專利名稱：淺藥囊拋光布的制作方法
技術領域：
本實用新型屬于晶片拋光用具及材料,特別涉及一種淺藥囊拋光布。
技術背景現(xiàn)行的晶片雙面拋光所使用的拋光墊的下墊采用根雙面拋光上墊一樣的 材料——聚氮酯發(fā)泡。見(


圖1)由于砷化鎵雙面拋光的特殊工藝，使用和雙 面拋光上墊同一種材料制造的雙面拋光下墊所拋出來的晶片背面不合格。原 因是砷化鎵在拋光過層中需要使用氯，對晶片表面進行腐蝕。在晶片加工過 程結(jié)束前加入還原劑，將藥液中的氯在很短的時間內(nèi)完全的中和掉，不再進 行腐蝕已達到很高的光潔度。但是由于普通的雙面拋光下墊的藥囊較深，在 短時間內(nèi)還原劑不能夠?qū)⑺幰褐械穆韧耆泻?，使晶片背面產(chǎn)生腐蝕痕跡， 從而影響其表面的光潔度。發(fā)明內(nèi)容本實用新型所要解決的技術問題是提供一種淺藥囊拋光布。解決晶片 背面產(chǎn)生腐蝕痕跡問題，從而達到合格的表面的光潔度。 本實用新型的技術方案是一種淺藥囊拋光布，在基材上面是藥囊層，其特征在于藥囊層上布滿 上開口的藥囊，藥囊為水滴狀，藥囊從表面到底部深度為0.2—0.3毫米。 藥囊層的材料是聚氨酯泡沫塑料。 藥囊從表面到底部深度0. 2毫米。 本實用新型效果是使用這種淺藥囊拋光布，加工出來的拋光墊可有效的提高晶片背面的光 潔度。本實用新型是技術方案是縮短拋光墊存藥的藥囊。實施方法為削掉或 磨掉藥囊多余的部分使藥囊縮短，從而在加入還原劑后使藥劑中的氯完全快 速的中和，提高其表面的光潔度。 附圉說明
圖1是原有的藥囊拋光布的結(jié)構(gòu)示意圖圖2是改進后淺藥囊拋光布的結(jié)構(gòu)示意圖具體實施方式
一種淺藥囊拋光布，在無紡布的基材1上面有一層聚氨酯泡沫塑料的藥 囊層2，藥囊層上布滿上開口的藥囊3，藥囊為水滴狀，藥囊從表面到底部深 度為0. 2—0. 3毫米。一般藥囊從表面到底部深度0. 2毫米較好。實施加工方法為削掉或磨掉藥囊層上形長藥囊(如
圖1上的形狀)上面 較細長的部分4，使藥囊縮短(見圖2上的形狀)，從而在加入還原劑后使藥 劑中的氯完全快速的中和，提高其表面的光潔度。
權利要求1、一種淺藥囊拋光布，在基材上面是藥囊層，其特征在于藥囊層上布滿上開口的藥囊，藥囊為水滴狀，藥囊從表面到底部深度為0.2-0.3毫米。
2、 根據(jù)權利要求1所述的淺藥囊拋光布，其特征在于藥囊層的材料是聚氨 酯泡沫塑料。
3、 根據(jù)權利要求l所述的淺藥囊拋光布，其特征在于藥囊從表面到底部深度為0.2毫米。
專利摘要一種淺藥囊拋光布，在基材上面是藥囊層，藥囊層上布滿上開口的藥囊，藥囊為水滴狀，藥囊從表面到底部深度為0.2-0.3毫米。藥囊層的材料是聚氨酯泡沫塑料。藥囊從表面到底部深度0.2毫米。本實用新型效果是使用這種淺藥囊拋光布，加工出來的拋光墊可有效的提高晶片背面的光潔度。本實用新型是技術方案是縮短拋光墊存藥的藥囊。實施方法為削掉或磨掉藥囊多余的部分使藥囊縮短，從而在加入還原劑后使藥劑中的氯完全快速的中和，提高其表面的光潔度。
文檔編號B24D11/00GK201023216SQ200720095669
公開日2008年2月20日 申請日期2007年4月2日 優(yōu)先權日2007年4月2日
發(fā)明者田鴻義 申請人:天津市克魯格科工貿(mào)有限公司