專利名稱：基于單層亞波長金屬光柵的磁場可調(diào)控的電磁波透射的器件與制備的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及電磁波透射器件，尤其是一種基于單層亞波長金屬光柵的磁場可調(diào)控
的偏振無關電磁波透射的器件。
背景技術：
1998年，法國科學家T.W.Ebbesen等人在Nature上發(fā)表文章(Extraordinary opticaltransmission through sub-wavelength hole arrays)，他們在實驗中發(fā)現(xiàn)當電石茲 波入射到具有二維亞波長小孔陣列的金屬薄膜上后，電磁波的零級透射譜在大于陣列周期 的波長處表現(xiàn)為一系列具有高的透過率的反常的透射峰，且透過率的量級遠大于經(jīng)典的小 孔透射理論所預測的結果。這一現(xiàn)象通常被稱為異常透射現(xiàn)象。他們認為這是由于當電磁 波入射到金屬薄膜上時，二維的小孔陣列提供了必要的倒格矢，使得入射電磁波的波矢與 表面等離子體激元的波矢滿足動量匹配條件，從而激發(fā)起了金屬薄膜表面的表面等離子體 激 元，從而利用表面等離子體激元實現(xiàn)了對應波長的異常透射。 1999年，J. A. Porto等人在Phys. Rev. Lett.上發(fā)表了題為"Transmission Resonanceson Metallic Gratings with Very Narrow Slits，，的文章，他們石開究了一維亞 波長金屬柵中的異常透射現(xiàn)象，指出p-偏振的電磁波的異常透射的發(fā)生存在著兩個可能 的路徑一個是激發(fā)起能量局域在金屬薄膜上下兩個表面的耦合的表面等離子體激元；另 一個是激發(fā)起能量局域在金屬柵狹縫內(nèi)的波導模式。這兩種透射途徑的機制不同，對應于 透射譜中的不同的透射峰。特別是對應于波導模式，它可以實現(xiàn)全入射角范圍內(nèi)的窄帶的 異常透射。 上述兩篇實驗和理論工作的發(fā)表以及異常透射效應本身所具有的巨大的研究價 值和重要的應用價值，特別是在太陽能的存儲、光學干涉平板印刷、超越衍射極限的亞波長 成像、掃描光學顯微鏡、無衍射的電磁波濾波等領域都擁有非常廣闊的應用前景，極大地激 發(fā)了世界范圍內(nèi)廣大科學家的研究熱情，他們對不同波長范圍內(nèi)的異常透射現(xiàn)象進行了系 統(tǒng)而廣泛的實驗和理論研究。 在微波波段，2002年，F(xiàn). Yang等人在Phys. Rev. Lett.上發(fā)表了工作
(ResonantTransmission of Microwaves through a Narrow Metallic Slit).他們在實驗
上研究了單個金屬狹縫的微波的共振透射，在實驗上證明了波導共振的異常透射。 2006年，A. P. Hibbins等人在Phys. Rev. Lett.上發(fā)表 了 題為
"MicrowaveTransmission of a Compound Metal Grating，，的文章。他們從實驗禾口數(shù)值模
擬兩個方面研究了復合結構金屬柵的微波的異常透射，發(fā)現(xiàn)對比于單周期的金屬柵，在復
合結構金屬柵中存在著三種Fabry-Perot-like的共振。 2009年，K. Aydin等人在Phys. Rev. Lett. 上發(fā)表文章
(Split_Ring_Resonator_Coupled Enhanced Transmission through a Single SubwavelengthAperture).他們通過在一個亞波長的孔的近場附件放置一個劈裂環(huán)共振器，通過入射電磁波激發(fā)劈裂環(huán)共振器的電共振或者磁共振成功地實現(xiàn)了微波的單個亞波 長小孔的異常透射。 在太赫茲波段，2004年，D. Qu等人在Opt. Lett.上發(fā)表文章
(Terahertztransmission properties of thin，subwavelength metallic hole arrays).
