本發(fā)明涉及光模塊技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種光模塊及其設(shè)計(jì)方法。

背景技術(shù)：

目前，隨著光通訊技術(shù)的發(fā)展，單通道光纖速率由之前的1G或10G，提高到了現(xiàn)在的25G或28G，與之對應(yīng)，為了適應(yīng)高速發(fā)展的需求，光模塊(即光電轉(zhuǎn)換器)的PCB(Printed Circuit Board，印制電路板，簡稱電路板)板的電路也隨之設(shè)計(jì)為高速電路。

通常，光模塊的PCB板包括多層，分別為金屬層和設(shè)置于相鄰的金屬層中的介質(zhì)層，頂層金屬層上通常布置有元器件，例如驅(qū)動(dòng)芯片，以及與所述驅(qū)動(dòng)芯片相連接的光芯片。在光模塊的PCB板的電路設(shè)計(jì)中，由于電路為高速電路，通常在布置有元器件的頂層金屬層的下方設(shè)置一層參考回流層，以適應(yīng)信號的高速傳輸需求。在具體設(shè)置時(shí)，通常將頂層金屬層的相鄰下一層金屬層作為頂層金屬層的參考回流層。

光模塊的PCB板的高速電路在正常工作時(shí)，驅(qū)動(dòng)芯片與光芯片的直流偏置電壓通常不同，導(dǎo)致光模塊無法正常工作，基于此，在頂層金屬層上布置元件器時(shí)，通常在驅(qū)動(dòng)芯片和光芯片之間的高速信號傳輸路徑上設(shè)置一個(gè)耦合電容，用于耦合兩端的傳輸信號，從而保證光模塊的正常工作。具體設(shè)置時(shí)，通常采用兩個(gè)焊盤將耦合電容焊接于連接驅(qū)動(dòng)芯片和光芯片的高速信號線的傳輸路徑上，但是由于焊盤的寬度大于高速信號線的寬度，此種設(shè)置又會(huì)導(dǎo)致高速信號傳輸路徑上的阻抗在焊盤處發(fā)生變化，從而影響信號的傳輸質(zhì)量。

所以，現(xiàn)有的光模塊，其PCB板的高速信號線上連接耦合電容后，高速信號傳輸路徑上的阻抗在焊盤處會(huì)發(fā)生變化，使用效果較差。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例的目的在于提供一種光模塊及其設(shè)計(jì)方法，以解決現(xiàn)有的光模塊，其PCB板的高速信號線上連接耦合電容后，高速信號傳輸路徑上的阻抗在焊盤處會(huì)發(fā)生變化，使用效果較差的問題。

為了解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明實(shí)施例公開了如下技術(shù)方案：

第一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種光模塊，該光模塊包括：電路板、高速信號線、驅(qū)動(dòng)芯片及光芯片；所述電路板包括頂板和位于所述頂板下方的金屬層，所述金屬層為所述頂板的參考回流層；所述驅(qū)動(dòng)芯片、所述高速信號線以及所述光芯片均布置于所述頂板上，所述驅(qū)動(dòng)芯片和所述光芯片通過所述高速信號線相連接；所述高速信號線的傳輸路徑上布置有兩個(gè)焊盤；所述兩個(gè)焊盤之間具有絕緣間隙，所述兩個(gè)焊盤通過橋接的耦合電容電連接；所述兩個(gè)焊盤在所述金屬層中的投影區(qū)域設(shè)置有絕緣區(qū)域。

第二方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種光模塊的設(shè)計(jì)方法，該設(shè)計(jì)方法包括：設(shè)置包括頂板和頂板下方的金屬層的電路板，并且將所述金屬層設(shè)置為所述頂板的參考回流層；在所述頂板上布置驅(qū)動(dòng)芯片、高速信號線和光芯片，并且將所述高速信號線布置于所述驅(qū)動(dòng)芯片和所述光芯片之間，用于連接所述驅(qū)動(dòng)芯片和所述光芯片；在所述高速信號線的傳輸路徑上布置兩個(gè)焊盤，所述兩個(gè)焊盤之間設(shè)置絕緣間隙；在所述兩個(gè)焊盤的頂部橋接耦合電容，用于連接所述兩個(gè)焊盤；在所述兩個(gè)焊盤在所述金屬層中的投影區(qū)域設(shè)置絕緣區(qū)域。

