本發(fā)明涉及芯片鍍膜，更具體地說(shuō)，特別是涉及一種芯片薄膜均勻旋轉(zhuǎn)沉積裝置及方法。

背景技術(shù)：

1、led芯片是一種固態(tài)的半導(dǎo)體器件，led的心臟是一個(gè)半導(dǎo)體的晶片，晶片的一端附在一個(gè)支架上，一端是負(fù)極，另一端連接電源的正極，使整個(gè)晶片被環(huán)氧樹(shù)脂封裝起來(lái)，也稱(chēng)為led發(fā)光芯片，是led燈的核心組件，其主要功能是把電能轉(zhuǎn)化為光能。

2、led芯片作為led的核心部件，為了防止外界環(huán)境的酸堿腐蝕和氧化，通常在led的芯片表面涂布一層薄膜，避免外界腐蝕氧化所造成的led芯片老化。然而芯片正面與背面的沉積過(guò)程無(wú)法在同一機(jī)臺(tái)上完成，過(guò)程中需要反復(fù)運(yùn)輸芯片，增加工藝成本的同時(shí)容易造成芯片損壞。

3、本領(lǐng)域技術(shù)人員對(duì)此進(jìn)行了研究改進(jìn)，如公開(kāi)號(hào)為cn111748800b的專(zhuān)利公開(kāi)了一種薄膜沉積設(shè)備及薄膜沉積方法，該技術(shù)方案控制承載環(huán)和承載臺(tái)的升降以及反應(yīng)氣體的供給方向?qū)崿F(xiàn)薄膜沉積，但是該技術(shù)方案中無(wú)法保障芯片與反應(yīng)氣體均勻接觸，難以保障鍍膜質(zhì)量。

4、為此，我們提出了一種芯片薄膜均勻旋轉(zhuǎn)沉積裝置及方法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的目的是提供一種芯片薄膜均勻旋轉(zhuǎn)沉積裝置及方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)存在的問(wèn)題，通過(guò)設(shè)置u型座和單模座，并使得單模座隨u型座轉(zhuǎn)動(dòng)，能夠使單模座上的芯片與反應(yīng)氣體充分接觸，對(duì)芯片薄膜進(jìn)行均勻沉積。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了如下方案：本發(fā)明提供一種芯片薄膜均勻旋轉(zhuǎn)沉積裝置，包括：沉積室；u型座，所述u型座轉(zhuǎn)動(dòng)安裝在所述沉積室內(nèi)部，所述u型座外壁安裝有第一驅(qū)動(dòng)組件；兩轉(zhuǎn)向軸，兩所述轉(zhuǎn)向軸轉(zhuǎn)動(dòng)安裝在所述u型座相對(duì)的內(nèi)壁上，其中一側(cè)的所述轉(zhuǎn)向軸貫穿所述u型座側(cè)壁與所述第一驅(qū)動(dòng)組件相連接，所述第一驅(qū)動(dòng)組件用于驅(qū)動(dòng)所述轉(zhuǎn)向軸轉(zhuǎn)動(dòng)；兩矩形槽，兩所述矩形槽設(shè)置在兩所述轉(zhuǎn)向軸之間，兩所述矩形槽相互遠(yuǎn)離的一端與兩所述轉(zhuǎn)向軸相對(duì)的一端固定連接，所述矩形槽內(nèi)安裝有第二驅(qū)動(dòng)組件；兩單模座，兩所述單模座位于所述u型座內(nèi)，兩所述單模座與所述第二驅(qū)動(dòng)組件滑動(dòng)連接，所述第二驅(qū)動(dòng)組件用于驅(qū)動(dòng)所述單模座上下滑動(dòng)。

3、根據(jù)本發(fā)明提供的一種芯片薄膜均勻旋轉(zhuǎn)沉積裝置，所述u型座外壁固接有防護(hù)殼，所述防護(hù)殼內(nèi)安裝有第一驅(qū)動(dòng)組件，所述第一驅(qū)動(dòng)組件包括蝸輪、蝸桿和轉(zhuǎn)向電機(jī)，所述轉(zhuǎn)向電機(jī)固定連接在所述防護(hù)殼內(nèi)，所述轉(zhuǎn)向電機(jī)輸出端與所述蝸桿相連接，其中一側(cè)的所述轉(zhuǎn)向軸一端貫穿所述u型座側(cè)壁延伸至所述防護(hù)殼內(nèi)部與所述蝸輪相連接，所述蝸輪與所述蝸桿相嚙合。

4、根據(jù)本發(fā)明提供的一種芯片薄膜均勻旋轉(zhuǎn)沉積裝置，所述第二驅(qū)動(dòng)組件包括絲桿、絲桿電機(jī)和限位桿，所述絲桿轉(zhuǎn)動(dòng)安裝在一側(cè)的所述矩形槽中，所述限位桿固定安裝在另一側(cè)的所述矩形槽中，所述絲桿下端與所述絲桿電機(jī)輸出端相連接，所述絲桿電機(jī)固定在所述矩形槽下方，所述絲桿與所述限位桿之間安裝有所述單模座。

