本發(fā)明涉及一種具有特定組成的鈀鍍液、使用該鈀鍍液得到的鈀覆膜(皮膜)，以及特別涉及一種在鎳、鎳合金、銅或銅合金覆膜上的鈀覆膜。
背景技術：
：貴金屬鍍層、特別是金鍍層具有優(yōu)異的耐腐蝕性、機械特性、電機特性等，因此被廣泛使用。特別是對于施加在鎳覆膜上的金鍍層而言，金具有優(yōu)異的耐腐蝕性、機械特性、電機特性等，鎳作為基底金屬具有優(yōu)異的耐熱性等，因此在電子電氣部件等領域被廣泛使用。近年來，為了降低生產成本，提出了將金覆膜薄膜化來降低成本，并通過在鎳與金之間形成比金便宜的鈀覆膜來補償由于金覆膜薄膜化導致的耐熱性等覆膜物性不足的方法，并進行實用化。但是，存在有時在所形成的鈀覆膜上產生針孔等不良部、無法得到所期待的耐熱性等覆膜物性的問題。為了解決該問題，專利文獻1中公開了一種鈀鍍液，其中，將鍍敷浴的pH調節(jié)為5～10，在絡合劑中合用胺化合物和氨，且鈀鍍液中配混有含有2價硫的有機化合物，并公開了下述內容：使用專利文獻1的鈀鍍液進行鍍膜加厚的情況下，該鍍膜的外觀特別良好，能夠得到裂紋少的鍍膜。此外，專利文獻2中公開了下述內容，合用分子量300～100000的高分子聚乙亞胺和不飽和烷基胺的無電解鍍鈀鍍液的浴穩(wěn)定性優(yōu)異，且能夠減少或防止所得到的鈀鍍層中產生的內部應力，并且能夠形成均勻且致密的覆膜。此外，專利文獻3中公開了下述內容，對于將鈀化合物、選自次磷酸及其鹽的還原劑或選自甲酸和甲酸鹽的還原劑合用，且由選自胺類的絡合劑和選自無機硫化合物的浴穩(wěn)定劑構成的鍍液而言，鍍覆注入時間得以改善，作為無電解鍍鈀-磷鍍液的擔心事項的鍍覆不均得以改善，能夠抑制鈀鍍覆時的鎳溶出量，對于析出的鈀覆膜而言，作為無電解純鈀覆膜的課題的高熔點錫焊安裝后的金-鈀之間的熱擴散得以改善。但是，在這些現有技術中，進一步將金薄膜化，抑制高價的金的使用量，實現成本降低，同時另一方面，對于維持具有穩(wěn)定的耐熱性能的覆膜物性而言尚不充分，需要進一步的改良?，F有技術文獻專利文獻專利文獻1：日本特開昭62-124280號公報專利文獻2：日本特開平5-039580號公報專利文獻3：日本特開2010-261082號公報技術實現要素：發(fā)明所要解決的課題本發(fā)明是鑒于上述
背景技術：
而完成的，其課題在于提供一種鈀鍍液，其中，減少在鈀覆膜上產生的針孔等不良部的產生，即使將形成在鈀覆膜上的金鍍膜薄膜化，也能夠得到與利用以往的金鍍覆膜厚形成的金鍍膜同等的耐熱性能。用于解決課題的手段為了解決上述課題，本發(fā)明人反復認真研究，結果發(fā)現若使用含有特定的吡啶鎓化合物作為必要成分的鈀鍍液來形成鈀覆膜，則能夠克服前期問題，從而解決上述課題，在維持鈀/金鍍膜所要求的耐熱特性的狀態(tài)下，實現該金膜厚的大幅薄膜化，能夠大幅降低生產成本，從而完成了本發(fā)明。即，本發(fā)明提供一種鈀鍍液，其特征在于，其含有可溶性鈀鹽以及特定吡啶鎓化合物，所述特定吡啶鎓化合物在1位氮原子上鍵合有烷基，2位至6位的1個至5個由選自由烷基、芳基、羧基、烷氧基羰基、磺基、烷氧基磺酰基、氨基、烷基氨基、二烷基氨基和氰基組成的組中的1種或2種以上的特定取代基取代。此外，本發(fā)明提供一種鈀覆膜，其特征在于，其是通過使用上述鈀鍍液，在鎳、鎳合金、銅或銅合金的覆膜上進行鈀鍍覆而得到的。此外，本發(fā)明提供一種電子部件的接點構件，其特征在于，其具有上述鈀覆膜。此外，本發(fā)明提供一種無電解鍍鈀鍍液和電解鍍鈀鍍液，其特征在于，其由上述鈀鍍液構成。發(fā)明效果根據本發(fā)明的鈀鍍液，能夠顯著減少在鈀覆膜中生成針孔等鍍覆不良部分，能夠顯著提高耐熱性能。若使用本發(fā)明的鈀鍍液形成鈀覆膜，對于在出于減少金鍍膜膜厚的相同目的下所形成的以往的鈀覆膜膜厚，即使減少該鈀覆膜的膜厚，也能夠維持優(yōu)異的耐熱特性等覆膜性能。此外，若使用本發(fā)明的鈀鍍液形成鈀覆膜，則能夠將形成在該鈀覆膜上的金鍍膜的膜厚大幅薄膜化而不會帶來耐熱性等性能下降，其結果能夠進一步實現成本大幅降低。即，能夠在維持“鈀鍍膜/金鍍膜”所要求的耐熱特性的狀態(tài)下，減少鈀覆膜的膜厚，此外，能夠顯著減少金覆膜的膜厚。因此，能夠大幅降低成本。具體實施方式以下，對本發(fā)明進行說明，但本發(fā)明不限于以下實施的具體方式，可以在技術思想的范圍中任意變形并實施。<特定吡啶鎓化合物>本發(fā)明的鈀鍍液至少含有可溶性鈀鹽作為鈀源，進一步必須含有以下所示的“特定吡啶鎓化合物”?！疤囟ㄟ拎ゆf化合物”是指，在1位氮原子上鍵合有烷基，2位至6位的1個至5個由選自由烷基、芳基、羧基、烷氧基羰基、磺基、烷氧基磺?；?、氨基、烷基氨基、二烷基氨基和氰基組成的組中的1種或2種以上的特定取代基取代的吡啶鎓化合物。在“特定吡啶鎓化合物”中，通過在氮原子上鍵合有烷基(-R1)，該氮原子具有正電荷，成為吡啶鎓化合物。在本發(fā)明中，從“與氮原子鍵合而成為吡啶鎓化合物的鍵合原子”中排除氫原子。與氮原子鍵合的鍵合原子為氫原子的情況下，難以得到上述本發(fā)明的效果。與氮原子鍵合的烷基(-R1)可以為直鏈烷基或支鏈烷基的任一種，對于碳原子數也沒有特別限定，從容易發(fā)揮上述本發(fā)明的效果、良好的鍍覆性能、獲得的容易性等方面出發(fā)，優(yōu)選碳原子數為1～5個的烷基，更優(yōu)選碳原子數為1～4個的烷基，特別優(yōu)選碳原子數為1～3個，進一步優(yōu)選碳原子數為1個或2個。若鍵合有碳原子數過多的烷基，則存在鈀覆膜的針孔增加、鈀的析出速度下降、鈀產生外觀不良、獲得困難的情況。