專利名稱：用于制造存儲介質的方法
技術領域：
本發(fā)明涉及用于制造存儲介質的方法。
背景技術：
在可以記錄及再現信息的存儲裝置中所使用的存儲介質各個都可以
例如通過以下步驟制作在襯底(substrate)上形成磁性膜；將潤滑劑 (lubricant)涂布到所得到的疊置體(stack);以及對涂布了潤滑劑的疊 置體進行平坦化(planarize)。執(zhí)行平坦化是為了提高在磁記錄裝置操作 期間的磁頭懸浮穩(wěn)定性(floating stability),并且使得磁頭不會被附著到 磁記錄介質表面的異物所損害。日本實用新型登記申請?zhí)亻_昭No. 60-60014公開了這種存儲介質、存儲裝置以及用于制造存儲介質的方法。

發(fā)明內容
根據實施方式的一個方面， 一種用于制造存儲介質的方法包括以下 步驟提供引導組件及用于形成存儲介質的介質板(mediumplate)組件； 設置所述介質板組件及所述引導組件，使得所述介質板組件與所述引導 組件彼此靠近，并且所述介質板組件的表面與所述引導組件的表面形成 基本上公共的平面；將用于對所述介質板組件進行拋光的拋光組件引導 到所述引導組件的表面上；以及將所述引導組件上的所述拋光組件滑動 (slide)到所述介質板組件上，以對所述介質板組件的表面進行拋光。


圖1A到IF是例示了根據本發(fā)明的實施方式的用于制造存儲介質的 方法的示意性截面圖2示出了在準備其具有記錄層的介質板組件的步驟中所準備的介質板組件的示例的示意性平面圖及示意性截面圖3是示出了在準備其具有記錄層的介質板組件的步驟中所準備的 介質板組件的另一示例的示意性截面圖4是示出了在排布引導組件和介質板組件的步驟中引導組件及介 質板組件的排布結構及形狀的示例的示意性平面圖5是示出了在排布引導組件和介質板組件的步驟中引導組件及介 質板組件的排布結構及形狀的另一示例的示意性平面圖6A到6C是例示了在根據本發(fā)明的實施方式的用于制造存儲介質 的方法中使拋光組件與引導組件相接觸的步驟的截面圖7A到7D是示出了在根據本發(fā)明的實施方式的用于制造存儲介質 的方法中拋光組件、引導組件與附著到介質板組件表面的異物之間的位 置關系的示意性截面圖8A到8C是示出了在根據現有技術的用于制造磁記錄介質的方法 的過程中拋光組件與附著到介質板組件表面的異物之間位置關系的示意 性截面圖9是示出了在實驗性示例1中所制作的磁記錄介質內瑕疵位置與 瑕疵數量之間關系的條形圖IOA到IOD是例示了在實驗性示例1中的最外周處的瑕疵的生成 機制的示意性截面圖IIA到11C是例示了在實驗性示例2中用于制造磁記錄介質的方 法的示意性截面圖12A到12C是例示了在對比示例1中用于制造磁記錄介質的方法 的示意性截面圖；以及
圖13是示出了在對比較示例1中制作的磁記錄介質的兩個表面中的 瑕疵位置與數量之間關系的條形圖。
具體實施例方式
用于對存儲介質進行平坦化的典型方法是帶拋光(TB， Tape Bumishing)。帶拋光包括以下步驟將拋光帶壓靠旋轉磁記錄介質的正
面及背面；然后，將拋光帶在磁記錄介質的表面上進行滑動，以去除介 質表面上的突起。為了提高磁記錄介質表面的平坦性并且去除磁記錄介 質表面上的異物，通常在磁記錄介質制造工藝的最后步驟中執(zhí)行帶拋光。
不利的是，帶拋光會導致磁記錄介質中的瑕疵，因而不利地影響磁 記錄及再現性能。瑕疵集中在磁記錄介質中拋光帶首先與該介質接觸的 部分。拋光帶和磁記錄介質之間的較小接觸區(qū)域將減少瑕疵數量。然而 在該情況下，會降低拋光效率。
本發(fā)明提供了一種用于制造記錄介質的方法，該方法包括對存儲介 質進行平坦化，而不產生會不利地影響信息記錄及再現性能的瑕疵。
圖1A到1F是例示了作為根據本發(fā)明的用于制造存儲介質的方法的 實施方式的用于制造磁記錄介質的方法的示意性截面圖。
根據實施方式的用于制造磁記錄介質的方法包括以下步驟提供介 質板組件的步驟(圖1A);設置介質板組件和引導組件使得介質板組件 與引導組件彼此靠近并且介質板組件的表面與引導組件的表面形成基本 上公共的平面的步驟(圖1B);將用于對介質板組件進行拋光的拋光組 件引導到引導組件的表面上的步驟(圖1C到1D);以及將引導組件上的 拋光組件滑動到介質板組件上以對介質板組件的表面進行拋光的步驟
(圖1D到1F)。
下面將參照附圖來描述根據實施方式的用于制造磁記錄介質的方法 的步驟。
1、準備介質板組件的步驟
