四極桿分析器與3d離子阱分析器串接的裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種四極桿分析器與3D離子阱分析器串聯(lián)的裝置，該裝置包括依次設(shè)置的四極桿分析器、后預桿、門電極、3D離子阱分析器、保護電極、打拿極、以及檢測器。本發(fā)明通過增加四極桿分析器后的后預桿，用于將離子冷卻在中心軸線上一定時間，還可以延長四極桿分析器的“有效長度”降低邊沿場的干擾；通過增加門電極以初步加速和聚焦離子通過，提高離子輸出時的穩(wěn)定性和方向性，使其更容易通過3D離子阱的端蓋電極孔，或者阻礙離子通過以配合所述裝置的正常運作。此外，通過增大所述端蓋電極孔的尺寸，或在所述端蓋電極孔上加不銹鋼網(wǎng)，以提高離子進入3D離子阱的效率。
【專利說明】四極桿分析器與3D離子阱分析器串接的裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及不同類型的質(zhì)量分析器的串聯(lián)裝置，特別是涉及一種四極桿分析器與3D離子阱分析器串接的裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]四極桿分析器(或稱為四極桿、四極桿質(zhì)量分析器、四極質(zhì)譜、Quad、Q)是非常成熟的經(jīng)典質(zhì)量過濾器，即混合離子從其一端進入，通過直流(DC)、射頻(RF)電場的運動篩選，僅讓一種質(zhì)荷比(m/z)的離子或者一段m/z的離子通過，其余離子通過撞擊消滅在四極桿電極上。并且所有離子在通過四極桿時均具有0.0leV到幾個eV的能量，并不在四極桿中停留超過50ms以上。四極桿前后可以安裝前后預桿，工作在純射頻(RF only)電場下。
[0003]3D離子阱分析器(或稱為3D ion trap、離子阱、三維離子阱、IT、Trap)同樣是一類非常成熟的經(jīng)典質(zhì)量分析器，即通過注入離子，而后選擇性的逐一激發(fā)產(chǎn)生離子m/z和豐度(強度)的二維信息。
[0004]通常四極桿和離子阱都是可以單獨成為一臺儀器工作。同時，四極桿也可以與T0F、四極桿等前后連接成為串聯(lián)質(zhì)譜(tandem MS, Q-TOF、QQQ、TQ、三重四極桿)儀；離子阱也可以和TOF串聯(lián)(QIT-T0F);四極桿也可以工作在線性離子阱模式，從而有QTRAP等技術(shù)。四極桿和3D離子阱的串聯(lián)早在1990年代已有報道，但僅是簡單連接，并未作為有獨特功能的質(zhì)譜儀存在。
[0005]四極桿串接3D離子阱的主要問題(Q+T的問題)為:四極桿輸出離子束具有能量低、方向很差的特點，而傳統(tǒng)的3D離子阱的端蓋電極(end cap)具有進入小孔小的特點(一般小于直徑2mm，較多采用1mm)。所以當四極桿與3D離子阱串聯(lián)時離子在進入3D離子阱的時候效率很低。同時四極桿(Q)中離子難以穩(wěn)定存在，特別是在四極桿的兩端，由于DC、邊緣電場的存在，離子很難長時間存在(超過50ms )。
[0006]鑒于此，如何提出一種簡單而又實用的四極桿與3D離子阱串接的裝置，用于解決離子從四極桿進入3D離子阱的時候效率很低的問題成為目前亟待解決的問題。
【發(fā)明內(nèi)容】
[0007]鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點，本發(fā)明的目的在于提供一種四極桿分析器與3D離子阱分析器串聯(lián)的裝置，用于解決現(xiàn)有技術(shù)中離子從四極桿進入3D離子阱的時候效率低的問題。
[0008]為實現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的，本發(fā)明提供一種四極桿分析器與3D離子阱分析器串聯(lián)的裝置，所述裝置至少包括:
