專利名稱：陣列基板及顯示器件的制作方法
技術領域：
本實用新型涉及顯示技術領域，特別是涉及一種陣列基板及顯示器件。
技術背景近些年來，薄膜晶體管 液晶顯示器憑借其低功耗，無輻射等優(yōu)點逐漸成為目前顯示產品市場的主流趨勢。圖I為一種傳統(tǒng)TFT-IXD中像素的平面結構示意圖，圖Ia和圖Ib分別為圖I中兩個局部區(qū)域的放大圖，圖2對應于圖I中的A-A'位置的剖視圖，在圖示的像素結構中，公共電極I為板狀電極，像素電極2為條狀電極，像素電極2位于公共電極I上方，像素電極2與公共電極I之間形成邊緣電場Ef，并且公共電極I與像素電極2之間有很大的交疊面積，即公共電極I與像素電極2分別在基板上的投影的重合面積很大，由此在公共電極I和像素電極2之間形成的存儲電容較大，基于該像素結構所形成的顯示器件中易出現(xiàn)與像素的充放電相關的不良現(xiàn)象，對于大尺寸高頻率的顯示面板制造而言，該問題將會愈加嚴重。

實用新型內容(一)要解決的技術問題本實用新型要解決的首要技術問題是如何增強液晶顯示器件中的液晶光效，以實現(xiàn)其高透過率；本實用新型進一步要解決的技術問題是如何避免像素電極與公共電極間存儲電容過大所出現(xiàn)的充放電不良的現(xiàn)象。(二)技術方案為了解決上述技術問題，本實用新型提供一種陣列基板，包括形成在基板上的公共電極和像素電極；所述公共電極包括第一公共電極和第二公共電極，所述第一公共電極設置于所述像素電極下方并通過絕緣層與所述像素電極隔開，所述第二公共電極與所述像素電極同層設置，所述像素電極為條狀電極，所述第二公共電極為條狀電極且與所述像素電極相互間隔排列。其中，所述第一公共電極為板狀電極。其中，所述像素電極在所述基板上的投影記為第一投影，所述第一公共電極在所述基板上的投影記為第二投影，所述第一投影完全落入所述第二投影內。其中，所述第一公共電極為條狀電極。其中，所述第一公共電極的寬度小于所述像素電極的寬度；所述像素電極在所述基板上的投影記為第一投影，所述第一公共電極在所述基板上的投影記為第二投影，所述第二投影完全落入所述第一投影內。其中，所述像素電極在所述基板上的投影記為第一投影，所述第一公共電極在所述基板上的投影記為第二投影，所述第一投影寬度方向的兩端區(qū)域分別與兩個相鄰第二投影的部分區(qū)域重合。[0014]其中，所述第一公共電極的寬度大于相鄰的兩個像素電極之間開口的寬度。其中，所述第一投影與第二投影重合區(qū)域的寬度為6 μ m- ο μ m。其中，每條所述像素電極和第二公共電極分別包括一體形成的兩部分電極，該兩部分電極之間具有一定夾角。本實用新型還公開了一種顯示器件，該顯示器件包括上述任一項所述的陣列基板。(三)有益效果上述技術方案所提供的陣列基板及顯示器件，通過設置條狀的像素電極，并在像素電極下方設置第一公共電極以形成邊緣電場，與像素電極同層設置條狀第二公共電極且使像素電極與第二公共電極間隔布置，以形成面內電場，從而達到增強液晶光效、實現(xiàn)高透過率的技術效果，高透過率的陣列基板還能大大節(jié)省顯示器件中背光源的能量損耗，同時條狀分布的像素電極結構也能夠避免傳統(tǒng)TFT-LCD中像素中心區(qū)域透過率較低的現(xiàn)象；此外，由于設置第二公共電極，像素電極的面積相對減小，從而與第一公共電極的交疊面積會在一定程度上減少，能夠解決像素結構中由于存儲電容過大引起的充放電不良等技術問題。