此外，與氮原子鍵合的基團為氫原子而非烷基(-R1)的情況下，存在無法發(fā)揮上述本發(fā)明的效果的情況，特別是鈀鍍液中的鈀濃度為高濃度的情況下，在高溫度下進行鍍覆處理的情況等會產生外觀不良。本發(fā)明中的“特定吡啶鎓化合物”必須在鈀鍍液中具有上述化學結構，可以是在鈀鍍液中變化為具有上述化學結構的吡啶鎓化合物。對于鈀鍍液制液時添加的物質的化學結構沒有特別限定，優(yōu)選添加具有上述化學結構的特定吡啶鎓化合物(使用具有上述化學結構的特定吡啶鎓化合物進行制液)。對于本發(fā)明的鈀鍍液中所含的“特定吡啶鎓化合物”的陰離子沒有特別限定，具體可以舉出例如硫酸根離子、硝酸根離子、氯離子、溴離子、碘離子等。陰離子的交換(鹽交換)可以在鈀鍍液中發(fā)生，因此還可以舉出與制液時混配的(添加的)可溶性鈀鹽、還原劑、電導鹽、緩沖劑鹽等陰離子進行鹽交換的陰離子。作為鈀鍍液中的組成，上述陰離子也包含在本發(fā)明的范圍內。其中，優(yōu)選添加具有上述陰離子(硫酸根離子、硝酸根離子、氯離子、溴離子、碘離子等)的特定吡啶鎓化合物(使用具有上述陰離子(硫酸根離子、硝酸根離子、氯離子、溴離子、碘離子等)的特定吡啶鎓化合物進行制液)。本發(fā)明中的“特定吡啶鎓化合物”必須是2位至6位中的1個至5個任意個數位置由選自由烷基、芳基、羧基、烷氧基羰基、磺基、烷氧基磺?；?、氨基、烷基氨基、二烷基氨基和氰基組成的組中的1種或2種以上的取代基取代的特定吡啶鎓化合物。在本發(fā)明中，將該取代基稱為“特定取代基”。即，對于本發(fā)明中的“特定吡啶鎓化合物”，在作為6元環(huán)的吡啶環(huán)(吡啶鎓環(huán))中，氮原子為1位，因此在氮原子以外的構成環(huán)的5個碳原子上鍵合的5個氫中的1個至5個任意個數可以由不同的上述特定取代基取代。作為特定取代基的烷基可以為直鏈烷基或支鏈烷基的任一種，進一步可以具有烷基以外的取代基，對于碳原子數也沒有特別限定，為了進一步發(fā)揮本發(fā)明的所述效果，優(yōu)選碳原子數為1～6個的烷基，更優(yōu)選碳原子數為1～5個的烷基，特別優(yōu)選碳原子數1～4個的烷基，即甲基、乙基、丙基或丁基。若鍵合碳原子數過多的烷基，則存在鈀析出速度的下降、鈀覆膜產生外觀不良的情況。作為特定取代基的芳基可以具有烷基等取代基，對其沒有特別限定，具體可以舉出例如苯基、萘基、甲苯基、二甲苯基等。作為特定取代基的羧基是以“-COOH”表示的基團，“烷氧基羰基”是以“-COOR11”表示的基團，其是羧酸酯的殘基。上式中，R11表示烷基或芳基，優(yōu)選的烷基或芳基與作為所述特定取代基的烷基或芳基同樣，特別優(yōu)選甲基。作為特定取代基的磺基是以“-SO3H”表示的基團，也被稱作磺酸基。作為特定取代基的烷氧基磺?；且韵率鐾ㄊ?a)表示的基團，其是磺酸酯殘基。【化1】[通式(a)中，R12表示烷基或芳基]通式(a)中，R12表示烷基或芳基，優(yōu)選的烷基或芳基等與作為所述特定取代基的烷基或芳基同樣，進一步優(yōu)選甲基。作為特定取代基的氨基是以“-NH2”表示的基團，烷基氨基是以“-NHR13”表示的基團，二烷基氨基是以“-NR14R15”表示的基團。上式中，R13、R14、R15可以分別表示不同的烷基或芳基，優(yōu)選的烷基或芳基與作為所述特定取代基的烷基或芳基同樣，特別優(yōu)選甲基。作為特定取代基的氰基是以“-CN”表示的基團。對于上述特定取代基，在不損害本申請發(fā)明效果的范圍內，可以在上述特定取代基上進一步具有取代基，但從容易發(fā)揮所述本發(fā)明的效果、良好的鍍覆性能、獲得的容易性等方面出發(fā)，對其沒有限定，特別優(yōu)選上述特定取代基上不進一步具有取代基。作為6元環(huán)的吡啶環(huán)(吡啶鎓環(huán))的2位至6位上，在不損害本申請發(fā)明效果的范圍內，可以具有所述特定取代基以外的取代基，但從容易發(fā)揮所述本發(fā)明的效果、良好的鍍覆性能、獲得的容易性等方面出發(fā)，對于“所述特定取代基以外的取代基”沒有限定，特別優(yōu)選不具有所述特定取代基以外的取代基。從容易發(fā)揮所述本發(fā)明的效果、良好的鍍覆性能、獲得的容易性等方面出發(fā)，所述特定取代基中，特別優(yōu)選選自由烷基、羧基、烷氧基磺?；桶被M成的組中的1種或2種以上的取代基進行取代。進一步，從更好地發(fā)揮所述效果的方面出發(fā)，本發(fā)明的鈀鍍液優(yōu)選含有吡啶鎓環(huán)的2位至4位的1個至3個由1種或2種以上的上述特定取代基取代的吡啶鎓化合物。即，換言之，優(yōu)選含有吡啶鎓環(huán)的2位、3位或4位中的1個至3個任意個數的位置由1種或2種以上的上述特定取代基取代的吡啶鎓化合物。更優(yōu)選含有吡啶鎓環(huán)的2位至4位中的1個或2個(特別優(yōu)選為1個)由1種或2種(特別優(yōu)選為1種)的上述特定取代基取代的吡啶鎓化合物。吡啶鎓環(huán)上可以具有特定取代基以外的取代基，優(yōu)選不具有特定取代基以外的取代基。特別優(yōu)選的吡啶鎓化合物以下述通式(1)表示?！净?】[通式(1)中，R1表示烷基，R2、R3和R4可以相互不同，表示氫原子、烷基、芳基、羧基、烷氧基羰基、磺基、烷氧基磺?；被?、烷基氨基、二烷基氨基或氰基，其中，排除R2、R3和R4均為氫原子的情況]與氮原子鍵合的烷基(R1)可以為直鏈烷基或支鏈烷基的任一種，對于碳原子數也沒有特別限定，優(yōu)選碳原子數為1～6個的烷基，更優(yōu)選碳原子數為1～5個的烷基，特別優(yōu)選碳原子數為1～4個的烷基，即甲基、乙基、丙基或丁基。