[0009]四極桿分析器，其第一端作為離子入口，其第二端用作為離子出口，用以選擇特定質(zhì)荷比的尚子輸出；
[0010]后預桿，設(shè)置于該四極桿分析器的第二端，用于將所述四極桿分析器輸出的離子冷卻在中心軸線上一定時間；所述后預桿與所述四極桿分析器具有相同的電極結(jié)構(gòu)；[0011]門電極，設(shè)置于所述后預桿輸出離子的一端，用于對該后預桿輸出的離子進行加速和聚焦；
[0012]3D離子阱分析器，設(shè)置于所述門電極的一端，用于冷卻并分析經(jīng)過加速和聚焦后的尚子。
[0013]可選地，所述四極桿分析器上施加的電壓為直流電壓和疊加的射頻電壓；所述后預桿上施加有與所述四極桿分析器相同的射頻電壓；所述3D離子阱分析器上施加的電壓的為交流電壓。
[0014]可選地，所述門電極包括依次設(shè)置的引出電極和聚焦電極，所述引出電極用于將射頻電場轉(zhuǎn)變?yōu)殪o電電場并初步加速離子；所述聚焦電極用于將加速后的離子聚焦；所述聚焦電極為平板小孔電極或管狀電極；所述引出電極為環(huán)形狀電極；所述引出電極上施加的電壓為兩個交替切換的極性相反且幅度相同的直流電壓；所述聚焦電極上施加的電壓為固定的直流電壓；所述引出電極上施加的兩個交替切換的電壓的范圍分別為IOV?IlOV和-1OV?-110V ;所述聚焦電極上施加的電壓為-50V?O。
[0015]可選地，所述3D離子阱分析器具有第一端蓋電極和第二端蓋電極，且所述的第一端蓋電極和第二端蓋電極上分別設(shè)有端蓋電極孔，所述的第一端蓋電極上的端蓋電極孔和第二端蓋電極上的端蓋電極孔呈中心對稱；在所述3D離子阱分析器的第二端蓋電極一側(cè)設(shè)置有一保護電極，在所述保護電極之后依次設(shè)有打拿極、以及位于打拿極下方的檢測器；所述打拿極用于將從3D離子阱分析器中引出的離子轉(zhuǎn)換為二次電子后進入檢測器中檢測；所述端蓋電極孔的孔徑為1.5mm?IOmm ;所述端蓋電極孔上設(shè)有不銹鋼金屬網(wǎng)。
[0016]本發(fā)明的另一目的是提供一種如權(quán)利要求1?9中任一項所述的四極桿分析器與3D離子阱分析器串聯(lián)的裝置的工作方法，該工作方法至少包括以下步驟:
[0017]S1:關(guān)閉門電極，使所述3D離子阱分析器處于不工作狀態(tài)；然后將外部離子源產(chǎn)生的離子引入四極桿分析器中；四極桿分析器通過變化四極桿上施加的直流電壓和射頻電壓，選擇特定質(zhì)荷比的離子飛出四極桿分析器并進入后預桿中；后預桿冷卻離子，并使其在一定時間內(nèi)存在于中心軸線上進行積累出射；
[0018]S2:打開門電極，使所述四極桿分析器處于全阻態(tài)，此時門電極將后預桿出射的離子進行加速和聚焦，然后輸出離子到3D離子阱分析器中冷卻；
[0019]S3:關(guān)閉門電極，所述3D離子阱分析器開始分析引入的離子，即處于掃描狀態(tài)，同時執(zhí)行步驟Si，再次選擇特定質(zhì)荷比的離子飛出四極桿分析器；如此不斷循環(huán)，實現(xiàn)對多種質(zhì)荷比的離子進行掃描分析。
[0020]如上所述，本發(fā)明的四極桿分析器與3D離子阱分析器串聯(lián)的裝置，具有以下有益效果:
[0021]本發(fā)明通過增加四極桿分析器后的后預桿，用于將離子冷卻在中心軸線上一定時間，還可以延長四極桿分析器的“有效長度”降低邊沿場的干擾；通過增加門電極以初步加速和聚焦離子通過，提高離子輸出時的穩(wěn)定性和方向性，使其更容易通過3D離子阱的端蓋電極孔，或者阻礙離子通過以配合所述裝置的正常運作。此外，通過增大所述端蓋電極孔的尺寸，或在所述端蓋電極孔上加不銹鋼網(wǎng)，以提高離子進入3D離子阱的效率。
【專利附圖】
【附圖說明】[0022]圖1顯示為本發(fā)明實施例一中的四極桿分析器與3D離子阱分析器串聯(lián)的裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0023]圖2顯示為本發(fā)明實施例一種的四極桿分析器與3D離子阱分析器串聯(lián)的裝置的工序示意圖，其中η為次數(shù)。