在該步驟中，準備在襯底上具有磁記錄層的介質板組件。在該步驟 中所準備的介質板組件經過平坦化步驟(稍后描述)，以形成磁記錄介質 而不會在介質表面上留有不規(guī)則體或異物。
圖2示出了該步驟中所準備的介質板組件的示例的示意性平面圖和 示意性截面圖。介質板組件1在襯底11的各個表面上包括:軟磁底層12A 及12B，中間層13A及13B，記錄層14A及14B，以及保護層15A及15B。 保護層15A及15B的各個表面分別覆蓋有潤滑劑層16A及16B。介質板 組件1可以具有與目標磁記錄介質的形狀對應的任意形狀，并且通常為
盤形。
襯底ll的形狀、結構、尺寸、材料等不受具體限制，而是可以根據 用途而適當地選擇。例如，當將磁記錄介質合并到磁盤裝置中時，襯底 11為盤形。襯底11可具有單層結構或多層結構?？梢杂蓮挠米鞔庞涗浗?質的襯底的已知材料中所選擇的材料來構成襯底11。
可以從鋁、玻璃、硅、石英、以及在硅表面上形成熱氧化膜的Si02/Si ("/"表示對在"/"之前及之后的襯底材料進行疊置)等中選擇所述材 料。可以單獨使用或組合使用這些材料?？蛇m當地形成襯底11。另選的 是，市場上可獲得的襯底可以用作襯底ll。
軟磁底層(SUL) 12A及12B中的每一個的形狀、結構、尺寸等不 受具體限制，而是可以根據用途而從過去已被使用的那些參數中適當地 選擇。軟磁底層12A及12B中的每一個優(yōu)選地可由從Ru、Ru合金、MFe、 FeSiAl、 FeC、 FeCoB、 FeCoNiB及CoZrNb中選擇的至少一種材料構成。 可以單獨使用或組合使用這些材料。
提供中間層13A及13B，以改進記錄層14A及14B的主要在垂直磁 記錄介質中的取向性(orientation)。中間層13A及13B中的每一個的形 狀、結構、尺寸等不受具體限制，而是可以根據用途而從過去已被使用 的那些參數中適當地選擇。中間層13A及13B中的每一個優(yōu)選地可由從 Ni合金、Ru、 Ru合金、以及包含氧化物的CoCr合金中選擇的至少一種 材料構成。
提供記錄層14A及14B，以在磁記錄介質中記錄和再現信息。
用于記錄層14A及14B中的每一個的材料不受具體限制，而是可以 根據用途從己知材料中適當地選擇。例如，記錄層14A及14B中的每一 個優(yōu)選地可由從Fe、 Co、 M、 FeCo、 FeNi、 CoNi、 CoNiP、 FePt、 CoPt、 及NiPt中選擇的至少一種材料構成?？梢詥为毷褂没蚪M合使用這些材料。
記錄層14A及14B中的每一個的結構(形狀)不受具體限制，只要 將這些層都形成為由上述材料構成的磁性膜即可?？梢愿鶕猛径m當 地選擇結構(形狀)。
記錄層14A及14B中的每一個的厚度不受具體限制，只要不損害本發(fā)明的優(yōu)點即可?？梢詫谟涗浧陂g的線性記錄密度等而適當地選擇 該厚度。
用于形成記錄層14A及14B的方法不受具體限制?？梢杂梢阎椒?(例如濺射(sputtering)、電淀積(electrodeposition)、或AC鍍敷(AC plating))來形成記錄層14A及14B。
分別直接在垂直記錄層14A及14B的表面上通過已知的形成膜技術 (例如濺射或鍍敷)來形成保護層15A及15B。構成保護層15A及15B 中的每一個的材料不受具體限制。例如，優(yōu)選地使用類金剛石碳(DLC， diamond-like carbon)。
對保護層15A及15B的表面進行清潔(cleaning)處理。為了提高 耐久性及耐蝕性，使用潤滑劑16來處理保護層15A及15B的表面，以 生成介質板組件l。例如，將全氟聚醚潤滑劑(其是具有有各種極性基的 封端的碳氟化合物潤滑劑)用作潤滑劑16，并且將其通過浸漬(dipping)、 旋轉涂覆(spincoating)、或噴射(spraying)而涂布到保護層15A及15B 上。
在根據本發(fā)明的用于制造存儲介質的方法中使用的介質板組件的形 狀、結構、尺寸、材料等不受具體限制，而是可以根據用途而適當地選 擇。例如，如圖3中所示，僅在襯底的一面上形成軟磁底層12、中間層 13、記錄層14、以及保護層15。此外，可用潤滑劑16覆蓋保護層15。 可適當地形成在用于制造存儲介質的方法中使用的介質板組件。另選的 是，可將市場上能獲得的介質板組件用作為介質板組件。
2、設置引導組件及介質板組件的步驟
在該步驟中，如圖1B中所示，將介質板組件1及引導組件2設置為 使得介質板組件1的表面與引導組件2的表面形成基本上公共的平面。