5、根據(jù)本發(fā)明提供的一種芯片薄膜均勻旋轉(zhuǎn)沉積裝置，所述絲桿上下段分別螺紋連接有螺母座，所述限位桿上下對(duì)稱(chēng)套接有滑套，所述螺母座與所述滑套之間固定連接有所述單模座。

6、根據(jù)本發(fā)明提供的一種芯片薄膜均勻旋轉(zhuǎn)沉積裝置，所述絲桿上下段螺紋旋向相反。

7、根據(jù)本發(fā)明提供的一種芯片薄膜均勻旋轉(zhuǎn)沉積裝置，所述單模座上開(kāi)設(shè)有若干個(gè)呈陣列狀排布的型槽。

8、根據(jù)本發(fā)明提供的一種芯片薄膜均勻旋轉(zhuǎn)沉積裝置，所述沉積室的頂部安裝有封蓋，所述沉積室的側(cè)壁安裝有供氣管。

9、根據(jù)本發(fā)明提供的一種芯片薄膜均勻旋轉(zhuǎn)沉積裝置，所述沉積室底部安裝有驅(qū)動(dòng)電機(jī)，所述驅(qū)動(dòng)電機(jī)輸出端與所述沉積室之間安裝有密封軸承，所述驅(qū)動(dòng)電機(jī)與所述u型座相連接。

10、根據(jù)本發(fā)明提供的一種芯片薄膜均勻旋轉(zhuǎn)沉積裝置，所述u型座底壁連接有若干個(gè)萬(wàn)向球頭，若干個(gè)所述萬(wàn)向球頭下端與所述沉積室內(nèi)腔底壁抵接。

11、根據(jù)本發(fā)明提供的一種芯片薄膜均勻旋轉(zhuǎn)沉積方法，包括以下步驟：芯片清潔上料，將芯片表面清潔干凈后，逐一放置于所述單模座中；制備真空環(huán)境，對(duì)所述沉積室進(jìn)行抽真空操作，并向所述沉積室內(nèi)通入氮?dú)猓煌ㄈ敕磻?yīng)氣體，將反應(yīng)氣體激發(fā)為等離子體后通入所述沉積室內(nèi)，從而在芯片表面進(jìn)行薄膜制備；單層旋轉(zhuǎn)沉積，所述單模座轉(zhuǎn)動(dòng)安裝在所述u型座中，所述單模座隨所述u型座轉(zhuǎn)動(dòng)，能夠使等離子體均勻轟擊芯片表面，從而形成預(yù)設(shè)厚度薄膜；模座合攏翻轉(zhuǎn)，兩組所述單模座在所述第二驅(qū)動(dòng)組件的驅(qū)動(dòng)下相互靠近完成合并后在第一驅(qū)動(dòng)組件的帶動(dòng)下翻轉(zhuǎn)，從而實(shí)現(xiàn)芯片換面，所述單模座復(fù)位后繼續(xù)進(jìn)行另一面的薄膜沉積；廢氣過(guò)濾排出；芯片卸料，將所述沉積室恢復(fù)成正常氣壓狀態(tài)，取出完成鍍膜的芯片。

12、本發(fā)明公開(kāi)了以下技術(shù)效果：

13、本發(fā)明中反應(yīng)氣體進(jìn)入沉積室，能夠轟擊芯片表面，從而在芯片上形成薄膜，單模座隨u型座同步轉(zhuǎn)動(dòng)，有助于使反應(yīng)氣體均勻轟擊芯片表面，確保薄膜的均勻性；本發(fā)明通過(guò)第二驅(qū)動(dòng)組件可調(diào)節(jié)兩組單模座之間的間距，合攏后能夠翻轉(zhuǎn)以實(shí)現(xiàn)芯片的換面，復(fù)位后繼續(xù)進(jìn)行芯片另一面的薄膜沉積，能夠?qū)崿F(xiàn)芯片的全面沉積，保障加工質(zhì)量，利用引風(fēng)機(jī)進(jìn)行氣流牽引，配合濾芯進(jìn)行過(guò)濾凈化，能夠保障良好的工作環(huán)境；本發(fā)明設(shè)計(jì)合理，通過(guò)在單模座開(kāi)設(shè)多個(gè)呈陣列狀排布的型槽，能夠同時(shí)容納多個(gè)芯片進(jìn)行沉積，提高了生產(chǎn)效率。