他們在實驗上研究了太赫茲的電磁波在具有亞波長小孔陣列的金屬薄膜上的異常透射，發(fā)
現(xiàn)孔的形狀對透射有巨大的影響。 2006年，A. K. Azad等人在Opt. Lett.上發(fā)表題為"Effect of dielectric
properties ofmetals on terahertz transmission in subwavelength hole arrays"的
工作。他們實驗研究了不同金屬的介電函數(shù)對太赫茲波異常透射現(xiàn)象的影響，發(fā)現(xiàn)隨著金
屬實的介電常數(shù)和虛的介電常數(shù)比值的增加，太赫茲波的透過率增加。 2009年，T. H. Isaac等人在Phys. Rev. B.上發(fā)表工作(Surface-mode lifetime
andthe terahertz transmission of subwavelength hole arrays).他們在實驗上石開究了
具有不同孔徑大小的二維亞波長小孔陣列的金屬薄膜在太赫茲波段的異常透射現(xiàn)象，發(fā)現(xiàn)
隨著孔徑的減小，表面模的壽命增加，由表面模所輔助的共振透射對透過率的貢獻增加。 在光波段，2002年，A. Barbara等人在Phys. Rev. B上發(fā)表題為
"Opticaltransmission through subwavelength metallic gratings"的文章。他們實驗
研究了紅外波段的一維亞波長金屬柵的異常透射現(xiàn)象，在實驗上證明了共振的波導模式和
表面等離子體激元控制著光波段的增強透射。 2005年，K. L. van der Molen等人在Phys. Rev. B上發(fā)表文章(Role of shape andlocalized resonances in extraordinary transmission through periodic arrays of subwavelength holes -Experiment and theory).他們從實驗禾口理論兩個方面研究了矩 形孔的長寬比對光波段的具有二維亞波長小孔陣列的金屬膜的異常透射效應的影響，發(fā)現(xiàn) 形狀共振在異常透射中扮演著非常重要的角色。 2007年，Y. Ekinci等人在Opt. Lett.上發(fā)表工作(Extraordinary optical transmissionin the ultraviolet region through aluminum hole arrays).他們在實驗 上研究了具有二維亞波長小孔陣列的鋁膜在紫外波段的異常透射現(xiàn)象，發(fā)現(xiàn)傳輸?shù)谋砻娴?離子體激元和局域的表面等離子共振共同貢獻于異常透射效應。 2009年，S. G. Rodrigo等人在Opt. Lett.上發(fā)表題為"Extraordinary opticaltransmission through hole arrays in optically thin metal films，，的文章。 他們在理論上研究了具有正方形小孔陣列的光學薄的金屬薄膜在光波段的異常透射現(xiàn)象， 發(fā)現(xiàn)隨著金屬薄膜厚度的減小，由于光和短范圍的表面等離子體的耦合，異常的透射峰發(fā) 生了紅移，同時最大和最小透過率的比值保持一個高的值即使金屬薄膜的厚度減小到一個 趨膚深度的厚度。 綜上所述，人們已經(jīng)對一維亞波長金屬光柵和二維亞波長小孔陣列金屬薄膜中的 異常透射現(xiàn)象進行了大量的實驗和理論研究，揭示出了隱藏在異常透射現(xiàn)象背后的各種各 樣的物理機制；同時這些研究工作也加深了人們對影響異常透射物理機制的各個因素的認 識。異常透射效應的存在波段可以從微波波段到光波段，其在太陽能的存儲單元和亞波長 電磁器件的設計中有著巨大的應用價值。