介質板組件1的中央部固定到軸6。軸6是固定并且旋轉介質板組 件1的軸。將介質板組件1及引導組件2設置為，使得安裝在固定組件 (未示出)上的引導組件2的表面41與介質板組件1的表面43形成基 本上公共的平面，并且使得引導組件2的表面42與介質板組件1的表面 44形成基本上公共的平面。按照該排布結構，當在后續(xù)步驟中使拋光組
件與介質板組件相接觸時，在與介質板組件的表面垂直的方向上基本上 不發(fā)生拋光組件的運動。因此，使拋光組件與介質板組件的表面相接觸， 而不會對介質板組件的表面施加較大的沖擊力。因此，拋光組件不太可 能對附著在介質板組件的表面上的異物施加較大的沖擊力，這種力可能 會損害介質板組件。因此，按照介質板組件及引導組件的該排布結構， 在由于沖擊力所引起的生成瑕疵可以忽略的情況下，拋光組件對這些表 面進行拋光。
將引導組件2設置為在后續(xù)步驟中將與引導組件2相接觸的拋光組 件平穩(wěn)地滑動到介質板組件上。
在已知的帶拋光中，使拋光組件與介質板組件1直接接觸；因此， 由于在它們接觸時所產生的沖擊力，所以附著在介質板組件表面上的異 物在介質板表面的較大區(qū)域內不利地造成瑕疵。這些瑕疵會不利地影響 所得到的磁記錄介質的磁記錄和再現性能。在本實施方式中，通過使拋 光組件與引導組件2的表面41及42相接觸，然后將所接觸的拋光組件 滑動到表面43及44上，來消除該問題。將在稍后描述的"將拋光組件 滑動到引導組件及介質板組件上的步驟"中描述細節(jié)。
在根據本發(fā)明的用于制造存儲介質的方法中，表述"基本上公共的 平面"表示優(yōu)選地這些表面完全地形成一公共平面，然而，這些表面可 以不完全形成公共平面，而是可以形成在可以實現本發(fā)明目的的合理范 圍內的臺階(step)。換言之，在如下所述的將拋光組件滑動到引導組件 及介質板組件上的步驟中，表面41及表面43可以不完全形成公共表面， 而表面42及表面44可以不完全形成公共表面，只要可以將與引導組件 相接觸的拋光組件平穩(wěn)地滑動到介質板組件上而不會生成針對介質板組 件的較大的沖擊力即可。在表面41與43之間及表面42與44之間形成 的臺階高度優(yōu)選地是35 wm或更小，更優(yōu)選地是25 um或更小。
圖11A到11C是示出以下實施方式的示意性截面圖，其中，將介質 板組件1及引導組件2設置為，使得介質板組件1的各個表面與引導組 件2的相應表面形成基本上公共的平面。例如，引導組件2可以具有比 介質板組件1的厚度稍大的厚度，如圖11B中所示，以及引導組件2也
可以具有其中表面41及表面43形成公共平面并且表面42及表面44形 成公共平面的排布結構，如圖IIA中所示。另選的是，如圖IIC中所示， 引導組件2可具有比介質板組件1的厚度稍小的厚度。具體地說，在圖 11B及11C中，表面41與表面43之間的距離Wl及表面42與表面44 之間的距離W2中的每一個都可針對拋光組件3的形狀、表面面積等而 變化，并且這些距離優(yōu)選地是35 um或更小，更優(yōu)選地是25 um或更 小。
優(yōu)選的是，介質板組件及引導組件具有平坦表面。在下面描述的將 拋光組件滑動到引導組件及介質板組件上的步驟中，介質板組件及引導 組件可以具有不規(guī)則表面，只要可以將與弓!導組件接觸的拋光組件平穩(wěn) 地滑動到介質板組件上而不會生成針對介質板組件的較大沖擊力即可。 優(yōu)選的是，介質板組件的表面平行于引導組件的表面，但是可以不完全 平行于引導組件的表面。
引導組件2與介質板組件1之間的厚度差優(yōu)選地是35 ii m或更小， 更優(yōu)選地是25 "m或更小，以使得引導組件2的表面41與介質板組件 1的表面43可以形成基本上公共的平面，并且引導組件2的表面42與介 質板組件1的表面44可以形成基本上公共的平面，介質板組件1在襯底 11的兩面上具有記錄層14A及14B。特別優(yōu)選的是，引導組件2具有與 介質板組件1基本上相同的厚度。
在引導組件2與介質板組件1之間的厚度差處于上述范圍內的情況 下，在將拋光組件滑動到引導組件及介質板組件上的步驟中，在使拋光 組件與介質板組件相接觸中所生成的沖擊力較小。因而，對介質板表面 進行拋光，同時防止生成瑕疵。
引導組件2的材料不受具體限制，只要當引導組件2與拋光組件相 接觸時，引導組件2不會破裂或者輕易變形即可?？墒褂玫牟牧系氖纠?包括鎢、碳及合金(例如包含鈷的硬質合金(cemented carbide)、不銹鋼 及黃銅)。
