本發(fā)明涉及液晶顯示器制造領域，具體涉及陣列基板及其制備方法、液晶顯示面板及其制備方法、液晶顯示屏和應用。

背景技術：

目前，由于采用低溫多晶硅(lowtemperaturepoly-silicon，ltps)薄膜晶體管(tft)制造的顯示面板具有分辨率高、反應速度快、高亮度、高開口率等優(yōu)點，ltps-tft顯示面板的應用越來越廣泛。

如圖2所示，現(xiàn)有的ltps陣列基板一般包括透明襯底，以及構建在透明襯底上的tft元器件。因多晶硅(p-si)遷移率(50-200cm²/vs)較高，若其受到光照則容易導致漏電流變大，影響顯示面板的顯示效果。

為了解決上述問題，現(xiàn)有技術中一般是通過在透明襯底和第一絕緣層之間設置遮光層(如圖2所示的20，lineshiedlayer，ls)來防止背光源對tft溝道處p-si的影響。遮光層吸收光，從而避免漏電流變大，但是由于鋪墊在遮光層上的第一絕緣層邊緣不可避免的存在階梯，導致階梯處在非晶硅轉化為多晶硅時因不平整而產生晶化不均勻現(xiàn)象，進而影響半導體器件均勻性，導致顯示效果不佳的問題，比如畫面顯示發(fā)白、斑塊、有顏色不均勻現(xiàn)象。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的是為了克服現(xiàn)有技術存在的上述問題，提供一種陣列基板及其制備方法、液晶顯示面板及其制備方法、液晶顯示屏和應用，該陣列基板能夠防止因光照產生的漏電流變大現(xiàn)象，且堆積層內的多晶硅層中的多晶硅具有晶化均勻的優(yōu)點，同時，反光層能夠增強背光源的利用效率，降低顯示能耗。

為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明一方面提供了一種陣列基板，包括透明襯底，在所述透明襯底的一側設置的堆積層，和與所述堆積層連接的至少一個數(shù)據(jù)線、掃描線和像素電極，其中，在所述透明襯底的另一側的至少部分外表面上設置反光層。

優(yōu)選地，所述反光層設置在所述透明襯底的與所述堆積層相對的外表面上。

優(yōu)選地，所述反光層在所述透明襯底上的正投影遮蔽所述堆積層內的多晶硅層。

優(yōu)選地，所述反光層為鋁層、鋁層和氧化銦錫層復合層、或銀層和氧化銦錫層復合層。

優(yōu)選地，所述反光層為銀層和氧化銦錫層復合層。

本發(fā)明第二方面提供了上述的陣列基板的制備方法，該方法包括以下步驟：

(1)在一側外表面上形成有堆積層的透明襯底上形成反光層，所述反光層在所述透明襯底的與所述堆積層相對的外表面上；

(2)在所述反光層上形成圖案，所述圖案在所述透明襯底上的正投影遮蔽所述堆積層內的多晶硅層。

優(yōu)選地，在步驟(1)中，所述形成反光層的方法為物理濺鍍法。

優(yōu)選地，在步驟(2)中，所述形成圖案的過程包括：將所述反光層依次進行黃光制程工藝和刻蝕工藝。

本發(fā)明第三方面提供了一種液晶顯示面板，包括：彩膜基板、陣列基板，以及設置在所述彩膜基板和所述陣列基板中間的液晶層；其中，所述陣列基板為上述的陣列基板。

本發(fā)明第四方面提供了一種液晶顯示面板的制備方法，該方法包括將彩膜基板、上述的陣列基板，以及設置在所述彩膜基板和所述陣列基板中間的液晶層進行組裝，其中，所述陣列基板的堆積層在所述液晶層與所述陣列基板的透明襯底之間。

本發(fā)明第五方面還提供了一種液晶顯示面板的制備方法，該方法包括以下步驟：

(1)將彩膜基板、無反光層陣列基板和液晶層進行組裝，其中，所述無反光層陣列基板包括透明襯底，在所述透明襯底的一側設置的堆積層，和與所述堆積層連接的至少一個數(shù)據(jù)線、掃描線和像素電極；