[0024]圖3顯示為本發(fā)明實施例二中的一種簡易四極桿分析器與3D離子阱分析器串聯(lián)的裝置的簡化結(jié)構(gòu)示意圖。
[0025]元件標號說明
[0026]I 四極桿分析器
[0027]10 第一端
[0028]11 第二端
[0029]2 后預桿
[0030]3 門電極
[0031]30 引出電極
[0032]31 聚焦電極
[0033]4 3D離子阱分析器
[0034]40 第一端蓋電極
[0035]41 第二端蓋電極
[0036]42環(huán)形電極
[0037]43端蓋電極孔
[0038]5保護電極
[0039]6打拿電極
[0040]7檢測器
[0041]SI~S3 工序步驟
【具體實施方式】
[0042]以下由特定的具體實施例說明本發(fā)明的實施方式，熟悉此技術(shù)的人士可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本發(fā)明的其他優(yōu)點及功效。
[0043]請參閱圖1至圖3。須知，本說明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等，均僅用以配合說明書所揭示的內(nèi)容，以供熟悉此技術(shù)的人士了解與閱讀，并非用以限定本發(fā)明可實施的限定條件，故不具技術(shù)上的實質(zhì)意義，任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整，在不影響本發(fā)明所能產(chǎn)生的功效及所能達成的目的下，均應仍落在本發(fā)明所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時，本說明書中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中間”及“一”等的用語，亦僅為便于敘述的明了，而非用以限定本發(fā)明可實施的范圍，其相對關(guān)系的改變或調(diào)整，在無實質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下，當亦視為本發(fā)明可實施的范疇。
[0044]實施例一
[0045]如圖1所示，本實施例提供一種四極桿分析器與3D離子阱分析器串聯(lián)的裝置，該裝置包括依次設(shè)置的四極桿分析器1、后預桿2、門電極3、3D離子阱分析器4、保護電極5、打拿極6、以及檢測器7。
[0046]所述四極桿分析器I由四根帶有直流電壓(DC)和疊加的射頻電壓(RF)的準確平行桿構(gòu)成。相對的兩根平行桿組成一對電極，四根平行桿構(gòu)成兩對電極。每對電極是等電位的，且兩對電極之間電位相反。兩對電極可以是雙曲面電極，也可以是圓柱型的電極。本實施例中暫以圓柱形電極為例進行說明，但并不限于此。所述四極桿分析器I具有兩端，其第一端10作為離子入口，其第二端11用作為離子出口。當一組質(zhì)荷比(m/z)不同的離子從所述四極桿分析器I的第一端10進入其內(nèi)部由DC和RF組成的電場時，只有滿足特定條件的離子作穩(wěn)定振蕩通過四極桿分析器I安全到達其第二端11。
[0047]需要說明的是，本實施例中圓柱形的四極桿的直徑為8mm，四極桿長度為125mm，但并不限于此，在其它實施例中，四極桿的長度和直徑可以根據(jù)需要來確定。
[0048]所述四極桿的后預桿2設(shè)置于所述四極桿分析器I的第二端11，其截面形狀與所述四極桿分析器I相同。所述后預桿2可以延長四極桿分析器I的“有效長度”降低邊沿場的干擾，同時，用以冷卻離子使其長時間存在于中心軸線上。本實施例中所述后預桿2的直徑為8_，長度為50_，但并不限于此，在其它實施例中，后預桿2的長度和直徑可以根據(jù)需要來確定，但是其直徑與所述四極桿分析器I的四根電極的直徑保持一致。