圖4是圖IB中的介質板組件1及引導組件2的排布結構的示意性平 面圖。在本實施方式中，介質板組件l與引導組件2之間的間隔W不受
具體限制。從實現將所接觸的拋光組件平穩(wěn)地滑動到介質板組件上的角
度出發(fā)，優(yōu)選的是，間隔w小于拋光組件的寬度。更優(yōu)選的是，間隔w
盡可能地小。然而，所以從防止介質板組件1與引導組件2因軸6的偏 心率以及引導組件2的安裝誤差而相接觸的角度出發(fā)，優(yōu)選的是，間隔 W為1 mm或更大。
固定組件(未示出)的形狀、結構、尺寸、材料等不受具體限制。 在根據本發(fā)明的用于制造存儲介質的方法中的設置引導組件及介質 板組件的步驟中，可以將引導組件2設置為，使得引導組件2的至少一 個表面與介質板組件1的相應表面形成基本上公共的平面。例如，在該 步驟中使用在襯底的一面上具有記錄層等的介質板組件(如圖3所示) 的情況下，可用夾具(jig) 7來設置介質板組件1及引導組件2，使得在 其上設置了介質板組件1的記錄層的表面與引導組件2的相應表面形成 基本上公共的平面，如圖5所示。夾具7的形狀、結構、尺寸、材料等 不受具體限制。
3、使拋光組件與引導組件相接觸的步驟
在該步驟中，如圖1C及1D中所示，使用于對介質板組件1的表面 進行拋光的拋光組件3與引導組件2相接觸。
拋光組件3包括具有固定拋光粉(fixed abrasive grain)的拋光層， 并且可以對介質板組件1的表面進行拋光。拋光層通常具有通過樹脂粘 結劑(resinbinder)而固定的拋光粉。
圖6A到6C是例示了在根據本實施方式的用于制造存儲介質的方法 中的使拋光組件與引導組件相接觸的步驟的示例的示意性截面圖。如圖 6A所示，在介質板組件1的兩面上對用作對介質板1的兩個表面進行拋 光的拋光組件并且包括設置在薄片(諸如塑料膜)上的拋光層的拋光帶 3a及3b (以下，也統(tǒng)稱為"拋光帶3")進行設置。鑒于以下事實而優(yōu)選 地使用拋光帶3:每當制造一個磁記錄介質時，通過分別將拋光帶3a及 3b從滾筒31a及31b (以下也統(tǒng)稱為"滾筒31")解開(unwind),并且 分別將拋光帶3a及3b繞著滾筒32a及32b (以下也統(tǒng)稱為"滾筒32") 纏繞(wind),來用未經使用的拋光層對介質板組件1進行拋光。此外，
在將拋光組件滑動到引導組件及介質板組件上的后續(xù)步驟中，可以在連
續(xù)地從滾筒31解開拋光帶3并且繞著滾筒32纏繞拋光帶3的同時，執(zhí) 行滑動。另選的是，可以在拋光帶3停止的同時，執(zhí)行滑動。拋光帶3 的從滾筒31到滾筒32的饋送方向不受具體限制，可以是盤形的介質板 組件的徑向方向，或者可以是與介質板組件的徑向方向相垂直的方向。
塑料膜的厚度通常大約為5到100 Jim。作為拋光粉，例如可以使 用由從鋁、金剛石、硅石、二氧化鈰、氧化鐵、氧化鉻、及碳化硅中所 選擇的至少一種材料構成并且平均顆粒直徑為0.02到5 U m的顆粒。作 為樹脂粘結劑，例如可以使用聚酯樹脂粘結劑或聚氨酯樹脂粘結劑。
在后續(xù)步驟中，可以通過使拋光帶3與介質板組件1的兩面相接觸 并且將拋光帶3按壓在介質板組件1上，來對介質板組件1的表面進行 拋光。用于按壓拋光帶3的方法不受具體限制，例如可以包括在拋光帶 3a及3b的與拋光層相對的各個面上，設置TB襯墊4a及4b (以下也統(tǒng) 稱為"TB襯墊4")以及TB頭5a及5b (以下也統(tǒng)稱為"TB頭5")，然 后將力Fa及Fb施加到TB頭5a及5b上，以使用TB襯墊4a及4b將拋 光帶3a及3b按壓在介質板組件l的兩個表面上，如圖6A中所示。用于 TB襯墊4的材料示例包括各種樹脂材料，例如氨酯彈性體(urethane elastomers)、乙烯彈性體(ethylene elastomers)、及非剛性塑料(nonrigid plastic)。用于TB頭5的材料示例包括各種合金，例如不銹鋼及黃銅。 可以根據要制造的磁記錄介質的尺寸來適當地選擇TB襯墊4及TB頭5 的形狀和尺寸。
在本發(fā)明的用于制造存儲介質的方法中的使拋光組件與引導組件相 接觸的步驟中，用于對介質板組件1的表面進行拋光的拋光帶3a和3b 可以與引導組件2相接觸。例如，在該步驟中使用在襯底的一面上具有 記錄層等的介質板組件(如圖3所示)的情況下，可以使用以下方法 在介質板組件1的一面上排好拋光帶3、 TB襯墊4及TB頭5，然后將力 F施加到TB頭5，以使用TB襯墊4將拋光帶3按壓在介質板組件1的 一個面上，如圖6B所示。
