本發(fā)明涉及濾光片技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種121.6nm窄帶負濾光片及其制備方法。

背景技術(shù)：

121.6nm譜線是氫元素的拉曼阿爾法發(fā)射線，它具有許多顯著的特點，因而成為許多太陽探測任務(wù)的成像目標。為了保證探測的光譜純度，需要使用121.6nm負濾光片，以在121.6nm處獲得較高的反射率。

然而，現(xiàn)有的121.6nm負濾光片在實際應(yīng)用過程中，存在旁帶和可見光波段的反射率較高的現(xiàn)象，從而降低了121.6nm譜線質(zhì)量。

綜上所述可以看出，如何設(shè)計和制備高質(zhì)量的121.6nm負濾光片，以降低旁帶和可見光波段的反射率是目前亟待解決的問題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種121.6nm窄帶負濾光片及其制備方法，能夠降低121.6nm負濾光片的旁帶和可見光波段的反射率，有利于提升121.6nm譜線質(zhì)量。其具體方案如下：

一種121.6nm窄帶負濾光片制備方法，包括：

確定制備121.6nm窄帶負濾光片時所需的多層膜的鍍膜材料以及相應(yīng)的基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)；

基于所述鍍膜材料以及所述基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)，計算相應(yīng)的等效導(dǎo)納以及位相厚度；

根據(jù)所述等效導(dǎo)納以及位相厚度，依次在多層膜與入射介質(zhì)之間、以及多層膜與基底之間分別進行導(dǎo)納匹配處理，以對所述基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)進行優(yōu)化，得到優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)；

根據(jù)所述優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)，制備相應(yīng)的121.6nm窄帶負濾光片。

可選的，多層膜的鍍膜材料為laf3和mgf2。

可選的，多層膜中與所述基底接觸的膜層以及最外層膜層均為laf3膜層，并且，所述基底為融石英基底。

可選的，所述基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)為sub/(0.7h0.6l0.7h)^11/air。

可選的，所述基于所述鍍膜材料以及所述基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)，計算相應(yīng)的等效導(dǎo)納以及位相厚度的過程，包括：

基于所述鍍膜材料以及所述基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)，并利用macleod薄膜設(shè)計軟件中的equivalentparameters功能，計算相應(yīng)的等效導(dǎo)納以及位相厚度。

可選的，所述依次在多層膜與入射介質(zhì)之間、以及多層膜與基底之間分別進行導(dǎo)納匹配處理的過程，包括：

在所述基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)中的多層膜與入射介質(zhì)之間展開導(dǎo)納匹配處理，以對所述基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)進行優(yōu)化，得到第一次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)；

在所述第一次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)中的多層膜與所述基底之間展開導(dǎo)納匹配處理，以對所述第一次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)再次進行優(yōu)化，得到第二次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)。

可選的，所述第一次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)為：

sub/((0.7h0.6l0.7h)^90.6h0.964(0.7h0.6l0.7h)^2)/air；

所述第二次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)為：

sub/(0.9(0.7h0.6l0.7h)^2(0.7h0.6l0.7h)^70.6h0.964(0.7h0.6l0.7h)^2)/air。

可選的，所述根據(jù)所述優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)，制備相應(yīng)的121.6nm窄帶負濾光片的過程之前，還包括：

將高斯型反射帶輪廓作為目標曲線，并結(jié)合optilayer軟件中的constrainedoptimizarion功能，對所述第二次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)中的多層膜展開再次優(yōu)化，得到第三次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)。

可選的，所述根據(jù)所述優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)，制備相應(yīng)的121.6nm窄帶負濾光片的過程之前，還包括：

利用optilayer軟件的sensitivity-directedrefinement功能，對所述第三次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)進行再次優(yōu)化，得到第四次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)。

進一步的，本發(fā)明還公開了一種121.6nm窄帶負濾光片，所述121.6nm窄帶負濾光片具體為利用前述公開的方法制備的121.6nm窄帶負濾光片。

本發(fā)明中，121.6nm窄帶負濾光片制備方法，包括：確定制備121.6nm窄帶負濾光片時所需的多層膜的鍍膜材料以及相應(yīng)的基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)；基于鍍膜材料以及基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)，計算相應(yīng)的等效導(dǎo)納以及位相厚度；根據(jù)等效導(dǎo)納以及位相厚度，依次在多層膜與入射介質(zhì)之間、以及多層膜與基底之間分別進行導(dǎo)納匹配處理，以對基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)進行優(yōu)化，得到優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)；根據(jù)優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)，制備相應(yīng)的121.6nm窄帶負濾光片。

