本發(fā)明涉及化學(xué)氣相沉積裝置及該裝置中遠(yuǎn)程等離子體源的水平安裝方法，更詳細(xì)而言，涉及如下的化學(xué)氣相沉積裝置及該裝置中遠(yuǎn)程等離子體源的水平安裝方法，即，該化學(xué)氣相沉積裝置具有使遠(yuǎn)程等離子體源保持水平的同時引導(dǎo)下降的引導(dǎo)部，因此無需如以往那樣在加壓遠(yuǎn)程等離子體源的同時進(jìn)行水平調(diào)整，從而可以提高工作效率，另外，由于精確地保持水平，因而同時還可以提高工作精度。

背景技術(shù)：

1、通常，化學(xué)氣相沉積(chemical?vapor?deposition，cvd)工藝是利用氣體的化學(xué)反應(yīng)來沉積絕緣物質(zhì)或半導(dǎo)體、金屬等的方法，在晶圓表面沉積所需物質(zhì)時使用。這種化學(xué)氣相沉積工序可分為熱化學(xué)氣相沉積(cvd)工序和利用等離子體的等離子體化學(xué)氣相沉積(pla?sma?enhanced?chemical?vapor?deposition，pecvd)工序。

2、所述熱化學(xué)氣相沉積(cvd)工序是通過向晶圓表面供應(yīng)高溫反應(yīng)氣體來進(jìn)行預(yù)定晶圓表面處理的工藝，等離子體化學(xué)氣相沉積(pe?cvd)工藝是通過高頻(rf)能量來激發(fā)和/或解離反應(yīng)氣體以產(chǎn)生高反應(yīng)性等離子體，由此減少化學(xué)反應(yīng)所需的能量，從而在低溫下進(jìn)行工序的工藝。

3、參照圖1及圖2來說明這種等離子體化學(xué)氣相沉積(pecvd)工藝。首先，通過等離子體來處理表面的晶圓w設(shè)置于處理腔室11內(nèi)部。在所述處理腔室11上設(shè)置有電場腔室12。在這種處理腔室11上設(shè)置有蓋體15以與所述電場腔室12劃分為上下空間。另一方面，產(chǎn)生等離子體的遠(yuǎn)程等離子體源13設(shè)置于所述電場腔室12中。所述遠(yuǎn)程等離子體源13包括產(chǎn)生等離子體的遠(yuǎn)程等離子體源主體131、以及從所述遠(yuǎn)程等離子體源主體131下側(cè)突出并進(jìn)入所述處理腔室11內(nèi)部以供應(yīng)等離子體的噴射管132。所述噴射管132通過設(shè)置于所述蓋體15的結(jié)合部14來投入到所述處理腔室11內(nèi)部，然后所述遠(yuǎn)程等離子體源主體131與結(jié)合部14相結(jié)合并進(jìn)行固定。

4、此時，為了調(diào)整所述遠(yuǎn)程等離子體源13的水平來與所述結(jié)合部14結(jié)合，如圖2所示，在彈性安裝部16上設(shè)置所述遠(yuǎn)程等離子體源13并進(jìn)行水平調(diào)整，然后將所述遠(yuǎn)程等離子體源13固定在所述結(jié)合部14。

5、然而，對于這種現(xiàn)有技術(shù)，為了調(diào)整所述遠(yuǎn)程等離子體源13的水平，需要從上部側(cè)對所述遠(yuǎn)程等離子體源13進(jìn)行加壓以進(jìn)行水平調(diào)整，因此存在因工作困難而導(dǎo)致工作效率降低，同時工作精度也降低的問題。

6、另一方面，上述的現(xiàn)有技術(shù)是發(fā)明人為導(dǎo)出本發(fā)明而保留的技術(shù)，或者是在導(dǎo)出本發(fā)明的過程中獲得的技術(shù)信息，并不一定是在本發(fā)明申請前向一般公眾公開的公知技術(shù)。

7、現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)

8、專利文獻(xiàn)

9、專利文獻(xiàn)1：美國公開專利us2018/0148840a1(2018年05月31日公開)