本發(fā)明的實(shí)施例提供的技術(shù)方案可以包括以下有益效果：本發(fā)明提供了一種光模塊及其設(shè)計(jì)方法，該光模塊包括電路板，電路板包括頂板，頂板下方設(shè)置有作為頂板的參考回流層的金屬層，頂板上布置有驅(qū)動(dòng)芯片和光芯片，驅(qū)動(dòng)芯片和光芯片通過高速信號線相連接，高速信號線的傳輸路徑上布置有兩個(gè)焊盤，兩個(gè)焊盤的頂部橋接有耦合電容，兩個(gè)焊盤在金屬層中的投影區(qū)域設(shè)置有絕緣區(qū)域，保證了高速信號傳輸路徑上阻抗的連續(xù)性，阻抗不會(huì)在焊盤處發(fā)生突變，從而保證了光模塊較好的使用效果；此外，該光模塊中，在金屬層中設(shè)置有穿過絕緣區(qū)域的導(dǎo)線，導(dǎo)線連通絕緣區(qū)域外圍的金屬層，保證了焊盤處高速信號的回流路徑與其上方的信號路徑的對應(yīng)，極大地減小了焊盤處的電磁輻射，適用性更好。

本發(fā)明實(shí)施例應(yīng)當(dāng)理解的是，以上的一般描述和后文的細(xì)節(jié)描述僅是示例性和解釋性的，并不能限制本公開。

附圖說明

此處的附圖被并入說明書中并構(gòu)成本說明書的一部分，示出了符合本發(fā)明的實(shí)施例，并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員而言，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種光模塊的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為圖1中焊盤處的局部放大圖；

圖3為圖2的俯視圖；

圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種光模塊的局部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為圖4中絕緣區(qū)域處的局部結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種光模塊的設(shè)計(jì)方法的流程示意圖。

具體實(shí)施方式

為了使本技術(shù)領(lǐng)域的人員更好地理解本發(fā)明中的技術(shù)方案，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都應(yīng)當(dāng)屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明提供了一種光模塊及其設(shè)計(jì)方法，該光模塊的PCB板在參考回流層中，與其上方焊盤對應(yīng)的區(qū)域，設(shè)置有絕緣區(qū)域，保證了高速信號的傳輸路徑上，阻抗的連續(xù)性，焊盤處的阻抗不會(huì)發(fā)生突變；此外，該光模塊的PCB板的絕緣區(qū)域中設(shè)置有保證高速信號的回流路徑與其上方的信號路徑相對應(yīng)的導(dǎo)線，極大地減小了該光模塊的電路板中焊盤處的電磁輻射。

下面結(jié)合附圖，詳細(xì)介紹本發(fā)明的具體實(shí)施例。

如圖1和圖2所示，圖1示出的是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種光模塊的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2示出的是圖1中焊盤處的局部放大圖。

該光模塊包括：電路板1、高速信號線2、驅(qū)動(dòng)芯片3和光芯片；所述電路板1包括頂板4和位于所述頂板4下方的金屬層5，所述金屬層5為所述頂板4的參考回流層；所述驅(qū)動(dòng)芯片3、所述高速信號線2以及所述光芯片均布置于所述頂板4上，所述驅(qū)動(dòng)芯片3和所述光芯片通過高速信號線2相連接；所述高速信號線2的傳輸路徑上布置有兩個(gè)焊盤6；所述兩個(gè)焊盤6之間具有絕緣間隙，所述兩個(gè)焊盤6通過橋接的耦合電容7電連接，即所述兩個(gè)焊盤6的頂部橋接有耦合電容7；所述兩個(gè)焊盤6在所述金屬層5中的投影區(qū)域設(shè)置有絕緣區(qū)域8。

在具體設(shè)計(jì)時(shí)，光模塊的PCB板(電路板1)通常包括多層，且通常設(shè)置為金屬層與介質(zhì)層相間的模式，即通常在頂層金屬層的下方布置一層介質(zhì)層，在該介質(zhì)層的下方再布置一層金屬層，依次布置，從而得到所需的PCB板。本文中，將光模塊的PCB板的頂層金屬層定義為頂板4，將頂板4下方與該頂板4相鄰的金屬層5作為頂板4的參考回流層。