若鍵合碳原子數過多的烷基，則存在無法發(fā)揮所述本發(fā)明的效果、鈀覆膜的針孔增加、鈀的析出速度降低、鈀產生外觀不良、獲得困難的情況。此外，與氮原子鍵合的基團為氫原子而非烷基的情況下，存在無法發(fā)揮所述本發(fā)明的效果的情況，特別是鈀鍍液中的鈀濃度為高濃度的情況下，在高溫度下進行鍍覆處理的情況等會產生外觀不良。R2、R3和R4可以相互不同，表示氫原子、烷基、芳基、羧基、烷氧基羰基、磺基、烷氧基磺酰基、氨基、烷基氨基、二烷基氨基或氰基，其中，排除R2、R3和R4均為氫原子的情況。對于R2、R3和R4，作為“更優(yōu)選”、“特別優(yōu)選”等的所述“特定取代基”是在更好地發(fā)揮所述效果的方面更(特別)優(yōu)選。對于通式(1)的陰離子(反離子)沒有特別限定，具體而言，例如作為優(yōu)選的陰離子，可以舉出硫酸根離子、硝酸根離子、氯離子、溴離子、碘離子等所述陰離子。通式(1)的陰離子是將存在于本發(fā)明的鈀鍍液中的形式特定的陰離子，還優(yōu)選與制液時混配的(添加的)可溶性鈀鹽、還原劑、電導鹽、緩沖劑鹽等陰離子進行鹽交換的陰離子。但是，作為本發(fā)明的鈀鍍液制液時溶解(混配、添加)的原料的陰離子(反離子)，優(yōu)選硫酸根離子、硝酸根離子、氯離子、溴離子、碘離子等。對于上述特定吡啶鎓化合物的記載是對存在于本發(fā)明的鈀鍍液中的形式進行特定。但是，作為本發(fā)明的鈀鍍液制液時溶解的原料，優(yōu)選使用上述特定吡啶鎓化合物。通過含有特定吡啶鎓化合物，能夠實現沒有針孔的鈀覆膜。此外，通過含有特定吡啶鎓化合物，具有顯著優(yōu)于以往的鈀覆膜的高耐熱性，因此能夠將以往的鈀覆膜的膜厚大幅薄膜化，此外，能夠將形成在鈀覆膜上的金鍍膜大幅薄膜化，從而能夠實現成本大幅降低。在“針孔試驗”中，若使用能夠實現“膜厚0.03μm的鈀覆膜”且沒有針孔的鈀覆膜的本發(fā)明的鈀鍍液，則即使是比其薄的鈀覆膜，也能夠得到針孔相對較少的鈀覆膜，若是比其厚的鈀覆膜，則進一步能夠得到沒有針孔的鈀覆膜，可靠性進一步增加。此外，金覆膜通常不易形成針孔，鈀覆膜通常容易形成針孔。因此，若使用不易形成針孔的本發(fā)明的鈀鍍液，則無需用金覆膜覆蓋鈀覆膜的針孔，能夠降低金覆膜的膜厚，從而能夠降低成本。在本發(fā)明中，“針孔試驗”將在后文中描述，從“試驗開始”至“試驗開始后5分鐘”的所有期間，提供通電電流小的鈀覆膜的鈀鍍液作為優(yōu)異的鈀鍍液，其間，將提供通電電流始終為100μA以下那樣的覆膜物性的鈀鍍液作為優(yōu)異的鈀鍍液。在本發(fā)明中，“耐熱性”利用實施例記載的方法進行評價，以如此進行評價的方式進行定義?！澳蜔嵝浴笔请娮硬考慕狱c構件必須的性能。電子部件的接點構件需要用焊錫接合、引線接合與其他構件接合，該接合工序中必然包括從100℃至300℃的加熱工序，此外，該加熱工序也大多是存在多次而非1次。利用該加熱工序，銅、銅合金、鎳、鎳合金等金屬發(fā)生氧化，成為焊錫接合不良、接觸電阻的上升、引線接合接合不良之類的不良現象產生的原因。因此，出于防止該銅、鎳等的氧化的目的，實施金鍍覆、鈀鍍覆等貴金屬鍍覆形成表面保護層很重要。但是，即使形成金鍍膜、鈀鍍膜等貴金屬鍍膜，若在貴金屬鍍膜上存在針孔，則由于上述加熱工序，作為貴金屬鍍膜基底的銅、鎳等從該針孔擴散至最表面并發(fā)生氧化，有時施加貴金屬鍍膜的效果會消失。因此，對于電子部件的接點構件，貴金屬鍍膜中的針孔的存在成為其是否具有耐熱性的指標。金鍍膜、鈀鍍膜等貴金屬鍍膜的針孔少表示具有優(yōu)異的“耐熱性”。作為上述特定吡啶鎓化合物優(yōu)選的具體例，可以舉出例如：1-甲基-2-甲基吡啶鎓、1-甲基-2-乙基吡啶鎓、1-甲基-2-丁基吡啶鎓、1-甲基-2-磺基吡啶鎓、1-甲基-2-甲氧基磺?；拎ゆf、1-甲基-2-氨基吡啶鎓、1-甲基-2-羧基吡啶鎓、1-甲基-2-甲氧基羰基吡啶鎓、1-甲基-2-苯基吡啶鎓、1-甲基-2-氰基吡啶鎓等2位取代的甲基吡啶鎓；1-乙基-2-甲基吡啶鎓、1-乙基-2-乙基吡啶鎓、1-乙基-2-丁基吡啶鎓、1-乙基-2-磺基吡啶鎓、1-乙基-2-甲氧基磺?；拎ゆf、1-乙基-2-氨基吡啶鎓、1-乙基-2-羧基吡啶鎓、1-乙基-2-甲氧基羰基吡啶鎓、1-乙基-2-苯基吡啶鎓、1-乙基-2-氰基吡啶鎓等2位取代的乙基吡啶鎓；1-丙基-2-甲基吡啶鎓、1-丙基-2-乙基吡啶鎓、1-丙基-2-丁基吡啶鎓、1-丙基-2-磺基吡啶鎓、1-丙基-2-甲氧基磺?；拎ゆf、1-丙基-2-氨基吡啶鎓、1-丙基-2-羧基吡啶鎓、1-丙基-2-甲氧基羰基吡啶鎓、1-丙基-2-苯基吡啶鎓、1-丙基-2-氰基吡啶鎓等2位取代的丙基吡啶鎓；1-丁基-2-甲基吡啶鎓、1-丁基-2-乙基吡啶鎓、1-丁基-2-丁基吡啶鎓、1-丁基-2-磺基吡啶鎓、1-丁基-2-甲氧基磺?；拎ゆf、1-丁基-2-氨基吡啶鎓、1-丁基-2-羧基吡啶鎓、1-丁基-2-甲氧基羰基吡啶鎓、1-丁基-2-苯基吡啶鎓、1-丁基-2-氰基吡啶鎓等2位取代的丁基吡啶鎓；1-甲基-3-甲基吡啶鎓、1-甲基-3-乙基吡啶鎓、1-甲基-3-丁基吡啶鎓、1-甲基-3-磺基吡啶鎓、1-甲基-3-甲氧基磺酰基吡啶鎓、1-甲基-3-氨基吡啶鎓、1-甲基-3-羧基吡啶鎓、1-甲基-3-甲氧基羰基吡啶鎓、1-甲基-3-苯基吡啶鎓、1-甲基-3-氰基吡啶鎓等3位取代的甲基吡啶鎓；1-乙基-3-甲基吡啶鎓、1-乙基-3-乙基吡啶鎓、1-乙基-3-丁基吡啶鎓、1-乙基-3-磺基吡啶鎓、1-乙基-3-甲氧基磺?