10、專利文獻(xiàn)2：韓國公開專利第10-2005-0072291號(2005年07月11日公開)

11、專利文獻(xiàn)3：韓國公開專利第10-2018-0061061號(2018年06月07日公開)

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、技術(shù)問題

2、在解決如上所述的問題方面，本發(fā)明的目的在于提供化學(xué)氣相沉積裝置及該裝置中遠(yuǎn)程等離子體源的水平安裝方法，該化學(xué)氣相沉積裝置具有使遠(yuǎn)程等離子體源保持水平的同時引導(dǎo)下降的引導(dǎo)部，因此無需如以往那樣在加壓遠(yuǎn)程等離子體源的同時進(jìn)行水平調(diào)整，從而可以提高工作效率，另外，由于精確地保持水平，因而同時還可以提高工作精度。

3、本發(fā)明所要解決的問題并不局限于以上所提及的問題，本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可通過以下描述明確理解未提及的其他所要解決的技術(shù)問題。

4、解決問題的方案

5、根據(jù)本發(fā)明的實施例的化學(xué)氣相沉積裝置包括：處理腔室，容納晶圓以進(jìn)行等離子體處理；電場腔室，設(shè)置于所述處理腔室上，內(nèi)部具有遠(yuǎn)程等離子體源；以及引導(dǎo)部，設(shè)置于所述電場腔室內(nèi)，引導(dǎo)所述遠(yuǎn)程等離子體源的下降，在所述電場腔室內(nèi)部中，該引導(dǎo)部包括設(shè)置于所述遠(yuǎn)程等離子體源的下降方向上的多個下降引導(dǎo)件、以及通過所述下降引導(dǎo)件保持水平并引導(dǎo)下降的移動塊。

6、在此情況下，所述移動塊可包括：移動塊主體，呈板體形狀，所述遠(yuǎn)程等離子體源固定在其下側(cè)；彎曲部，在所述移動塊主體的兩側(cè)端彎曲；以及結(jié)合輪，設(shè)置于所述彎曲部中的下降引導(dǎo)件方向側(cè)面并與所述下降引導(dǎo)件相結(jié)合。

7、此時，本發(fā)明的特征在于，所述結(jié)合輪可成對地設(shè)置，并在其間可插入有所述下降引導(dǎo)件，以通過所述結(jié)合輪的滾動運(yùn)動來引導(dǎo)所述移動塊的下降。

8、另外，本發(fā)明的特征在于，根據(jù)本發(fā)明的實施例的化學(xué)氣相沉積裝置還可包括：貫通孔，設(shè)置于所述彎曲部的一側(cè)；貫通孔，設(shè)置于所述下降引導(dǎo)件；以及插入銷，插入所述彎曲部的所述貫通孔和所述下降引導(dǎo)件的所述貫通孔，當(dāng)所述遠(yuǎn)程等離子體源以水平狀態(tài)設(shè)置在所述處理腔室上的預(yù)定位置時，所述彎曲部的所述貫通孔和所述下降引導(dǎo)件的所述貫通孔彼此相向。

