1.雙帶通截止型復(fù)合濾光膜，其特征在于，膜系結(jié)構(gòu)為滿足λ/4周期性的膜堆(LH)S，
其中，L為二氧化硅膜層；H為五氧化三鈦膜層，S為周期數(shù)，取值為21-23；與基片相鄰的膜層為第1層，采用五氧化三鈦膜層，所述第1層的幾何厚度為177-178nm；最外層為S層，采用二氧化硅膜層，所述第S層的幾何厚度為178-179nm；第2-S層中，偶數(shù)層均為二氧化硅膜層，偶數(shù)層的幾何厚度為50-101nm，奇數(shù)層均為五氧化三鈦膜層，奇數(shù)層的幾何厚度為30-50nm。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙帶通截止型復(fù)合濾光膜，其特征在于，S取值為22。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的雙帶通截止型復(fù)合濾光膜，其特征在于，
第1層的幾何厚度為177.05nm；第2層的幾何厚度為75.76nm；
第3層的幾何厚度為37.27nm；第4層的幾何厚度為78.89nm；
第5層的幾何厚度為47.18nm；第6層的幾何厚度為53.49nm；
第7層的幾何厚度為38.58nm；第8層的幾何厚度為82.23nm；
第9層的幾何厚度為46.44nm；第10層的幾何厚度為88.18nm；
第11層的幾何厚度為51.41nm；第12層的幾何厚度為92.54nm；
第13層的幾何厚度為51.8nm；第14層的幾何厚度為83.65nm；
第15層的幾何厚度為38.36nm；第16層的幾何厚度為59.64nm；
第17層的幾何厚度為35.24nm；第18層的幾何厚度為75.89nm；
第19層的幾何厚度為49.73nm；第20層的幾何厚度為94.78nm；
第21層的幾何厚度為53.36nm；第22層的幾何厚度為94.84nm；
第23層的幾何厚度為53.07nm；第24層的幾何厚度為93.91nm；
第25層的幾何厚度為49.13nm；第26層的幾何厚度為77.24nm；
第27層的幾何厚度為30.12nm；第28層的幾何厚度為55.92nm；
第29層的幾何厚度為42.28nm；第30層的幾何厚度為85.93nm；
第31層的幾何厚度為51.6nm；第32層的幾何厚度為97.17nm；
第33層的幾何厚度為54.09nm；第34層的幾何厚度為97.98nm；
第35層的幾何厚度為53.76nm；第36層的幾何厚度為95.61nm；
第37層的幾何厚度為53.04nm；第38層的幾何厚度為100.15nm；
第39層的幾何厚度為53.93nm；第40層的幾何厚度為92.96nm；
第41層的幾何厚度為51.64nm；第42層的幾何厚度為88.44nm；
第43層的幾何厚度為48.43nm；第44層的幾何厚度為178.8nm。
4.采用如權(quán)利要求1-3所述的濾光膜制成的雙帶通截止型復(fù)合濾光片，其特征在于，還包括光學(xué)玻璃基片，在所述基片上覆蓋所述第1層膜層。
5.如權(quán)利要求4所述雙帶通截止型復(fù)合濾光片的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
步驟S101，清潔基片；
步驟S102，將基片放入真空室內(nèi)，抽真空至2×10-2Pa，加熱所述基片至170℃-200℃；
步驟S103，鍍制第1層膜層，對五氧化三鈦膜料顆粒進行預(yù)熔，用預(yù)熔后的五氧化三鈦膜料對基片進行離子轟擊，真空度為2×10-2Pa，離子轟擊電壓600V-1kV負(fù)高壓，離擊時間為15min-20min，使五氧化三鈦膜料離子沉積在基片上，采用石英晶體監(jiān)控以及光學(xué)監(jiān)控的方法確定第1層膜層的厚度；
步驟S104，鍍制第2層膜層，對二氧化硅膜料顆粒進行預(yù)熔，用預(yù)熔后的二氧化硅膜料對基片進行離子轟擊，真空度為2×10-1Pa，離子轟擊電壓400V-800V負(fù)高壓，離擊時間為10min-15min，使二氧化硅膜料離子沉積在基片上，采用石英晶體監(jiān)控以及光學(xué)監(jiān)控的方法確定第2層膜層的厚度；
步驟S105，鍍制第3層膜層，對五氧化三鈦膜料顆粒進行預(yù)熔，用預(yù)熔后的五氧化三鈦膜料對基片進行離子轟擊，真空度為2×10-1Pa，離子轟擊電壓200V-600V負(fù)高壓，離擊時間為10min-15min，使五氧化三鈦膜料離子沉積在基片上，采用石英晶體監(jiān)控以及光學(xué)監(jiān)控的方法確定第3層膜層的厚度；
步驟S106，依次重復(fù)步驟S104和步驟S105，鍍制第4～43層膜層；
步驟S107，鍍制第44層膜層，對二氧化硅膜料顆粒進行預(yù)熔，用預(yù)熔后的二氧化硅膜料對基片進行離子轟擊，真空度為2×10-2Pa，離子轟擊電壓600V-1kV負(fù)高壓，離擊時間為15min-20min，使二氧化硅膜料離子沉積在基片上，采用石英晶體監(jiān)控以及光學(xué)監(jiān)控的方法確定第44層膜層的厚度；
步驟S108，將鍍制完成44層膜層的濾光片放置在真空室內(nèi)200℃的溫度中保溫2小時后取出。
6.如權(quán)利要求5所述雙帶通截止型復(fù)合濾光片的制備方法，其特征在于，在步驟S103-步驟S107中還包括：離子輔助沉淀；在采用膜料對基片進行離子轟擊的同時，通過離子束轟擊在基片表面的淀積離子。
7.如權(quán)利要求6所述雙帶通截止型復(fù)合濾光片的制備方法，其特征在于，在步驟S108中包括：
步驟S1081，將鍍制完成44層膜層的濾光片放置在真空室內(nèi)200℃的溫度中保溫2小時，待真空室溫度降至100℃以下，打開放氣閥向真空室內(nèi)充氣，使真空室內(nèi)氣壓與大氣壓相等，并放置2小時；
步驟S1082，在大氣壓環(huán)境下對濾光片進行烘烤，在200℃溫度中烘烤2小時。