(2)在所述透明襯底上形成反光層，所述反光層在所述透明襯底的與所述堆積層相對的外表面上；

(3)在所述反光層上形成圖案，所述圖案在所述透明襯底上的正投影遮蔽所述堆積層內的多晶硅層。

本發(fā)明第六方面提供了一種液晶顯示屏，該液晶顯示屏包括上述的陣列基板。

本發(fā)明第七方面提供了上述的液晶顯示屏作為顯示裝置的顯示屏的應用。

在本發(fā)明的技術方案中，通過將遮光層改為反光層，且將反光層設置在陣列基板的透明襯底的與所述堆積層相對的外表面上，并使得反光層在透明襯底上的正投影遮蔽所述堆積層內的多晶硅層，能夠遮蔽多晶硅層，可以防止因光照產生的漏電流變大現(xiàn)象。而且本發(fā)明方法將反光層設置在透明襯底的外表面，避免了傳統(tǒng)遮光層存在的“階梯”，從而在多晶硅的晶化過程中，晶化均勻，保證了半導體器件的均勻性，使得顯示效果得到改進。

在本發(fā)明中，反光層的材質為可以進行反光的材質，例如鋁層、鋁層和氧化銦錫層復合層、或銀層和氧化銦錫層復合層等。因為銀層可能存在氧化，氧化后的反光層，對于反射光的效果將大大降低，為了保證反光的效果，可以使用銀層和氧化銦錫層復合層，在銀層的外表面形成氧化銦錫層，可以有效防止銀層的氧化，從而保證反光層的作用，進而保證半導體器件的均勻性，以及顯示效果。

此外，通過本發(fā)明的方法，如圖3所示，反光層面對背光源，背光源發(fā)射的光，大部分光從反光層兩側穿過透明襯底，小部分光照射到反光層表面，光在反光層表面進行反射，反射至背光源反射板，光在背光源反射板處再次進行反射，反射至陣列基板方向，部分光從反光層兩側穿過透明襯底，部分光照射到反光層表面再次反射，光經過多次反射后最終被充分利用。而在現(xiàn)有技術中，遮光層吸收背光源，而不會將背光源進行反射。由此，通過本發(fā)明的方法，還可以增強背光源的利用效率，降低背光源的顯示消耗。

附圖說明

圖1是本發(fā)明的陣列基板的截面示意圖；

圖2是現(xiàn)有技術的陣列基板的截面示意圖；

圖3是液晶顯示面板與背光源的位置示意圖。

附圖標記說明

i、反光層1a、第一反光層1b、第二反光層

2、透明襯底3、緩沖層4、介質層

5、多晶硅層6a、源極6b、漏極

7、第一絕緣層8、柵極9、介電層

10、第二絕緣層11、漏電極12、源電極

ii、堆積層

具體實施方式

在本文中所披露的范圍的端點和任何值都不限于該精確的范圍或值，這些范圍或值應當理解為包含接近這些范圍或值的值。對于數(shù)值范圍來說，各個范圍的端點值之間、各個范圍的端點值和單獨的點值之間，以及單獨的點值之間可以彼此組合而得到一個或多個新的數(shù)值范圍，這些數(shù)值范圍應被視為在本文中具體公開。

本發(fā)明第一方面提供了一種陣列基板，如圖1所示，該陣列基板包括透明襯底2，在所述透明襯底2的一側設置的堆積層ii，和與所述堆積層ii連接的至少一個數(shù)據(jù)線、掃描線和像素電極(圖中未示出)，其中，在所述透明襯底2的另一側的至少部分外表面上設置反光層i。

在本發(fā)明中，所述堆積層ii和透明襯底2組成了本領域常規(guī)的薄膜晶體管。本領域常規(guī)的堆積層ii包括：絕緣層、多晶硅層、柵極、源極和漏極。

在本發(fā)明優(yōu)選的實施方式中，所述堆積層ii包括：在透明襯底2上依次形成的緩沖層3、介質層4、在部分介質層4的表面上的多晶硅層5、在多晶硅層5表面和部分介質層4表面上的第一絕緣層7、在部分第一絕緣層7的表面的柵極8、在柵極8表面和部分第一絕緣層7表面上依次形成的介電層9和第二絕緣層10、分別設置于多晶硅層5兩側的源極6a和漏極6b，以及貫穿第二絕緣層10、介電層9和第一絕緣層7與源極6a和漏極6b分別連接的源電極12和漏電極11。

