導電性膜形成用銀合金濺射靶及其制造方法
【技術領域】
[ooou本發(fā)明設及一種用于形成有機化元件的反射電極和觸控面板的配線膜等導電性 膜的銀合金瓣射祀及其制造方法。
[0002] 本申請基于2013年3月11日于日本申請的專利申請2013-048388號主張優(yōu)先權， 并將其內(nèi)容援用于此。
【背景技術】
[0003] 有機化元件為一種發(fā)光元件，其為在對于形成于有機化發(fā)光層兩側的陽極與陰 極之間施加電壓，從陽極將空穴、從陰極將電子分別注入至有機化膜，且使用在有機化發(fā) 光層中當空穴和電子結合時發(fā)光的原理，并且，作為顯示設備用發(fā)光元件近年來備受關注。 該有機化元件的驅動方式中有無源矩陣方式和有源矩陣方式。該有源矩陣方式為驅動方 式，其通過在一個像素上設置一個W上的薄膜晶體管而能夠進行高速轉換，因此，有利于高 對比度、高清晰度，且能夠發(fā)揮有機化元件的特征。
[0004] 并且，在光的提取方式中有從透明基板側提取光的底部發(fā)光方式和從基板的相反 側提取光的頂部發(fā)光方式，且開口率較高的頂部發(fā)光方式有利于高亮度化。
[0005] 為了更有效地反射由有機化層發(fā)出的光，優(yōu)選該頂部發(fā)光結構中的反射電極膜 為高反射率且耐蝕性高。并且，作為電極還優(yōu)選為低電阻電極。作為該種材料已知有Ag合 金及A1合金，但為了得到更高亮度的有機化元件，從可見光反射率較高方面來看Ag合金 為優(yōu)異的。其中，在形成有機化元件的反射電極膜時采用瓣射法，且使用銀合金祀（專利 文獻1)。
[0006] 然而，伴隨有機化元件制造時的玻璃基板的大型化，在形成反射電極膜時使用的 銀合金祀也使用大型祀。其中，當對大型祀投入高功率而進行瓣射時，產(chǎn)生根據(jù)祀的異常放 電而產(chǎn)生的被稱為"噴瓣"的現(xiàn)象，烙融的微粒子附著于基板上而使配線或電極之間短路， 由此存在有機化元件的成品率下降的問題。頂部發(fā)光方式的有機化元件的反射電極層 中，由于反射電極層成為有機發(fā)光層的基底層，因此要求更高的平坦性且需要進一步抑制 噴瓣。
[0007] 為了解決該樣的課題，在專利文獻2及專利文獻3中提出有一種有機化元件的反 射電極膜形成用銀合金祀及其制造方法，即隨著祀的大型化，即使對祀投入大功率也能夠 抑制噴瓣。
[000引專利文獻1 ;國際公開第2002/077317號
[0009] 專利文獻2 ;日本專利公開2011-100719號公報
[0010] 專利文獻2 ;日本專利公開2011-162876號公報
[0011] 通過該些專利文獻2及專利文獻3中所記載的反射電極膜形成用銀合金祀，即使 投入大功率也能夠抑制噴瓣，然而在大型的銀合金祀中，隨著祀的消耗，電弧放電次數(shù)增 加，并有基于電弧放電的噴瓣增加的傾向，要求進一步改善。
[001引并且，除了有機化元件用反射電極膜之外，還對在觸控面板的引出配線等導電性 膜中使用銀合金膜也進行了研究。作為該種配線膜，若使用例如純Ag，則產(chǎn)生遷移而容易發(fā) 生短路故障，因此對銀合金膜的采用進行了研究。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0013] 本發(fā)明是鑒于該種情況而完成的，其目的在于提供一種能夠進一步抑制電弧放電 及噴瓣的導電性膜形成用銀合金瓣射祀及其制造方法。
[0014] 本發(fā)明人們經(jīng)深入研究的結果獲得如下見解，即，為了進一步抑制伴隨祀消耗而 增加的電弧放電次數(shù)，有效的方式是，將晶粒微細化至平均粒徑小于30ym，并將晶粒粒徑 的偏差抑制在平均粒徑的30%W下。
[0015] 基于此一見解，本發(fā)明的導電性膜形成用銀合金瓣射祀，具有如下成分組成：含 有合計為0. 1~1.5質(zhì)量％的In及Sn中的一種W上且剩余部分由Ag及不可避免雜質(zhì)構 成，所述In及Sn是固溶于Ag的元素，其中，該合金的晶粒的平均粒徑為1ymW上且小于 30ym，所述晶粒的粒徑的偏差為平均粒徑的30%W下。
[0016] In具有固溶于Ag而抑制祀的晶粒成長，將晶粒微細化的效果。In提高祀的硬度， 因此抑制機械加工時的翅曲。In提高W瓣射形成的膜的耐蝕性及耐熱性。