；拎ゆf、1-乙基-3-氨基吡啶鎓、1-乙基-3-羧基吡啶鎓、1-乙基-3-甲氧基羰基吡啶鎓、1-乙基-3-苯基吡啶鎓、1-乙基-3-氰基吡啶鎓等3位取代的乙基吡啶鎓；1-丙基-3-甲基吡啶鎓、1-丙基-3-乙基吡啶鎓、1-丙基-3-丁基吡啶鎓、1-丙基-3-磺基吡啶鎓、1-丙基-3-甲氧基磺?；拎ゆf、1-丙基-3-氨基吡啶鎓、1-丙基-3-羧基吡啶鎓、1-丙基-3-甲氧基羰基吡啶鎓、1-丙基-3-苯基吡啶鎓、1-丙基-3-氰基吡啶鎓等3位取代的丙基吡啶鎓；1-丁基-3-甲基吡啶鎓、1-丁基-3-乙基吡啶鎓、1-丁基-3-丁基吡啶鎓、1-丁基-3-磺基吡啶鎓、1-丁基-3-甲氧基磺?；拎ゆf、1-丁基-3-氨基吡啶鎓、1-丁基-3-羧基吡啶鎓、1-丁基-3-甲氧基羰基吡啶鎓、1-丁基-3-苯基吡啶鎓、1-丁基-3-氰基吡啶鎓等3位取代的丁基吡啶鎓；1-甲基-4-甲基吡啶鎓、1-甲基-4-乙基吡啶鎓、1-甲基-4-丁基吡啶鎓、1-甲基-4-磺基吡啶鎓、1-甲基-4-甲氧基磺酰基吡啶鎓、1-甲基-4-氨基吡啶鎓、1-甲基-4-羧基吡啶鎓、1-甲基-4-甲氧基羰基吡啶鎓、1-甲基-4-苯基吡啶鎓、1-甲基-4-氰基吡啶鎓等4位取代的甲基吡啶鎓；1-乙基-4-甲基吡啶鎓、1-乙基-4-乙基吡啶鎓、1-乙基-4-丁基吡啶鎓、1-乙基-4-磺基吡啶鎓、1-乙基-4-甲氧基磺?；拎ゆf、1-乙基-4-氨基吡啶鎓、1-乙基-4-羧基吡啶鎓、1-乙基-4-甲氧基羰基吡啶鎓、1-乙基-4-苯基吡啶鎓、1-乙基-4-氰基吡啶鎓等4位取代的乙基吡啶鎓；1-丙基-4-甲基吡啶鎓、1-丙基-4-乙基吡啶鎓、1-丙基-4-丁基吡啶鎓、1-丙基-4-磺基吡啶鎓、1-丙基-4-甲氧基磺酰基吡啶鎓、1-丙基-4-氨基吡啶鎓、1-丙基-4-羧基吡啶鎓、1-丙基-4-甲氧基羰基吡啶鎓、1-丙基-4-苯基吡啶鎓、1-丙基-4-氰基吡啶鎓等4位取代的丙基吡啶鎓；1-丁基-4-甲基吡啶鎓、1-丁基-4-乙基吡啶鎓、1-丁基-4-丁基吡啶鎓、1-丁基-4-磺基吡啶鎓、1-丁基-4-甲氧基磺?；拎ゆf、1-丁基-4-氨基吡啶鎓、1-丁基-4-羧基吡啶鎓、1-丁基-4-甲氧基羰基吡啶鎓、1-丁基-4-苯基吡啶鎓、1-丁基-4-氰基吡啶鎓等4位取代的丁基吡啶鎓；等。這些特定吡啶鎓化合物從容易發(fā)揮所述本發(fā)明的效果、以及良好的鈀鍍覆性能、對水的溶解的容易性、獲得的容易性、低成本等觀點出發(fā)也是優(yōu)選的。從上述方面等出發(fā)，作為這些之中特別優(yōu)選的具體例，可以舉出：1-甲基-2-甲基吡啶鎓、1-甲基-2-乙基吡啶鎓、1-甲基-2-丁基吡啶鎓、1-甲基-2-磺基吡啶鎓、1-甲基-2-甲氧基磺?；拎ゆf、1-甲基-2-氨基吡啶鎓、1-甲基-2-羧基吡啶鎓等2位取代的甲基吡啶鎓；1-乙基-2-甲基吡啶鎓、1-乙基-2-乙基吡啶鎓、1-乙基-2-丁基吡啶鎓、1-乙基-2-磺基吡啶鎓、1-乙基-2-甲氧基磺?；拎ゆf、1-乙基-2-氨基吡啶鎓、1-乙基-2-羧基吡啶鎓等2位取代的乙基吡啶鎓；1-甲基-3-甲基吡啶鎓、1-甲基-3-乙基吡啶鎓、1-甲基-3-丁基吡啶鎓、1-甲基-3-磺基吡啶鎓、1-甲基-3-甲氧基磺酰基吡啶鎓、1-甲基-3-氨基吡啶鎓、1-甲基-3-羧基吡啶鎓等3位取代的甲基吡啶鎓；1-乙基-3-甲基吡啶鎓、1-乙基-3-乙基吡啶鎓、1-乙基-3-丁基吡啶鎓、1-乙基-3-磺基吡啶鎓、1-乙基-3-甲氧基磺酰基吡啶鎓、1-乙基-3-氨基吡啶鎓、1-乙基-3-羧基吡啶鎓等3位取代的乙基吡啶鎓；1-甲基-4-甲基吡啶鎓、1-甲基-4-乙基吡啶鎓、1-甲基-4-丁基吡啶鎓、1-甲基-4-磺基吡啶鎓、1-甲基-4-甲氧基磺?；拎ゆf、1-甲基-4-氨基吡啶鎓、1-甲基-4-羧基吡啶鎓等4位取代的甲基吡啶鎓；1-乙基-4-甲基吡啶鎓、1-乙基-4-乙基吡啶鎓、1-乙基-4-丁基吡啶鎓、1-乙基-4-磺基吡啶鎓、1-乙基-4-甲氧基磺酰基吡啶鎓、1-乙基-4-氨基吡啶鎓、1-乙基-4-羧基吡啶鎓等4位取代的乙基吡啶鎓；等。這些特定吡啶鎓化合物作為從更容易發(fā)揮所述本發(fā)明的效果、以及良好的鈀鍍覆性能、對水的溶解的容易性、獲得的容易性、低成本等觀點出發(fā)特別優(yōu)選的示例進行列舉。在本發(fā)明中，對于特定吡啶鎓化合物的含量沒有特別限定，相對于鈀鍍液整體，以質量計，優(yōu)選為1ppm～50000ppm，更優(yōu)選為10ppm～30000ppm，特別優(yōu)選為20ppm～10000ppm，進一步優(yōu)選為50ppm～5000ppm，最優(yōu)選為100ppm～3000ppm。需要說明的是，含有2種以上的上述特定吡啶鎓化合物時，上述數值表示它們的總含量。鈀鍍液中的特定吡啶鎓化合物的含量過少時，難以發(fā)揮所述本發(fā)明的效果，存在在鈀覆膜上生成的針孔數量(密度)增加、鈀覆膜產生外觀不良的情況。另一方面，含量過多時，無法期待本發(fā)明的上述效果進一步增加，存在不經濟的情況。對于上述特定吡啶鎓化合物的記載是對存在于本發(fā)明的鈀鍍液中的形式進行特定，但作為本發(fā)明的鈀鍍液制液時溶解的原料，優(yōu)選使用上述特定吡啶鎓化合物。<可溶性鈀鹽>本發(fā)明的鈀鍍液必須含有可溶性鈀鹽。該可溶性鈀鹽作為本發(fā)明的鈀鍍液的鈀源使用?？扇苄遭Z鹽不限于使用1種，可以合用2種以上。“可溶性”的意思是可溶于水。