本發(fā)明涉及液晶顯示器領(lǐng)域，特別是涉及一種顯示基板及顯示設(shè)備。

背景技術(shù)：

薄膜晶體管液晶顯示器(thinfilmtransistorliquidcrystaldisplay,簡(jiǎn)稱tft-lcd)是一種重要的平板顯示設(shè)備，它的主體結(jié)構(gòu)為對(duì)盒設(shè)置的兩個(gè)顯示基板：陣列基板和彩膜基板，以及填充在陣列基板和彩膜基板之間的液晶層。在陣列基板上形成有柵線和數(shù)據(jù)線以及由柵線和數(shù)據(jù)線限定的像素單元，每個(gè)像素單元包括薄膜晶體管(thinfilmtransistor,簡(jiǎn)稱tft)和像素電極。在顯示過(guò)程中，tft作為開(kāi)關(guān)控制對(duì)液晶施加驅(qū)動(dòng)電場(chǎng)，從而控制液晶的旋轉(zhuǎn)，實(shí)現(xiàn)畫(huà)面的顯示。

信號(hào)端子(bondinglead)區(qū)域是顯示基板內(nèi)，外部信號(hào)進(jìn)入顯示基板內(nèi)的接口區(qū)域，外部信號(hào)通過(guò)覆晶薄膜(cof，chiponfilm)連接到顯示基板的信號(hào)端子上。其中，驅(qū)動(dòng)信號(hào)和像素?cái)?shù)據(jù)經(jīng)由信號(hào)端子進(jìn)入顯示基板的顯示區(qū)域，因此信號(hào)端子的設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)直接關(guān)系到信號(hào)的供給是否順暢?，F(xiàn)有技術(shù)的信號(hào)端子的結(jié)構(gòu)剖面圖如圖7所示，其包括襯底基板1、下金屬層2、絕緣層3、上金屬層4和保護(hù)層5，該上金屬層4穿過(guò)多個(gè)過(guò)孔6與下金屬層2接觸，還有頂層的像素電極通過(guò)導(dǎo)線與上金屬層4橋接。

本申請(qǐng)的發(fā)明人在長(zhǎng)期研發(fā)中發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有技術(shù)的這種信號(hào)端子的結(jié)構(gòu)存在以下問(wèn)題：它的同一側(cè)的上金屬層4和下金屬層2的邊緣在豎直方向上是齊平的，這種齊平的弊端在于造成兩層金屬層疊加，使得其邊緣處的坡度較陡，使得覆蓋在上金屬層4上的保護(hù)層5的覆蓋性差，甚至容易脫落。如圖8所示，為現(xiàn)有技術(shù)的信號(hào)端子在制作過(guò)孔中，對(duì)下金屬層上面的絕緣層3進(jìn)行曝光顯影后，留下光刻膠7的結(jié)構(gòu)示意圖，去掉光刻膠7后的結(jié)構(gòu)示意圖如圖9所示。

另外，如圖10所示為現(xiàn)有技術(shù)的信號(hào)端子的俯視圖，沿信號(hào)端子的伸展方向，均勻設(shè)有多個(gè)過(guò)孔6，但是相鄰兩個(gè)過(guò)孔6之間的間距21較小，在曝光顯影下金屬層2上的絕緣層3的過(guò)程中，容易造成相鄰過(guò)孔6之間出現(xiàn)衍射等問(wèn)題，導(dǎo)致曝光顯影后，光刻膠7和絕緣層3的坡度比較陡，基本上呈直角狀態(tài)，不利于上金屬層4的爬坡，甚至在涂布時(shí)會(huì)導(dǎo)致上金屬層4的斷裂。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明主要提供一種顯示基板及顯示設(shè)備，以解決現(xiàn)有技術(shù)中，在顯示基板的信號(hào)端子中，由于同一側(cè)上下兩層金屬層的邊緣齊平，造成兩層金屬層疊加，使得其邊緣處的坡度較陡，使得覆蓋在上金屬層上的保護(hù)層的覆蓋性差，甚至容易脫落的問(wèn)題。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的一技術(shù)方案如下：