9、另一方面，所述移動塊主體還可包括固定孔，該固定孔能夠以通過插入固定件以固定所述遠(yuǎn)程等離子體源的方式構(gòu)成。

10、另外，所述化學(xué)氣相沉積裝置在所述處理腔室還可包括彈性安裝部，在該彈性安裝部的上部設(shè)置有所述遠(yuǎn)程等離子體源。

11、另外，本發(fā)明的特征在于，所述遠(yuǎn)程等離子體源可在固定在所述移動塊的狀態(tài)下保持水平并下降以安裝在所述處理腔室上。

12、根據(jù)本發(fā)明的實施例的遠(yuǎn)程等離子體源的水平安裝方法為在化學(xué)氣相沉積裝置中的所述遠(yuǎn)程等離子體源的水平安裝方法，該化學(xué)氣相沉積裝置包括：處理腔室，容納晶圓以進(jìn)行等離子體處理；電場腔室，設(shè)置于所述處理腔室上，內(nèi)部具有所述遠(yuǎn)程等離子體源；以及引導(dǎo)部，設(shè)置于所述電場腔室內(nèi)，引導(dǎo)所述遠(yuǎn)程等離子體源的下降，在所述電場腔室內(nèi)部中，該引導(dǎo)部包括設(shè)置于所述遠(yuǎn)程等離子體源的下降方向上的多個下降引導(dǎo)件、以及通過所述下降引導(dǎo)件保持水平并引導(dǎo)下降的移動塊，其中，該方法包括：在所述電場腔室內(nèi)部一側(cè)沿所述遠(yuǎn)程等離子體源的下降方向設(shè)置所述多個下降引導(dǎo)件的步驟；在所述下降引導(dǎo)件設(shè)置所述移動塊的步驟；使所述移動塊下降，與設(shè)置于所述處理腔室上的所述遠(yuǎn)程等離子體源相結(jié)合，以調(diào)整所述遠(yuǎn)程等離子體源的水平的步驟；將插入銷插入所述下降引導(dǎo)件的貫通孔和所述移動塊的貫通孔中，以固定所述遠(yuǎn)程等離子體源的水平狀態(tài)的步驟；以及將所述遠(yuǎn)程等離子體源設(shè)置于所述處理腔室上的步驟。

13、在此情況下，本發(fā)明的特征在于，在設(shè)置于所述處理腔室上的彈性安裝部上設(shè)置所述遠(yuǎn)程等離子體源。

14、另外，本發(fā)明的特征在于，在所述移動塊的設(shè)置步驟中，將成對地設(shè)置的所述移動塊可分別設(shè)置于所述下降引導(dǎo)件的前方側(cè)和后方側(cè)。

15、另一方面，本發(fā)明的特征在于，所述移動塊可包括：移動塊主體，呈板體形狀，所述遠(yuǎn)程等離子體源固定在其下側(cè)；彎曲部，在所述移動塊主體的兩側(cè)端彎曲；以及結(jié)合輪，設(shè)置于所述彎曲部中的所述下降引導(dǎo)件方向側(cè)面并與所述下降引導(dǎo)件相結(jié)合，通過成對地設(shè)置并在其間插入有所述下降引導(dǎo)件的所述結(jié)合輪的滾動運(yùn)動來引導(dǎo)所述移動塊的下降。

16、另外，本發(fā)明的特征在于，所述移動塊的貫通孔可設(shè)置于所述彎曲部的一側(cè)，當(dāng)所述遠(yuǎn)程等離子體源以水平狀態(tài)設(shè)置在所述處理腔室上的預(yù)定位置時，所述下降引導(dǎo)件的所述貫通孔和所述移動塊的所述彎曲部的所述貫通孔可彼此相向。

17、根據(jù)本發(fā)明的實施例的遠(yuǎn)程等離子體源的水平安裝方法，在結(jié)合所述移動塊和所述遠(yuǎn)程等離子體源之前，還可包括：除去設(shè)置于所述遠(yuǎn)程等離子體源的吊環(huán)螺栓的步驟；以及通過形成于所述移動塊主體的固定孔來插入固定件以使所述遠(yuǎn)程等離子體源固定的步驟。

18、根據(jù)本發(fā)明的實施例的遠(yuǎn)程等離子體源的水平安裝方法，在所述沉積工序結(jié)束后，還可包括：從所述下降引導(dǎo)件的貫通孔和所述移動塊的貫通孔除去所述插入銷的步驟；將所述移動塊和所述遠(yuǎn)程等離子體源進(jìn)行相互分離的步驟；以及從所述電場腔室內(nèi)側(cè)分離所述下降引導(dǎo)件的步驟。

19、發(fā)明效果

20、如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實施例具有如下效果，即，無需在加壓遠(yuǎn)程等離子體源的同時進(jìn)行水平調(diào)整，因此可以提高工作效率，另外，由于精確地保持水平，因而同時還可以提高工作精度。

21、本發(fā)明的效果并不局限于以上所提及的效果，本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可通過以下描述明確理解未提及的其他效果。