預(yù)清洗腔室及等離子體加工設(shè)備的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明提供的預(yù)清洗腔室及等離子體加工設(shè)備，包括腔體、頂蓋和承載單元，頂蓋設(shè)置在腔體頂端，承載單元設(shè)置在腔體底部，用以承載晶片，并且，在腔體內(nèi)的承載單元上方設(shè)置有離子過濾單元，該離子過濾單元用于在等離子體自其上方朝向所述承載單元的方向運動時，過濾等離子體中的離子。本發(fā)明提供的預(yù)清洗腔室，其可以在等離子體自其上方朝向所述承載單元的方向運動時，過濾等離子體中的離子，從而可以避免等離子體中的氫離子對Low-k材料的不良影響，進而可以提高產(chǎn)品性能。
【專利說明】預(yù)清洗腔室及等離子體加工設(shè)備

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及半導(dǎo)體設(shè)備制造領(lǐng)域，涉及一種預(yù)清洗腔室及等離子體加工設(shè)備。

【背景技術(shù)】
[0002]等離子體加工設(shè)備廣泛用于當今的半導(dǎo)體集成電路、太陽能電池、平板顯示器等制造工藝中。產(chǎn)業(yè)上已經(jīng)廣泛使用的等離子體加工設(shè)備有以下類型:例如，直流放電型，電容耦合(CCP)型，電感耦合(ICP)型以及電子回旋共振(ECR)型。這些類型的等離子體加工設(shè)備目前被應(yīng)用于沉積、刻蝕以及清洗等工藝。
[0003]在進行工藝的過程中，為了提高產(chǎn)品的質(zhì)量，在實施沉積工藝之前，首先要對晶片進行預(yù)清洗(Preclean)，以去除晶片表面的氧化物等雜質(zhì)。一般的預(yù)清洗腔室的基本原理是:將通入清洗腔室內(nèi)的諸如氬氣、氦氣或氫氣等的清洗氣體激發(fā)形成等離子體，以對晶片進行化學(xué)反應(yīng)和物理轟擊，從而可以去除晶片表面的雜質(zhì)。
[0004]圖1為目前采用的一種預(yù)清洗腔室的結(jié)構(gòu)示意圖。如圖1所示，該預(yù)清洗腔室由側(cè)壁1、底壁2和頂蓋9形成。在預(yù)清洗腔室的底部設(shè)置有用于承載晶片的基座4，其依次與第一匹配器7和第一射頻電源8連接；頂蓋9為采用絕緣材料(如陶瓷或石英)制成的拱形頂蓋，在頂蓋9的上方設(shè)置有線圈3，線圈3為螺線管線圈，且其纏繞形成的環(huán)形外徑與側(cè)壁I的外徑相對應(yīng)，并且線圈3依次與第二匹配器5和第二射頻電源6連接。在進行預(yù)清洗的過程中，接通第二射頻電源6，以將腔室內(nèi)的氣體激發(fā)為等離子體，同時，接通第一射頻電源8，以吸引等離子體中的離子轟擊晶片上的雜質(zhì)。
[0005]在半導(dǎo)體制造工藝中，隨著芯片集成度提高，互連線寬和導(dǎo)線間距減小，電阻和寄生電容增大，會導(dǎo)致RC信號延遲增加，因此，通常會采用Low-k (低介電常數(shù))材料作為層間介質(zhì)，而這在進行預(yù)清洗時會出現(xiàn)以下問題，即:
[0006]由于等離子體中的氫離子在等離子體的鞘層電壓的驅(qū)動下會產(chǎn)生一定的動能，這使得當氫離子運動至晶片表面附近時，會嵌入Low-k材料中，從而導(dǎo)致Low-k材料劣化,進而給產(chǎn)品性能帶來了不良影響。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0007]本發(fā)明旨在至少解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的技術(shù)問題之一，提出了一種預(yù)清洗腔室及等離子體加工設(shè)備，其可以在等離子體自其上方朝向所述承載單元的方向運動時，過濾等離子體中的離子，從而可以避免等離子體中的氫離子對Low-k材料的不良影響，進而可以提聞廣品性能。
[0008]為實現(xiàn)本發(fā)明的目的而提供一種預(yù)清洗腔室，包括腔體、頂蓋和承載單元，所述頂蓋設(shè)置在所述腔體頂端，所述承載單元設(shè)置在所述腔體底部，用以承載晶片，其特征在于，在所述腔體內(nèi)的所述承載單元上方設(shè)置有離子過濾單元，所述離子過濾單元用于在等離子體自其上方朝向所述承載單元的方向運動時，過濾所述等離子體中的離子。
