一種爬升時(shí)間快的低溫汞齊的制作方法
【專(zhuān)利摘要】本實(shí)用新型公開(kāi)了一種爬升時(shí)間快的低溫汞齊，包括內(nèi)核，在所述的內(nèi)核的表面上覆蓋有多個(gè)純汞層和多個(gè)非汞金屬層；所述的純汞層和非汞金屬層由內(nèi)向外依次交替設(shè)置，最內(nèi)層為純汞層，最外層為非汞金屬層。本實(shí)用新型所述的爬升時(shí)間快的低溫汞齊的突出優(yōu)點(diǎn)包括：由于其汞原子以游離形態(tài)存在于球體表面層部分，其汞原子在等管內(nèi)的釋放速度顯然比傳統(tǒng)汞齊快，更容易釋放進(jìn)入熒光燈管壁中，燈管的爬上時(shí)間更快，同時(shí)更有效的減少熒光燈燈管的汞用量，采用純金屬層覆蓋液汞層，是的加工工藝更加簡(jiǎn)單，成本降低，且容易控制汞用量，增強(qiáng)了汞齊的抗壓能力，減少了汞污染，具有很好的實(shí)用性，能夠產(chǎn)生很好的經(jīng)濟(jì)效益和社會(huì)效益。
【專(zhuān)利說(shuō)明】一種爬升時(shí)間快的低溫汞齊

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種低溫汞齊，具體涉及一種爬升時(shí)間快的低溫汞齊。

【背景技術(shù)】
[0002]目前，傳統(tǒng)低溫汞齊在一定程度上減少了汞的使用，也降低了汞對(duì)環(huán)境的污染，對(duì)保護(hù)環(huán)境雖然發(fā)揮了一定積極作用，但是隨著技術(shù)的發(fā)展有其是對(duì)汞的使用要求的進(jìn)一步提高，傳統(tǒng)低溫汞齊所暴露出主要缺陷就是熒光燈亮得很慢，即爬升時(shí)間變得很長(zhǎng)，顯然還不能完全滿(mǎn)足使用需求。
實(shí)用新型內(nèi)容
[0003]發(fā)明目的:針對(duì)現(xiàn)有低溫汞齊的不足，本實(shí)用新型的目的是提供一種爬升時(shí)間快的低溫汞齊，以通過(guò)改變其結(jié)構(gòu)，減少汞用量，改變燈管爬升時(shí)間，滿(mǎn)足使用需求。
[0004]技術(shù)方案:為了實(shí)現(xiàn)上述發(fā)明目的，本實(shí)用新型采用的技術(shù)方案為:
[0005]一種爬升時(shí)間快的低溫汞齊，包括內(nèi)核，在所述的內(nèi)核的表面上覆蓋有多個(gè)純汞層和多個(gè)非汞金屬層；所述的純汞層和非汞金屬層由內(nèi)向外依次交替設(shè)置，最內(nèi)層為純汞層，最外層為非汞金屬層。
[0006]所述的內(nèi)核為惰性球體。
[0007]所述的惰性球體選自鐵球、鐵合金球，鋅球、鋅合金球、玻璃球、陶瓷球、塑料球。
[0008]所述的純汞層和非汞金屬層均為3-10層，且純汞層與非汞金屬層層數(shù)相同。
[0009]所述的非未金屬層為純金屬層，純金屬選自Sn、Sb、Zn、B1、Ga、In、Ag ;3-10層非未金屬層為相同或不同金屬層。
[0010]所述的內(nèi)核的直徑為0.9?2mm。
[0011]所述的純汞層厚度為0.005-0.1mm。
[0012]所述的非汞金屬層為0.01-0.1mm。
[0013]有益效果:與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型所述的爬升時(shí)間快的低溫汞齊的突出優(yōu)點(diǎn)包括:由于其汞原子以游離形態(tài)存在于球體表面層部分，其汞原子在等管內(nèi)的釋放速度顯然比傳統(tǒng)汞齊快，更容易釋放進(jìn)入熒光燈管壁中，燈管的爬上時(shí)間更快，同時(shí)更有效的減少熒光燈燈管的汞用量，采用純金屬層覆蓋液汞層，是的加工工藝更加簡(jiǎn)單，成本降低，且容易控制汞用量，增強(qiáng)了汞齊的抗壓能力，減少了汞污染，具有很好的實(shí)用性，能夠產(chǎn)生很好的經(jīng)濟(jì)效益和社會(huì)效益。

【專(zhuān)利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0014]圖1是爬升時(shí)間快的低溫汞齊的結(jié)構(gòu)示意圖。