技術(shù)特征：

1.一種芯片薄膜均勻旋轉(zhuǎn)沉積裝置，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片薄膜均勻旋轉(zhuǎn)沉積裝置，其特征在于：所述u型座(5)外壁固接有防護(hù)殼(15)，所述防護(hù)殼(15)內(nèi)安裝有第一驅(qū)動(dòng)組件，所述第一驅(qū)動(dòng)組件包括蝸輪(18)、蝸桿(17)和轉(zhuǎn)向電機(jī)(16)，所述轉(zhuǎn)向電機(jī)(16)固定連接在所述防護(hù)殼(15)內(nèi)，所述轉(zhuǎn)向電機(jī)(16)輸出端與所述蝸桿(17)相連接，其中一側(cè)的所述轉(zhuǎn)向軸(7)一端貫穿所述u型座(5)側(cè)壁延伸至所述防護(hù)殼(15)內(nèi)部與所述蝸輪(18)相連接，所述蝸輪(18)與所述蝸桿(17)相嚙合。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片薄膜均勻旋轉(zhuǎn)沉積裝置，其特征在于：所述第二驅(qū)動(dòng)組件包括絲桿(9)、絲桿電機(jī)(10)和限位桿(12)，所述絲桿(9)轉(zhuǎn)動(dòng)安裝在一側(cè)的所述矩形槽(8)中，所述限位桿(12)固定安裝在另一側(cè)的所述矩形槽(8)中，所述絲桿(9)下端與所述絲桿電機(jī)(10)輸出端相連接，所述絲桿電機(jī)(10)固定在所述矩形槽(8)下方，所述絲桿(9)與所述限位桿(12)之間安裝有所述單模座(14)。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的芯片薄膜均勻旋轉(zhuǎn)沉積裝置，其特征在于：所述絲桿(9)上下兩段分別螺紋連接有螺母座(11)，所述限位桿(12)上下對(duì)稱(chēng)套接有滑套(13)，所述螺母座(11)與所述滑套(13)之間固定連接有所述單模座(14)。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的芯片薄膜均勻旋轉(zhuǎn)沉積裝置，其特征在于：所述絲桿(9)上下段螺紋旋向相反。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片薄膜均勻旋轉(zhuǎn)沉積裝置，其特征在于：所述單模座(14)上開(kāi)設(shè)有若干個(gè)呈陣列狀排布的型槽(21)。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片薄膜均勻旋轉(zhuǎn)沉積裝置，其特征在于：所述沉積室(1)的頂部安裝有封蓋(22)，所述沉積室(1)的側(cè)壁安裝有供氣管(2)。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片薄膜均勻旋轉(zhuǎn)沉積裝置，其特征在于：所述沉積室(1)底部安裝有驅(qū)動(dòng)電機(jī)(4)，所述驅(qū)動(dòng)電機(jī)(4)輸出端與所述沉積室(1)之間安裝有密封軸承，所述驅(qū)動(dòng)電機(jī)(4)與所述u型座(5)相連接，用于驅(qū)動(dòng)所述u型座(5)轉(zhuǎn)動(dòng)。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的芯片薄膜均勻旋轉(zhuǎn)沉積裝置，其特征在于：所述u型座(5)底壁連接有若干個(gè)萬(wàn)向球頭(6)，若干個(gè)所述萬(wàn)向球頭(6)下端與所述沉積室(1)內(nèi)腔底壁抵接。

10.一種芯片薄膜均勻旋轉(zhuǎn)沉積方法，基于權(quán)利要求1-9任一項(xiàng)所述的芯片薄膜均勻旋轉(zhuǎn)沉積裝置，其特征在于，包括以下步驟：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及芯片鍍膜技術(shù)領(lǐng)域，公開(kāi)一種芯片薄膜均勻旋轉(zhuǎn)沉積裝置及方法，包括沉積室；U型座，U型座轉(zhuǎn)動(dòng)安裝在沉積室內(nèi)部，U型座外壁安裝有第一驅(qū)動(dòng)組件；轉(zhuǎn)向軸，轉(zhuǎn)向軸轉(zhuǎn)動(dòng)安裝在U型座內(nèi)壁，其中一側(cè)的轉(zhuǎn)向軸貫穿U型座側(cè)壁與第一驅(qū)動(dòng)組件相連接，第一驅(qū)動(dòng)組件用于驅(qū)動(dòng)轉(zhuǎn)向軸轉(zhuǎn)動(dòng)；矩形槽，矩形槽與轉(zhuǎn)向軸另一端固定連接，矩形槽內(nèi)安裝有第二驅(qū)動(dòng)組件；兩單模座，兩單模座位于U型座內(nèi)，兩單模座與第二驅(qū)動(dòng)組件滑動(dòng)連接，第二驅(qū)動(dòng)組件用于驅(qū)動(dòng)單模座上下滑動(dòng)。通過(guò)設(shè)置U型座和單模座，并使得單模座隨U型座轉(zhuǎn)動(dòng)，能夠使單模座上的芯片與反應(yīng)氣體充分接觸，對(duì)芯片薄膜進(jìn)行均勻沉積。

技術(shù)研發(fā)人員：喻婷婷,黃文揚(yáng),高欣雯,張宇洋,曾繁鵬
受保護(hù)的技術(shù)使用者：華南理工大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15