[0009]其中，所述離子過濾單元包括一個過濾板，所述過濾板將所述腔體隔離形成上子腔體和下子腔體；并且在所述過濾板上分布有多個通氣孔，用以連通所述上子腔體和下子腔體，并且，每個所述通氣孔的最大直徑不大于等離子體的鞘層厚度的兩倍。
[0010]其中，所述離子過濾單元包括N個沿豎直方向間隔設(shè)置的過濾板，N為大于I的整數(shù)，所述過濾板將所述腔體隔離形成由上至下依次排列的上子腔體、N-1個中子腔體和下子腔體；并且在每個所述過濾板上分布有多個通氣孔，用以連通分別位于該過濾板的上方和下方且相鄰的子腔體，并且，在所有過濾板中，其中至少一個過濾板的通氣孔的最大直徑不大于等離子體的鞘層厚度的兩倍。
[0011]其中，所述通氣孔相對于所述過濾板所在的平面均勻分布。
[0012]其中，所述通氣孔根據(jù)晶片表面的各個區(qū)域之間的工藝偏差非均勻分布。
[0013]其中，根據(jù)工藝速率設(shè)定所述通氣孔的分布密度。
[0014]其中，每個所述通氣孔包括直通孔、錐形孔或者階梯孔。
[0015]優(yōu)選地，每個所述通氣孔為直通孔，并且所述直通孔的直徑范圍在0.2?20mm。
[0016]優(yōu)選地，每個所述通氣孔為錐形孔或階梯孔，并且所述錐形孔或階梯孔的最大直徑不大于20mm,且最小直徑不小于0.2mm。
[0017]其中，所述過濾板由絕緣材料制成或者由表面鍍有絕緣材料的金屬制成。
[0018]其中，所述過濾板的厚度范圍在2?50mm。
[0019]其中，在所述承載單元內(nèi)設(shè)置有加熱裝置，用以加熱晶片。
[0020]其中，所述承載單元包括靜電卡盤，用以采用靜電引力的方式固定晶片；所述加熱裝置內(nèi)置在所述靜電卡盤中。
[0021]其中，在所述腔體的內(nèi)表面上設(shè)置有保護層，所述保護層采用絕緣材料制作。
[0022]其中，在所述腔體的側(cè)壁內(nèi)側(cè)設(shè)置有內(nèi)襯，所述內(nèi)襯由絕緣材料制成或者由表面鍍有絕緣材料的金屬制成。
[0023]其中，所述頂蓋采用拱形結(jié)構(gòu)，并且所述頂蓋由絕緣材料制成。
[0024]其中，所述頂蓋采用桶狀結(jié)構(gòu)，并且所述頂蓋由絕緣材料制成。
[0025]其中，在所述桶狀頂蓋的側(cè)壁內(nèi)側(cè)設(shè)置有法拉第屏蔽件，所述法拉第屏蔽件由金屬材料制成或者由表面鍍有導(dǎo)電材料的絕緣材料制成。
[0026]其中，所述法拉第屏蔽件在其軸向方向設(shè)有至少一個開縫。
[0027]其中，所述預(yù)清洗腔室還包括電感線圈和與之依次電連接的射頻匹配器及射頻電源，其中，所述電感線圈在所述頂蓋的側(cè)壁外側(cè)環(huán)繞設(shè)置，并且所述電感線圈的匝數(shù)為一匝或多匝，且多匝線圈的直徑相同，或者由上而下依次增大；所述射頻電源用于向所述電感線圈輸出射頻功率。
[0028]優(yōu)選地，所述射頻電源的頻率包括400KHz、2MHz、13.56MHz、40MHz、60MHz或10MHz。
[0029]作為另一個技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種等離子體加工設(shè)備，包括預(yù)清洗腔室，該預(yù)清洗腔室采用了本發(fā)明提供的上述預(yù)清洗腔室。
[0030]本發(fā)明具有以下有益效果:
[0031]本發(fā)明提供的預(yù)清洗腔室，其通過在腔體內(nèi)的承載單元上方設(shè)置離子過濾單元，可以在進行預(yù)清洗的過程中，在等離子體自其上方朝向承載單元的方向運動時，過濾等離子體中的離子，而僅使自由基、原子和分子到達置于承載單元上的晶片表面，從而可以避免等離子體中的氫離子對晶片上作為層間介質(zhì)的Low-k材料的不良影響，進而可以提高產(chǎn)品性能。而且，由于經(jīng)過離子過濾單元的等離子體中沒有離子，因而其僅依靠粒子擴散即可到達晶片表面，而無需再對晶片加載偏壓，從而可以省去偏壓電源和匹配器等的偏壓裝置，進而可以降低生產(chǎn)成本。