【具體實(shí)施方式】
[0015]下面結(jié)合具體附圖對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步的解釋。
[0016]如圖1所示，爬升時(shí)間快的低溫汞齊主要結(jié)構(gòu)包括內(nèi)核1、純汞層2、非汞金屬層3組成；純汞層2、非汞金屬層3由內(nèi)向外依次交替的覆蓋在內(nèi)核I表面上。
[0017]內(nèi)核I為惰性球體，該惰性球體可以為金屬球或非金屬球，球體的直徑可以為直徑為0.9^2mm ;金屬球選自鐵球、鐵合金球，鋅球、鋅合金球等，非金屬球選自玻璃球、陶瓷球、塑料球。
[0018]純汞層和非汞金屬層均多層，且純汞層與非汞金屬層層數(shù)相同，優(yōu)選為3-10層，例如4層、6層、8層等；純未層厚度為0.005-0.1mm ;非未金屬層為純金屬層，純金屬選自Sn、Sb、Zn、B1、Ga、In、Ag等；3_10層非未金屬層可以為相同或不同金屬層，非未金屬層厚度為 0.01-0.1mm0
[0019]該爬升時(shí)間快的低溫汞齊，由于其汞原子以游離形態(tài)存在于球體表面層部分，其汞原子在等管內(nèi)的釋放速度顯然比傳統(tǒng)汞齊快，更容易釋放進(jìn)入熒光燈管壁中，燈管的爬上時(shí)間更快，同時(shí)更有效的減少熒光燈燈管的汞用量，采用純金屬層覆蓋液汞層，是的加工工藝更加簡(jiǎn)單，成本降低，且容易控制汞用量，增強(qiáng)了汞齊的抗壓能力，減少了汞污染。
[0020]實(shí)施例1
[0021]爬升時(shí)間快的低溫未齊，內(nèi)核直徑為1.4mm的鐵合金球，表面層部分由內(nèi)向外依次為純未層、純Sn層、純未層、純Sn層、純未層、純Sn層。純未層厚度為0.05mm,純Sn層厚度為 0.05mm。
[0022]實(shí)施例2
[0023]爬升時(shí)間快的低溫汞齊，內(nèi)核直徑為1.0mm的鋅合金球，表面層部分由內(nèi)向外依次為純未層、純Sb層、純未層、純Zn層、純未層、純Bi層、純未層、純Ga層。純未層厚度為0.03mm或0.02mm,純Sb層、純Zn層、純Bi層、純Ga層厚度同時(shí)為0.05mm。
[0024]實(shí)施例3
[0025]爬升時(shí)間快的低溫未齊，內(nèi)核直徑為0.95mm的玻璃球，表面層部分由內(nèi)向外依次為純未層、純In層、純未層、純Ag層、純未層、純In層、純未層、純Ag層、純未層、純In層、純未層、純Ag層、純未層、純Ga層。純未層厚度為0.0lmm,純Sb層、純Zn層、純Bi層、純Ga層、純In層、純Ag層厚度選自0.01-0.1mm0
[0026]實(shí)施例4
[0027]爬升時(shí)間快的低溫汞齊，內(nèi)核直徑為1.8mm的陶瓷球，表面層部分由內(nèi)向外依次為純未層、純In層、純未層、純Ag層、純未層、純In層、純未層、純Ag層、純未層、純In層、純未層、純Ag層、純未層、純Ga層。純未層厚度選自0.005-0.1mm，且各層厚度均不相同，純Sb層、純Zn層、純Bi層、純Ga層、純In層、純Ag層厚度選自0.01-0.1mm,且各層厚度均不相同。
【權(quán)利要求】
1.一種爬升時(shí)間快的低溫汞齊，包括內(nèi)核(1)，其特征在于:在所述的內(nèi)核(I)的表面上覆蓋有多個(gè)純汞層(3)和多個(gè)非汞金屬層(4);所述的純汞層(3)和非汞金屬層(4)由內(nèi)向外依次交替設(shè)置，最內(nèi)層為純汞層(3)，最外層為非汞金屬層(4)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的爬升時(shí)間快的低溫汞齊，其特征在于:所述的內(nèi)核(I)為惰性球體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的爬升時(shí)間快的低溫汞齊，其特征在于:所述的惰性球體選自鐵球、鐵合金球，鋅球、鋅合金球、玻璃球、陶瓷球、塑料球。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的爬升時(shí)間快的低溫汞齊，其特征在于:所述的純汞層(3)和非未金屬層(4)均為3-10層，且純未層(3)與非未金屬層(4)層數(shù)相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的爬升時(shí)間快的低溫汞齊，其特征在于:所述的非汞金屬層(4)為純金屬層，純金屬選自Sn、Sb、Zn、B1、Ga、In、Ag ；3-10層非未金屬層(4)為相同或不同金屬層。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的爬升時(shí)間快的低溫汞齊，其特征在于:所述的內(nèi)核(I)的直徑為 0.9?2mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的爬升時(shí)間快的低溫汞齊，其特征在于:所述的純汞層(3)厚度為 0.005-0.1mm。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的爬升時(shí)間快的低溫汞齊，其特征在于:所述的非汞金屬層(4)為 0.01-0.1mm0
【文檔編號(hào)】H01J61/28GK204242994SQ201420654664
【公開(kāi)日】2015年4月1日 申請(qǐng)日期:2014年11月5日 優(yōu)先權(quán)日:2014年11月5日
【發(fā)明者】宋維申, 石廣宏, 周義科, 田啟林, 朱加才 申請(qǐng)人:揚(yáng)州市邗江圣珠光電有限公司