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術中沒有一種簡單的方式實現(xiàn)偏振無關的電磁波透射譜主動可 調(diào)控的問題，本發(fā)明目的是提出一種基于單層亞波長金屬光柵的磁場可調(diào)控的偏振無關 電磁波透射的器件和制備方法。 本發(fā)明具體技術方案是，基于單層亞波長金屬光柵的磁場可調(diào)控的偏振無關電磁 波透射的器件，該器件包括單層亞波長金屬光柵和填充在亞波長金屬光柵狹縫內(nèi)的磁活性 介質(zhì)；該器件的外加磁場B。平行于光柵狹縫的方向且其大小可調(diào)；該器件的金屬部分和磁 活性介質(zhì)部分具有相同的厚度，該厚度大小滿足最少支持設計工作波長在光柵狹縫內(nèi)的最 低階的Fabry-Perot腔共振的要求；所述光柵的周期和狹縫小于所述電磁波的波長；所述 光柵的金屬材料為低損耗的金屬，例如金、銀或者鋁等；所述光柵的介質(zhì)材料為能透射電磁 波的磁活性介質(zhì)，在微波波段，例如微波ferrite材料YIG和微波鐵氧體等；在太赫茲波段， 例如半導體材料InSb和InAs等；在紅外和可見光波段，例如磁光材料Bi : GdIG和磁性半導 體材料CdMnTe等；該器件的透射特性基于光柵狹縫內(nèi)的波導模式，可調(diào)控的入射電磁波為 S-偏振或者p-偏振；該光刪的狹縫寬度滿足兩種偏振電磁波的波導模式同時存在的條件； 該器件實現(xiàn)功能所需施加的外磁場B。的范圍取決于所選取的磁活性介質(zhì)，在0特斯拉到1 特斯拉的范圍；隨著外加磁場B。的增加，對應于磁活性波導模式的偏振的透射峰發(fā)生藍移 或紅移；該器件的外加磁場B。的大小可通過電磁鐵等來調(diào)節(jié)。 本發(fā)明器件的適用波長范圍可以從微波波段到可見光波段；該金屬光柵的尺寸范 圍和具體的結構參數(shù)值取決于設計要求的工作波長范圍，對于微波波段和太赫茲波段，尺 寸范圍和結構參數(shù)值較大，在毫米和微米的量級；對于紅外和可見光波段，尺寸范圍和結構 參數(shù)值較小，在納米的量級。 本發(fā)明器件的制備方法，對于微波和太赫茲波段的所述的器件，可以采用金屬刻 蝕或者飛秒激光微加工等工藝制作出一維周期亞波長金屬光柵，然后采用微調(diào)控系統(tǒng)直接 在狹縫內(nèi)填充磁活性介質(zhì)棒或者采用脈沖激光沉積等方法在狹縫內(nèi)填充磁活性介質(zhì)，光柵 的結構參數(shù)根據(jù)設計要求控制；對于紅外和可見光波段的所述的器件，可以先采用磁控濺 射等工藝制作出單層金屬薄膜；然后采用聚焦離子束刻蝕等方法制作出單層光柵；再采用 脈沖激光沉積等方法在金屬光柵狹縫內(nèi)填充磁活性的介質(zhì)，光柵的結構參數(shù)根據(jù)設計要求 控制。 本發(fā)明器件可以通過改變外加磁場B。的大小，對s-偏振或者p-偏振入射電磁波 的透射峰的位置和透過率進行調(diào)節(jié)。對應于不同的波長調(diào)節(jié)范圍，光柵的周期，縫寬和厚度 可以采用不同的值，填充的介質(zhì)也可以選用對應波段的磁活性介質(zhì)，從而實現(xiàn)從微波到可 見光波段的特殊濾波要求。 本發(fā)明機理是，當s-偏振(p-偏振)的電磁波以角度e傾斜入射到單層亞波長金 屬光柵上時，入射電磁波將與光柵狹縫內(nèi)的本征波導模式發(fā)生耦合，當滿足適當?shù)哪Ｊ綄?稱性要求時，入射電磁波將激發(fā)其狹縫內(nèi)的波導模式。該波導模式在光柵狹縫內(nèi)沿著光柵 厚度的方向傳播，當?shù)竭_狹縫的開口處時，由于結構的不連續(xù)發(fā)生反射和透射，被反射的波 導模式沿著與之前相反的方向傳播，直到到達狹縫的另一個開口處再次發(fā)生反射和透射， 波導模式不斷的重復著這一過程，在兩個狹縫的開口之間形成了穩(wěn)定的駐波場的分布。