[0032]本發(fā)明提供的等離子體加工設(shè)備，其通過采用本發(fā)明提供的預(yù)清洗腔室，可以避免等離子體中的氫離子對晶片上作為層間介質(zhì)的Low-k材料的不良影響，進而可以提高產(chǎn)品性能。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0033]圖1為目前采用的一種預(yù)清洗腔室的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖2A為本發(fā)明第一實施例提供的一種預(yù)清洗腔室的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0035]圖2B為圖2A中過濾板的俯視圖；
[0036]圖2C為圖2A中過濾板的一個通氣孔的軸向剖視圖；
[0037]圖3為本發(fā)明第一實施例提供的另一種預(yù)清洗腔室的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0038]圖4為本發(fā)明第二實施例提供的預(yù)清洗腔室的結(jié)構(gòu)示意圖；以及
[0039]圖5為圖4中法拉第屏蔽件的徑向截面圖。

【具體實施方式】
[0040]為使本領(lǐng)域的技術(shù)人員更好地理解本發(fā)明的技術(shù)方案，下面結(jié)合附圖來對本發(fā)明提供的預(yù)清洗腔室及等離子體加工設(shè)備進行詳細描述。
[0041]圖2A為本發(fā)明第一實施例提供的一種預(yù)清洗腔室的結(jié)構(gòu)示意圖。請參閱圖2A，預(yù)清洗腔室包括腔體21、頂蓋22、承載單元23、電感線圈25、射頻匹配器26和射頻電源27。其中，頂蓋22設(shè)置在腔體21頂端，且采用拱形結(jié)構(gòu)，并且頂蓋22由絕緣材料制成，絕緣材料包括陶瓷或石英等；承載單元23設(shè)置在腔體21底部，用以承載晶片；電感線圈25在頂蓋22的側(cè)壁外側(cè)環(huán)繞設(shè)置，且通過射頻匹配器26與射頻電源27電連接；射頻電源27用于向電感線圈25輸出射頻功率，以激發(fā)腔體21內(nèi)的反應(yīng)氣體形成等離子體，射頻電源27的頻率包括 400ΚΗζ、2ΜΗζ、13.56ΜΗζ、40ΜΗζ、60ΜΗζ 或 100MHz。
[0042]而且，在腔體21內(nèi)的承載單元23上方設(shè)置有離子過濾單元，離子過濾單元用于在等離子體自其上方朝向承載單元的方向運動時，過濾等離子體中的離子。下面對離子過濾單元的結(jié)構(gòu)和功能進行詳細描述。具體地，在本實施例中，離子過濾單元包括一個過濾板24，其由絕緣材料制成或者由表面鍍有絕緣材料的金屬制成，絕緣材料包括陶瓷或石英等，且過濾板24的厚度范圍在2?50mm。而且，過濾板24將腔體21隔離形成上子腔體211和下子腔體212，承載單元23位于下子腔體212內(nèi)，優(yōu)選地，過濾板24與承載單元23的豎直間距為20mm以上。
[0043]在過濾板24上分布有多個通氣孔241，用以連通上子腔體211和下子腔體212，并且，多個通氣孔241可以相對于過濾板24所在平面均勻分布，如圖2B所示，在實際應(yīng)用中，也可以根據(jù)晶片表面的各個區(qū)域之間的工藝偏差適當調(diào)整通氣孔241的局部分布密度，以改變對應(yīng)于晶片表面的各個區(qū)域的等離子體的密度，從而可以提高工藝均勻性。另外，還可以根據(jù)工藝速率設(shè)定通氣孔241的整體分布密度，即:當工藝要求的工藝速率較高時，適當增大通氣孔241的分布密度，以使等離子體能夠快速通過通氣孔241 ;當工藝要求的工藝速率較低時，則可以適當減小通氣孔241的分布密度。
[0044]在本實施例中，每個通氣孔241為直通孔，且直徑不大于等離子體的鞘層厚度的兩倍，優(yōu)選地，直通孔的直徑范圍在0.2?20_。所謂等離子體鞘層，是指在腔室中的等離子體的邊界與腔室壁之間形成的非電中性區(qū)域。在進行預(yù)清洗的過程中，射頻電源27向電感線圈25輸出射頻功率，以在上子腔體211內(nèi)形成等離子體，并朝向承載單元23擴散。當?shù)入x子體經(jīng)過過濾板24的通氣孔241時，由于每個通氣孔241的最大直徑不大于等離子體的鞘層厚度的兩倍，這使得等離子體中的離子會因通氣孔241內(nèi)的空間狹小而轉(zhuǎn)化為原子等形態(tài)，從而穿過通氣孔241的等離子體中不會存在離子，而僅存在自由基、原子和分子等，這些自由基、原子和分子在進入下子腔體212后會繼續(xù)向下擴散，直至到達置于承載單元23上的晶片表面進行刻蝕。因此，借助過濾板24，可以起到“過濾”等離子體中的離子的作用，從而可以避免等離子體中的氫離子對晶片上作為層間介質(zhì)的Low-k材料的不良影響，進而可以提聞廣品性能。
