司