頂板4通常用于布置元器件，且在實(shí)際設(shè)置時(shí)，頂板4上可以布置多個(gè)元器件，例如圖1中，頂板4上布置有一個(gè)用于實(shí)現(xiàn)濾波、驅(qū)動(dòng)和整形等功能的驅(qū)動(dòng)芯片3，一個(gè)用于將光模塊與其它設(shè)備(例如計(jì)算機(jī)主機(jī))建立連接的金手指9，一個(gè)光芯片，光芯片可以是用于將其它設(shè)備(例如計(jì)算機(jī)主機(jī))發(fā)送至光模塊的電信號轉(zhuǎn)換為光信號，并將轉(zhuǎn)換后獲得的光信號發(fā)送至光網(wǎng)絡(luò)的光發(fā)射芯片10，也可以是用于從光網(wǎng)絡(luò)中接收光信號，并將接收到的光信號轉(zhuǎn)換為電信號的光接收芯片11，當(dāng)然，頂板上也可以布置兩個(gè)光芯片，其中一個(gè)光芯片為光發(fā)射芯片10，另一個(gè)光芯片為光接收芯片11，其中，光接收芯片11、光發(fā)射芯片10和金手指9均通過高速信號線2與驅(qū)動(dòng)芯片3相連接。

具體實(shí)施時(shí)，頂板4上的元器件之間通常采用差分線進(jìn)行高速信號傳輸，而差分線均為成對布置，因此，頂板4上的元器件之間采用差分線進(jìn)行高速信號傳輸時(shí)，高速信號線2包括多根。光接收芯片11、光發(fā)射芯片10各自通過一對差分線與驅(qū)動(dòng)芯片3相連接，金手指9通過兩對差分線與驅(qū)動(dòng)芯片3相連接，即光接收芯片11和光發(fā)射芯片10與驅(qū)動(dòng)芯片3之間各自布置兩根高速信號線2，金手指9和驅(qū)動(dòng)芯片3之間布置四根高速信號線2。

光模塊在正常工作時(shí)，頂板4上的各個(gè)元器件工作的直流偏置電壓通常不同，為了避免燒毀元器件，通常不可以直接連通兩個(gè)元器件，亦即不可以直接采用高速信號線2連通兩個(gè)元器件，需要在高速信號線2上連接耦合電容7，通過耦合電容7耦合該耦合電容7兩端的信號，以實(shí)現(xiàn)兩個(gè)元器件之間的信號傳輸。當(dāng)頂板4上用于連接元器件的高速信號線2包括多根時(shí)，需要在每一根高速信號線2上連接一個(gè)耦合電容7，具體設(shè)置時(shí)，耦合電容7無法直接布置于頂板4上，需要通過焊盤6將其焊接于頂板4上，因此，需要在每一根高速信號線2的傳輸路徑上布置兩個(gè)焊盤6，為了避免將相應(yīng)的兩個(gè)元器件直接連通，導(dǎo)致元器件燒毀，兩個(gè)焊盤6之間需要設(shè)置絕緣間隙，之后將耦合電容7焊接于這兩個(gè)焊盤6的頂部即可。

通常，高速信號由一個(gè)元器件傳輸至另一個(gè)元器件的過程中，該高速信號的傳輸路徑上存在一定的阻抗，阻抗的大小與該傳輸路徑中單位長度上的電容有關(guān)，在其它條件不變的情況下，該傳輸路徑中單位長度上的電容越大，阻抗就越小。而傳輸路徑中單位長度上的電容的大小與該電容的兩個(gè)極板的正對面積有關(guān)，即與頂板4中用于傳輸該高速信號的導(dǎo)體和參考回流層中的導(dǎo)體的正對面積有關(guān)，在其它條件不變的情況下，頂板4中用于傳輸該高速信號的導(dǎo)體與參考回流層中的導(dǎo)體的正對面積越大，傳輸路徑中單位長度上的電容就越大。由此可知，在其它條件不變的情況下，頂板4中用于傳輸高速信號的導(dǎo)體與參考回流層中的導(dǎo)體的正對面積越大，高速信號的傳輸路徑上的阻抗就越小。

結(jié)合上述論述可知，采用焊盤6在任意一根高速信號線2上連接耦合電容7后，由于焊盤6的寬度通常大于高速信號線2的寬度，導(dǎo)致焊盤6和耦合電容7與金屬層5(參考回流層)的正對面積比高速信號線2與金屬層5的正對面積大，在其它條件沒有發(fā)生變化的情況下，高速信號傳輸路徑上焊盤6和耦合電容7處的電容比高速信號線2處的電容大，導(dǎo)致焊盤6和耦合電容7處的阻抗比高速信號線2處的阻抗小，亦即在高速信號的傳輸路徑上，阻抗在焊盤6和耦合電容7的位置發(fā)生突變，造成高速信號在焊盤6處發(fā)生反射，引起高速信號的完整性問題。