[0045]在本實施例中，在腔體21的側(cè)壁內(nèi)側(cè)設(shè)置有內(nèi)襯28，內(nèi)襯28由絕緣材料制成或者由表面鍍有絕緣材料的金屬制成，絕緣材料包括陶瓷或石英等。借助內(nèi)襯28，不僅可以保護腔體21的側(cè)壁不被等離子體刻蝕，從而可以提高腔體21的使用壽命和可維護性，而且還可以調(diào)節(jié)等離子體中的自由基的活性。在實際應(yīng)用中，也可以在腔體21的內(nèi)表面上設(shè)置采用絕緣材料制作保護層，例如，可以對腔體21的內(nèi)表面進行氧化處理。
[0046]在本實施例中，承載單元23包括靜電卡盤，用以采用靜電引力的方式固定晶片，并且，在靜電卡盤內(nèi)設(shè)置有加熱裝置29，用以加熱晶片。借助加熱裝置29，可以提高等離子體與晶片表面反應(yīng)的活性，從而可以提高工藝速率。優(yōu)選地，加熱裝置29的加熱溫度在100?500°C，加熱時間為5?60s。在實際應(yīng)用中，承載單元也可以是用于承載晶片的基座，且在該基座內(nèi)設(shè)置加熱裝置29。
[0047]需要說明的是，在本實施例中，每個通氣孔241為直通孔，但是本發(fā)明并不局限于此，在實際應(yīng)用中，如圖2C所示，為單個通氣孔的剖面圖。通氣孔也可以為錐形孔，且該錐形孔的直徑可以由上而下逐漸增大或減??；通氣孔還可以為階梯孔，且該階梯孔在其軸向截面上的形狀可以采用“上粗下細”、“上細下粗”、“兩端細中間粗”或者“兩端粗中間細”等的任意形狀。優(yōu)選地，上述錐形孔或階梯孔的最大直徑不大于20mm，且最小直徑不小于0.2_。當然，還可以采用其他任意結(jié)構(gòu)的通孔作為通氣孔，只要其能夠過濾等離子體中的離子即可。
[0048]還需要說明的是，在本實施例中，離子過濾單元包括一個過濾板24，但是本發(fā)明并不局限于此，在實際應(yīng)用中，如圖3所示，離子過濾單元還可以包括N個沿豎直方向間隔設(shè)置的過濾板24，N為大于I的整數(shù)，過濾板24將腔體21隔離形成由上至下依次排列的上子腔體211、N-1個中子腔體213和下子腔體212，優(yōu)選地，位于最下層的過濾板24與承載單元23的豎直間距為20mm以上。而且，在每個過濾板24上分布有多個通氣孔241，用以連通分別位于該過濾板24的上方和下方且相鄰的子腔體，并且，在所有過濾板24中，其中至少一個過濾板24的通氣孔241的最大直徑不大于等離子體的鞘層厚度的兩倍。在采用多個過濾板24時，可以在保證能夠過濾等離子體中的離子的前提下，適當減小各個過濾板24的厚度。
[0049]進一步需要說明的是，在實際應(yīng)用中，過濾板可以采用下述方法固定在腔體中，即:可以在腔體的內(nèi)側(cè)壁上的相應(yīng)的位置處設(shè)置凸緣，過濾板下表面的邊緣區(qū)域采用搭接或螺紋連接的方式與凸緣的上表面固定連接。
[0050]進一步需要說明的是，在實際應(yīng)用中，電感線圈的匝數(shù)可以為一匝或多匝，且可以根據(jù)等離子體在上子腔室211內(nèi)的分布情況，使多匝線圈的直徑相同，或者由上而下依次增大。
[0051]圖4為本發(fā)明第二實施例提供的預(yù)清洗腔室的結(jié)構(gòu)示意圖。請參閱圖4，本實施例與上述第一實施例相比，其主要區(qū)別在于:預(yù)清洗腔室的頂蓋結(jié)構(gòu)不同。除此之外，第二實施例的其它結(jié)構(gòu)與第一實施例相同，這里不再贅述。
[0052]下面對本實施例提供的預(yù)清洗腔室的頂蓋進行詳細描述。具體地，頂蓋30采用具有上蓋301的桶狀結(jié)構(gòu)，并且頂蓋30由絕緣材料制成，絕緣材料包括陶瓷或石英等。桶狀結(jié)構(gòu)的頂蓋30與拱形結(jié)構(gòu)的頂蓋相比，更易于加工，從而可以降低頂蓋的加工成本，進而可以降低預(yù)清洗腔室的制造和使用成本。