作為按壓拋光帶3的另一方法，例如，可以使用通過向拋光帶3的
與拋光層相反的一面鼓入壓縮空氣40來將拋光帶3按壓在介質板組件1 的表面上的方法，如圖6C所示。在與力F方向相反的方向上，通過任何 手段來施加與力F大小相同的力(在圖6B及6C中未示出)。 4、將拋光組件滑動到引導組件及介質板組件上的步驟 在該步驟中，如圖1D到1F中所示，將與引導組件2相接觸的拋光 組件3滑動到引導組件2及介質板組件1上，以拋光介質板組件1的表 面。將拋光組件3從設置在介質板組件1的邊緣側上的引導組件2朝介 質板組件1的內周滑動。然而，如果需要，可以在徑向方向上使拋光組 件3往返(shuttle)。通常，在滑動期間通過使軸6旋轉來使介質板組件 l旋轉，由此更加均勻地對這些表面進行拋光。在拋光組件3是如圖6A 到6C所示的拋光帶的情況下，可以在滑動期間持續(xù)地饋送拋光帶3或者 停止拋光帶3。
圖7A到7D是示出了在根據本實施方式的用于制造磁記錄介質的方 法的過程中拋光組件、引導組件、與附著在介質板組件表面上的異物之 間位置關系的示意性截面圖。圖7A示出了恰在拋光組件與引導組件相接 觸之前拋光組件、引導組件、介質板組件與異物之間的位置關系。圖7B 示出了恰在拋光組件與引導組件相接觸之后拋光組件、引導組件、介質 板組件與異物之間的位置關系。圖7C及7D各個都示出了在將與引導組 件相接觸的拋光組件朝著介質板組件的內周滑動期間的拋光組件、引導 組件、介質板組件與異物之間的位置關系。
在某些情況下，當使拋光帶3與附著有異物21的引導組件2的表面 相接觸時，在接觸瞬間所施加的沖擊力會造成按照異物21的形狀的瑕疵， 如圖7B所示。在朝著介質板組件1的內周滑動期間，嵌入在瑕疵中的異 物21不會造成介質板組件1的表面瑕疵。
介質板組件1的表面與引導組件2的相應表面形成基本上公共的平 面。因而，當拋光組件3與介質板組件相接觸時，在與介質板表面垂直 的方向上基本上不發(fā)生拋光組件的運動。因此，使拋光組件與介質板組 件的表面相接觸，而不會生成針對介質板組件表面的較大沖擊力。因此， 即使當附著在引導組件表面上的異物21附著到拋光帶表面上的同時執(zhí)行
滑動，異物21也不會經受沖擊力，使得抑制了在介質板組件1的表面上 生成瑕疵。而且，在滑動期間附著到介質板組件1上的異物22不會經受 沖擊力，因此不會在介質板組件1中造成瑕疵。
異物21及異物22是在準備介質板組件1的步驟中在形成構成介質 板組件1的各個層時從淀積在制造裝置內的細微顆粒得到的細微顆粒。 在當前環(huán)境下，在介質板組件1中造成瑕疵的異物的尺寸大約是10 li m 或更大。
在本實施方式中，為了提高介質板組件1的表面拋光效率，可以增 大拋光組件3與介質板組件1之間的接觸面積。即使當減小拋光組件3 與介質板組件1之間的接觸面積時，仍然可以獲得如本實施方式中的相 同效果。然而，拋光效率降低了。
圖8A到8C是示出了在根據現有技術的用于制造磁記錄介質的方法 的過程中拋光組件3與附著在介質板組件表面上的異物之間位置關系的 示意性截面圖，該方法包括在沒有引導組件的情況下使拋光組件'3與介 質板組件1相接觸的步驟。圖8A示出了恰在拋光組件與介質板組件相接 觸之前拋光組件、介質板組件與異物之間的位置關系。圖8B示出了恰在 拋光組件與介質板組件相接觸之后拋光組件、介質板組件與異物之間的 位置關系。圖8C示出了在與介質板組件接觸的拋光組件從內周向外緣滑 動期間的拋光組件、介質板組件與異物之間的位置關系。當拋光帶3與 其上附著有異物22的介質板組件1表面相接觸時，在某些情況下，在接 觸瞬間施加的沖擊力會造成按照異物22的形狀的瑕疵，如圖8B中所示。 為了提高拋光效率而增加在拋光組件3與介質板組件1之間的接觸面積， 這會增加將異物夾(sandwich)在拋光組件3與介質板組件1之間的概率， 從而容易生成瑕疵。在朝著介質板組件1的外緣滑動期間，嵌入在瑕疵 中的異物22不會造成介質板組件1的表面瑕疵。在與介質板組件的表面 垂直的方向上基本上不發(fā)生拋光組件的運動，使得拋光組件不會在介質 板組件的表面上施加較大的沖擊力。因此，即使當異物附著到帶表面的 同時執(zhí)行滑動，仍然抑制了在除了拋光組件3與介質板組件1表面相接 觸的部分P (圖8B及8C)之外的介質板組件1的其它表面部分上的瑕
疵生成。