圖I示出了傳統(tǒng)TFT-IXD像素的平面結構示意圖；圖Ia示出了圖I中M區(qū)域的局部放大圖；圖Ib示出了圖I中N區(qū)域的局部放大圖；圖2示出了傳統(tǒng)TFT-IXD中電極與電場的結構示意圖；圖3示出了本實用新型實施例I中TFT-IXD像素的平面結構示意圖；圖4示出了本實用新型實施例I中與圖3中k-k'位置對應的剖視結構及電場狀態(tài)不意圖；圖5示出了基于本實用新型實施例I的顯示器件對應于圖3中B-B'位置的剖視圖；圖6示出了本實用新型實施例2中與圖3中A-A^位置對應的剖視結構及電場狀態(tài)不意圖；圖7示出了基于本實用新型實施例2的顯示器件對應于圖3中B-B'位置的剖視圖；圖8示出了本實用新型實施例3中與圖3中A-A^位置對應的剖視結構及電場狀態(tài)不意圖；圖9示出了基于本實用新型實施例3的顯示器件對應于圖3中B-B'位置的剖視圖。其中，I :公共電極；2 :像素電極；3 :絕緣層；4 :鈍化層；5 :陣列基板；6 :數據線；7 :液晶層；8 :遮光膜；9 :彩膜基板；Ef :邊緣電場；EP :面內電場。
具體實施方式
以下結合附圖和實施例，對本實用新型的具體實施方式
作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本實用新型，但不用來限制本實用新型的范圍。實施例I圖3示出了本實施例中TFT- IXD中像素的平面結構示意圖，圖4是對應圖3中A-A'位置的剖視圖。參照圖示，本實施例改變了傳統(tǒng)的基板上所設置的像素電極和公共電極的結構，采用一種新型的結構來設置像素電極和公共電極，具體地，像素電極2設置為條狀電極，公共電極I包括設置于所述像素電極2下方且通過絕緣層與所述像素電極2隔開的第一公共電極(圖中未標示)，以及與所述像素電極2同層設置的第二公共電極(圖中未標示)，所述第二公共電極為條狀電極且與所述像素電極2相互間隔排列。位于所述像素電極2下方的第一公共電極與像素電極2形成邊緣電場Ef，與所述像素電極2同層設置的第二公共電極與像素電極2形成面內電場Ep，邊緣電場與面內電場同時存在，能夠達到增強液晶光效、實現(xiàn)高透過率的技術效果。進一步地，所述第一公共電極設置為板狀電極；將所述像素電極2在所述基板上的投影記為第一投影，所述第一公共電極在所述基板上的投影記為第二投影，所述第一投影完全落入所述第二投影內，即所述第一投影與第二投影的重合區(qū)域的面積就是第一投影的面積。因所述像素電極2為條狀電極，每一條狀像素電極2與第一公共電極相交疊的面積(即兩者投影相重合的面積)與現(xiàn)有技術中板狀像素電極與板狀公共電極間的交疊面積相比大大減小，像素電極2與第一公共電極間形成的存儲電容較小，可以避免由于存儲電容過大引起的充放電不良等一系列問題。本實施例中，像素電極2為均勻布置的條狀電極，像素電極2與其下方第一公共電極相交疊的區(qū)域的寬度設置在6 μ m- ο μ m之間，因本實施例中像素電極2與第一公共電極之間相交疊的區(qū)域完全為像素電極2自身的區(qū)域，所以上述寬度即可以理解為是像素電極2的寬度，像素電極2與第一公共電極之間所形成的存儲電容用于維持像素電極2的電壓，若上述寬度值較大，則形成的存儲電容較大，引起像素電極2充電不良，不易充滿；該寬度值過小的話，存儲電容則不能夠有效維持像素電極2的電壓?；谏鲜鲫嚵谢?，本實施例還提供了一種顯示器件，圖5示出了基于上述陣列基板的顯示器件對應于圖3中B-B'位置的剖視圖，參照圖示，該顯示器件包括陣列基板5、彩膜基板9以及位于陣列基板5和彩膜基板9之間的液晶層7，具體地，陣列基板5上形成有板狀的第一公共電極、絕緣層3、數據線6、鈍化層4、條狀的像素電極2以及與像素電極2同一層面并相互間隔布置的條狀的第二公共電極，彩膜基板9上設置有遮光膜8。