可見，本發(fā)明確定出相應(yīng)的鍍膜材料以及基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)時候，將會計算相應(yīng)的等效導(dǎo)納以及位相厚度，接著利用上述計算結(jié)果，依次在多層膜與入射介質(zhì)、以及多層膜和基底之間分別進行導(dǎo)納匹配處理，這樣可以實現(xiàn)對上述基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)的優(yōu)化，可消除由于多層膜與入射介質(zhì)、基底之間導(dǎo)納不匹配而使得旁帶和可見光波段具有高反射率的現(xiàn)象，而基于上述經(jīng)過優(yōu)化處理的膜系結(jié)構(gòu)制備得到的121.6nm負濾光片具有較低的旁帶以及可見光波段的反射率，從而有利于提升121.6nm譜線的質(zhì)量。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明公開的一種121.6nm窄帶負濾光片制備方法流程圖；

圖2為基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)sub/(0.7h0.6l0.7h)^11/air的理論反射率曲線圖；

圖3為本發(fā)明公開的一種具體的121.6nm窄帶負濾光片制備方法流程圖；

圖4為初始膜系單元結(jié)構(gòu)(0.7h0.6l0.7h)的等效導(dǎo)納圖；

圖5為膜系結(jié)構(gòu)sub/(0.7h0.6l0.7h)^11mh/air的理論反射率曲線圖；

圖6為0.964(0.7h0.6l0.7h)等效層的光學(xué)導(dǎo)納圖；

圖7為多層膜sub/((0.7h0.6l0.7h)^90.6h0.964(0.7h0.6l0.7h)^2)/air的理論反射率曲線圖；

圖8為0.9(0.7h0.6l0.7h)等效層的光學(xué)導(dǎo)納圖；

圖9為sub/(0.9(0.7h0.6l0.7h)^2(0.7h0.6l0.7h)^70.6h0.964(0.7h0.6l0.7h)^2)/air的理論反射率曲線圖；

圖10為本發(fā)明公開的更具體的121.6nm窄帶負濾光片制備方法流程圖；

圖11為經(jīng)optilayer軟件中的constrainedoptimizarion功能優(yōu)化的多層膜理論反射率曲線以及高斯型反射帶輪廓目標曲線圖；

圖12為經(jīng)optilayer軟件的sdr功能優(yōu)化的多層膜理論反射率曲線圖。

具體實施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

本發(fā)明實施例公開了一種121.6nm窄帶負濾光片制備方法，參見圖1所示，該方法包括：

步驟s11：確定制備121.6nm窄帶負濾光片時所需的多層膜的鍍膜材料以及相應(yīng)的基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)。

本實施例中，具體可以將laf3(即三氟化鑭)和mgf2(即氟化鎂)作為多層膜的鍍膜材料。另外，多層膜中與基底接觸的膜層以及最外層膜層均為laf3膜層，并且，基底為融石英基底。

本實施例中，優(yōu)先采用一階周期多層膜來構(gòu)造基礎(chǔ)膜系。在光學(xué)薄膜設(shè)計中，一般采用調(diào)整高低折射率材料的厚度比例來調(diào)節(jié)帶寬。由于mgf2具有較高的應(yīng)力，所以本實施例可以通過減少低折射率材料在多層膜的比例來降低帶寬。另外，由于受到最小膜厚(10nm)的限制，最終，本實施例決定選擇h/l＝1.4/0.6。與此對應(yīng)的，本實施例具體將上述基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)設(shè)計為sub/(0.7h0.6l0.7h)^11/air。圖2示出了上述基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)的理論反射率曲線。從圖2可以看出，在上述基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)對應(yīng)的理論反射率曲線中，旁帶和可見光波段的反射率較高，需要進行抑制。

步驟s12：基于上述鍍膜材料以及基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)，計算相應(yīng)的等效導(dǎo)納以及位相厚度。