在上述步驟之后，如果必要，可以將由泡沫材料(foam)、機織織物 (woven fabric)、非機織織物(nonwoven fabric)、植絨織物(flocked fabric)、或突起織物(raised fabric)形成的帶，按壓在旋轉襯底的兩面上 的軟鐵底層的表面上，以擦拭軟磁底層的表面，由此去除異物(諸如在 拋光期間附著到軟磁底層表面上的拋光灰塵)。此外，在拋光之后，可通 過向介質板組件1的表面上鼓入水或空氣，來去除異物(諸如在使用固 定拋光粉進行拋光期間附著到軟磁底層表面上的拋光灰塵)。
本發(fā)明不限于上述示例性實施方式。旨在將任何具有基本上與本發(fā) 明所附權利要求中所描述的相同的技術思想并且提供相同效果的等同物 包含在本發(fā)明的技術范圍中。
例如，在本實施方式中，磁記錄層用作記錄層。然而，在本發(fā)明的 存儲介質中，用于記錄及再現信息的記錄層足以用作記錄層。記錄層不 限于磁記錄層。
根據上述實施方式，拋光組件不是在具有記錄層的介質板組件上而 是在引導組件上施加較大的沖擊力。此外，引導組件的與拋光組件相接 觸的表面與介質板組件的表面形成基本上公共的平面，使得在與介質板 組件表面垂直的方向上基本上不發(fā)生拋光組件的運動。因此，將拋光組 件滑動到介質板組件上，而不會對介質板組件的表面上施加較大的沖擊 力。另外，可以增加在拋光組件與介質板組件之間的接觸面積。因此， 提供了不會不利地影響記錄及再現信息性能的平穩(wěn)存儲介質。
實驗性示例1
通過在厚度為0.635 mm及直徑為65 mm的玻璃襯底的各個表面上 進行濺射，按照以下順序形成了由從Ru或Ru合金中所選擇的反鐵磁 性材料構成的軟磁底層；由從Ni合金、Ru合金及包含氧化物的CoCr合 金中所選擇的材料構成的中間層；由從Co、 Ni、 Fe、 Co合金、Ni合金 及Fe合金中所選擇的鐵磁材料構成的記錄層；以及由類金剛石碳(DLC) 構成的保護膜。軟磁底層、中間層、記錄層及保護膜各個都具有亞微米 級的厚度。將包括疊置的軟磁底層、中間層、記錄層及保護膜的玻璃襯底浸入在潤滑劑(其是具有全氟聚醚及例如羥基和苯基的端基所構成的
主鏈的有機液體)中，以將潤滑劑(其厚度為0.8nm)涂布到保護膜上， 由此提供直徑為65mm的圓盤形介質板組件，如圖2中所示。介質板組 件的總厚度是0.635 mm。
將所得到的介質板組件安裝在帶拋光裝置(市場上可獲得的拋光器) 的軸上。圖IIA是示出了在帶拋光裝置中所設置的介質板組件與引導組 件之間的位置關系的示意性截面圖。帶拋光裝置具有其厚度與介質板組 件1的總厚度相同的引導組件2，并且該帶拋光裝置被設計為將介質板組 件1及引導組件2設置為，使得介質板組件l的表面43與引導組件2的 表面41形成基本上公共的平面，并且介質板組件1的表面44與引導組 件2的表面42形成基本上公共的平面，介質板組件1安裝在軸6上。
介質板組件與引導組件之間的間隔(圖4中的間隔W)固定為1 mm。 帶拋光裝置包括拋光帶(由Mipox International Corp.所制造)；用于將 拋光帶按壓在介質板組件上并且由聚氨酯(商用名Rubycdl，由 Toyopolymer Co., Ltd.所制造)構成的TB襯墊；以及由硬質合金(G2) (鎢、碳、鈷)構成的TB頭，這些組件如圖6A中所示而設置。持續(xù)地 從滾筒31解開拋光帶3并且繞著滾筒32纏繞拋光帶3。拋光帶3從滾筒 31到滾筒32的饋送方向是與圓盤形的介質板組件的徑向方向垂直的方 向。
在帶拋光裝置中，使拋光帶3與引導組件2相接觸。拋光帶3到引 導組件2的表面的接觸速度設置為0.5 mm/s。
通過在以恒定的轉數旋轉介質板組件1的同時朝著介質板組件1的 內周滑動與引導組件2相接觸的拋光帶3，來執(zhí)行對介質板組件1的表面 的拋光，由此提供磁記錄介質。拋光帶3向引導組件及介質板組件1施 加恒定的載荷?；瑒铀俣?橫向速度)設置為3 mm/s。開始施加載荷的 位置設置在引導組件2的表面上。結束施加載荷的位置設置在位于介質 板組件1的表面上并且距離介質板組件1的中心12 mm遠的位置處。在 滑動期間，不繞著滾筒32纏繞拋光帶3。
根據上述方法，制造十個磁記錄介質。假設對各具有10 "m或更
大寬度的瑕疵進行計數，使用顯微鏡來觀察在所得到的磁記錄介質的表
面中的瑕疵位置及瑕疵數量。圖9示出了在磁記錄介質的兩個表面中的 瑕疵位置及瑕疵數量的觀察結果。圖9中的條圖的橫軸表示到介質板組 件中心的距離R(mm)。例如，沿著橫軸位于31.5到32.5 mm處的條形 表示在距離介質板組件中心31.5到32.5 mm的部分中的瑕疵總數量。