[0049]需要說明的是，此后預桿2的長度與離子儲存量成正比，與射頻負載(影響工作頻率)負相關(guān)，因此可以根據(jù)所述串聯(lián)裝置中的3D離子阱分析器5的離子注入時間對該后預桿的長度進行優(yōu)化。
[0050]所述門電極3還包括依次設(shè)置的引出電極30和聚焦電極31。所述引出電極30設(shè)置于所述后預桿2之后，將RF電場轉(zhuǎn)變?yōu)殪o電電場，同時根據(jù)后預桿2與引出電極30之間的直流電勢差，初步加速離子，提高離子輸出時的穩(wěn)定性和方向性。本實施例中，該引出電極3的形狀為環(huán)形，但并不限于此，在其它實施例中亦可以為其它形狀。
[0051]所述聚焦電極31設(shè)置于所述引出電極30之后，其形狀為平板小孔電極，或管狀電極。工作時對該聚焦電極施加直流電壓，通過直流靜電聚焦離子束，使離子更容易通過3D離子阱分析器4的端蓋電極孔43。
[0052]所述3D離子阱分析器4由第一端蓋電極40、第二端蓋電極42和一個環(huán)電極41組成，可以由數(shù)控車床加工而成。所述第一端蓋電極40、第二端蓋電極42上分別具有對應的端蓋電極孔43，本發(fā)明中對所述端蓋電極孔43進行增大或者可以在所述端蓋電極孔43上加一個不銹鋼的網(wǎng)以達到提高離子進入3D離子阱分析器的效率之目的。需要說明的是，所述端蓋電極孔43的孔徑為1.5mm?10mm，本實施例中所述端蓋電極孔43的孔徑暫選為6_，但并不限于此，在其它實施例中所述端蓋電極孔43的孔徑亦可以為其它值。此外，在端蓋電極孔53上加一不銹鋼金屬網(wǎng)，以降低增大端蓋電極孔43對所述3D離子阱分析器4內(nèi)部電場的影響。本實施例中不銹鋼網(wǎng)的目數(shù)為10，但并不限于此，在其它實施例中亦可以為其它目數(shù)。
[0053]此外，在所述3D離子阱分析器4的第二端蓋電極42 —側(cè)設(shè)置有一保護電極5，在該保護電極5之后依次設(shè)有打拿極6、以及位于打拿極6下方的檢測器7。所述打拿極6用于將從3D離子阱分析器4中引出的離子轉(zhuǎn)換為二次電子后進入檢測器7。
[0054]為了進一步闡述本實施例中的四極桿分析器I與3D離子阱分析器4串聯(lián)的裝置的功效，下面對該裝置的工作過程進行說明，具體工序如下(如圖2所示):
[0055]S1:在所述四極桿分析器I上連接傳統(tǒng)的直流電壓DC和疊加的射頻電壓RF，同時，在所述后預桿2上同時施加疊加的射頻電壓RF，且該射頻電壓與所述四極桿分析器I上的相同，本實施例中的射頻電壓RF為余弦電壓，但不限于此，在其它實施例中亦可為正弦電壓等。然后關(guān)閉門電極(GATE)3，同時將外部離子引入四極桿分析器I中；所述四極桿分析器I選定單一的質(zhì)荷比m/z的離子后，進入后預桿2中，在后預桿2中冷卻離子使其長時間存在于中心軸線上，以達到積累離子的效果。此時，門電極(GATE) 3處于阻礙狀態(tài)，所述3D離子阱分析器4不工作，即該步驟處于離子積累狀態(tài)。
[0056]S2:打開門電極(GATE)3，將離子引入3D離子阱分析器4中，也即在所述引出電極30上交替地施加極性相反的直流電壓，同時在所述聚焦電極31上施加一定的直流電壓。所述引出電極上施加的兩個交替切換的電壓的范圍分別為IOV?IlOV和-1OV?-110V，所述聚焦電極31上施加的電壓為-50V?0V，本實施例中在所述引出電極30上交替地施加極性相反的直流電壓分別暫選為50V和-50V，在所述聚焦電極31上施加的直流電壓暫選為-5V，但并不限于此，在其它實施例中根據(jù)需要亦可以選擇其它的電壓值，特此聲明。