[0017] Sn與In-樣，具有固溶于Ag而抑制祀的晶粒成長，將晶粒微細化的效果。Sn提 高祀的硬度，因此抑制機械加工時的翅曲。Sn提高W瓣射形成的膜的耐蝕性及耐熱性。
[001引若In及Sn中的一種W上的合計含量小于0. 1質(zhì)量％，則無法得到上述效果，若超 過1. 5質(zhì)量％，則膜的反射率或電阻下降。
[0019] 將平均粒徑設為1ymW上且小于30ym是因為小于1ym的平均粒徑不切實際且 導致制造成本的增加，若平均粒徑在30ymW上，則難W控制結晶粒徑的偏差，結果瓣射時 異常放電隨著祀的消耗而增加的傾向會顯著。
[0020] 若平均粒徑的偏差超過30%，則瓣射時異常放電隨著祀的消耗而增加的傾向會顯 著。
[0021] 本發(fā)明的導電性膜形成用銀合金瓣射祀，具有如下成分組成：含有合計為0. 1~ 1.5質(zhì)量％的In及Sn中的一種W上、還含有合計為0. 1~2. 5質(zhì)量％的訊及Ga中的一種 W上且剩余部分由Ag及不可避免雜質(zhì)構成，所述In及Sn是固溶于Ag的元素，所述訊及 Ga是固溶于Ag的元素，其中，該合金的晶粒的平均粒徑為1ymW上且小于30ym，所述晶 粒的粒徑的偏差為平均粒徑的30%W下。
[0022] 訊及Ga具有固溶于Ag而進一步抑制晶粒成長的效果。訊及Ga進一步提高W瓣 射形成的膜的耐蝕性及耐熱性。尤其是Ga提高膜的耐鹽性。若其含量小于0.1質(zhì)量％，貝U 無法得到上述效果，若超過2. 5質(zhì)量％，則不僅膜的反射率或電阻下降，而且出現(xiàn)熱軸時產(chǎn) 生破裂的傾向。
[0023] 并且，本發(fā)明的導電性膜形成用銀合金瓣射祀的制造方法，對烙煉鑄造鑄錠，依次 實施熱軸工序、冷卻工序、冷軸工序、熱處理工序、機械加工工序而制造銀合金瓣射祀，所述 烙煉鑄造鑄錠具有如下成分組成；含有合計為0. 1~1. 5質(zhì)量％的In及Sn中的一種W上 且剩余部分由Ag及不可避免雜質(zhì)構成，其中，所述熱軸工序中，包含一道次W上的精熱軸， 該精熱軸的每一道次的軸制率為20~35 %，應變速度為3~10/sec，而道次后的溫度為 400~650°C;所述冷卻工序中，W100~l〇〇〇°C/min的冷卻速度驟冷至200°CW下；所述 冷軸工序中，所有軸制道次中的每一道次的軸制率的平均值為10~30%，所有軸制道次中 的應變速度的平均值為3~10/sec，W40~80%的總軸制率進行至成為目標板厚；所述熱 處理工序中，W350~550°C保持1~2小時。
[0024] 并且，銀合金瓣射祀的制造方法，對烙煉鑄造鑄錠，依次實施熱軸工序、冷卻工序、 冷軸工序、熱處理工序、機械加工工序而制造銀合金瓣射祀，所述烙煉鑄造鑄錠具有如下成 分組成：含有合計為0. 1~1.5質(zhì)量％的In及Sn中的一種W上、還含有合計為0. 1~2. 5 質(zhì)量％的訊及Ga中的一種W上且剩余部分由Ag及不可避免雜質(zhì)構成，其中，所述熱軸工 序中，包含一道次W上的精熱軸，該精熱軸的每一道次的軸制率為20~35%，應變速度為 3~10/sec，而道次后的溫度為400~650°C;所述冷卻工序中，W100~l〇〇〇°C/min的冷 卻速度驟冷至20(TCW下；所述冷軸工序中，所有軸制道次中的每一道次的軸制率的平均 值為10~30%，所有軸制道次中的應變速度的平均值為3~10/sec，W40~80%的總軸 制率進行至成為目標板厚；所述熱處理工序中，W350~550°C保持1~2小時。
[0025]將精熱軸的每一道次的軸制率設為20~35%是因為若軸制率小于20%，則晶粒 的微細化變得不充分。若要得到超過35%的軸制率，則軸制機的負荷荷載變得過大而不切 實際。
[0026] 并且，將應變速度設為3~10/sec是因為若應變速度小于3/sec，則晶粒的微細化 變得不充分，出現(xiàn)會產(chǎn)生微細粒與粗大粒的混合粒的傾向。若應變速度超過10/sec，則軸制 機的負荷荷載變得過大而不切實際。
[0027] 若各道次后的溫度小于400°C，則動態(tài)再結晶變得不充分，結晶粒徑的偏差增大的 傾向會顯著。若各道次后的溫度超過650°C，則進行晶粒成長且不能實現(xiàn)結晶粒徑的微細 化。
[002引并且，通過在該熱軸后進行驟冷而能夠抑制晶粒的成長，并且能夠得到晶粒微細 的祀。若冷卻速度小于l00°C/min,則進行晶粒成長，因此不優(yōu)選。即使