本公開涉及一種襯底處理設(shè)備，且更具體來說，涉及一種通過閥塊對工藝氣體的供應(yīng)進(jìn)行控制的襯底處理設(shè)備。

背景技術(shù)：

1、襯底處理設(shè)備是一種在將襯底放置到工藝空間中之后使用化學(xué)氣相沉積(chemical?vapor?deposition，cvd)方法或原子層沉積(atomic?layer?deposition，ald)方法將工藝氣體中包含的反應(yīng)粒子沉積到襯底上的設(shè)備。襯底處理設(shè)備被分類為可對一個(gè)襯底實(shí)行處理工藝的單晶片類型以及可對多個(gè)襯底實(shí)行處理工藝的批量類型。

2、在半導(dǎo)體制造工藝中，通過在高于特定壓力的壓力下瞬間供應(yīng)及排出大量氣體來實(shí)行原子層沉積(ald)工藝，以提高單位每小時(shí)(unit?per?hour，uph)生產(chǎn)速率。然而，由于視安裝在被供應(yīng)到腔室的氣體管線中的閥的位置而定，在最末閥之后腔室之間的距離會引起延遲，因此在將時(shí)間最小化方面存在限制。

3、因此，需要一種能夠通過縮短氣體供應(yīng)時(shí)間來提高生產(chǎn)率的襯底處理設(shè)備。

4、[現(xiàn)有技術(shù)文件]

5、[專利文件]

6、韓國專利第10-2028202號

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本公開提供一種通過在噴淋頭部件的上部部分上安裝閥塊部件來對工藝氣體的供應(yīng)進(jìn)行控制的襯底處理設(shè)備。

2、根據(jù)示例性實(shí)施例，一種襯底處理設(shè)備包括：襯底支撐件，上面支撐有襯底；噴淋頭部件，被設(shè)置成面對襯底支撐件且被配置成朝向襯底噴射工藝氣體；以及氣體供應(yīng)部件，被配置成向噴淋頭部件供應(yīng)工藝氣體，其中氣體供應(yīng)部件包括閥塊部件，所述閥塊部件安裝在噴淋頭部件的上部部分上以對工藝氣體的流量進(jìn)行調(diào)整。

3、工藝氣體可包括多種氣體，且氣體供應(yīng)部件可被配置成將所述多種氣體依序供應(yīng)到噴淋頭部件。

4、閥塊部件可包括：多個(gè)閥，用于供應(yīng)所述多種氣體的多個(gè)氣體管線分別連接到所述多個(gè)閥；以及閥塊，固定到噴淋頭部件的頂表面以支撐所述多個(gè)閥。

5、閥塊部件可還包括加熱器，所述加熱器被配置成對閥塊進(jìn)行加熱。

6、閥塊部件可還包括溫度測量構(gòu)件，所述溫度測量構(gòu)件被配置成對閥塊的溫度進(jìn)行測量。

7、閥塊可包括連接到所述多個(gè)氣體管線中的每一者的內(nèi)部氣體通道，且閥可被配置成對所述多種氣體中的每一者在內(nèi)部氣體通道中的流量進(jìn)行控制。

8、內(nèi)部氣體通道的內(nèi)表面可被進(jìn)行表面處置。

9、閥塊部件可還包括多個(gè)墊圈，所述多個(gè)墊圈中的每一者設(shè)置在所述多個(gè)閥中的每一者與閥塊之間。

10、閥塊部件可直接連接到噴淋頭部件的入口。

11、所述多種氣體可包括源氣體及反應(yīng)物氣體，且源氣體與反應(yīng)物氣體可被分離以引入到噴淋頭部件的入口中。

12、襯底處理設(shè)備可還包括多個(gè)子腔室，所述多個(gè)子腔室中的每一者設(shè)置有襯底支撐件及噴淋頭部件且在所述多個(gè)子腔室中獨(dú)立地實(shí)行多個(gè)工藝，且氣體供應(yīng)部件可包括：氣體集流器，工藝氣體被供應(yīng)到氣體集流器；以及分支管線部件，由所述多個(gè)氣體管線中從氣體集流器分支且分別與所述多個(gè)子腔室中的每一者的噴淋頭部件連接的氣體管線構(gòu)成。