在本發(fā)明中，所述陣列基板至少包括一個數(shù)據(jù)線、掃描線和像素電極(圖中未示出)。

在本發(fā)明中，所述數(shù)據(jù)線與源電極12連通，用于將數(shù)據(jù)信號傳輸給源電極12。

在本發(fā)明中，所述掃描線與柵極8連通，用于將掃描信號傳輸給柵極8。

在本發(fā)明中，所述像素電極與漏極6b連通，根據(jù)掃描信號，用于控制數(shù)據(jù)信號傳輸給像素電極。

在本發(fā)明中，所述反光層i設置在所述透明襯底2的與所述堆積層ii相對的外表面上。

在本發(fā)明中，所述反光層i在透明襯底2上的正投影遮蔽所述堆積層ii內的多晶硅層5。具體地，反光層i在透明襯底2上的正投影以能夠防止背光源對陣列基板溝道處多晶硅層的影響為目的。

在本發(fā)明中，反光層i可以為單層或多層，例如反光層包括第一反光層1a和第二反光層1b，或者反光層僅含有第一反光層1a。優(yōu)選地，反光層i包括第一反光層1a和第二反光層1b。

在本發(fā)明中，反光層的材料以能夠反光為目的，無特別的限定。在優(yōu)選的情況下，所述反光層為鋁層、鋁層和氧化銦錫層復合層、或銀層和氧化銦錫層復合層。氧化銦錫層可以保護鋁層和/或銀層。在優(yōu)選的情況下，所述反光層i為銀層和氧化銦錫層復合層，例如：第一反光層1a為銀層，第二反光層1b為氧化銦錫層。

在本發(fā)明中，反光層i的厚度以能夠實現(xiàn)反光為目的，并無特別限定。

本發(fā)明第二方面提供了上述的陣列基板的制備方法，該方法包括以下步驟：

(1)在一側外表面上形成有堆積層ii的透明襯底2上形成反光層i，所述反光層i在所述透明襯底的與所述堆積層相對的外表面上；

(2)在所述反光層i上形成圖案，所述圖案在所述透明襯底2上的正投影遮蔽所述堆積層ii內的多晶硅層5。

在本發(fā)明中，在步驟(1)中，所述形成反光層i的方法為物理濺鍍法。具體實施方式可以為但不限于：在所述透明襯底的與所述堆積層相對的外表面上通過物理濺鍍形成銀層，再在銀層的表面通過物理濺鍍形成氧化銦錫層。所述物理濺鍍?yōu)楸绢I域常規(guī)的方法，在此不再贅述。

在本發(fā)明中，在步驟(2)中，所述形成圖案的過程包括：將所述反光層依次進行黃光制程工藝和刻蝕工藝。

所述黃光制程工藝為本領域常規(guī)的涂布，曝光，顯影等工藝。將光刻膠涂布在反光層表面，放置所需圖案的掩膜板，然后對反光層進行曝光和顯影。所述黃光制程工藝為本領域常規(guī)方法，無特別限定，在此不再贅述。

所述刻蝕工藝為本領域常規(guī)的濕式蝕刻或者干式蝕刻。在進行完成黃光制程工藝的反光層表面進行刻蝕，從而在所述反光層i上形成圖案。優(yōu)選地，反光層i為銀層和氧化銦錫層復合層時，選擇濕式蝕刻方式，蝕刻藥液選擇磷酸、硝酸和醋酸的混合液。

在本發(fā)明中，形成反光層i的厚度根據(jù)具體情況而定。

本發(fā)明第三方面提供了一種液晶顯示面板，其中，該液晶顯示面板包括：彩膜基板、陣列基板，以及設置在所述彩膜基板和所述陣列基板中間的液晶層；其中，所述陣列基板為上述的陣列基板。

