本發(fā)明涉及一種顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別是一種陣列基板及液晶顯示面板。

背景技術(shù)：

低溫多晶硅(LowTemperature Poly-Silicon，簡稱為LTPS)薄膜晶體管液晶顯示器(LTPS-TFT LCD)與傳統(tǒng)的非晶硅薄膜晶體管液晶顯示器相比，具有分辨率高、反應(yīng)速度快、亮度高以及開口率高等優(yōu)點，因此，LTPS-TFT LCD得到了越來越廣泛的應(yīng)用。

現(xiàn)有LTPS-TFT LCD的陣列基板種點反轉(zhuǎn)或列反轉(zhuǎn)驅(qū)動方式中，相鄰的一子像素與另一子像素之間因為數(shù)據(jù)信號極性相反，往往會伴隨著嚴重的IPS(In-Plane Switching)橫向電場效應(yīng)，進而產(chǎn)生PUSH MURA現(xiàn)象，面板在受到外力沖擊后，產(chǎn)生不可恢復(fù)的色斑，當前的一種解決方案是，將相鄰子像素間的像素電極間距加大，使其彼此不會太接近，但是這樣會使得存在相鄰子像素邊緣位置光透過率低于其它位置光透過率的問題，由于高分辨率像素邊緣區(qū)域空間占比較大，導(dǎo)致液晶顯示面板整體光透過率降低。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

為克服現(xiàn)有技術(shù)的不足，本發(fā)明提供一種陣列基板及液晶顯示面板，從而提高光透過率。

本發(fā)明提供了一種陣列基板，包括玻璃基板，所述玻璃基板上設(shè)有設(shè)于同一層的源極、漏極，在源極和漏極上設(shè)有平坦層，在平坦層上設(shè)有第一公共電極，第一公共電極上覆蓋有絕緣層，在絕緣層上分別設(shè)有像素電極以及第二公共電極，像素電極經(jīng)絕緣層過孔與漏極連接。

進一步地，所述像素電極與第二公共電極設(shè)置在同一層中。

進一步地，所述第二公共電極的電壓可調(diào)節(jié)。

進一步地，所述第二公共電極圍繞在每個像素電極外一周，相鄰兩個第二公共電極相互連接。

進一步地，所述像素電極四周與第二公共電極之間的距離相等。

進一步地，所述第二公共電極的圖形形狀為矩形。

進一步地，所述第二公共電極的圖形形狀隨像素電極的圖形形狀的外輪廓可變換。

進一步地，所述第一公共電極和第二公共電極的制備材料相同。

本發(fā)明還公開了一種液晶顯示面板，包括彩色濾光片基板，所述彩色濾光片基板包括黑色矩陣，還包括所述的陣列基板，所述第二公共電極設(shè)于與黑色矩陣位置相對應(yīng)處。

進一步地，所述第二公共電極的寬度小于或等于黑色矩陣的寬度。

本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，通過在像素電極外設(shè)置圍繞其一周的第二公共電極，從而使像素電極的四周邊緣位置的光透過率有所提高，而且其位置與黑色矩陣位置相對應(yīng)，從而不影響開口率。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的液晶面板的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明的第二公共電極的第一種設(shè)置形式的示意圖；

圖3是本發(fā)明的第二公共電極的第二種設(shè)置形式的示意圖；

圖4-1是本發(fā)明制作工藝步驟一的示意圖；

圖4-2是本發(fā)明制作工藝步驟二的示意圖；

圖4-3是本發(fā)明制作工藝步驟三的示意圖；

圖4-4是本發(fā)明制作工藝步驟四的示意圖；

圖4-5是本發(fā)明制作工藝步驟五的示意圖；

圖4-6是本發(fā)明制作工藝步驟六的示意圖；

圖4-7是本發(fā)明制作工藝步驟七的示意圖；

圖4-8是本發(fā)明制作工藝步驟八的示意圖；

圖4-9是本發(fā)明制作工藝步驟九的示意圖；

圖4-10是本發(fā)明制作工藝步驟十的示意圖；

圖4-11是本發(fā)明制作工作步驟十二的示意圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖和實施例對本發(fā)明作進一步詳細說明。

如圖1所示，本發(fā)明的一種陣列基板，圖中顯示了陣列基板的兩部分，其中左半部分為陣列基板的顯示區(qū)，右半部分為陣列基板的電路驅(qū)動區(qū)；所述陣列基板包括玻璃基板1，設(shè)于玻璃基板1上的遮光層(LS)10、在遮光層10上設(shè)有緩沖層11、設(shè)置在緩沖層11上的半導(dǎo)體層12以及柵極絕緣層13，在柵極絕緣層13上設(shè)有柵極15，柵極15上覆蓋有層間絕緣層14，在層間絕緣層14上設(shè)有位于同一層的源極2、漏極3，源極2以及漏極3與半導(dǎo)體層12連接，在源極2和漏極3上設(shè)有平坦層(PLN)4，在平坦層4上設(shè)有第一公共電極5，第一公共電極5上覆蓋有絕緣層6，在絕緣層6上分別設(shè)有像素電極7以及第二公共電極8；所述像素電極7與第二公共電極8設(shè)置在同一層中并且采用與第一公共電極5的制備材料相同，均為氧化銦錫(ITO)材料；像素電極7經(jīng)絕緣層過孔與漏極3連接，所述第二公共電極8圍繞在每個像素電極7外一周，相鄰兩個第二公共電極8相互連接，從而提高像素電極7邊緣位置的光透過率，提高光穿透均勻性，而且也可以節(jié)能降低生產(chǎn)成本，所述顯示區(qū)中的半導(dǎo)體層為NMOS管，電路驅(qū)動區(qū)中的半導(dǎo)體層為PMOS管。