作為該可溶性鈀鹽，對其沒有特別限定，可以使用公知的可溶性鈀鹽，作為從對水的溶解性、獲得的容易性等出發(fā)優(yōu)選的示例，具體可以舉出例如氯化鈀、硫酸鈀、乙酸鈀、硝酸鈀、氧化鈀、二氯四氨絡鈀、二硝基二氨絡鈀、二氯二亞乙基二胺鈀、四(三苯基膦)鈀、二氯雙(三苯基膦)鈀和/或雙(乙酰丙酮)鈀。其中，從通過以水溶液進行供給，補充鈀鹽時不費工夫等方面出發(fā)，更優(yōu)選二氯四氨絡鈀或二硝基二氨絡鈀。進一步從同樣的觀點出發(fā)，特別優(yōu)選二氯四氨絡鈀。對于本發(fā)明的鈀鍍液中的該鈀鹽的含量沒有特別限定，相對于鈀鍍液整體，以金屬鈀計，通常為0.001g/L～50g/L，優(yōu)選為0.005g/L～30g/L，特別優(yōu)選為0.01g/L～20g/L。鈀鍍液中的可溶性鈀鹽的含量過少時，存在難以形成正常的均勻色調的鈀覆膜的情況。即，目視觀察鈀覆膜的顏色、勻鍍能力時，存在發(fā)現鈀的析出異常的情況。另一方面，鈀鍍液中的鈀鹽的含量過多的情況下，作為鈀鍍液的性能沒有特別問題，但鈀鹽非常高價，以含有在鈀鍍液中的狀態(tài)保存存在不經濟的情況。對于上述鈀鹽的記載是對存在于本發(fā)明的鈀鍍液中的形式進行特定，但作為本發(fā)明的鈀鍍液制液時溶解的原料，優(yōu)選使用上述鈀鹽。<還原劑>除了可溶性鈀鹽、特定吡啶鎓化合物之外，本發(fā)明的鈀鍍液優(yōu)選進一步含有還原劑。作為該還原劑，特別優(yōu)選次磷酸、次磷酸鹽、亞磷酸、亞磷酸鹽、甲酸、甲酸鹽、甲醛等。上述還原劑不限于使用1種，可以合用2種以上。對于上述還原劑，作為從良好的鈀鍍覆性能、對水的溶解的容易性、作為化學藥品的操作的容易性、獲得的容易性、低成本等觀點出發(fā)優(yōu)選的示例，具體可以舉出例如次磷酸、次磷酸鈉、次磷酸鉀、次磷酸銨、亞磷酸、亞磷酸鈉、亞磷酸鉀、亞磷酸銨、甲酸、甲酸鈉、甲酸鉀、甲酸銨、甲醛等。對于本發(fā)明的鈀鍍液中的上述還原劑的含量沒有特別限定，相對于鈀鍍液整體，優(yōu)選為1ppm～100000ppm，更優(yōu)選為10ppm～60000ppm，特別優(yōu)選為50ppm～30000ppm，進一步優(yōu)選為100ppm～10000ppm。需要說明的是，使用2種以上還原劑時，上述數值表示它們的總含量。含量過少時，存在難以形成正常的均勻色調的鈀覆膜的情況。即，目視觀察鈀覆膜的顏色、勻鍍能力時，存在發(fā)現鈀的析出異常的情況。另一方面，含量過多時，鈀鍍浴不穩(wěn)定，保存容器中會異常析出高價的鈀，從而存在回收鈀需要多余的成本、引起鈀覆膜的色調不良的情況。<其他添加劑>除了上述成分以外，本發(fā)明的鈀鍍液中可以根據需要適當含有并使用下述物質：用于將鈀鍍液的pH保持恒定的緩沖劑、用于確保鈀鍍液的導電性的電導鹽、在鈀鍍液中混入雜質金屬的情況下用于除去該影響的金屬離子封鎖劑、用于使鈀鍍液的去泡良好的表面活性劑、用于使鈀覆膜平滑的光澤劑等。作為本發(fā)明的鈀鍍液中根據需要含有的緩沖劑，只要為周知的緩沖劑，則對其沒有特別限定，作為優(yōu)選的示例，可以舉出硼酸、磷酸等無機酸；檸檬酸、酒石酸、蘋果酸等氧基羧酸；等。這些可以使用1種或混合2種以上使用。對于本發(fā)明的鈀鍍液中的緩沖劑的含量沒有特別限定，相對于鈀鍍液整體，通常為1g/L～500g/L，優(yōu)選為10g/L～100g/L。鈀鍍液中的緩沖劑的含量過少時，存在難以發(fā)揮緩沖效果的情況，另一方面，過多的情況下，未發(fā)現緩沖效果上升，存在不經濟的情況。作為本發(fā)明的鈀鍍液中根據需要含有的電導鹽，只要為周知的電導鹽，則對其沒有特別限定，作為優(yōu)選的示例，可以舉出硫酸鹽、硝酸鹽、磷酸鹽等無機酸鹽；草酸、琥珀酸、戊二酸、丙二酸、檸檬酸、酒石酸、蘋果酸等羧酸；等。這些可以使用1種或混合2種以上使用。對于本發(fā)明的鈀鍍液中的電導鹽的含量沒有特別限定，相對于鈀鍍液整體，通常為1g/L～500g/L，優(yōu)選為10g/L～100g/L。鈀鍍液中的電導鹽的含量過少時，存在難以發(fā)揮電導效果的情況，另一方面，過多的情況下，未發(fā)現電導效果上升，存在不經濟的情況。此外，也可以共用與所述緩沖劑相同的成分。作為本發(fā)明的鈀鍍液中根據需要含有的金屬離子封鎖劑，只要為周知的金屬離子封鎖劑，則對其沒有特別限定，作為優(yōu)選的示例，可以舉出亞氨基二乙酸、次氮基三乙酸、乙二胺四乙酸等氨基羧酸系螯合劑；羥基亞乙基二膦酸、次氮基亞甲基膦酸、乙二胺四亞甲基膦酸等膦酸系螯合劑；等。這些可以使用1種或混合2種以上使用。對于本發(fā)明的鈀鍍液中的金屬離子封鎖劑的含量沒有特別限定，相對于鈀鍍液整體，通常為0.1g/L～100g/L，優(yōu)選為0.5g/L～50g/L。鈀鍍液中的金屬離子封鎖劑的含量過少時，存在難以發(fā)揮除去雜質金屬影響的效果的情況，另一方面，過多的情況下，未發(fā)現除去雜質金屬影響的效果上升，存在不經濟的情況。作為本發(fā)明的鈀鍍液中根據需要含有的表面活性劑，只要為周知的表面活性劑，則對其沒有特別限定，可以使用非離子系表面活性劑、陰離子系表面活性劑、兩性表面活性劑或陽離子系表面活性劑。這些可以使用1種或混合2種以上使用。對于非離子系表面活性劑，作為優(yōu)選的示例，可以舉出壬基酚聚烷氧基化物、α-萘酚聚烷氧基化物、二丁基-β-萘酚聚烷氧基化物、苯乙烯化酚聚烷氧基化物等醚型非離子系表面活性劑；辛胺聚烷氧基化物、己炔胺聚烷氧基化物、亞油胺聚烷氧基化物等胺型非離子系表面活性劑；等。對于陰離子系表面活性劑，作為優(yōu)選的示例，可以舉出月桂基硫酸鈉等烷基硫酸鹽；聚氧乙烯壬基醚硫酸鈉等聚氧乙烯烷基醚硫酸鹽；聚氧乙烯烷基苯基醚硫酸鹽；烷基苯磺酸鹽；等。