本發(fā)明第四方面提供了一種液晶顯示面板的制備方法，該方法包括將彩膜基板、上述的陣列基板，以及設置在所述彩膜基板和所述陣列基板中間的液晶層進行組裝，其中，所述陣列基板的堆積層在所述液晶層與所述陣列基板的透明襯底之間。

由此方法制備的液晶顯示面板，在陣列基板已經設置反光層i后，再進行液晶層和彩膜基板的組裝，可能破壞反光層i。為了避免破壞反光層，可以將反光層i和反光層所在一側的透明襯底2的表面形成保護膜，當完成液晶層和彩膜基板的組裝后再將保護層去除，但是此方法不夠簡便，增加了額外工序。

為此，本發(fā)明第五方面還提供了一種液晶顯示面板的制備方法，該方法包括以下步驟：

(1)將彩膜基板、無反光層陣列基板和液晶層進行組裝，其中，所述無反光層陣列基板包括透明襯底2，在所述透明襯底2的一側設置的堆積層ii，和與所述堆積層ii連接的至少一個數(shù)據(jù)線、掃描線和像素電極；

(2)在所述陣列基板的透明襯底2上形成反光層i，所述反光層i在所述透明襯底2的與所述堆積層ii相對的外表面上；

(3)在所述反光層i上形成圖案，所述圖案在所述透明襯底2上的正投影遮蔽所述堆積層ii內的多晶硅層5。

在本發(fā)明中，在步驟(1)中，所述組裝的方法為成盒工藝。成盒工藝為本領域常規(guī)的方法，在此不再贅述。

在本發(fā)明中，在步驟(2)和步驟(3)中，所述形成反光層和圖案的方法與前述方法相同。

通過本發(fā)明第五方面所述的方法，既可以保護反光層i，又簡便易行。

本發(fā)明第六方面提供一種液晶顯示屏，其中，該液晶顯示屏包括上述的陣列基板。

具體地，該液晶顯示屏包括從下到上依次層疊的背光模組點燈器、主控制板、背板、背光源、膠框、擴散板、擴散片、驅動ic與印刷電路板、垂直偏光片、上述的陣列基板、液晶、彩膜基板、水平偏光片和前框等。

本發(fā)明第七方面提供了上述的液晶顯示屏作為顯示裝置的顯示屏的應用。

在本發(fā)明中，所述應用可以為手機、電腦和電視等。

以下將通過實施例對本發(fā)明進行詳細描述。

實施例1-5用于說明本發(fā)明的方法。

實施例1

(1)制備無反光層陣列基板

在透明襯底2上通過化學氣相沉積依次形成緩沖層3、介質層4，在介質層4的表面形成非晶硅層，采用激發(fā)態(tài)激光退火將非晶硅層轉化為多晶硅層5，再通過黃光和刻蝕工藝去除部分多晶硅層，在多晶硅層5上方沉積形成第一絕緣層7，在第一絕緣層7的表面沉積并刻蝕形成柵極8，以柵極8作為物理掩膜板，采用離子注入方法對多晶硅層5進行離子注入，形成源極6a和漏極6b。再在柵極8和部分第一絕緣層7的表面依次沉積介電層9和第二絕緣層10，通過光刻和蝕刻工藝在第二絕緣層10、介電層9和第一絕緣層7貫穿地分別形成直達源極6a和漏極6b的接觸孔，最后在第二絕緣層10上方沉積并通過光刻和蝕刻工藝形成漏電極11和源電極12。將所述堆積層ii與至少一個數(shù)據(jù)線、掃描線和像素電極連接(圖中未顯示)。

優(yōu)選地，緩沖層3和第二絕緣層10的材料為氮化硅，第一絕緣層7、介電層9和介質層4的材料為二氧化硅。

(2)組裝液晶顯示面板

通過成盒工藝，將彩膜基板、步驟(1)得到的無反光層陣列基板和設置在所述彩膜基板和所述陣列基板中間的液晶層組裝成液晶顯示面板，其中，所述無反光層陣列基板包括透明襯底2，在所述透明襯底2的一側設置的堆積層ii，和與所述堆積層ii連接的至少一個數(shù)據(jù)線、掃描線和像素電極。

