專利名稱：電弧離子鍍膜裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電弧離子鍍膜裝置。
背景技術(shù)：
電弧離子鍍是物理氣相沉積技術(shù)的一種，其是將真空弧光放電用于蒸發(fā)源的一種真空離子鍍膜技術(shù)。在電弧離子鍍技術(shù)中，靶材既是陰極材料的蒸發(fā)源，又是發(fā)射等離子體的離子源。由于電弧離子鍍具有離化率高，所制備的薄膜與基材的結(jié)合力好等優(yōu)點(diǎn)而被廣泛地應(yīng)用。
目前應(yīng)用較多的電弧離子鍍裝置，靶材通常為圓柱狀，且通常懸掛于反應(yīng)室的腔壁上。但由于靶面較小(通常是直徑100_，高度為40_)，沉積范圍有限，難以鍍制大面積工件，在大工件上沉積薄膜時(shí)，會(huì)導(dǎo)致薄膜厚度和顏色不均勻。為提高鍍膜均勻性，通常會(huì)采用多個(gè)靶材交叉錯(cuò)配的方式懸掛于反應(yīng)室的腔壁上，但這同時(shí)會(huì)使鍍膜設(shè)備反應(yīng)室的結(jié)構(gòu)變得復(fù)雜，且不利于靶材的拆卸與維護(hù)。發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，提供一種有效解決上述問題的電弧離子鍍膜裝置。
一種電弧離子鍍膜裝置，其包括一反應(yīng)室及可拆卸地設(shè)置于反應(yīng)室中央的多個(gè)靶材和多個(gè)分隔板；該多個(gè)分隔板為相交設(shè)置，每一分隔板包括一側(cè)面，該多個(gè)分隔板的所述側(cè)面鄰接設(shè)置；所述每一靶材位于相鄰的二分隔板所圍成的區(qū)域內(nèi)。
本發(fā)明電弧離子鍍膜裝置的設(shè)計(jì)節(jié)省了反應(yīng)室的配置空間，可實(shí)現(xiàn)在大面積的基材上鍍膜，更能克服一般電弧離子鍍膜裝置的沉積速度低和頻繁更換靶材的缺陷。


圖1為本發(fā)明較佳實(shí)施例的電弧離子鍍膜裝置的剖面示意圖；圖2為本發(fā)明較佳實(shí)施例的電弧離子鍍膜裝置的示意圖。
主要元件符號(hào)說明
權(quán)利要求
1.一種電弧離子鍍膜裝置，其包括一反應(yīng)室，其特征在于該電弧離子鍍膜裝置還包括可拆卸地設(shè)置于反應(yīng)室中央的多個(gè)靶材和多個(gè)分隔板；該多個(gè)分隔板為相交設(shè)置，每一分隔板包括一側(cè)面，該多個(gè)分隔板的所述側(cè)面鄰接設(shè)置；所述每一靶材位于相鄰的二分隔板所圍成的區(qū)域內(nèi)。
2.如權(quán)利要求1所述的電弧離子鍍膜裝置，其特征在于該多個(gè)分隔板的所述側(cè)面相交，且使相鄰的二分隔板相交之間形成的角度均相等。
3.如權(quán)利要求1所述的電弧離子鍍膜裝置，其特征在于所述靶材為圓柱靶。
4.如權(quán)利要求1所述的電弧離子鍍膜裝置，其特征在于反應(yīng)室的底板上分別設(shè)置有多個(gè)靶材電源，并分別與相應(yīng)的靶材相連接。
5.如權(quán)利要求1所述的電弧離子鍍膜裝置，其特征在于該電弧離子鍍膜裝置還包括一圍繞靶材及分隔板設(shè)置的轉(zhuǎn)架系統(tǒng)，該轉(zhuǎn)架系統(tǒng)用以裝載基材。
6.如權(quán)利要求5所述的電弧離子鍍膜裝置，其特征在于所述轉(zhuǎn)架系統(tǒng)包括一內(nèi)轉(zhuǎn)架及一外轉(zhuǎn)架，該內(nèi)轉(zhuǎn)架設(shè)置于靶材與外轉(zhuǎn)架之間；該外轉(zhuǎn)架設(shè)置于內(nèi)轉(zhuǎn)架與反應(yīng)室腔壁之間。
7.如權(quán)利要求6所述的電弧離子鍍膜裝置，其特征在于當(dāng)反應(yīng)室的中心點(diǎn)、靶材及內(nèi)轉(zhuǎn)架上的基材成一直線時(shí)，內(nèi)轉(zhuǎn)架上的基材與靶材靶面的距離為200-400mm。
8.如權(quán)利要求6所述的電弧離子鍍膜裝置，其特征在于當(dāng)反應(yīng)室的中心點(diǎn)、靶材及外轉(zhuǎn)架上的基材成一直線時(shí)，外轉(zhuǎn)架上的基材與靶材靶面的距離為350-600mm。
全文摘要
一種電弧離子鍍膜裝置，其包括一反應(yīng)室及可拆卸地設(shè)置于反應(yīng)室中央的多個(gè)靶材和多個(gè)分隔板；該多個(gè)分隔板為相交設(shè)置，每一分隔板包括一側(cè)面，該多個(gè)分隔板的所述側(cè)面鄰接設(shè)置；所述每一靶材位于相鄰的二分隔板所圍成的區(qū)域內(nèi)。本發(fā)明電弧離子鍍膜裝置的設(shè)計(jì)節(jié)省了反應(yīng)室的配置空間，可實(shí)現(xiàn)在大面積的基材上鍍膜，更能克服一般電弧離子鍍膜裝置的沉積速度低和頻繁更換靶材的缺陷。
文檔編號(hào)C23C14/32GK102994960SQ20111027105
公開日2013年3月27日 申請(qǐng)日期2011年9月14日 優(yōu)先權(quán)日2011年9月14日
發(fā)明者張新倍, 黃登聰, 彭立全 申請(qǐng)人:鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司, 鴻海精密工業(yè)股份有限公司