一種同心環(huán)式多氣體獨(dú)立通道的噴淋結(jié)構(gòu)的制作方法
【專利摘要】一種同心環(huán)式多氣體獨(dú)立通道的噴淋結(jié)構(gòu)，主體以同心環(huán)形式均勻布置兩個(gè)分區(qū)，分別作為氣體A分區(qū)及氣體B分區(qū)獨(dú)自分區(qū)，上述氣體A、B在分區(qū)擴(kuò)散后從各自分區(qū)中的氣體出口進(jìn)入腔室。上述主體同心環(huán)的中間位置設(shè)有氣體C通道，氣體C直接從兩個(gè)通道進(jìn)入反應(yīng)腔室。由于該結(jié)構(gòu)采用平面分區(qū)方式，隔離不同的氣體路徑，來實(shí)現(xiàn)三種氣體獨(dú)立、均勻的到達(dá)基底表面進(jìn)行沉積反應(yīng)，較好地解決了氣體在進(jìn)入腔室之前已進(jìn)行接觸，不易于控制沉積的時(shí)間及特氣資源浪費(fèi)的技術(shù)問題。并可在其上安裝加熱或冷卻構(gòu)件，以滿足更嚴(yán)苛的工藝條件要求。具有結(jié)構(gòu)合理及易于推廣的特點(diǎn)。
【專利說明】一種同心環(huán)式多氣體獨(dú)立通道的噴淋結(jié)構(gòu)
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型涉及一種新型的噴淋結(jié)構(gòu)，通過平面分區(qū)方式，來實(shí)現(xiàn)三種及三種以上氣體獨(dú)立、均勻的到達(dá)基底表面進(jìn)行沉積反應(yīng)，屬于半導(dǎo)體薄膜沉積應(yīng)用及制造【技術(shù)領(lǐng)域】。
【背景技術(shù)】
[0002]半導(dǎo)體鍍膜設(shè)備在進(jìn)行沉積反應(yīng)時(shí)，一般需要一種氣體或兩種氣體，有時(shí)需要三種(或三種以上)氣體同時(shí)進(jìn)入腔室進(jìn)行薄膜沉積，要求幾種氣體路徑相互獨(dú)立，在進(jìn)入腔體前不能相遇，進(jìn)入腔室后都能均勻擴(kuò)散到基底表面。而現(xiàn)有的噴淋結(jié)構(gòu)大都是針對(duì)單獨(dú)的氣體設(shè)計(jì)的路徑，或是最多有兩種氣體路徑，并且大多結(jié)構(gòu)都只是在氣體進(jìn)口處進(jìn)行分離，在進(jìn)入腔室之前兩種氣體已進(jìn)行接觸，使沉積反應(yīng)提前進(jìn)行。這樣一來，即不易于控制沉積的時(shí)間及反應(yīng)條件，也浪費(fèi)了寶貴的不可再生的特氣資源。當(dāng)需要三種或三種以上氣體時(shí)，之前的噴淋方法已不能滿足要求。針對(duì)要求多種(三種及三種以上)氣體同時(shí)、獨(dú)立、均勻的苛刻要求，本實(shí)用新型應(yīng)運(yùn)而生。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本實(shí)用新型是以解決上述問題為目的，主要解決現(xiàn)有的噴淋結(jié)構(gòu)由于設(shè)計(jì)不夠合理，氣體在進(jìn)入腔室之前已進(jìn)行接觸，不易于控制沉積的時(shí)間及特氣資源浪費(fèi)的技術(shù)問題，而提供一種能夠滿足三種氣體同時(shí)、獨(dú)立、均勻沉積的噴淋新型結(jié)構(gòu)。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用下述技術(shù)方案:采用平面分區(qū)方式，隔離不同的氣體路徑。氣體分別從各自獨(dú)立的氣體進(jìn)口進(jìn)入，通過各自獨(dú)立的通道，到達(dá)各自分區(qū)，并從各自的分區(qū)到達(dá)腔室。彼此獨(dú)立結(jié)構(gòu)使不同氣體不會(huì)提前相遇或反應(yīng)。通過規(guī)劃不同的分區(qū)結(jié)構(gòu)及分區(qū)形式，能滿足多種氣體的分布，使氣體能均勻、快速的擴(kuò)散在腔室內(nèi)，并在基板上進(jìn)行沉積反應(yīng)。具體結(jié)構(gòu)是:主體以同心環(huán)形式均勻布置兩個(gè)分區(qū)，分別作為氣體A分區(qū)及氣體B分區(qū)獨(dú)自分區(qū)，上述氣體A、B在分區(qū)擴(kuò)散后從各自分區(qū)中的氣體出口進(jìn)入腔室。上述主體同心環(huán)的中間位置設(shè)有氣體C通道，氣體C直接從兩個(gè)通道進(jìn)入反應(yīng)腔室。
[0005]本實(shí)用新型的有益效果及特點(diǎn):由于該結(jié)構(gòu)采用平面分區(qū)方式，隔離不同的氣體路徑，來實(shí)現(xiàn)三種氣體獨(dú)立、均勻的到達(dá)基底表面進(jìn)行沉積反應(yīng)，較好地解決了氣體在進(jìn)入腔室之前已進(jìn)行接觸，不易于控制沉積的時(shí)間及特氣資源浪費(fèi)的技術(shù)問題。并可在其上安裝加熱或冷卻構(gòu)件，以滿足更嚴(yán)苛的工藝條件要求。具有結(jié)構(gòu)合理及易于推廣的特點(diǎn)。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0006]圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0007]圖中零件標(biāo)號(hào)分別代表:
[0008]1、氣體A分區(qū)；2、氣體B分區(qū)；3、氣體C通道。
[0009]下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說明?！揪唧w實(shí)施方式】
[0010]實(shí)施例
[0011]如圖1所示，一種同心環(huán)式多氣體獨(dú)立通道的噴淋結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)的主體是以同心環(huán)形式均勻布置兩個(gè)分區(qū)，分別作為氣體A分區(qū)I及氣體B分區(qū)2獨(dú)自分區(qū)。上述氣體A、B在分區(qū)擴(kuò)散后從各自分區(qū)中的氣體出口進(jìn)入腔室。上述主體同心環(huán)的中間位置設(shè)有氣體C通道3，氣體C直接從兩個(gè)通道進(jìn)入反應(yīng)腔室。
【權(quán)利要求】
1.一種同心環(huán)式多氣體獨(dú)立通道的噴淋結(jié)構(gòu)，其特征在于:主體以同心環(huán)形式均勻布置兩個(gè)分區(qū)，分別作為氣體A分區(qū)及氣體B分區(qū)獨(dú)自分區(qū)，上述氣體A、B在分區(qū)擴(kuò)散后從各自分區(qū)中的氣體出口進(jìn)入腔室，上述主體同心環(huán)的中間位置設(shè)有氣體C通道，氣體C直接從兩個(gè)通道進(jìn)入反應(yīng)腔室。
【文檔編號(hào)】C23C16/455GK203559127SQ201320686908
【公開日】2014年4月23日 申請(qǐng)日期:2013年10月31日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月31日
【發(fā)明者】凌復(fù)華, 吳鳳麗, 陳英男, 王燚, 國(guó)建花 申請(qǐng)人:沈陽拓荊科技有限公司