為了解決上述高速信號的完整性問題，本發(fā)明實(shí)施例提供的光模塊的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了如下設(shè)置：對于每根高速信號線2上設(shè)置的兩個(gè)焊盤6，在這兩個(gè)焊盤6在金屬層5中的投影區(qū)域中確定一個(gè)區(qū)域，挖掉該區(qū)域內(nèi)部包圍的金屬層，將該區(qū)域設(shè)置為一個(gè)絕緣區(qū)域8，這樣，焊盤6和耦合電容7與金屬層5的正對面積即可減小，當(dāng)該絕緣區(qū)域8的面積滿足下述條件時(shí)：兩個(gè)焊盤6和耦合電容7的面積之和減去焊盤6和耦合電容7重合部位的面積，得到的差值再減去目標(biāo)長度的高速信號線2的面積，最后生成的差值為絕緣區(qū)域8的面積的值，其中，目標(biāo)長度為沿著高速信號的傳輸方向，從其中一個(gè)焊盤6的起始至另一個(gè)焊盤6的結(jié)尾處的長度，此種情況下，焊盤6和耦合電容7與金屬層5的正對面積可調(diào)整至與高速信號線2與金屬層5的正對面積相同的狀態(tài)，使得高速信號的傳輸路徑上焊盤6和耦合電容7處的電容與高速信號線2處的電容最大程度的趨于相等，從而使得高速信號的傳輸路徑上焊盤6和耦合電容7處的阻抗與高速信號線2處的阻抗也最大程度的趨于相同，阻抗不會(huì)在焊盤6處發(fā)生突變，也就不會(huì)出現(xiàn)高速信號的完整信問題。在具體實(shí)施過程中，絕緣區(qū)域8可以設(shè)置為任意形狀，例如：正方形、矩形、多邊形等，為了使高速信號的傳輸路徑上焊盤6和耦合電容7處的阻抗與高速信號線2處的阻抗最大程度的趨于相同的狀態(tài)，通常將絕緣區(qū)域8的形狀設(shè)置為矩形。

由前述可知，頂板4上的元器件之間通常采用差分線進(jìn)行高速信號的傳輸，即兩個(gè)元器件之間的高速信號線2通常成對布置，例如，布置于頂板4上的驅(qū)動(dòng)芯片3和光芯片(光發(fā)射芯片10或光接收芯片11)之間通過一對差分線相連接，即驅(qū)動(dòng)芯片3和光芯片(光發(fā)射芯片10或光接收芯片11)之間布置有一對高速信號線2，布置于頂板4上的金手指9和驅(qū)動(dòng)芯片3之間通過兩對差分線相連接，即金手指9和驅(qū)動(dòng)芯片3之間布置有兩對高速信號線2，每對高速信號線2包括兩根高速信號線2。這樣，在驅(qū)動(dòng)芯片3和光芯片(光發(fā)射芯片10或光接收芯片11)之間以及在金手指9和驅(qū)動(dòng)芯片3之間設(shè)置耦合電容7時(shí)，針對每對高速信號線2設(shè)置兩個(gè)耦合電容7，每根高速信號線2上設(shè)置一個(gè)。具體設(shè)置時(shí)，針對布置于驅(qū)動(dòng)芯片3和光芯片之間的一對高速信號線2，其上的兩個(gè)耦合電容7可以設(shè)置于距離驅(qū)動(dòng)芯片3(或光芯片)相同的位置，即這對高速信號線2中的一根高速信號線2上設(shè)置的耦合電容7距離驅(qū)動(dòng)芯片3(或光芯片)的距離與另一根高速信號線2上設(shè)置的耦合電容7距離驅(qū)動(dòng)芯片3(或光芯片)的距離相同；此外，還可以將這對高速信號線2上的耦合電容7設(shè)置于距離驅(qū)動(dòng)芯片3(或光芯片)不同的位置，即這對高速信號線2中的一根高速信號線2上設(shè)置的耦合電容7距離驅(qū)動(dòng)芯片3(或光芯片)的距離與另一根高速信號線2上設(shè)置的耦合電容7距離驅(qū)動(dòng)芯片3(或光芯片)的距離不同。在金手指9和驅(qū)動(dòng)芯片3之間的高速信號線2上布置耦合電容7時(shí)可參考上述在驅(qū)動(dòng)芯片3和光芯片之間的高速信號線2上布置耦合電容7的方式，此處不再詳述。