在 這種意義上，狹縫的兩個開口相當于兩個具有一定反射率的鏡子，在兩個開口之間形成了一個波導模式的Fabry-Perot腔。當波導模式在一個循環(huán)內(nèi)的相移滿足Fabry-Perot腔的 共振條件時，將發(fā)生共振透射。在電磁波的透射譜上將出現(xiàn)一個對應的透射峰。通常會有 多個波長的不同的波導模式同時滿足Fabry-Perot腔共振條件，因此對應結構的電磁波透 射譜通常會有多個透射峰。 另一方面，磁活性介質(zhì)的介電常數(shù)e或者磁導率P通常為一個張量，且其中的 各張量元素都是外加磁場B。的函數(shù)，它們的值將隨著外加磁場B。的變化而變化，因此可以 通過改變外加磁場B。的大小來調(diào)節(jié)磁活性介質(zhì)的特性。例如，微波的ferrite材料YIG的 磁導率張量為外加磁場B。的函數(shù)，因此該磁活性介質(zhì)可以實現(xiàn)對s-偏振的電磁波的調(diào)控； 而半導體材料InSb的介電常數(shù)張量為外加磁場B。的函數(shù)，因此該磁活性介質(zhì)可以實現(xiàn)對 p-偏振的電磁波的調(diào)控。 在單層亞波長的金屬光柵狹縫內(nèi)填入具有磁活性的介質(zhì)后，通過改變外加磁場B。 的大小，可以改變磁活性介質(zhì)的介電常數(shù)或者磁導率，將使同時存在于光柵狹縫內(nèi)的兩種 偏振的波導模式中的一種具有磁的活性，該具有磁活性的波導模式的傳播常數(shù)將隨著外加 磁場B。的變化而變化，同時其在光柵狹縫開口處的反射相移P也隨著外加磁場B。的變化而 改變，由于Fabry-Perot腔的透射特性敏感于這些條件的變化，因此可以用外加磁場B。來 主動地調(diào)節(jié)磁活性波導模式的透射峰和透過率，而另一偏振的波導模式的透射特性則不發(fā) 生改變。當改變外加磁場B。的大小時，對應于磁活性波導模式的偏振的透射峰將發(fā)生藍移 或紅移，而另一偏振的透射峰則不發(fā)生移動，通過恰當?shù)倪x取外加磁場B。的值，可以使對應 于磁活性波導模式的偏振的透射峰與另一偏振的透射峰發(fā)生重疊；進一步地可以通過選取 不同的磁場B。值，使某一個對應于磁活性波導模式的偏振的透射峰有選擇性的與另一偏振 的多個不同的透射峰中的任何一個重疊，從而實現(xiàn)磁場可調(diào)控的偏振無關電磁波透射。這 些恰當?shù)拇艌鯞。的值均可以通過模式展開理論來得到精確的值，因此在實際的操作中非 常方便。因為該結構的透射特性是基于光柵狹縫內(nèi)的波導模式，因此對于所有的入射角度 (垂直和傾斜入射)均適用。 綜上所述，本發(fā)明設計的單層亞波長金屬光柵器件，可以通過采用電磁鐵等方法 來改變外加磁場B。的大小，實現(xiàn)偏振無關的電磁波透射特性的可調(diào)控?？梢岳眠@種器件， 在一定的波長范圍內(nèi)，實現(xiàn)不同電磁濾波要求。 本發(fā)明有益效果結構簡單，可以采用現(xiàn)已成熟的加工技術來制備；結構尺寸小， 易于小型化和集成化；材料容易獲取?？梢詫崿F(xiàn)無高階衍射的偏振無關的濾波；可在所有 入射角度下運行；可實現(xiàn)對電磁波透射波長的精確微調(diào)；磁場的主動可調(diào)性，可以在單一 結構中實現(xiàn)多種透射結果。波長適用范圍廣，可以從微波波段到可見光波段。


圖1中暗色部分代表金屬，紅色部分代表磁活性的介質(zhì)。
d為光柵周期，a為光柵縫寬，h為光柵厚度，
具體實施例方式
本發(fā)明可通過如下技術措施來實現(xiàn)。本發(fā)明所涉及的材料為低損耗的金屬和能透 射電磁波的磁活性介質(zhì)，其中低損耗的金屬一般可以用金、銀或者鋁等；磁活性介質(zhì)在微波