圖3中，每條所述像素電極和第二公共電極分別包括一體形成的兩部分電極，該兩部分電極之間具有一定夾角；即，所述像素電極和第二公共電極都呈彎曲的條狀。上述顯示器件可以為液晶面板、電子紙、OLED面板、液晶電視、液晶顯示器、數碼相框、手機、平板電腦等具有任何顯示功能的產品或部件。使用上述高透過率的陣列基板還能大大節(jié)省顯示器件中背光源的能量損耗，同時條狀分布的像素電極結構也能夠避免傳統(tǒng)TFT-IXD中像素中心區(qū)域透過率較低的現(xiàn)象。實施例2圖6示出了本實施例中對應于圖3中A-A^位置的剖視圖，參照圖示，本實施例的陣列基板結構與實施例I相似，像素電極2設置方式不變，與像素電極2同一層面的條狀第二公共電極的設置方式也不變，其區(qū)別之處在于，本實施例中的第一公共電極設置為條狀電極，第一公共電極的寬度小于像素電極2的寬度，所述像素電極2在所述基板上的投影記為第一投影，所述第一公共電極在所述基板上的投影記為第二投影，所述第二投影完全落入所述第一投影內。本實施例中，第一公共電極設計為比像素電極2寬度小的條狀電極，同樣可以在實現(xiàn)邊緣電場的前提下，降低存儲電容。像素電極2與第一公共電極相交疊的區(qū)域的寬度也設置在6 μ m-10 μ m之間，即第一公共電極的寬度設置為6 μ m-10 μ m之間。基于上述陣列基板，本實施例提供了一種顯示器件，圖7示出了基于上述陣列基 板的顯示器件對應于圖3中B-B'位置的剖視圖，參照圖示，其結構與實施例I相似，區(qū)別之處在于基板上第一公共電極的設置方式改變，與本實施例的陣列基板上像素電極與公共電極的結構相一致。本實施例中的陣列基板及其對應的顯示器件，像素結構中所形成的存儲電容小，可以避免由于存儲電容過大引起的充放電不良等一系列問題，并同時存在邊緣電場Ef和面內電場Ep，能夠增強液晶光效從而實現(xiàn)高透過率的技術效果，高透過率的面板還能大大節(jié)省顯示器件中背光源的能量損耗。實施例3圖8示出了本實施例中對應于圖3中A-A^位置的剖視圖，參照圖示，本實施例的陣列基板結構與實施例I相似，像素電極2設置方式不變，與像素電極2同一層面的第二公共電極的設置方式也不變，其區(qū)別之處在于，本實施例中的第一公共電極設置為條狀電極，所述像素電極2在所述基板上的投影記為第一投影，所述第一公共電極在所述基板上的投影記為第二投影，所述第一投影寬度方向的兩端區(qū)域分別與兩個相鄰第二投影的部分區(qū)域重合。具體地，所述第一公共電極的寬度大于相鄰的兩個像素電極2之間開口的寬度，同時，像素電極2的寬度也大于相鄰兩個第一公共電極之間開口的寬度，實現(xiàn)每一個第一公共電極與相鄰的兩個像素電極2均有交疊，每一個像素電極2與相鄰的兩個第一公共電極也均有交疊。本實施例中，第一公共電極與像素電極2的交疊面積較小，交疊區(qū)域的寬度維持在6 μ m-10 μ m之間，同樣可以在實現(xiàn)邊緣電場的前提下，降低存儲電容?；谏鲜鲫嚵谢?，本實施例提供了一種顯示器件，圖9示出了基于上述陣列基板的顯示器件對應于圖3中B-B'位置的剖視圖，參照圖示，其結構與實施例I相似，區(qū)別之處在于基板上第一公共電極的設置方式改變，與本實施例的陣列基板上像素電極與公共電極的結構相一致。本實施例中的陣列基板及其對應的顯示器件，像素結構中所形成的存儲電容小，可以避免由于存儲電容過大引起的充放電不良等一系列問題，并同時存在邊緣電場Ef和面內電場Ep，能夠增強液晶光效從而實現(xiàn)高透過率的技術效果，高透過率的面板還能大大節(jié)省顯示器件中背光源的能量損耗。