與上述耦合電容7的設(shè)置相應(yīng)，在金屬層5中設(shè)置絕緣區(qū)域8時(shí)，針對每對高速信號線2，在其中每根高速信號線2上布置的兩個(gè)焊盤6在金屬層5中的投影區(qū)域中均需設(shè)置一個(gè)絕緣區(qū)域8。對于驅(qū)動(dòng)芯片3和光芯片之間的一對高速信號線2，如果這對高速信號線2上的耦合電容7設(shè)置于距離驅(qū)動(dòng)芯片3(或光芯片)不同的位置，則在每根高速信號線2上布置的兩個(gè)焊盤6在金屬層5中的投影區(qū)域中各自設(shè)置一個(gè)絕緣區(qū)域8；如果這對高速信號線2上的耦合電容7設(shè)置于距離驅(qū)動(dòng)芯片3(或光芯片)相同的位置，則可以在每根高速信號線2上布置的兩個(gè)焊盤6在金屬層5中的投影區(qū)域中各自設(shè)置一個(gè)絕緣區(qū)域8，也可以在這對高速信號線2上布置的四個(gè)焊盤6在金屬層5中的投影區(qū)域中設(shè)置兩個(gè)相互連通的絕緣區(qū)域8，即在這四個(gè)焊盤6在金屬層5中的投影區(qū)域中只設(shè)置一個(gè)絕緣區(qū)域8，并將該絕緣區(qū)域8的面積設(shè)置為能夠使這對高速信號線2對應(yīng)的高速信號的傳輸路徑上的阻抗不會(huì)發(fā)生突變的狀態(tài)，具體設(shè)置可參考前述內(nèi)容，此處不再詳述。

參考圖3，圖3是圖2的俯視圖，由圖3可知，在金屬層5(參考回流層)中設(shè)置絕緣區(qū)域8后，在該絕緣區(qū)域8的位置，高速信號的回流路徑發(fā)生變化，未在金屬層5中設(shè)置絕緣區(qū)域8時(shí)，高速信號的回流路徑位于其上方信號路徑A→B在金屬層5中的正投影位置，在金屬層5中設(shè)置絕緣區(qū)域8后，高速信號的回流路徑變?yōu)槁窂紺→D，高速信號的回流路徑發(fā)生變化后，頂板4上高速信號的信號路徑(電流路徑)與金屬層5中高速信號的回流路徑所形成的交變磁場的電磁輻射范圍增大，增大了對周圍其它電路的電磁干擾。

為了減小上述電磁干擾，本發(fā)明實(shí)施例提供的光模塊的結(jié)構(gòu)進(jìn)行了如下設(shè)置：在每個(gè)絕緣區(qū)域8中，設(shè)置一根穿過該絕緣區(qū)域8的導(dǎo)線12，導(dǎo)線12連通該絕緣區(qū)域8外圍的金屬層5，其延伸方向與其上方頂板4中相應(yīng)高速信號線2的延伸方向相同。參考圖4和圖5，圖4示出的是本發(fā)明實(shí)施例提供的另一種光模塊的局部結(jié)構(gòu)示意圖，圖5示出的是圖4中絕緣區(qū)域處的局部結(jié)構(gòu)示意圖。圖4中，導(dǎo)線12由絕緣區(qū)域8的E端穿過該絕緣區(qū)域8，至該絕緣區(qū)域8的F端，其延伸方向與其上方頂板4中相應(yīng)的高速信號線2的延伸方向相同，由圖5可知，該導(dǎo)線12連通該絕緣區(qū)域8的E端緊鄰的金屬層5和絕緣區(qū)域8的F端緊鄰的金屬層5，使得高速信號的回流路徑變?yōu)檠刂搶?dǎo)線12從E端流向F端。具體設(shè)置時(shí)，為了最大程度的減小上述電磁干擾，通常將導(dǎo)線12設(shè)置于其上方相應(yīng)高速信號線2的延長線在金屬層5中的正投影位置，即導(dǎo)線12與其上方相應(yīng)高速信號線2的延長線在金屬層5中的正投影相重合。如果某一對高速信號線2的下方只設(shè)置一個(gè)絕緣區(qū)域8，則需要在這個(gè)絕緣區(qū)域8中設(shè)置兩根導(dǎo)線12，即在每根高速信號線2的延長線在金屬層5中的正投影位置設(shè)置一根導(dǎo)線12。