一種顯示基板，包括多個(gè)信號(hào)端子，每個(gè)所述信號(hào)端子包括多個(gè)金屬觸片，每個(gè)所述金屬觸片包括：

第一金屬層；絕緣層，設(shè)于所述第一金屬層表面上；第二金屬層，設(shè)于所述絕緣層表面上；保護(hù)層，設(shè)于所述第二金屬層的表面上；其中，所述第二金屬層在所述顯示基板上的投影位于所述第一金屬層在所述顯示基板上的投影內(nèi)。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題，本發(fā)明采用的另一技術(shù)方案如下：

一種顯示設(shè)備，其包括驅(qū)動(dòng)電路和上述任一項(xiàng)所述的顯示基板，且所述驅(qū)動(dòng)電路通過(guò)所述多個(gè)所述信號(hào)端子分別連接所述顯示基板的柵極線與數(shù)據(jù)線。

本發(fā)明的有益效果是：區(qū)別于現(xiàn)有技術(shù)的情況，本發(fā)明通過(guò)使第二金屬層在顯示基板上的投影位于第一金屬層在顯示基板上的投影內(nèi)，不會(huì)造成兩個(gè)金屬層邊緣對(duì)齊的情況疊加，使得其邊緣處的坡度較平緩，可保證保護(hù)層與第二金屬層密封接觸，使得覆蓋在上金屬層上的保護(hù)層的覆蓋性好，不容易脫落。

附圖說(shuō)明

圖1是本發(fā)明的顯示基板一實(shí)施方式的信號(hào)端子的部分剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明的顯示基板一實(shí)施方式的信號(hào)端子在制作過(guò)程中，對(duì)第一金屬層上面的絕緣層進(jìn)行曝光顯影后，留下光刻膠的部分結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明的顯示基板一實(shí)施方式的信號(hào)端子在制作過(guò)程中，去掉光刻膠后，留下第一金屬層和絕緣層的部分結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4是本發(fā)明的顯示基板一實(shí)施方式的信號(hào)端子的沿其伸展方向的部分結(jié)構(gòu)俯視圖；

圖5是本發(fā)明的顯示基板一實(shí)施方式的部分結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6是本發(fā)明的顯示設(shè)備的一實(shí)施方式的部分結(jié)構(gòu)示意圖；

圖7是現(xiàn)有技術(shù)的顯示基板的信號(hào)端子一實(shí)施方式的部分剖面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖8是現(xiàn)有技術(shù)的顯示基板的信號(hào)端子在制作過(guò)程中，對(duì)第一金屬層上面的絕緣層進(jìn)行曝光顯影后，留下光刻膠的部分結(jié)構(gòu)示意圖；

圖9是現(xiàn)有技術(shù)的顯示基板的信號(hào)端子在制作過(guò)程中，去掉光刻膠后，留下下金屬層和部分絕緣層的部分結(jié)構(gòu)示意圖；

圖10是現(xiàn)有技術(shù)的顯示基板的信號(hào)端子沿其伸展方向的部分結(jié)構(gòu)俯視圖。

具體實(shí)施方式

實(shí)施例一

請(qǐng)參閱圖1至圖5，圖1是本發(fā)明的顯示基板500的信號(hào)端子300的部分剖面結(jié)構(gòu)示意圖，圖2是本發(fā)明的顯示基板500的信號(hào)端子300在制作過(guò)程中，對(duì)第一金屬層20上面的絕緣層30進(jìn)行曝光顯影后，留下光刻膠70的部分結(jié)構(gòu)示意圖，圖3是本發(fā)明的顯示基板500的信號(hào)端子300在制作過(guò)程中，去掉光刻膠70后，留下第一金屬層20和絕緣層30的部分結(jié)構(gòu)示意圖，圖4是本發(fā)明的顯示基板500的信號(hào)端子300的沿其伸展方向的部分結(jié)構(gòu)俯視圖，圖5是本發(fā)明的顯示基板500的部分結(jié)構(gòu)示意圖。