13、氣體集流器可被設(shè)置成多個(gè)且所述多種氣體中的每一者可被供應(yīng)到所述多個(gè)氣體集流器中的每一者，且分支管線部件可設(shè)置在所述多個(gè)氣體集流器中的每一者中。

14、所述多個(gè)閥可分別連接到所述多個(gè)氣體管線中通過從所述多個(gè)氣體集流器中的不同氣體集流器在同一方向上延伸而與所述多個(gè)子腔室中的同一子腔室的噴淋頭部件連接的氣體管線。

15、閥塊部件可被配置為一體式。

技術(shù)特征：

1.一種襯底處理設(shè)備，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理設(shè)備，其中所述工藝氣體包括多種氣體，且

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的襯底處理設(shè)備，其中所述閥塊部件包括：

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的襯底處理設(shè)備，其中所述閥塊部件還包括加熱器，所述加熱器被配置成對所述閥塊進(jìn)行加熱。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的襯底處理設(shè)備，其中所述閥塊部件還包括溫度測量構(gòu)件，所述溫度測量構(gòu)件被配置成對所述閥塊的溫度進(jìn)行測量。

6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的襯底處理設(shè)備，其中所述閥塊包括連接到多個(gè)所述氣體管線中的每一者的內(nèi)部氣體通道，且

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的襯底處理設(shè)備，其中所述內(nèi)部氣體通道的內(nèi)表面被進(jìn)行表面處置。

8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的襯底處理設(shè)備，其中所述閥塊部件還包括多個(gè)墊圈，多個(gè)所述墊圈中的每一者設(shè)置在多個(gè)所述閥中的每一者與所述閥塊之間。

9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的襯底處理設(shè)備，其中所述閥塊部件直接連接到所述噴淋頭部件的入口。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的襯底處理設(shè)備，其中多種所述氣體包括源氣體及反應(yīng)物氣體，且

11.根據(jù)權(quán)利要求3所述的襯底處理設(shè)備，還包括多個(gè)子腔室，多個(gè)所述子腔室中的每一者設(shè)置有所述襯底支撐件及所述噴淋頭部件且在多個(gè)所述子腔室中獨(dú)立地實(shí)行多個(gè)工藝，且

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的襯底處理設(shè)備，其中所述氣體集流器被設(shè)置成多個(gè)且多種所述氣體中的每一者被供應(yīng)到多個(gè)所述氣體集流器中的每一者，且

13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的襯底處理設(shè)備，其中多個(gè)所述閥分別連接到多個(gè)所述氣體管線中通過從多個(gè)所述氣體集流器中的不同所述氣體集流器在同一方向上延伸而與多個(gè)所述子腔室中的同一所述子腔室的所述噴淋頭部件連接的所述氣體管線。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的襯底處理設(shè)備，其中所述閥塊部件被配置為一體式。

技術(shù)總結(jié)
本公開涉及一種通過閥塊對工藝氣體的供應(yīng)進(jìn)行控制的襯底處理設(shè)備。所述襯底處理設(shè)備包括：襯底支撐件，上面支撐有襯底；噴淋頭部件，被設(shè)置成面對襯底支撐件且被配置成朝向襯底噴射工藝氣體；以及氣體供應(yīng)部件，被配置成向噴淋頭部件供應(yīng)工藝氣體。氣體供應(yīng)部件包括閥塊部件，所述閥塊部件安裝在噴淋頭部件的上部部分上以對工藝氣體的流量進(jìn)行調(diào)整。

技術(shù)研發(fā)人員：孫仁壽,申昌勛,樸燦用,金德桓,鄭在峻,柳時(shí)元,樸昶玟,黃寅成,金在善,金琪勛,金鍾勛,金庭賢
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會社尤金科技
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/22