[0053]而且，在桶狀頂蓋30的側(cè)壁內(nèi)側(cè)設(shè)置有法拉第屏蔽件31，法拉第屏蔽件31由金屬材料制成或者由表面鍍有導(dǎo)電材料的絕緣材料制成，絕緣材料包括陶瓷或石英等。借助法拉第屏蔽件31，不僅可以屏蔽電磁場，以減小等離子體對上子腔室211的侵蝕，延長上子腔室211的使用時間，而且易于清洗腔室，從而降低腔室的使用成本。容易理解，為了保證法拉第屏蔽件31處于懸浮電位，應(yīng)保證其高度小于頂蓋30的側(cè)壁高度，且使其上、下兩端不與上蓋301和腔體21接觸。
[0054]優(yōu)選地，法拉第屏蔽件31在其軸向方向至少設(shè)有一個開縫311，如圖5所示，在開縫311位置法拉第屏蔽件31完全斷開，即，法拉第屏蔽件31為非連續(xù)的桶狀結(jié)構(gòu)，以有效地阻止法拉第屏蔽件31的渦流損耗和發(fā)熱。
[0055]作為另一個技術(shù)方案，本發(fā)明還提供一種等離子體加工設(shè)備，包括預(yù)清洗腔室，該預(yù)清洗腔室采用了本發(fā)明上述各個實施例提供的預(yù)清洗腔室。
[0056]本發(fā)明實施例提供的等離子體加工設(shè)備，其通過采用本發(fā)明上述各個實施例提供的預(yù)清洗腔室，可以避免等離子體中的氫離子對晶片上作為層間介質(zhì)的Low-k材料的不良影響，進而可以提高產(chǎn)品性能。
[0057]可以理解的是，以上實施方式僅僅是為了說明本發(fā)明的原理而采用的示例性實施方式，然而本發(fā)明并不局限于此。對于本領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員而言，在不脫離本發(fā)明的精神和實質(zhì)的情況下，可以做出各種變型和改進，這些變型和改進也視為本發(fā)明的保護范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種預(yù)清洗腔室，包括腔體、頂蓋和承載單元，所述頂蓋設(shè)置在所述腔體頂端，所述承載單元設(shè)置在所述腔體底部，用以承載晶片，其特征在于，在所述腔體內(nèi)的所述承載單元上方設(shè)置有離子過濾單元，所述離子過濾單元用于在等離子體自其上方朝向所述承載單元的方向運動時，過濾所述等離子體中的離子。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的預(yù)清洗腔室，其特征在于，所述離子過濾單元包括一個過濾板，所述過濾板將所述腔體隔離形成上子腔體和下子腔體；并且 在所述過濾板上分布有多個通氣孔，用以連通所述上子腔體和下子腔體，并且，每個所述通氣孔的最大直徑不大于等離子體的鞘層厚度的兩倍。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的預(yù)清洗腔室，其特征在于，所述離子過濾單元包括N個沿豎直方向間隔設(shè)置的過濾板，N為大于I的整數(shù)，所述過濾板將所述腔體隔離形成由上至下依次排列的上子腔體、N-1個中子腔體和下子腔體；并且 在每個所述過濾板上分布有多個通氣孔，用以連通分別位于該過濾板的上方和下方且相鄰的子腔體，并且，在所有過濾板中，其中至少一個過濾板的通氣孔的最大直徑不大于等離子體的鞘層厚度的兩倍。
4.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的預(yù)清洗腔室，其特征在于，所述通氣孔相對于所述過濾板所在的平面均勻分布。
5.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的預(yù)清洗腔室，其特征在于，所述通氣孔根據(jù)晶片表面的各個區(qū)域之間的工藝偏差非均勻分布。
6.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的預(yù)清洗腔室，其特征在于，根據(jù)工藝速率設(shè)定所述通氣孔的分布密度。
7.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的預(yù)清洗腔室，其特征在于，每個所述通氣孔包括直通孔、錐形孔或者階梯孔。