從圖1到圖5可以看到，本發(fā)明的一種顯示基板500，包括多個(gè)設(shè)在顯示區(qū)域400周邊的信號(hào)端子300，外部信號(hào)通過(guò)覆晶薄膜200連接到顯示基板500的信號(hào)端子300上。其中，驅(qū)動(dòng)信號(hào)和像素?cái)?shù)據(jù)經(jīng)由信號(hào)端子300進(jìn)入顯示基板500的顯示區(qū)域400，每個(gè)所述信號(hào)端子300包括多個(gè)金屬觸片100，每個(gè)所述金屬觸片100包括：

第一金屬層20，其制作在襯底基板10的一面上。

絕緣層30，設(shè)于所述第一金屬層20表面上。

第二金屬層40，設(shè)于所述絕緣層30表面上，第一金屬層20和第二金屬層40將絕緣層30夾在中間。

保護(hù)層50，設(shè)于所述第二金屬層40的表面上，用于避免第二金屬層40和其它導(dǎo)體發(fā)生導(dǎo)通。

其中，所述第二金屬層40在所述顯示基板500上的投影位于所述第一金屬層20在所述顯示基板500上的投影內(nèi)。

在本實(shí)施例中，同一側(cè)的所述第一金屬層20的邊緣與所述第二金屬層40的邊緣在水平方向上的距離大于或等于第一預(yù)設(shè)距離12，所述第一預(yù)設(shè)距離12可保證所述保護(hù)層50與所述第二金屬層40密封接觸。如圖1所示，同一側(cè)的所述第二金屬層40向里縮進(jìn)一定距離，該距離大于或等于第一預(yù)設(shè)距離12，使得保護(hù)層50可以有一個(gè)平緩坡度，不至于和第二金屬層40的接觸不好，更不會(huì)導(dǎo)致其斷裂。

在本實(shí)施例中，可選所述第一預(yù)設(shè)距離12大于1um。該數(shù)值是經(jīng)過(guò)多次試驗(yàn)得出的經(jīng)驗(yàn)值。第一預(yù)設(shè)距離12還可以是2um、3um等。

在本實(shí)施例中，所述第二金屬層40通過(guò)導(dǎo)線與像素電極連接導(dǎo)通。

在本實(shí)施例中，其中，每個(gè)所述金屬觸片100沿其伸展方向設(shè)有多個(gè)過(guò)孔60，所述過(guò)孔60貫穿所述絕緣層30，所述第二金屬層40穿過(guò)所述過(guò)孔60與所述第一金屬層20接觸導(dǎo)通，相鄰兩個(gè)所述過(guò)孔60的距離大于或等于第二預(yù)設(shè)距離11，所述第二預(yù)設(shè)距離11可保證在制作所述過(guò)孔60時(shí)，對(duì)所述絕緣層30進(jìn)行蝕刻露出所述第一金屬層20后，所述絕緣層30的與所述過(guò)孔60對(duì)應(yīng)的坡度可使所述第二金屬層40覆蓋在所述絕緣層30與所述第一金屬層20時(shí)不至于斷裂。以上如圖4所示，在本發(fā)明中，相鄰兩個(gè)過(guò)孔60之間的距離大于或等于第二預(yù)設(shè)距離11，在曝光顯影第一金屬層20上的絕緣層30的過(guò)程中，不容易造成相鄰過(guò)孔60之間出現(xiàn)衍射等問(wèn)題，不會(huì)導(dǎo)致曝光顯影后，光刻膠70和絕緣層30的坡度比較陡。

如圖2和圖3所示，由于相鄰兩個(gè)過(guò)孔60之間的距離大于或等于第二預(yù)設(shè)距離11，對(duì)絕緣層30進(jìn)行曝光顯影后，光刻膠70的坡度變得比較平緩，第一金屬層20的坡度也變得比較平緩，有利于第二金屬層40的爬坡，不會(huì)在涂布時(shí)會(huì)導(dǎo)致第二金屬層40的斷裂。