所述成盒工藝為本領域常規(guī)的方法，在此不再贅述。

(3)形成反光層

在一側外表面上形成有堆積層ii的透明襯底2上通過物理濺鍍形成第一反光層1a銀層，再在銀層的表面通過物理濺鍍形成第二反光層1b氧化銦錫層，1a和1b復合層構成反光層i，所述反光層i在所述透明襯底的與所述堆積層相對的外表面上。

在所述反光層i上進行黃光制程工藝，將光刻膠涂布在反光層表面，放置與多晶硅層5在透明襯底2上的正投影具有相同圖案的掩膜板，然后對反光層進行曝光和顯影，然后進行濕式蝕刻工藝，蝕刻藥液選擇磷酸、硝酸和醋酸的混合液，在所述反光層i上形成圖案，所述圖案在所述透明襯底2上的正投影遮蔽所述堆積層內ii的多晶硅層5。

(4)形成液晶顯示屏

從下到上依次層疊背光模組點燈器、主控制板、背板、背光源、膠框、擴散板、擴散片、驅動ic與印刷電路板、垂直偏光片、步驟(3)得到的具有反光層的液晶顯示面板、水平偏光片和前框。

將液晶顯示屏作為電視的顯示屏，觀察屏幕呈像的畫面，畫面清晰、無發(fā)白現(xiàn)象、無斑塊、色彩均勻。

實施例2

按照實施例1的方法，不同的是，第一反光層1a為鋁層，第二反光層1b為氧化銦錫層。

按照實施例1的方法形成液晶顯示屏。

將液晶顯示屏作為電視的顯示屏，觀察屏幕呈像的畫面，畫面清晰、無發(fā)白現(xiàn)象、無斑塊、無色彩不均勻現(xiàn)象。

實施例3

按照實施例1的方法，不同的是，反光層i僅為鋁層。

按照實施例1的方法形成液晶顯示屏。

將液晶顯示屏作為電視的顯示屏，觀察屏幕呈像的畫面，畫面清晰、無發(fā)白現(xiàn)象、無斑塊、無色彩不均勻。

實施例4

(1)制備本發(fā)明的有反光層的陣列基板

在透明襯底2上通過化學氣相沉積依次形成緩沖層3、介質層4，在介質層4的表面形成非晶硅層，采用激發(fā)態(tài)激光退火將非晶硅層轉化為多晶硅層5，再通過黃光和刻蝕工藝去除部分多晶硅層，在多晶硅層5上方沉積形成第一絕緣層7，在第一絕緣層7的表面沉積并刻蝕形成柵極8，以柵極8作為物理掩膜板，采用離子注入方法對多晶硅層5進行離子注入，形成源極6a和漏極6b。再在柵極8和部分第一絕緣層7的表面依次沉積介電層9和第二絕緣層10，通過光刻和蝕刻工藝在第二絕緣層10、介電層9和第一絕緣層7貫穿地分別形成直達源極6a和漏極6b的接觸孔，最后在第二絕緣層10上方沉積并通過光刻和蝕刻工藝形成漏電極11和源電極12。將所述堆積層ii與至少一個數(shù)據(jù)線、掃描線和像素電極連接。

優(yōu)選地，緩沖層3和第二絕緣層10的材料為氮化硅，第一絕緣層7、介電層9和介質層4的材料為二氧化硅。

在一側外表面上形成有堆積層ii的透明襯底2上通過物理濺鍍形成第一反光層1a銀層，再在銀層的表面通過物理濺鍍形成第二反光層1b氧化銦錫層，1a和1b復合層構成反光層i，所述反光層i在所述透明襯底的與所述堆積層相對的外表面上。

在所述反光層i上進行黃光制程工藝，將光刻膠涂布在反光層表面，放置與多晶硅層5在透明襯底2上的正投影具有相同圖案的掩膜板，然后對反光層進行曝光和顯影，然后進行濕式蝕刻工藝，蝕刻藥液選擇磷酸、硝酸和醋酸的混合液，在所述反光層i上形成圖案，所述圖案在所述透明襯底2上的正投影遮蔽所述堆積層內ii的多晶硅層5。