對于兩性表面活性劑，作為優(yōu)選的示例，可以舉出2-十一烷基-1-羧甲基-1-羥乙基咪唑鎓、N-硬脂基-N,N-羧甲基甜菜、月桂基二甲基氧化胺等。對于陽離子系表面活性劑，作為優(yōu)選的示例，可以舉出月桂基三甲基銨鹽、月桂基二甲基銨甜菜、月桂基吡啶鎓鹽、油基咪唑鎓鹽或硬脂基胺乙酸鹽等。這些表面活性劑可以使用1種或混合2種以上使用。優(yōu)選非離子系表面活性劑或兩性表面活性劑。相對于鈀鍍液整體，本發(fā)明的鈀鍍液中的表面活性劑的含量優(yōu)選為0.01g/L～20g/L，發(fā)揮所期望的性能即可，對其含量沒有特別限定。作為本發(fā)明的鈀鍍液中根據需要含有的光澤劑，只要為周知的光澤劑，則對其沒有特別限定，可以舉出在鈀鍍覆中無法成為本發(fā)明中的特定吡啶鎓化合物的“具有吡啶骨架的胺化合物”等。這些可以使用1種或混合2種以上使用。作為具有吡啶骨架的胺化合物，可以舉出2-氨基吡啶、3-氨基吡啶、4-氨基吡啶等。相對于鈀鍍液整體，本發(fā)明的鈀鍍液中的光澤劑的含量優(yōu)選為0.01g/L～20g/L，發(fā)揮所期望的性能即可，對其含量沒有特別限定。<鈀鍍液的物性>本發(fā)明的鈀鍍液提供下述那樣的覆膜物性作為鈀鍍液的物性，將使用鈀鍍液按照鈀覆膜的膜厚為0.03μm的方式進行鍍覆處理的基材浸漬于5質量％硫酸水溶液中，在恒定電壓300mV進行針孔試驗時，從試驗開始至試驗開始后5分鐘的所有期間，通電電流均為100μA以下。具有該物性的鈀鍍液是利用所述組成的鈀鍍液首次實現的新穎的鈀鍍液。本發(fā)明的鈀鍍液優(yōu)選具有下述那樣的物性作為鈀鍍液的物性，將在銅板上按照無電解鍍鎳膜5μm、鈀覆膜膜厚為0.03μm的方式進行鍍覆處理的銅板基材浸漬于5質量％硫酸溶液中，在電壓300mV進行針孔試驗的情況下，從試驗開始至5分鐘的期間，流通的電流不大于100μA。本發(fā)明的“針孔試驗”是指，將利用常規(guī)方法進行無電解鍍鎳處理，然后在經鈀鍍覆處理的銅板材去除銅，開口呈口徑10mm的圓狀，以此作為陽極，將銅材作為陰極，浸漬于5質量％硫酸溶液中，持續(xù)施加300mV的電壓，對通電的電流值進行觀察的試驗。若在鈀覆膜上生成針孔等不良部，則從作為陽極的鈀覆膜的針孔溶解出鎳離子、銅離子，流通的電流值顯示出較大的值。此外，與在鈀覆膜上未生成針孔等不良部的評價用樣品相比時，電流較早地開始流通。上述物性的限定是對鈀鍍液的物性進行限定，不是對該鈀鍍液的使用方法進行限定。利用該鈀鍍液實際形成的鈀覆膜無需為0.03μm，使用本發(fā)明的鈀鍍液，可以形成例如膜厚小于0.03μm的鈀覆膜，也可以形成膜厚厚于0.03μm的鈀覆膜。實施本發(fā)明的針孔試驗的情況下，在鈀鍍覆膜厚為0.05μm以下的鈀膜厚中(甚至在0.03μm以下的鈀膜厚中)，從試驗開始至“試驗開始后5分鐘”的期間，流通的電流不大于100μA。以往不存在具有這樣物性的鈀鍍液。<鈀鍍液的制造方法>對于本發(fā)明的鈀鍍液的制造方法沒有特別限定，包括各成分的混配順序等，可以使用公知的方法。<鈀覆膜>通過使用本發(fā)明的鈀鍍液進行鈀鍍覆而得到的鈀覆膜起到所述效果。對于本發(fā)明的鈀覆膜中的鈀濃度(鈀純度)沒有特別限定，相對于“鈀覆膜”整體，鈀優(yōu)選為90質量％以上，特別優(yōu)選為95.0質量％～99.9質量％。<鈀鍍覆的條件>對于上述本發(fā)明的鈀鍍液的鍍覆條件沒有特別限定，作為溫度條件，優(yōu)選為20℃～90℃，特別優(yōu)選為30℃～70℃。此外，鍍液的pH優(yōu)選為pH2.0～9.0，特別優(yōu)選為pH3.0～8.0。對于通過使用本發(fā)明的鈀鍍液進行鈀鍍覆而得到的鈀覆膜的膜厚沒有特別限定，優(yōu)選為0.0001μm～5μm，更優(yōu)選為0.001μm～1μm，特別優(yōu)選為0.005μm～0.5μm，進一步優(yōu)選為0.01μm～0.3μm。使用以往的鈀鍍液制作的鈀鍍膜的膜厚根據用途而不同，連接器的情況下，通常為0.01μm～0.5μm。使用本發(fā)明的鈀鍍液制作的鈀鍍膜即使將膜厚減少至以往的30％～60％的范圍時，也能夠得到幾乎同等的針孔試驗、耐熱性的結果。使用本發(fā)明的鈀鍍液在鎳、鎳合金、銅或銅合金的覆膜上進行鈀鍍覆而得到的鈀覆膜起到所述效果，因此優(yōu)選。其中，從耐熱性、沒有混入至鈀鍍覆而帶來不良影響的可能性等方面出發(fā)，更優(yōu)選在鎳或鎳合金的覆膜上，特別優(yōu)選在鎳覆膜上。<鈀鍍液的用途和層積的整體的鍍膜>對于本發(fā)明的鈀鍍液沒有特別限定，進一步優(yōu)選用于電子部件的接點構件的制造。因此，使用本發(fā)明的鈀鍍液進行鈀鍍覆時，進一步優(yōu)選采用基底鍍覆處理形成鎳鍍膜。對于此時的鎳鍍液沒有特別限定，優(yōu)選通常實用的無電解鎳液，特別優(yōu)選無電解鎳-磷液。對于鎳鍍液的使用方法沒有特別限定，按照常規(guī)方法進行使用。對于該鎳鍍膜的膜厚沒有特別限定，優(yōu)選為0.01μm～20μm，特別優(yōu)選為0.05μm～5μm。本發(fā)明的鈀鍍液優(yōu)選用于基底的鈀覆膜形成用，所述基底的鈀覆膜用于在鈀覆膜上進行金鍍覆而形成金覆膜。對于該金鍍膜的膜厚沒有特別限定，優(yōu)選為0.0001μm～5μm，更優(yōu)選為0.001μm～1μm，特別優(yōu)選為0.01μm～0.5μm。本發(fā)明優(yōu)選的覆膜的方式是在鈀覆膜上施加有金覆膜的方式，特別優(yōu)選的方式是在鎳覆膜上施加有鈀覆膜，且在其上施加有金覆膜的方式。