步驟s13：根據(jù)等效導(dǎo)納以及位相厚度，依次在多層膜與入射介質(zhì)之間、以及多層膜與基底之間分別進行導(dǎo)納匹配處理，以對基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)進行優(yōu)化，得到優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)。

本實施例中，由于考慮到多層膜與基底和入射介質(zhì)的導(dǎo)納不匹配會導(dǎo)致旁帶和可見光波段的反射率較高的現(xiàn)象，所以，本實施例決定對多層膜與入射介質(zhì)、以及多層膜與基底之間進行導(dǎo)納匹配處理，以消除由于多層膜與入射介質(zhì)、基底之間導(dǎo)納不匹配而使得旁帶和可見光波段具有高反射率的現(xiàn)象。而為了實現(xiàn)對多層膜與入射介質(zhì)、以及多層膜與基底進行導(dǎo)納匹配的目的，本實施例需要先計算出相應(yīng)的等效參數(shù)，其中，上述等效參數(shù)包括等效導(dǎo)納以及位相厚度。

步驟s14：根據(jù)優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)，制備相應(yīng)的121.6nm窄帶負濾光片。

可見，本發(fā)明實施例確定出相應(yīng)的鍍膜材料以及基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)時候，將會計算相應(yīng)的等效導(dǎo)納以及位相厚度，接著利用上述計算結(jié)果，依次在多層膜與入射介質(zhì)、以及多層膜和基底之間分別進行導(dǎo)納匹配處理，這樣可以實現(xiàn)對上述基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)的優(yōu)化，可消除由于多層膜與入射介質(zhì)、基底之間導(dǎo)納不匹配而使得旁帶和可見光波段具有高反射率的現(xiàn)象，而基于上述經(jīng)過優(yōu)化處理的膜系結(jié)構(gòu)制備得到的121.6nm負濾光片具有較低的旁帶以及可見光波段的反射率，從而有利于提升121.6nm譜線的質(zhì)量。

參見圖3所示，本發(fā)明實施例公開了一種具體的121.6nm窄帶負濾光片制備方法，包括：

步驟s21：確定制備121.6nm窄帶負濾光片時所需的多層膜的鍍膜材料以及相應(yīng)的基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)。

本實施例中，具體可以將laf3(即三氟化鑭)和mgf2(即氟化鎂)作為多層膜的鍍膜材料。另外，多層膜中與基底接觸的膜層以及最外層膜層均為laf3膜層，并且，基底為融石英基底。

另外，本實施例具體將上述基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)設(shè)計為sub/(0.7h0.6l0.7h)^11/air。

步驟s22：基于上述鍍膜材料以及基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)，并利用macleod薄膜設(shè)計軟件中的equivalentparameters功能，計算相應(yīng)的等效導(dǎo)納以及位相厚度。

本實施例中，考慮到由于在遠紫外波段，材料具有色散和吸收，而且是傾斜入射，所以等效參數(shù)的計算非常困難。為了解決這個問題，本實施例決定采用macleod軟件中的equivalentparameters功能來進行等效參數(shù)的計算。在傾斜入射條件下，equivalentparameters功能能夠分別計算出p光和s光的等效參數(shù)，后續(xù)便可基于上述計算出來的等效參數(shù)展開相應(yīng)的導(dǎo)納匹配處理。

步驟s23：根據(jù)等效導(dǎo)納以及位相厚度，在基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)中的多層膜與入射介質(zhì)之間展開導(dǎo)納匹配處理，以對基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)進行優(yōu)化，得到第一次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)。

具體的，本實施例使用macleod軟件中的equivalentparameters功能計算了初始膜系單元結(jié)構(gòu)(0.7h0.6l0.7h)的等效參數(shù)，其在115nm處的等效導(dǎo)納是5.04。由單層減反射導(dǎo)納條件，匹配的單層膜導(dǎo)納應(yīng)為(5.04×1)0.5＝2.24，而laf3在115nm處的折射率為2.20。因此本實施例首先使用單層laf3膜對多層膜和入射介質(zhì)做導(dǎo)納匹配。圖4給出了初始膜系單元結(jié)構(gòu)(0.7h0.6l0.7h)等效導(dǎo)納圖。經(jīng)試驗發(fā)現(xiàn)，laf3膜取0.95h光學(xué)厚度時，雖然115nm處的反射率很低，但反射帶右側(cè)旁帶的反射率偏高，最終本實施例選取了0.6h的光學(xué)厚度。圖5給出了膜系結(jié)構(gòu)sub/(0.7h0.6l0.7h)^11mh/air的理論反射率曲線，m分別為0.95和0.6，入射角10°。從圖5可以看出旁帶反射率有所下降，但仍然較高，需要做進一步抑制。