6波段一般可以用微波ferrite材料YIG和微波鐵氧體等，在太赫茲波段一般可以用半導體 材料InSb和InAs等，在紅外和可見光波段一般可以用磁光材料Bi :GdIG和磁性半導體材 料CdMnTe等。 對于微波波段和太赫茲波段的所述的器件，由于對應電磁波的波長較長，光柵的 結構參數(shù)值較大?？梢圆捎媒饘倏涛g或者飛秒激光微加工等工藝制作出一維周期亞波長金 屬光柵，然后采用微調(diào)控系統(tǒng)直接在狹縫內(nèi)填充磁活性介質(zhì)棒或者采用脈沖激光沉積等方 法在狹縫內(nèi)填充磁活性介質(zhì)。光柵的結構參數(shù)根據(jù)設計要求控制。通過采用電磁鐵等方法 來調(diào)節(jié)外加磁場B。的大小。對于微波波段的所述的器件，典型的光柵的結構參數(shù)是(每周 期的寬度)10-20mm，光柵的厚度h為8-16mm;對于太赫茲波段的所述的器件，典型的光柵 的結構參數(shù)是(每周期的寬度)100-200 iim，光柵的厚度h為120-160 iim?？p寬a的位置 是磁活性介質(zhì)。 對于紅外波段和可見光波段的所述的器件，由于對應電磁波的波長較短，光柵的 結構參數(shù)值較小，可以先采用磁控濺射等工藝制作出單層金屬薄膜；然后采用聚焦離子束 刻蝕(FIB)等方法制作出單層光柵；再采用脈沖激光沉積等方法在金屬光柵狹縫內(nèi)填充磁 活性的介質(zhì)。光柵的結構參數(shù)根據(jù)設計要求控制。通過采用電磁鐵等方法來調(diào)節(jié)外加磁 場B。的大小。典型的光柵的結構參數(shù)是(每周期的寬度)500-2000nm，光柵的厚度h為 1000-2000nm。 以在金屬光柵狹縫內(nèi)填入微波ferrite材料YIG為例，光柵的周期d為15mm，縫寬 a為3mm，光柵的厚度h為12mm。當外加磁場B。為0. 059特斯拉時，s-偏振的入射電磁波和 P-偏振的入射電磁波在波長24. 46mm處同時發(fā)生了增強透射，兩種偏振的電磁波的透過率 都接近于100%，即在波長24. 46mm處實現(xiàn)了偏振無關的電磁異常透射；當我們改變外加磁 場B。到0. 117特斯拉時，s-偏振的入射電磁波和p-偏振的入射電磁波在另一波長20. 41mm 處同時發(fā)生了增強透射，兩種偏振的電磁波的透過率也都接近于100%，偏振無關的電磁波 異常透射的波長從24. 46mm轉換到了 20. 41mm。 所述器件的結構參數(shù)可以根據(jù)設計的工作波長范圍來確定，具體結構參數(shù)的值正 比與工作波長的值。對于微波波段和太赫茲波段的所述的器件，結構參數(shù)值較大，在毫米和 微米的量級；對于紅外和可見光波段的所述的器件，結構參數(shù)值較小，在納米的量級。具體 采用的微納加工技術將根據(jù)結構參數(shù)值的具體情況來決定。 該器件包括單層亞波長金屬光柵和填充在亞波長金屬光柵狹縫內(nèi)的磁活性介質(zhì)； 該器件的外加磁場B。平行于光柵狹縫的方向且其大小可調(diào)；該器件的金屬部分和磁活性介 質(zhì)部分具有相同的厚度，該厚度大小滿足最少支持設計工作波長在光柵狹縫內(nèi)的最低階的 Fabry-Perot腔共振的要求；該器件的外加磁場B。的大小可通過電磁鐵等來調(diào)節(jié)；該器件 實現(xiàn)功能所需施加的外磁場B。的范圍取決于所選取的磁活性介質(zhì)，在0特斯拉到1特斯拉 的范圍；該光刪的狹縫寬度滿足兩種偏振電磁波的波導模式同時存在的條件；該器件可在 所有入射角度下運行；該器件可實現(xiàn)對電磁波透射波長的精確微調(diào)。
權利要求
一種基于單層亞波長金屬光柵的磁場可調(diào)控的偏振無關電磁波透射的器件，其特征是該器件包括單層亞波長金屬光柵和填充在亞波長金屬光柵狹縫內(nèi)的磁活性介質(zhì)；該器件的金屬部分和磁活性介質(zhì)部分具有相同的厚度，該厚度大小滿足最少支持設計工作波長在光柵狹縫內(nèi)的最低階的Fabry-Perot腔共振的要求；所述光柵的周期和狹縫小于所述電磁波的波長。