[0057]所述引出電極30將RF電場轉(zhuǎn)變?yōu)殪o電電場，并根據(jù)后預桿2與引出電極30之間的直流電勢差，初步加速離子，提高離子輸出時的穩(wěn)定性和方向性；所述聚焦電極31對從引出電極30中出來的離子進行聚焦，使離子更容易通過3D離子阱分析器4的端蓋電極孔43。此時，離子被引入所述3D離子阱分析器4中冷卻，而所述四極桿分析器I處于全阻態(tài)，即該步驟處于離子引入狀態(tài)。
[0058]S3:關(guān)閉門電極(GATE)3，所述3D離子阱分析器4開始分析引入m/z離子，即處于掃描狀態(tài)，同時重新進入工序SI，開始向所述四極桿分析器I中引入新的m/z離子；如此不斷循環(huán)，可以對多種m/z的離子進行掃描分析，即該步驟處于離子掃描狀態(tài)。
[0059]需要說明的是，本實施例中對所述各該電極施加的電壓，以及各該結(jié)構(gòu)的尺寸和形狀都不限于此，根據(jù)不同的需要和所要選擇的不同m/z的離子，可以調(diào)節(jié)各該電極的電壓，以及一切不違反本發(fā)明所依據(jù)的原理并對該結(jié)構(gòu)的尺寸和形狀進行修改后組成的裝置都屬于本發(fā)明所涉及的范圍。
[0060]實施例二
[0061]如圖3所示，本實施例中提供一種簡易的四極桿分析器與3D離子阱分析器串聯(lián)的裝置，與實施例一不同之處在于:實施例一種采用的3D離子阱分析器I的第一端蓋電極40與第二端蓋電極42為平板端蓋，端蓋電極孔43的直徑為8mm，且該端蓋電極孔43上有10目的不銹鋼網(wǎng)。其它部分的結(jié)構(gòu)與實施例一種相同，在此不再贅述。
[0062]需要說明的是，本發(fā)明四極桿分析器與3D離子阱分析器串聯(lián)裝置中的3D離子阱分析器并不限于實施例一和實施例二中的類型，在其它實施例中亦可以為其它3D離子阱分析器，例如圓柱形離子阱分析器等。
[0063]綜上所述，本發(fā)明提出一種四極桿分析器與3D離子阱分析器串聯(lián)的裝置，通過增加四極桿分析器后的后預桿，用于將離子冷卻在中心軸線上一定時間，還可以延長四極桿分析器的“有效長度”降低邊沿場的干擾；通過增加門電極以初步加速和聚焦離子通過，提高離子輸出時的穩(wěn)定性和方向性，使其更容易通過3D離子阱的端蓋電極孔，或者阻礙離子通過以配合所述裝置的正常運作。此外，通過增大所述端蓋電極孔的尺寸，或在所述端蓋電極孔上加不銹鋼網(wǎng)，以提高離子進入3D離子阱的效率。所以，本發(fā)明有效克服了現(xiàn)有技術(shù)中的種種缺點而具高度產(chǎn)業(yè)利用價值。
[0064]上述實施例僅例示性說明本發(fā)明的原理及其功效，而非用于限制本發(fā)明。任何熟悉此技術(shù)的人士皆可在不違背本發(fā)明的精神及范疇下，對上述實施例進行修飾或改變。因此，舉凡所屬【技術(shù)領(lǐng)域】中具有通常知識者在未脫離本發(fā)明所揭示的精神與技術(shù)思想下所完成的一切等效修飾或改變，仍應由本發(fā)明的權(quán)利要求所涵蓋。
【權(quán)利要求】
1.一種四極桿分析器與3D離子阱分析器串聯(lián)的裝置，其特征在于，所述裝置至少包括: 四極桿分析器，其第一端作為離子入口，其第二端用作為離子出口，用以選擇特定質(zhì)荷比的離子輸出； 后預桿，設(shè)置于該四極桿分析器的第二端，用于將所述四極桿分析器輸出的離子冷卻在中心軸線上一定時間；所述后預桿與所述四極桿分析器具有相同的電極結(jié)構(gòu)；門電極，設(shè)置于所述后預桿輸出離子的一端，用于對該后預桿輸出的離子進行加速和聚焦； 3D離子阱分析器，設(shè)置于所述門電極的一端，用于冷卻并分析經(jīng)過加速和聚焦后的離子。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的四極桿分析器與3D離子阱分析器串聯(lián)的裝置，其特征在于:所述四極桿分析器上施加的電壓為直流電壓和疊加的射頻電壓；所述后預桿上施加有與所述四極桿分析器相同的射頻電壓；所述3D離子阱分析器上施加的電壓的為交流電壓。