圖9中的條圖的縱軸表示在十個磁記錄介質的兩個表面中的瑕疵的 總數量N。在圖9中，"LP"表示開始對介質板組件1施加載荷的位置(載 荷位置)，而"SD"表示滑動方向。在距離磁記錄介質中心30.5到32.5 mm 的部分中觀察到五個瑕疵。在磁記錄介質表面的其它部分沒有觀察到瑕 疵。因為通常距離最外緣大約1到2mm的部分不用作記錄區(qū)域，所以通 ?？梢院雎赃@些瑕疵。
在距離中心30.5到32.5 mm的部分中生成瑕疵的原因推測如下。圖 10A到10D是示出了在實驗性示例1中在最外緣中生成瑕疵的機制的示 意性截面圖。圖10A是在使拋光帶3與引導組件2相接觸之前引導組件 2、拋光帶3、 TB襯墊4與TB頭5的形狀及彼此間的位置關系的示意性 截面圖。圖10B是在使拋光帶3與引導組件2接觸之后引導組件2、拋 光帶3、 TB襯墊4與TB頭5的形狀及彼此間的位置關系的示意性截面 圖。圖10C是在拋光帶3滑動的過程中當邊緣9^及9bi到達引導組件2 與介質板組件1之間的間隙時，介質板組件l、引導組件2、拋光帶3、 TB襯墊4與TB頭5的形狀及彼此間的位置關系的示意性截面圖。圖10D 是在拋光帶3滑動的過程中當邊緣9a,及9b,到達介質板組件1的最外緣 時，介質板組件l、引導組件2、拋光帶3、 TB襯墊4與TB頭5的形狀 及彼此間的位置關系的示意性截面圖。
如圖10B所示，恰在開始拋光帶3的滑動之后，拋光帶3保持施加 到引導組件2的恒定載荷。此時，TB襯墊4受到來自拋光帶3及TB頭 5的載荷。這些載荷使得將TB襯墊4保持在比在使拋光帶3與介質板組 件1相接觸之前的狀態(tài)(圖10A)更被壓緊的狀態(tài)。
如圖IOC所示，當拋光帶3的端部9&及9bi到達引導組件2與介質 板組件1之間的間隙時，分別減輕施加到與拋光帶3的端部9a!及9bi靠
近的TB襯底4的端部9&及9b2的載荷，由此使TB襯墊4的端部膨脹。 在繼續(xù)滑動的情況下，如圖10D所示，TB襯底4的端部9a2及9b2 的膨脹導致當拋光帶3的端部9a,及9b,到達介質板組件1的最外緣時拋 光帶3的端部9ai及9b,相對于介質板組件1的表面突出。當在該狀態(tài)下 繼續(xù)滑動時，拋光帶3的端部9ai及9b,使得介質板組件l過載，由此造 成介質板組件l中的瑕疵。
當進一步繼續(xù)滑動時，TB襯底4的端部9a2及9b2被再次壓緊，使 得由拋光帶3的端部9a,及9b!施加到介質板組件1上的載荷恢復正常。 因此，在除了最外緣之外的其它部分中沒有觀察到瑕疵。 實驗性示例2
在介質板組件最外緣處的瑕疵生成率與介質板組件及引導組件的厚 度差異之間的關系
為了對在介質板組件最外緣處的瑕疵生成率與介質板組件及帶拋光 裝置的引導組件的厚度差異之間的關系進行評估，將制造下面描述的磁 記錄介質A、 B及C。
如在實驗性示例1中一樣，制造各具有與介質板組件相同的層結構、 形狀及尺寸的十三個磁記錄介質。這些磁記錄介質稱為"磁記錄介質A"。 圖11A是示出了當將介質板組件1安裝在軸6上時，介質板組件1與引 導組件2之間的位置關系的截面圖。
將實驗性示例1中所使用的帶拋光裝置修改為，使得引導組件2具 有比介質板組件l厚度大50 ym的厚度，并且將介質板組件l設置為， 使得安裝在軸6上的介質板組件1的每一個表面與引導組件2的相應表 面之間的距離(間隔)(圖11B中的W1及W2)為25 um。圖UB是 示出了當將介質板組件1安裝在該帶拋光裝置的軸6上時，介質板組件1 與引導組件2之間的位置關系的示意性截面圖。除了使用了該裝置之外， 和在實驗性示例1中一樣制造十三個磁記錄介質。這些磁記錄介質稱為 "磁記錄介質B"。
接下來，將實驗性示例1中所使用的帶拋光裝置修改為，使得引導 組件2具有比介質板組件1厚度小50 n m的厚度，并且將介質板組件1
設置為，使得安裝在軸6上的介質板組件1的每一個表面與引導組件2 的相應表面之間的距離(間隔)(圖11C中的W1及W2)為25 um。圖 11C是示出了當將介質板組件1安裝在該帶拋光裝置的軸6上時，介質板 組件1與引導組件2之間的位置關系的示意性截面圖。除了使用了該裝 置之外，和在實驗性示例1中一樣制造十三個磁記錄介質。這些磁記錄 介質稱為"磁記錄介質C"。
針對磁記錄介質A、 B及C中的每一個磁記錄介質的兩個表面，來 計數距離中心31.5到32.5 mm的部分中所具有瑕疵的表面數量，并且計 算瑕疵生成率((具有瑕疵的表面數量/26) X100 (%))。對位于距離每 一個磁記錄介質中心31.5到32.5 mm的部分中的瑕疵進行評估的原因在 于，在從引導組件2朝向介質板組件1的中心滑動期間在介質板組件1 的最外緣中生成瑕疵。
