專利名稱：光刻版圖及其測量光刻形變的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種半導體集成電路的制造設備，具體涉及一種光刻版圖，本發(fā)明還
涉及采用該光刻版圖測量光刻形變的方法。
背景技術：
目前的集成半導體的制造工藝中，在第一層光刻工藝時，都使用旋轉標記來監(jiān)測第一次光刻的質量，根據旋轉標記來判斷第一次光刻的形變情況。 常用的光刻版圖，曝光單元(shot)l的四周設置有兩條切割道(ScribeLine)，一條為線形切割道3，一條為C形切割道2。兩條切割道形成環(huán)形。其中C形切割道的兩端分別設有旋轉標記X、Y。旋轉標記X與旋轉標記Y在版圖上呈線形排列。使用時，將兩張(或多張)光刻版圖疊加，如圖l所示；并使一張光刻版圖上的旋轉標記X與另一張光刻版圖上的旋轉標記Y疊加，如圖2所示。 這種光刻版圖，在監(jiān)測第一次光刻質量時，只能采用目測的方法，測量精度比較差，容易出現(xiàn)誤判。并且切割道所占版圖的面積也比較大。 另外，在半導體集成電路的生產過程中，會使用一種風車形的切割道(ScribeLine)，在這種風車形的切割道中，這種成線形排列的旋轉標記失去了作用，無法進行光刻形變的測量。

發(fā)明內容
本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種光刻版圖，它可以對帶有風車形切割道的光刻版圖進行光刻形變的測量。 為解決上述技術問題，本發(fā)明光刻版圖的技術解決方案為 包括曝光單元，所述曝光單元的四個邊分別設置有切割道，各切割道呈風車形排列；各切割道的末端設有旋轉標記，旋轉標記與所述曝光單元的中心對齊。
所述四個旋轉標記為兩種，一種為框形，另一種為矩形。
采用本發(fā)明光刻版圖測量光刻形變的方法為 將兩張光刻版圖疊加，并使一張光刻版圖上的一種旋轉標記與另一張光刻版圖上的另一種旋轉標記疊加，分別測量兩種旋轉標記疊加后的圖形中橫向和縱向的距離。
本發(fā)明可以達到的技術效果是 本發(fā)明在切割道的末端設置兩種不同的旋轉標記，可通過目前工藝流程中的套刻精度測量的機臺來測量，無需添加新的機臺。本發(fā)明通過兩種旋轉標記之間距離的測量來判斷第一次光刻的形變情況，可以提高第一次光刻的形變精度。 本發(fā)明切割道的長度和寬度分別僅為現(xiàn)有技術中切割道的長度和寬度的一半，能夠很大地縮小切割道在硅片上所占尺寸的比例。


下面結合附圖和具體實施方式
對本發(fā)明作進一步詳細的說明 圖1是現(xiàn)有技術兩張光刻版圖疊加的示意圖； 圖2是現(xiàn)有技術旋轉標記X與旋轉標記Y疊加的示意圖； 圖3是本發(fā)明光刻版圖的示意圖； 圖4是本發(fā)明兩張光刻版圖疊加的示意圖； 圖5是本發(fā)明旋轉標記A的示意圖； 圖6是本發(fā)明旋轉標記B的示意圖； 圖7是圖4中C的局部放大圖。 圖中，1-曝光單元，2-C形切割道，3-線形切割道，4_切割道，10-曝光單元中心(Shot center) ， A、B_旋轉標記，a_旋轉標記A的邊長，b_旋轉標記A的邊框寬度，c_旋轉標記B的邊長。
具體實施例方式
如圖3所示，本發(fā)明光刻版圖，包括曝光單元(shot)l，曝光單元l四周的四條切割道(Scribe Line)4呈風車形排列，即四條切割道4分別設置于曝光單元1的四個邊上，每條切割道4以曝光單元1的頂點為起點，以該邊的中點為終點，依次排列。每條切割道4的寬度在100微米至20微米的范圍內，為現(xiàn)有技術中切割道寬度的一半。