在使用以往的鈀鍍液制作的鈀鍍膜上形成的金覆膜的膜厚根據用途而不同，連接器的情況下，通常為0.05μm～0.2μm。對于在使用本發(fā)明的鈀鍍液制作的鈀鍍膜上形成的金覆膜的膜厚，即使將膜厚減少至以往的20％～60％的范圍時，也能夠得到幾乎同等的針孔試驗、耐熱性的結果。本發(fā)明的所述鈀鍍液可以用作無電解鍍鈀鍍液，也可以用作電解鍍鈀鍍液。即，本發(fā)明是由所述鈀鍍液構成的無電解鍍鈀鍍液，也是由所述鈀鍍液構成的電解鍍鈀鍍液。所述的“特定吡啶鎓化合物”無論含有在無電解鍍鈀鍍液中，還是含有在電解鍍鈀鍍液中，均發(fā)揮所述的效果。所述的可溶性鈀鹽、特定吡啶鎓化合物、緩沖劑、電導鹽、金屬離子封鎖劑、表面活性劑、還原劑和光澤劑中，無電解鍍鈀鍍液以可溶性鈀鹽、特定吡啶鎓化合物和還原劑作為必須成分，以緩沖劑、金屬離子封鎖劑、表面活性劑和/或光澤劑作為優(yōu)選含有成分。此外，電解鍍鈀鍍液以可溶性鈀鹽、特定吡啶鎓化合物和電導鹽作為必須成分，以緩沖劑、金屬離子封鎖劑、表面活性劑和/或光澤劑作為優(yōu)選含有成分。無電解鍍鈀鍍液、電解鍍鈀鍍液各自成分的含量均優(yōu)選(更優(yōu)選、特別優(yōu)選)所述的范圍。無電解鍍鈀的情況下，按照常規(guī)方法進行即可，對其沒有特別限定，液溫優(yōu)選為30℃～90℃，特別優(yōu)選為40℃～80℃。此外，對時間進行適當調整使其成為所述的鈀膜厚。電解鍍鈀的情況下，按照常規(guī)方法進行即可，對其沒有特別限定，液溫優(yōu)選為30℃～90℃，特別優(yōu)選為40℃～80℃。此外，電流密度優(yōu)選為0.1A/dm2～100A/dm2，特別優(yōu)選為0.5A/dm2～50A/dm2。此外，對時間進行適當調整使其成為所述的鈀膜厚。<作用、原理>本發(fā)明的鈀鍍液能夠形成針孔等不良部分顯著減少的鈀覆膜的作用、原理并不明確，但考慮如下。但是，本發(fā)明不限于以下的作用、原理成立的范圍。據認為作為本發(fā)明的鈀鍍液的必須成分的特定吡啶鎓化合物具有一種作為結晶調整劑的效果。想要利用鍍覆反應形成鈀覆膜時，鈀覆膜不進行任何控制地成長時，成長為非常粗糙的覆膜。粗糙的覆膜是指存在凹凸的覆膜。據認為該凸部分選擇性吸附“特定吡啶鎓化合物”，阻礙成長。在鍍覆成長快的凸部分，鍍覆成長被阻礙，由此能夠促進對凹部分的鍍覆反應，進行凹部分填埋，結果能夠形成沒有凹凸的鍍膜。沒有凹部分的鍍膜是利用鈀覆膜均勻覆蓋基底金屬，從而針孔顯著減少的鈀覆膜。實施例以下，列舉實施例和比較例，對本發(fā)明進行更具體的說明，但只要不超過其要點，本發(fā)明不限于這些實施例。此外，對于鈀鍍液的組成中的濃度的數值，其成分含有結晶水的情況下，是由不加入結晶水的質量求出的濃度的數值。只要沒有特別記載，含量中涉及的“％”表示“質量％”，“ppm”表示“質量ppm”。此外，耐熱性的評價方法中的鎳和銅的“％”表示“atm％(原子基準濃度)”。實施例1～8、比較例1～7<無電解鍍鈀鍍液的評價>相對于鈀鍍液整體，按照二氯四氨絡鈀溶液以鈀換算為1g/L、表1所示的各實施例和各比較例中記載的特定吡啶鎓化合物或其比較化合物分別為1000ppm、作為還原劑的甲酸為1000ppm和作為兼作電導鹽和緩沖劑的成分的檸檬酸為100g/L的方式進行溶解，將pH調節(jié)為6.5，制作無電解鍍鈀鍍液。但是，比較例7既不含有特定吡啶鎓化合物，也不含有比較化合物。作為“比較化合物”，使用吡啶、吡啶-3-磺酸、甲基吡啶、喹啉磺酸、2,3-二氨基吡啶、3-(3-吡啶基)丙烯酸。此外，作為比較例7，也對既不含有“特定吡啶鎓化合物”也不含有“比較化合物”而同樣制備的鈀鍍液進行評價。無電解鍍鈀鍍液的pH利用20質量％氫氧化鉀水溶液和檸檬酸進行調節(jié)，鈀鍍液的浴溫設定為70℃，進行以下記載的評價?！颈?】No.特定吡啶鎓化合物比較化合物實施例11-甲基-3-羧基吡啶鎓鹽酸鹽-實施例21-甲基-2-氨基吡啶鎓鹽酸鹽-實施例31-乙基-2-氨基吡啶鎓鹽酸鹽-實施例41-甲基-2-羧基吡啶鎓鹽酸鹽-實施例51-乙基-2-羧基吡啶鎓鹽酸鹽-實施例61-甲基-4-氨基吡啶鎓鹽酸鹽-實施例71-甲基-4-羧基吡啶鎓鹽酸鹽-實施例81-乙基-3-羧基吡啶鎓鹽酸鹽-比較例1-吡啶比較例2-吡啶-3-磺酸比較例3-甲基吡啶比較例4-喹啉磺酸比較例5-2,3-二氨基吡啶比較例6-3-(3-吡啶基)丙烯酸比較例7--<試驗用(評價用)的鈀覆膜的形成方法>使用各實施例和各比較例中制備的鈀鍍液，利用表2所示的工序，在10mm×10mm的銅板上的無電解鎳鍍膜5.0μm上實施鍍敷，其中，在30秒～3分鐘的范圍調整無電解鈀鍍覆處理的時間，使鈀覆膜的膜厚為0.03μm。需要說明的是，對于無電解鎳鍍膜，使用“無電解鍍鎳鍍液ICPNICORONGM”(商品名)(奧野制藥工業(yè)株式會社制)，按照常規(guī)方法進行鍍覆處理，形成為膜厚5.0μm。【表2】<針孔試驗的方法>如上所述，將形成在銅板上的鎳鍍膜上的膜厚為0.03μm的鈀覆膜浸漬在5質量％硫酸水溶液中，使用POTENTIONSTAT/GALVANOSTAT(北斗電工株式會社制)，始終施加恒定電壓300mV。對自試驗開始起1分鐘、3分鐘、5分鐘的電流值(μA)進行測定。若存在針孔，則電流值增大。因此，從試驗開始至“試驗開始起5分鐘”的期間，通電電流始終為100μA以下的情況下，判定為優(yōu)異的鈀鍍液，通電電流更小的情況下，判定為更優(yōu)異的鈀鍍液。