在本實(shí)施例中，可選所述第二預(yù)設(shè)距離11大于8um，該數(shù)值是經(jīng)過(guò)多次試驗(yàn)得出的經(jīng)驗(yàn)值。所述第二預(yù)設(shè)距離11還可以是9um、10um和12um等。

在本實(shí)施例中，所述多個(gè)金屬觸片100與所述顯示基板500的多條柵極線和數(shù)據(jù)線一一對(duì)應(yīng)連接。

在本實(shí)施例中，可選所述絕緣層30的制作材料為二氧化硅，所述保護(hù)層50的制作材料為氧化鋁。

在本實(shí)施例中，可選所述第一金屬層20或所述第二金屬層40的制作材料均為銅金屬材料。

本發(fā)明通過(guò)使第二金屬層40在顯示基板500上的投影位于第一金屬層20在顯示基板500上的投影內(nèi)，不會(huì)造成兩個(gè)金屬層疊加，使得其邊緣處的坡度較平緩，可保證保護(hù)層50與第二金屬層40密封接觸，使得覆蓋在上金屬層上的保護(hù)層50的覆蓋性好，不容易脫落。本發(fā)明另外通過(guò)使相鄰兩個(gè)所述過(guò)孔60的距離大于或等于第二預(yù)設(shè)距離11，所述第二預(yù)設(shè)距離11可保證在制作所述過(guò)孔60時(shí)，對(duì)所述絕緣層30進(jìn)行蝕刻露出所述第一金屬層20后，所述絕緣層30的與所述過(guò)孔60對(duì)應(yīng)的坡度可使所述第二金屬層40覆蓋在所述絕緣層30與所述第一金屬層20時(shí)不至于斷裂。

實(shí)施例二

請(qǐng)參閱圖6，圖6是本發(fā)明的顯示設(shè)備800的部分結(jié)構(gòu)示意圖。從圖6可以看到，本發(fā)明的一種顯示設(shè)備800，其包括驅(qū)動(dòng)電路600和實(shí)施例一所述的顯示基板500，且所述驅(qū)動(dòng)電路600通過(guò)所述多個(gè)所述信號(hào)端子300分別連接所述顯示基板500的柵極線(未標(biāo)示)與數(shù)據(jù)線(未標(biāo)示)，并對(duì)所述顯示基板500進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。

其中，所述顯示基板500已經(jīng)在實(shí)施例一中進(jìn)行了詳細(xì)的說(shuō)明，在此不再重復(fù)進(jìn)行說(shuō)明。

本發(fā)明的顯示設(shè)備800，其包括的顯示基板500的信號(hào)端子300，通過(guò)使第二金屬層40在顯示基板500上的投影位于第一金屬層20在顯示基板500上的投影內(nèi)，不會(huì)造成兩個(gè)金屬層疊加，使得其邊緣處的坡度較平緩，可保證保護(hù)層50與第二金屬層40密封接觸，使得覆蓋在上金屬層上的保護(hù)層50的覆蓋性好，不容易脫落。本發(fā)明另外通過(guò)使相鄰兩個(gè)所述過(guò)孔60的距離大于或等于第二預(yù)設(shè)距離11，所述第二預(yù)設(shè)距離11可保證在制作所述過(guò)孔60時(shí)，對(duì)所述絕緣層30進(jìn)行蝕刻露出所述第一金屬層20后，所述絕緣層30的與所述過(guò)孔60對(duì)應(yīng)的坡度可使所述第二金屬層40覆蓋在所述絕緣層30與所述第一金屬層20時(shí)不至于斷裂。

以上所述僅為本發(fā)明的實(shí)施方式，并非因此限制本發(fā)明的專(zhuān)利范圍，凡是利用本發(fā)明說(shuō)明書(shū)及附圖內(nèi)容所作的等效結(jié)構(gòu)或等效流程變換，或直接或間接運(yùn)用在其他相關(guān)的技術(shù)領(lǐng)域，均同理包括在本發(fā)明的專(zhuān)利保護(hù)范圍內(nèi)。