切割道4的末端，即切割道4上位于曝光單元1各邊中點處套刻有旋轉標記A或B，旋轉標記A、 B作為套刻標記。旋轉標記A、 B分別與曝光單元(shot) 1的中心10對齊。
如圖6所示，旋轉標記A為正方形方框，旋轉標記A的邊長為a，邊框寬度為b。
如圖7所示，旋轉標記B為正方形，旋轉標記B的邊長為c。 旋轉標記A、B的大小可以根據切割道4的寬度調整大小。最佳實施例中，旋轉標記A的邊長a為30微米，旋轉標記A的邊框寬度b為5微米，旋轉標記B的邊長c為10微米。
采用本發(fā)明光刻版圖測量光刻形變時，如圖4所示，將兩張(或多張)光刻版圖疊加，并使一張光刻版圖上的旋轉標記A與另一張光刻版圖上的旋轉標記B疊加，如圖8所示，此時可分別測量旋轉標記A與旋轉標記B疊加后的圖形中橫向和縱向的距離，即測量xl與x2，以及yl與y2之間的偏差。 本發(fā)明在切割道4的末端設置旋轉標記A或B，可通過目前工藝流程中的套刻精度測量的機臺來測量，無需添加新的機臺。本發(fā)明通過旋轉標記A與B之間距離的測量來判斷第一次光刻的形變情況，可以提高第一次光刻的形變精度。 本發(fā)明的切割道4，以曝光單元1的頂點為起點，以該邊的中點為終點，其長度僅為曝光單元1邊長的一半，因此該切割道4長度可以減小到50微米以下，即長度為現(xiàn)有技術中切割道寬度的一半，而寬度也為現(xiàn)有技術中切割道寬度的一半，可以很大地縮小切割道4在硅片上所占尺寸的比例。
權利要求
一種光刻版圖，包括曝光單元，其特征在于所述曝光單元的四個邊分別設置有切割道，各切割道呈風車形排列；各切割道的末端設有旋轉標記，旋轉標記與所述曝光單元的中心對齊。
2. 根據權利要求l所述的光刻版圖，其特征在于所述四個旋轉標記為兩種，一種為框形，另一種為矩形。
3. 根據權利要求l所述的光刻版圖，其特征在于所述四個旋轉標記為兩種，一種為正方形方框，另一種為正方形。
4. 根據權利要求3所述的光刻版圖，其特征在于所述兩種旋轉標記，一種旋轉標記的邊長為30微米，邊框寬度為5微米；另一種旋轉標記的邊長為10微米。
5. 根據權利要求1所述的光刻版圖，其特征在于所述切割道的寬度在100微米至20微米之間。
6. 根據權利要求1或5所述的光刻版圖，其特征在于所述切割道的長度為曝光單元邊長的一半。
7. —種采用權利要求1所述的光刻版圖測量光刻形變的方法，其特征在于將所述兩張光刻版圖疊加，并使一張光刻版圖上的一種旋轉標記與另一張光刻版圖上的另一種旋轉標記疊加，分別測量兩種旋轉標記疊加后的圖形中橫向和縱向的距離。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種光刻版圖，包括曝光單元，所述曝光單元的四個邊分別設置有切割道，各切割道呈風車形排列；各切割道的末端設有旋轉標記，旋轉標記與所述曝光單元的中心對齊。所述四個旋轉標記為兩種，一種為框形，另一種為矩形。本發(fā)明在切割道的末端設置兩種不同的旋轉標記，可通過目前工藝流程中的套刻精度測量的機臺來測量，無需添加新的機臺。本發(fā)明通過兩種旋轉標記之間距離的測量來判斷第一次光刻的形變情況，可以提高第一次光刻的形變精度。本發(fā)明切割道的長度和寬度分別僅為現(xiàn)有技術中切割道的長度和寬度的一半，能夠很大地縮小切割道在硅片上所占尺寸的比例。本發(fā)明還公開了采用該光刻版圖測量光刻形變的方法。
文檔編號G03F7/20GK101750899SQ20081004405
公開日2010年6月23日 申請日期2008年12月4日 優(yōu)先權日2008年12月4日
發(fā)明者吳鵬, 闞歡, 陳福成 申請人:上海華虹Nec電子有限公司