(2)在反光層表面涂覆保護層

在反光層i的表面，通過涂布機進行涂布光刻膠(購自蘇州瑞紅公司，型號為rzj-306的正性光刻膠)。

(3)組裝液晶顯示面板

通過成盒工藝，將彩膜基板、步驟(2)得到的具有反光層和保護層的陣列基板，以及設置在所述彩膜基板和所述陣列基板中間的液晶層進行組裝，組裝成液晶顯示面板。

所述成盒工藝為本領域常規(guī)的方法，在此不再贅述。

(4)去除反光層表面的保護層

將反光層i表面的保護層進行噴灑剝離藥液(購自蘇州瑞紅公司，型號為rbl-3316的剝離液)去除表面保護的光刻膠。

(5)形成液晶顯示屏

從下到上依次層疊背光模組點燈器、主控制板、背板、背光源、膠框、擴散板、擴散片、驅動ic與印刷電路板、垂直偏光片、步驟(4)得到的液晶顯示面板、水平偏光片和前框。

將液晶顯示屏作為電視的顯示屏，觀察屏幕呈像的畫面，畫面清晰、無發(fā)白現(xiàn)象、無斑塊、色彩均勻。

實施例5

按照實施例4的方法，不同的是，不進行步驟(2)和(4)。

按照實施例4的方法形成液晶顯示屏。

將液晶顯示屏作為手機的顯示屏，觀察屏幕呈像的畫面，畫面清晰、無發(fā)白現(xiàn)象、無斑塊、色彩均勻。

對比例1

(1)制備陣列基板

按照實施1的方法，不同的是，不形成反光層，形成遮光層，如圖2所示，在透明襯底的部分表面進行沉膜形成遮光層20，并通過黃光和刻蝕法，使得遮光層20在透明襯底2上的正投影覆蓋多晶硅層5在透明襯底2上的正投影，然后再通過化學氣相沉積依次形成緩沖層3、介質層4，在介質層4的表面形成非晶硅層，采用激發(fā)態(tài)激光退火將非晶硅層轉化為多晶硅層5，再通過黃光和刻蝕工藝去除部分多晶硅層，在多晶硅層5上方沉積形成第一絕緣層7，在第一絕緣層7的表面沉積并刻蝕形成柵極8，以柵極8作為物理掩膜板，采用離子注入方法對多晶硅層5進行離子注入，形成源極6a和漏極6b。再在柵極8和部分第一絕緣層7的表面依次沉積介電層9和第二絕緣層10，通過光刻和蝕刻工藝在第二絕緣層10、介電層9和第一絕緣層7貫穿地分別形成直達源極6a和漏極6b的接觸孔，最后在第二絕緣層10上方沉積并通過光刻和蝕刻工藝形成漏電極11和源電極12。將所述堆積層ii與至少一個數(shù)據(jù)線、掃描線和像素電極連接。

(2)組裝液晶顯示面板

按照實施例1的方法。

(3)形成液晶顯示屏

按照實施例1的方法，不同的是，使用具有遮光層20的液晶顯示面板。

將液晶顯示屏作為電視的顯示屏，觀察屏幕呈像的畫面，畫面有發(fā)白現(xiàn)象、有斑塊、顯示效果不佳。

通過對比實施例1-5和對比例1可以看出，采用本發(fā)明的反光層可以使多晶硅層中的多晶硅具有晶化均勻，無斑塊、無色彩不均勻現(xiàn)象的優(yōu)點。

以上詳細描述了本發(fā)明的優(yōu)選實施方式，但是，本發(fā)明并不限于此。在本發(fā)明的技術構思范圍內，可以對本發(fā)明的技術方案進行多種簡單變型，包括各個技術特征以任何其它的合適方式進行組合，這些簡單變型和組合同樣應當視為本發(fā)明所公開的內容，均屬于本發(fā)明的保護范圍。