從圖4可以看出，在反射帶較遠的地方，等效導(dǎo)納比較平穩(wěn)，而臨近反射帶的區(qū)域等效導(dǎo)納有急劇的變化，這也是反射帶旁帶不容易匹配的原因。接下來本實施例可以使用漂移等效層來作進一步的匹配。漂移等效層是指與多層膜對稱等效層厚度稍有差別的對稱結(jié)構(gòu)，一般其對應(yīng)將要做匹配的目標波長。圖6給出了0.964(0.7h0.6l0.7h)等效層的光學(xué)導(dǎo)納圖，其在115nm處的導(dǎo)納為2.248，滿足減反射導(dǎo)納條件。經(jīng)試驗，發(fā)現(xiàn)該漂移等效層的周期數(shù)為2時，匹配效果最好。圖7給出了多層膜sub/((0.7h0.6l0.7h)^90.6h0.964(0.7h0.6l0.7h)^2)/air的理論反射率曲線。

經(jīng)過上述處理，本實施例中得到的第一次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)具體為：

sub/((0.7h0.6l0.7h)^90.6h0.964(0.7h0.6l0.7h)^2)/air。

關(guān)于上述膜系結(jié)構(gòu)中各個參數(shù)的具體含義可以參考薄膜光學(xué)領(lǐng)域中的相關(guān)定義，在此不再重復(fù)說明。

步驟s24：在第一次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)中的多層膜與基底之間展開導(dǎo)納匹配處理，以對第一次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)再次進行優(yōu)化，得到第二次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)。

具體的，在得到上述第一次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)之后，本實施例進一步使用漂移等效層對多層膜和基底在132nm處做導(dǎo)納匹配。經(jīng)計算發(fā)現(xiàn)0.83(0.7h0.6l0.7h)的在132nm處的等效導(dǎo)納為1.637，恰好滿足減反射導(dǎo)納條件((1.314×2.041)0.5＝1.638),但是由于它們每一層的物理厚度都小于10nm。所以本實施例決定選用0.9(0.7h0.6l0.7h)，它在132nm處的導(dǎo)納為1.55。圖8給出了0.9(0.7h0.6l0.7h)等效層的光學(xué)導(dǎo)納圖。經(jīng)計算發(fā)現(xiàn)該漂移等效層的周期數(shù)是2時，旁帶的抑制效果最好。圖9則給出了多層膜sub/(0.9(0.7h0.6l0.7h)^2(0.7h0.6l0.7h)^70.6h0.964(0.7h0.6l0.7h)^2)/air的理論反射率曲線。

從圖9可以看出，經(jīng)過分別對多層膜和基底及入射介質(zhì)做導(dǎo)納匹配，設(shè)計出了帶寬10nm、在121.6nm處反射率為71％、反射帶旁帶及可見光波段反射率小于10％的窄帶負濾光片。

經(jīng)過上述處理，本實施例中得到的第二次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)具體為：

sub/(0.9(0.7h0.6l0.7h)^2(0.7h0.6l0.7h)^70.6h0.964(0.7h0.6l0.7h)^2)/air。

步驟s25：根據(jù)上述第二次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)，制備相應(yīng)的121.6nm窄帶負濾光片。

也即，根據(jù)上述第二次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)，可以制備出帶寬10nm、在121.6nm處反射率為71％、反射帶旁帶及可見光波段反射率小于10％的窄帶負濾光片。

參見圖10所示，本發(fā)明實施例公開了一種更具體的121.6nm窄帶負濾光片制備方法，包括：

步驟s31：確定制備121.6nm窄帶負濾光片時所需的多層膜的鍍膜材料以及相應(yīng)的基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)。

本實施例中，具體可以將laf3(即三氟化鑭)和mgf2(即氟化鎂)作為多層膜的鍍膜材料。另外，多層膜中與基底接觸的膜層以及最外層膜層均為laf3膜層，并且，基底為融石英基底。