<鈀覆膜的外觀(色調均勻性)的評價方法>如上所述，對于形成在銅板上的鎳鍍膜上的膜厚為0.03μm的鈀覆膜，從該鈀覆膜的正上方30cm處目視觀察，觀察鈀覆膜表面的色調。由于基底金屬為鎳，色調相似而難以判定，但未形成均勻的鈀覆膜的情況下，能夠觀察到大小0.5mm～3mm的程度的斑駁圖案(不均)，因此將完全沒有觀察到該斑駁圖案(不均)的鈀鍍液判定為優(yōu)異的鈀鍍液，僅觀察到更少的斑駁圖案(不均)的情況下，判定為更優(yōu)異的鈀鍍液。<鈀覆膜的膜厚的測定方法>在施加有鈀鍍覆的鈀覆膜的中心附近，使用熒光X射線分析裝置(SeikoInstrument株式會社制、SFT9255)，按照常規(guī)方法，對鈀覆膜的膜厚進行測定。<耐熱性的評價方法>利用與針孔試驗用中制作的評價用樣品同樣的工序，在銅板上的鎳鍍膜上以膜厚0.03μm形成鈀覆膜，制作評價用樣品。在鈀覆膜上施加金覆膜的情況下，形成鈀覆膜后，按照常規(guī)方法以規(guī)定的膜厚形成金覆膜，制作評價用樣品。將該評價用樣品在箱內調整為200℃的烘箱中加熱15小時。使用表面俄歇(Auger)：SAM-4300(ULVAC-PHI株式會社制)，在加速電壓5kV對加熱后的評價用樣品的表面進行測定。將滿足鎳小于10％且銅小于0.5％的評價用樣品和鈀鍍液判定為“良品”，將鎳、銅的任一個在上述規(guī)定值以上的評價用樣品和鈀鍍液判定為“不良品”?！颈?】由表3可知，使用本發(fā)明的無電解鍍鈀鍍液時，在針孔試驗中，從試驗開始至“試驗開始后5分鐘”的時間，流通的電流始終不大于100μA，且在鈀覆膜的目視的外觀上沒有觀察到斑駁圖案、不均，色調均勻性良好，沒有發(fā)現鈀的析出異常。此外，在耐熱性試驗中，鎳均小于10％，且銅均小于0.5％，所有判定為“良品”。另一方面，在不含有特定吡啶鎓化合物的電解鍍鈀鍍液中，針孔試驗結果或鈀覆膜的外觀(色調均勻性)的任一方或兩方較差。此外，在耐熱性試驗中，鎳均為10％以上，所有判定為“不良品”。實施例11～18制作與實施例1～8中使用的評價用樣品同樣的評價用樣品，在其上分別形成0.01μm、0.05μm和0.1μm的金覆膜。實施耐熱性試驗，結果實施例11～18的任一個在任一膜厚的金覆膜的情況下，鎳均小于10％，且銅均小于0.5％，因此所有判定為良品。比較例11～17與比較例1～7中所用的評價用樣品對應地制作同樣的評價用樣品，在其上分別形成0.01μm、0.05μm和0.1μm的金覆膜。實施耐熱性試驗，結果比較例11～17的任一個在0.1μm的金覆膜的情況下，鎳小于10％，且銅小于0.5％，判定為良品，但是0.01μm和0.05μm的金覆膜的情況下，均檢測出鎳為10％以上或銅為0.5％以上，均判定為不良品。對于比較例11～17，鈀覆膜的耐熱性能差，因此可知無法使鈀覆膜上的金覆膜足夠薄。實施例21<電解鍍鈀鍍液的評價>相對于鈀鍍液整體，按照二氯四氨絡鈀溶液以鈀換算為1g/L、與實施例1同樣的特定吡啶鎓化合物(1-甲基-3-羧基吡啶鎓鹽酸鹽)為1000ppm和作為兼作電導鹽和緩沖劑的成分的檸檬酸為100g/L的方式進行溶解，將pH調節(jié)為6.5，制作電解鍍鈀鍍液。比較例21在實施例21中，代替使用特定吡啶鎓化合物，使用比較例1的比較化合物(吡啶)，除此之外，與實施例21同樣地進行，對電解鍍鈀鍍液進行制液。<試驗用(評價用)的鈀覆膜的形成方法>將使用所述無電解鍍鈀鍍液的情況下的“在30秒～3分鐘的范圍調整無電解鈀鍍覆處理的時間，使其膜厚為0.03μm”的部分變更為“以0.5A/dm2，在5秒鐘前后調整電解鈀鍍覆處理的電流密度，使其膜厚為0.03μm”，除此之外，與使用所述無電解鍍鈀鍍液的情況下的“試驗用(評價用)的鈀覆膜的形成方法”同樣地進行，制作評價用樣品?！颈?】由表4可知，使用本發(fā)明的電解鍍鈀鍍液(實施例21)時，在針孔試驗中，從試驗開始至“試驗開始后5分鐘”的時間，流通的電流始終不大于100μA，且在鈀覆膜的目視的外觀上沒法觀察到斑駁圖案、不均，色調均勻性良好，沒有發(fā)現鈀的析出異常。此外，在耐熱性試驗中，鎳小于10％，且銅小于0.5％，判定為“良品”。另一方面，在不含有特定吡啶鎓化合物的電解鍍鈀鍍液(比較例21)中，針孔試驗結果較差。此外，在耐熱性試驗中，鎳為10％以上，且銅為0.5％以上，判定為“不良品”。實施例22～28、比較例22～27<電解鍍鈀鍍液的評價>與實施例22～28、比較例22～27對應地分別使用表1所示的實施例2～8和比較例2～7中記載的特定吡啶鎓化合物或其比較化合物1000ppm，除此之外，與實施例21同樣地對電解鍍鈀鍍液進行制液，同樣地進行評價。但是，比較例27既不含有特定吡啶鎓化合物，也不含有比較化合物。使用本發(fā)明的電解鍍鈀鍍液(實施例22～28)時，在針孔試驗中，從試驗開始至“試驗開始后5分鐘”的時間，流通的電流始終不大于100μA，且在鈀覆膜的目視的外觀上沒有觀察到斑駁圖案、不均，色調均勻性良好，沒有發(fā)現鈀的析出異常。此外，在耐熱性試驗中，鎳均小于10％，且銅均小于0.5％，所有判定為“良品”。另一方面，在不含有特定吡啶鎓化合物的電解鍍鈀鍍液中，針孔試驗結果或鈀覆膜的外觀(色調均勻性)的任一方或兩方較差。此外，在耐熱性試驗中，鎳為10％以上、或銅為0.5％以上，所有判定為“不良品”。工業(yè)上的可利用性使用本發(fā)明的鈀鍍液得到的鈀覆膜具有優(yōu)異的耐熱特性，由于該優(yōu)異的耐熱性，能夠減少形成在鈀覆膜上的金鍍膜的膜厚，能夠實現成本大幅降低，特別是廣泛用于鈀/金鍍覆中，進一步最適合具有無電解鎳/鈀/金這樣的層結構的工藝，特別適合用于電子設備構件的鍍覆領域。當前第1頁1 2 3