由以上實施例可以看出，本實用新型實施例陣列基板及顯示器件中，通過設置條狀的像素電極，并在像素電極下方設置第一公共電極以形成邊緣電場，與像素電極同層設置條狀第二公共電極且使像素電極與第二公共電極間隔布置，以形成面內電場，從而達到增強液晶光效、實現(xiàn)高透過率的技術效果，高透過率的陣列基板還能大大節(jié)省顯示器件中背光源的能量損耗，同時條狀分布的像素電極結構也能夠避免傳統(tǒng)TFT-LCD中像素中心區(qū)域透過率較低的現(xiàn)象；此外，由于設置第二公共電極，像素電極的面積相對減小，從而與第一公共電極的交疊面積會在一定程度上減少，能夠解決像素結構中由于存儲電容過大引起的充放電不良等技術問題。以上所述僅是本實用新型的優(yōu)選實施方式，應當指出，對于本技術領域的普通技 術人員來說，在不脫離本實用新型技術原理的前提下，還可以做出若干改進和替換，這些改進和替換也應視為本實用新型的保護范圍。
權利要求1.一種陣列基板，包括形成在基板上的公共電極和像素電極；其特征在于，所述公共電極包括第一公共電極和第二公共電極，所述第一公共電極設置于所述像素電極下方并通過絕緣層與所述像素電極隔開，所述第二公共電極與所述像素電極同層設置，所述像素電極為條狀電極，所述第二公共電極為條狀電極且與所述像素電極相互間隔排列。
2.如權利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述第一公共電極為板狀電極。
3.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極在所述基板上的投影記為第一投影，所述第一公共電極在所述基板上的投影記為第二投影，所述第一投影完全落入所述第二投影內。
4.如權利要求I所述的陣列基板，其特征在于，所述第一公共電極為條狀電極。
5.如權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述第一公共電極的寬度小于所述像素電極的寬度；所述像素電極在所述基板上的投影記為第一投影，所述第一公共電極在所述基板上的投影記為第二投影，所述第二投影完全落入所述第一投影內。
6.如權利要求4所述的陣列基板，其特征在于，所述像素電極在所述基板上的投影記為第一投影，所述第一公共電極在所述基板上的投影記為第二投影，所述第一投影寬度方向的兩端區(qū)域分別與兩個相鄰第二投影的部分區(qū)域重合。
7.如權利要求6所述的陣列基板，其特征在于，所述第一公共電極的寬度大于相鄰的兩個像素電極之間開口的寬度。
8.如權利要求3、5或6所述的陣列基板，其特征在于，所述第一投影與第二投影重合區(qū)域的寬度為6 μ m-10 μ m。
9.如權利要求I所述的陣列基板，其特征在于，每條所述像素電極和第二公共電極分別包括一體形成的兩部分電極，該兩部分電極之間具有一定夾角。
10.一種顯示器件，其特征在于，包括上述權利要求中任一項所述的陣列基板。
專利摘要本實用新型公開了一種陣列基板及顯示器件，所述陣列基板，包括形成在基板上的公共電極和像素電極；所述公共電極包括第一公共電極和第二公共電極，所述第一公共電極設置于所述像素電極下方并通過絕緣層與所述像素電極隔開，所述第二公共電極與所述像素電極同層設置，所述像素電極為條狀電極，所述第二公共電極為條狀電極且與所述像素電極相互間隔排列。所述顯示器件，包括上述陣列基板。
文檔編號G02F1/1343GK202735641SQ201220451519
公開日2013年2月13日 申請日期2012年9月5日 優(yōu)先權日2012年9月5日
發(fā)明者劉莎 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 北京京東方顯示技術有限公司