另外，本實施例具體將上述基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)設(shè)計為sub/(0.7h0.6l0.7h)^11/air。

步驟s32：基于上述鍍膜材料以及基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)，并利用macleod薄膜設(shè)計軟件中的equivalentparameters功能，計算相應(yīng)的等效導(dǎo)納以及位相厚度。

步驟s33：根據(jù)等效導(dǎo)納以及位相厚度，在基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)中的多層膜與入射介質(zhì)之間展開導(dǎo)納匹配處理，以對基礎(chǔ)膜系結(jié)構(gòu)進行優(yōu)化，得到第一次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)。

本實施例中，上述第一次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)具體為：

sub/((0.7h0.6l0.7h)^90.6h0.964(0.7h0.6l0.7h)^2)/air。

步驟s34：在第一次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)中的多層膜與基底之間展開導(dǎo)納匹配處理，以對第一次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)再次進行優(yōu)化，得到第二次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)。

本實施例中，上述第二次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)具體為：

sub/(0.9(0.7h0.6l0.7h)^2(0.7h0.6l0.7h)^70.6h0.964(0.7h0.6l0.7h)^2)/air。

步驟s35：將高斯型反射帶輪廓作為目標曲線，并結(jié)合optilayer軟件中的constrainedoptimizarion功能，對第二次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)中的多層膜展開再次優(yōu)化，得到第三次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)。

具體的，在得到上述第二次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)之后，本實施例進一步引入了高斯型反射帶輪廓作為設(shè)計目標曲線，使用optilayer軟件中的constrainedoptimizarion功能優(yōu)化多層膜，并將膜厚限制在10-100nm。圖11給出了經(jīng)optilayer軟件中的constrainedoptimizarion功能優(yōu)化的多層膜理論反射率曲線和高斯型反射帶輪廓目標曲線。從圖11可以看出，經(jīng)優(yōu)化后，帶寬從10nm降至5nm，但反射帶右側(cè)的旁帶和可見光波段反射率偏高，有必要通過下面步驟s36做進一步的優(yōu)化。

步驟s36：利用optilayer軟件的sensitivity-directedrefinement功能，對第三次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)進行再次優(yōu)化，得到第四次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)。

本實施例在上述步驟s35的基礎(chǔ)上，進一步將圖11中反射帶曲線作為新的目標曲線，其他波段的目標曲線不變。使用optilayer軟件的sensitivity-directedrefinement(sdr)功能對多層膜的右側(cè)旁帶和可見光波段作進一步優(yōu)化。圖12給出了經(jīng)optilayer軟件的sdr功能優(yōu)化的多層膜理論反射率曲線。

從圖12可以看出，經(jīng)optilayer軟件的constrainedoptimization和sdr功能優(yōu)化后，設(shè)計出了帶寬5nm、在121.6nm處反射率為39％、反射帶旁帶及可見光波段反射率小于5％的窄帶負濾光片。

步驟s37：根據(jù)上述第四次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)，制備相應(yīng)的121.6nm窄帶負濾光片。

也即，根據(jù)上述第四次優(yōu)化后膜系結(jié)構(gòu)，可以制備出帶寬5nm、在121.6nm處反射率為39％、反射帶旁帶及可見光波段反射率小于5％的窄帶負濾光片。

進一步的，本發(fā)明實施例還公開了一種121.6nm窄帶負濾光片，其中，上述121.6nm窄帶負濾光片具體為利用前述實施例公開的方法制備的121.6nm窄帶負濾光片。

由前述實施例中公開的內(nèi)容可知，利用前述實施例中公開的方法，可以制備出兩種121.6nm窄帶負濾光片，其中一種為帶寬10nm、在121.6nm處反射率為71％、反射帶旁帶及可見光波段反射率小于10％的窄帶負濾光片，另一種為帶寬5nm、在121.6nm處反射率為39％、反射帶旁帶及可見光波段反射率小于5％的窄帶負濾光片。

最后，還需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二等之類的關(guān)系術(shù)語僅僅用來將一個實體或者操作與另一個實體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實體或操作之間存在任何這種實際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。

以上對本發(fā)明所提供的一種121.6nm窄帶負濾光片及其制備方法進行了詳細介紹，本文中應(yīng)用了具體個例對本發(fā)明的原理及實施方式進行了闡述，以上實施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在具體實施方式及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。