在磁記錄介質A中，具有瑕疵的表面數量是二十六個中有一個，瑕 疵生成率是4 %。在磁記錄介質B中，具有瑕疵的表面數量是二十六個 中有三個，瑕疵生成率是12%。在磁記錄介質C中，具有瑕疵的表面數 量是二十六個中有兩個，瑕疵生成率是8%。磁記錄介質A(其中每一個 都具有其厚度與介質板組件1的總厚度相同的引導組件2)中的瑕疵生成 率是最低的，等于或小于磁記錄介質B及C中的每一個的瑕疵生成率的 一半。
對比示例1
準備其與實驗性示例1中所使用的介質板組件的層結構、形狀及尺 寸相同的介質板組件。
如圖12A所示，將介質板組件1安裝在實驗性示例1中所使用的帶 拋光裝置中的軸6上。
如圖12B所示，使帶拋光裝置中的拋光帶3 (由Mipox International Corp.所制造)與介質板組件1相接觸。拋光帶3到介質板組件1表面的 接觸速度設置為0.5mm/s。
如圖12C所示，通過在以恒定的轉數旋轉介質板組件1的同時朝著 介質板組件1的最外緣滑動與介質板組件1相接觸的拋光帶3，來執(zhí)行對
介質板組件1的表面43及44的拋光，由此提供磁記錄介質。拋光帶3 向介質板組件施加恒定的載荷?；瑒铀俣?橫向速度)設置為3 mm/s。 開始施加載荷的位置設置在距離介質板組件的中心12.0 mm遠的位置處。 結束施加載荷的位置設置在距離介質板組件的中心32.5mm遠的位置處。 在滑動期間，不繞著滾筒32纏繞拋光帶3。
根據上述方法，制造十個磁記錄介質。假設對各具有10 Pm或更 大寬度的瑕疵進行計數，使用顯微鏡來觀察在所得到的磁記錄介質的表 面中的瑕疵位置及瑕疵數量。圖13示出了在磁記錄介質的兩個表面中的 瑕疵位置及瑕疵數量的觀察結果。和圖9的條圖一樣，圖13的條圖的橫 軸表示到介質板組件中心處的距離R (mm)?？v軸表示在十個磁記錄介 質的兩個表面中的瑕疵的總數量N。在圖13中，"LP"表示開始對介質 板組件1的施加載荷的位置(載荷位置)，而"SD"表示滑動方向。僅在 拋光帶開始向磁記錄介質施加載荷的LP處觀察到瑕疵。
權利要求
1、一種用于制造存儲介質的方法，該方法包括以下步驟提供引導組件及用于形成存儲介質的介質板組件；設置所述介質板組件及所述引導組件，使得所述介質板組件與所述引導組件彼此靠近，并且所述介質板組件的表面與所述引導組件的表面形成基本上公共的平面；將用于對所述介質板組件進行拋光的拋光組件引導到所述引導組件的表面上；以及將所述引導組件上的所述拋光組件滑動到所述介質板組件上，以對所述介質板組件的表面進行拋光。
2、 根據權利要求1所述的方法，其中，所述介質板組件具有記錄層， 以將信息記錄在所述記錄層上并且從所述記錄層再現信息。
3、 根據權利要求1所述的方法，其中，所述引導組件具有基本上與 所述介質板組件相同的厚度。
4、 根據權利要求1所述的方法，其中，所述介質板組件具有襯底并 在所述襯底的兩側具有記錄層，以將信息記錄在所述記錄層上并且從所 述記錄層再現信息。
5、 根據權利要求4所述的方法，該方法還包括以下步驟將用于對所述介質板組件進行拋光的另一拋光組件引導到所述引導組件的另一表面上；以及將所述引導組件上的所述另一拋光組件滑動到所述介質板組件上， 以對所述介質板組件的所述另一表面進行拋光。
6、 根據權利要求5所述的方法，其中，同時滑動所述拋光組件與所 述另一拋光組件。
7、 根據權利要求1所述的方法，其中，所述介質板組件及所述引導 組件被設置為，使得在與將所述拋光組件滑動到所述介質板組件上的方 向平行的方向上，所述介質板組件與所述引導組件之間的距離小于所述 拋光組件的寬度。
全文摘要
本發(fā)明涉及用于制造存儲介質的方法。根據實施方式的一個方面，一種用于制造存儲介質的方法包括以下步驟提供引導組件及用于形成存儲介質的介質板組件；以及設置所述介質板組件及所述引導組件，使得所述介質板組件與所述引導組件彼此靠近，并且所述介質板組件的表面與所述引導組件的表面形成基本上公共的平面。該方法還包括以下步驟將用于對所述介質板組件進行拋光的拋光組件引導到所述引導組件的表面上；以及將所述引導組件上的所述拋光組件滑動到所述介質板組件上，以對所述介質板組件的表面進行拋光。
文檔編號B24B29/02GK101377930SQ200810213348
公開日2009年3月4日 申請日期2008年8月27日 優(yōu)先權日2007年8月27日
發(fā)明者奧村浩祥, 山川榮進 申請人:富士通株式會社