2. 根據(jù)權利l所述的一種基于單層亞波長金屬光柵的磁場可調(diào)控的偏振無關電磁波 透射的器件，其特征是所述光柵的金屬材料為低損耗的金屬，例如金、銀或者鋁等；所述光 柵的介質(zhì)材料為能透射電磁波的磁活性介質(zhì)，在微波波段，例如微波ferrite材料YIG和微 波鐵氧體等；在太赫茲波段，例如半導體材料InSb和InAs等；在紅外和可見光波段，例如 磁光材料Bi :GdIG和磁性半導體材料CdMnTe等。
3. 根據(jù)權利1和2所述的一種基于單層亞波長金屬光柵的磁場可調(diào)控的偏振無關電磁 波透射的器件，其特征是該器件的透射特性基于光柵狹縫內(nèi)的波導模式，可調(diào)控的入射電 磁波為s-偏振或者p-偏振；該光刪的狹縫寬度滿足兩種偏振電磁波的波導模式同時存在 的條件。
4. 根據(jù)權利1和2所述的一種基于單層亞波長金屬光柵的磁場可調(diào)控的偏振無關電磁 波透射的器件，其特征是該器件實現(xiàn)功能所需施加的外磁場B。的范圍取決于所選取的磁活 性介質(zhì)，在0特斯拉到1特斯拉的范圍；隨著外加磁場B。的增加，對應于磁活性波導模式的 偏振的透射峰發(fā)生藍移或紅移。
5. 根據(jù)權利l和2所述的一種基于單層亞波長金屬光柵的磁場可調(diào)控的偏振無關電磁 波透射的器件，其特征是該器件的外加磁場B。的大小可通過電磁鐵等來調(diào)節(jié)；該器件可在所有入射角度下運行；該器件可實現(xiàn)對電磁波透射波長的精確微調(diào)。
6. 根據(jù)權利l和2所述的一種基于單層亞波長金屬光柵的磁場可調(diào)控的偏振無關電磁波透射的器件，其特征是該器件的適用波長范圍從微波波段到可見光波段；該金屬光柵的 尺寸范圍和具體的結構參數(shù)值取決于設計要求的工作波長范圍，對于微波波段和太赫茲波 段，尺寸范圍和結構參數(shù)值較大，在毫米和微米的量級；對于紅外和可見光波段，尺寸范圍 和結構參數(shù)值較小，在納米的量級。
7. 根據(jù)權利要求1所述的基于單層亞波長金屬光柵的磁場可調(diào)控的偏振無關電磁波 透射的器件的制備方法，其特征是對于微波和太赫茲波段的所述的器件，采用金屬刻蝕或 者飛秒激光微加工等工藝制作出一維周期亞波長金屬光柵，然后采用微調(diào)控系統(tǒng)直接在狹 縫內(nèi)填充磁活性介質(zhì)棒或者采用脈沖激光沉積等方法在狹縫內(nèi)填充磁活性介質(zhì)。光柵的結 構參數(shù)根據(jù)設計要求控制。
8. 根據(jù)權利要求1所述的基于單層亞波長金屬光柵的磁場可調(diào)控的偏振無關電磁波 透射的器件的制備方法，其特征是對于紅外和可見光波段的所述的器件，先采用磁控濺射 等工藝制作出單層金屬薄膜；然后采用聚焦離子束刻蝕等方法制作出單層光柵；再采用脈 沖激光沉積等方法在金屬光柵狹縫內(nèi)填充磁活性的介質(zhì)。光柵的結構參數(shù)根據(jù)設計要求控 制。
全文摘要
一種基于單層亞波長金屬光柵的磁場可調(diào)控的偏振無關電磁波透射的器件，該器件包括單層亞波長金屬光柵和填充在亞波長金屬光柵狹縫內(nèi)的磁活性介質(zhì)；該器件的金屬部分和磁活性介質(zhì)部分具有相同的厚度，該厚度大小滿足最少支持設計工作波長在光柵狹縫內(nèi)的最低階的Fabry-Perot腔共振的要求；所述光柵的周期和狹縫小于所述電磁波的波長。通過改變外加磁場B0的大小，可以調(diào)節(jié)金屬光柵狹縫內(nèi)波導模式的傳播常數(shù)等，從而改變該器件的電磁透射特性，實現(xiàn)偏振無關的電磁波透射譜和偏振無關的電磁波透射譜磁場主動可調(diào)控的目的。
文檔編號G02B5/18GK101750651SQ20091023462
公開日2010年6月23日 申請日期2009年11月25日 優(yōu)先權日2009年11月25日
發(fā)明者丁劍平, 王慧田, 白強, 程晨, 陳璟 申請人:南京大學