在每個(gè)絕緣區(qū)域8中設(shè)置導(dǎo)線12，可以采用如下方式實(shí)現(xiàn)：在金屬層5中設(shè)置絕緣區(qū)域8時(shí)，預(yù)留導(dǎo)線12所在位置的金屬層5，只挖掉導(dǎo)線12周圍的金屬層5即可。具體設(shè)置導(dǎo)線12時(shí)，在工藝允許范圍內(nèi)，將導(dǎo)線12的寬度設(shè)置為工藝可實(shí)現(xiàn)的最小值，例如：將導(dǎo)線12的寬度設(shè)置為4～8mil(密耳)，優(yōu)選為4mil。

本發(fā)明實(shí)施例提供的光模塊，通過在其電路板的參考回流層中，與其上方高速信號線相對應(yīng)的區(qū)域設(shè)置絕緣區(qū)域，保證了高速信號的傳輸路徑上阻抗的連續(xù)性，焊盤處的阻抗不再發(fā)生突變；另外，該光模塊的PCB板中，在每個(gè)絕緣區(qū)域中設(shè)置了一根導(dǎo)線，連通了絕緣區(qū)域外圍的金屬層，保證了高速信號的回流路徑與其上方的信號路徑的對應(yīng)，極大地減小了該光模塊的PCB板中焊盤處的電磁輻射，進(jìn)而減小了對周圍其它電路的電磁干擾。

如圖6所示，圖6示出的是本發(fā)明實(shí)施例提供的一種光模塊的設(shè)計(jì)方法的流程示意圖，該設(shè)計(jì)方法包括：

步驟101、設(shè)置包括頂板和頂板下方的金屬層的電路板，并且將所述金屬層設(shè)置為所述頂板的參考回流層。

具體實(shí)施時(shí)，可以將光模塊的PCB板設(shè)置為多層，將位于頂部的金屬層設(shè)置為頂板，頂板緊臨下方設(shè)置介質(zhì)層，該介質(zhì)層緊鄰下方設(shè)置金屬層，將該金屬層作為頂板的參考回流層。

步驟102、在所述頂板上布置驅(qū)動(dòng)芯片、高速信號線和光芯片，并且將所述高速信號線布置于所述驅(qū)動(dòng)芯片和所述光芯片之間，用于連接所述驅(qū)動(dòng)芯片和所述光芯片。

步驟103、在所述高速信號線的傳輸路徑上布置兩個(gè)焊盤，所述兩個(gè)焊盤之間設(shè)置絕緣間隙。

步驟104、在所述兩個(gè)焊盤的頂部橋接耦合電容，用于連接所述兩個(gè)焊盤。

步驟105、在所述兩個(gè)焊盤在所述金屬層中的投影區(qū)域設(shè)置絕緣區(qū)域。

進(jìn)一步，絕緣區(qū)域的形狀可以隨意設(shè)置，通常將絕緣區(qū)域的形狀設(shè)置為矩形。

進(jìn)一步，該設(shè)計(jì)方法還包括：在所述金屬層中布置穿過所述絕緣區(qū)域的導(dǎo)線；所述導(dǎo)線連通所述絕緣區(qū)域外圍的金屬層，其延伸方向與所述高速信號線的延伸方向相同。

進(jìn)一步，導(dǎo)線與其上方頂板上的相應(yīng)高速信號線的延長線在所述金屬層中的正投影相重合。具體設(shè)置導(dǎo)線時(shí)，在工藝允許范圍內(nèi)，盡量將導(dǎo)線的寬度設(shè)置為工藝可實(shí)現(xiàn)的最小值，例如，將導(dǎo)線的寬度設(shè)置為4～8mil(密耳)，優(yōu)選為4mil。

具體實(shí)施時(shí)，本發(fā)明提供的光模塊的設(shè)計(jì)方法中，每一個(gè)步驟的具體實(shí)現(xiàn)方式，均可參考上述光模塊的實(shí)施例，此處不再詳述。

采用本發(fā)明實(shí)施例提供的光模塊的設(shè)計(jì)方法，能夠設(shè)計(jì)出上述光模塊，即采用該設(shè)計(jì)方法獲得的光模塊，其電路板的焊盤處的阻抗不會(huì)發(fā)生突變，并且焊盤處的電磁輻射也較小，適用性更佳。

本說明書中的各個(gè)實(shí)施例采用遞進(jìn)的方式描述，各個(gè)實(shí)施例之間相同相似的部分互相參見即可。需要說明的是，在本文中，諸如“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個(gè)……”限定的要素，并不排除在包括要素的過程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。

以上僅是本發(fā)明的具體實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。