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的四極桿分析器與3D離子阱分析器串聯(lián)的裝置，其特征在于:所述門電極包括依次設(shè)置的引出電極和聚焦電極，所述引出電極用于將射頻電場轉(zhuǎn)變?yōu)殪o電電場并初步加速離子；所述聚焦電極用于將加速后的離子聚焦。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的四極桿分析器與3D離子阱分析器串聯(lián)的裝置，其特征在于:所述聚焦電極為平板小孔電極或管狀電極；所述引出電極為環(huán)形狀電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的四極桿分析器與3D離子阱分析器串聯(lián)的裝置，其特征在于:所述引出電極上施加的電壓為兩個交替切換的極性相反且幅度相同的直流電壓；所述聚焦電極上施加的電壓為固定的直流電壓。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的四極桿分析器與3D離子阱分析器串聯(lián)的裝置，其特征在于:所述引出電極上施加的兩個交替切換的電壓的范圍分別為IOV~IlOV和-1OV~-110V ;所述聚焦電極上施加的電壓為-50V~0V。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的四極桿分析器與3D離子阱分析器串聯(lián)的裝置，其特征在于:所述3D離子阱分析器具有第一端蓋電極和第二端蓋電極，且所述的第一端蓋電極和第二端蓋電極上分別設(shè)有端蓋電極孔，所述的第一端蓋電極上的端蓋電極孔和第二端蓋電極上的端蓋電極孔呈中心對稱。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的四極桿分析器與3D離子阱分析器串聯(lián)的裝置，其特征在于:在所述3D離子阱分析器的第二端蓋電極一側(cè)設(shè)置有一保護電極，在所述保護電極之后依次設(shè)有打拿極、以及位于打拿極下方的檢測器；所述打拿極用于將從3D離子阱分析器中引出的離子轉(zhuǎn)換為二次電子后進入檢測器中檢測。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的四極桿分析器與3D離子阱分析器串聯(lián)的裝置，其特征在于:所述端蓋電極孔的孔徑為1.5mm~IOmm ;所述端蓋電極孔上設(shè)有不銹鋼金屬網(wǎng)。
10.一種如權(quán)利要求1~9中任一項所述的四極桿分析器與3D離子阱分析器串聯(lián)的裝置的工作方法，其特征在于，該工作方法至少包括以下步驟: S1:關(guān)閉門電極，使所述3D離子阱分析器處于不工作狀態(tài)；然后將外部離子源產(chǎn)生的離子引入四極桿分析器中；四極桿分析器通過變化四極桿上施加的直流電壓和射頻電壓，選擇特定質(zhì)荷比的離子飛出四極桿分析器并進入后預桿中；后預桿冷卻離子，并使其在一定時間內(nèi)存在于中心軸線上進行積累出射；S2:打開門電極，使所述四極桿分析器處于全阻態(tài)，此時門電極將后預桿出射的離子進行加速和聚焦，然后輸出離子到3D離子阱分析器中冷卻； S3:關(guān)閉門電極，所述3D離子阱分析器開始分析引入的離子，即處于掃描狀態(tài)，同時執(zhí)行步驟SI，再次選擇特定質(zhì)荷比的離子飛出四極桿分析器；如此不斷循環(huán)，實現(xiàn)對多種質(zhì)荷比的離子進行掃描分析。
【文檔編號】H01J49/00GK103594324SQ201210289346
【公開日】2014年2月19日 申請日期:2012年8月14日 優(yōu)先權(quán)日:2012年8月14日
【發(fā)明者】徐國賓, 江宗耀, 潘鑫淵, 楊芃原 申請人:上海華質(zhì)生物技術(shù)有限公司