8.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的預(yù)清洗腔室，其特征在于，每個所述通氣孔為直通孔，并且所述直通孔的直徑范圍在0.2?20mm。
9.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的預(yù)清洗腔室，其特征在于，每個所述通氣孔為錐形孔或階梯孔，并且所述錐形孔或階梯孔的最大直徑不大于20mm，且最小直徑不小于0.2mm。
10.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的預(yù)清洗腔室，其特征在于，所述過濾板由絕緣材料制成或者由表面鍍有絕緣材料的金屬制成。
11.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的預(yù)清洗腔室，其特征在于，所述過濾板的厚度范圍在2 ?50mmo
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的預(yù)清洗腔室，其特征在于，在所述承載單元內(nèi)設(shè)置有加熱裝置，用以加熱晶片。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的預(yù)清洗腔室，其特征在于，所述承載單元包括靜電卡盤，用以采用靜電引力的方式固定晶片； 所述加熱裝置內(nèi)置在所述靜電卡盤中。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的預(yù)清洗腔室，其特征在于，在所述腔體的內(nèi)表面上設(shè)置有保護層，所述保護層采用絕緣材料制作。
15.根據(jù)權(quán)利要求1或14所述的預(yù)清洗腔室，其特征在于，在所述腔體的側(cè)壁內(nèi)側(cè)設(shè)置有內(nèi)襯，所述內(nèi)襯由絕緣材料制成或者由表面鍍有絕緣材料的金屬制成。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的預(yù)清洗腔室，其特征在于，所述頂蓋采用拱形結(jié)構(gòu)，并且所述頂蓋由絕緣材料制成。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的預(yù)清洗腔室，其特征在于，所述頂蓋采用桶狀結(jié)構(gòu)，并且所述頂蓋由絕緣材料制成。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的預(yù)清洗腔室，其特征在于，在所述桶狀頂蓋的側(cè)壁內(nèi)側(cè)設(shè)置有法拉第屏蔽件，所述法拉第屏蔽件由金屬材料制成或者由表面鍍有導(dǎo)電材料的絕緣材料制成。
19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的預(yù)清洗腔室，其特征在于，所述法拉第屏蔽件在其軸向方向設(shè)有至少一個開縫。
20.根據(jù)權(quán)利要求17所述的預(yù)清洗腔室，其特征在于，所述預(yù)清洗腔室還包括電感線圈和與之依次電連接的射頻匹配器及射頻電源，其中 所述電感線圈在所述頂蓋的側(cè)壁外側(cè)環(huán)繞設(shè)置，并且所述電感線圈的匝數(shù)為一匝或多匝，且多匝線圈的直徑相同，或者由上而下依次增大； 所述射頻電源用于向所述電感線圈輸出射頻功率。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的預(yù)清洗腔室，其特征在于，所述射頻電源的頻率包括400ΚΗζ、2ΜΗζ、13.56ΜΗζ、40ΜΗζ、60ΜΗζ 或 100MHz。
22.—種等離子體加工設(shè)備，包括預(yù)清洗腔室，其特征在于，所述預(yù)清洗腔室采用權(quán)利要求1-21任一項所述預(yù)清洗腔室。
【文檔編號】C23C16/02GK104342632SQ201310341787
【公開日】2015年2月11日 申請日期:2013年8月7日 優(yōu)先權(quán)日:2013年8月7日
【發(fā)明者】陳鵬, 呂鈾, 丁培軍, 楊敬山, 邊國棟, 趙夢欣, 余清, 李偉 申請人:北京北方微電子基地設(shè)備工藝研究中心有限責(zé)任公司