第二公共電極8的電壓可依據(jù)產(chǎn)品需要進行電壓調(diào)節(jié)，使其與第一公共電極5的電壓不同，其作用是提升像素邊緣液晶轉(zhuǎn)向效率，并提高透光透過均勻性，達到提高面板光透過率效果。

具體地，所述像素電極7四周與第二公共電極8之間的距離相等。

本發(fā)明的一種陣列基板的制作方法，包括如下步驟：

步驟一、如圖4-1所示，提供一玻璃基板1，在玻璃基板1上通過物理氣相沉積(PVD)形成MO/Al并對其進行圖形化形成遮光層(LS)10；

步驟二、如圖4-2所示，在玻璃基板1以及遮光層10上覆蓋一層緩沖層11，通過在緩沖層11上將A-Si半導(dǎo)體層形成多晶硅后進行圖形化；所述緩沖層11為SiOx/SiNx；

步驟三、如圖4-3所示，對顯示區(qū)內(nèi)的多晶硅通過化學(xué)氣相沉積進行N離子摻雜；

步驟四、如圖4-4所示，對進行N離子摻雜的多晶硅的溝道進行N離子重摻雜形成LDD(輕摻雜漏注入工藝)的顯示區(qū)的半導(dǎo)體層12，顯示區(qū)的半導(dǎo)體層12設(shè)于遮光層10上方；

步驟五、如圖4-5所示，在顯示區(qū)的半導(dǎo)體層12以及電路驅(qū)動區(qū)的多晶硅上形成柵極絕緣層13，在柵極絕緣層13上形成電極線(柵極15)；

步驟六、如圖4-6所示，對驅(qū)動電路區(qū)的多晶硅進行P離子摻雜形成PMOS(驅(qū)動電路區(qū)的半導(dǎo)體層12)；

步驟七、如圖4-7所示，在柵極15上制作一層層間絕緣層(ILD)14，并在層間絕緣層14上位于半導(dǎo)體層12的N+區(qū)以及P區(qū)上制作層間絕緣層過孔；

步驟八、如圖4-8所示，在層間絕緣層14上形成源極2以及漏極3，并經(jīng)過孔與半導(dǎo)體層12的N+區(qū)以及P區(qū)連接；

步驟九、如圖4-9所示，在源極2以及漏極3上通過PHT(光刻)工藝制作平坦層(PLN)4，并在顯示區(qū)的漏極處形成平坦層過孔；

步驟十、如圖4-10所示，在平坦層4上成ITO(透明導(dǎo)電)層并圖形化后形成第一公共電極5，在第一公共電極5上位于平坦層過孔處形成第一公共電極過孔；

步驟十一、如圖4-11所示，在第一公共電極5上形成有絕緣層(PV)6，并在第一公共電極過孔上形成有絕緣層過孔；

步驟十二、如圖1所示，在絕緣層6上通過物理氣相沉積形成ITO(透明導(dǎo)電)層并圖形化后形成像素電極7以及第二公共電極8；像素電極7經(jīng)絕緣層過孔、第一公共電極過孔以及平坦層過孔與顯示區(qū)中的漏極3連接，得到陣列基板。本發(fā)明中第一公共電極5以及第二公共電極8均采用ITO(透明導(dǎo)電)等透明電極材料制成。

如圖1所示，本發(fā)明的一種液晶顯示面板，包括彩色濾光片基板16，本發(fā)明中彩色濾光片基板16為現(xiàn)有技術(shù)中的彩色濾光片基板1；所述彩色濾光片基板16包括黑色矩陣9，液晶顯示面板還包括前述的陣列基板，所述第二公共電極8設(shè)于與黑色矩陣9位置相對應(yīng)處，所述第二公共電極8的寬度小于或等于黑色矩陣9的寬度，從而不會對開口率有所影響。

如圖2所示，所述第二公共電極8的圖形形狀為矩形。

如圖3所示，所述第二公共電極8的圖形形狀隨像素電極7的圖形形狀的外輪廓可變換，圖形的幅度小于黑色矩陣的寬度；其中從圖中可以看出，與像素電極7左右相鄰的這部分第二公共電極8的側(cè)邊為與像素電極7的圖形的左右兩側(cè)外輪廓相適配，圖3中像素電極7左右兩側(cè)的上中部以及下部均為向右側(cè)偏移，形成了兩塊偏移形成的斜面，在第二公共電極8側(cè)邊的相應(yīng)位置則形成的略微向左突出，突出的部分不超過黑色矩陣的寬度，通過此種形式來配合像素電極7的圖形形狀變化。

雖然已經(jīng)參照特定實施例示出并描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域的技術(shù)人員將理解：在不脫離由權(quán)利要求及其等同物限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可在此進行形式和細節(jié)上的各種變化。