技術(shù)特征：1.一種顆粒狀碳化硅單晶的生長(zhǎng)方法，其特征在于，包括以下步驟：
（1）在多孔石墨板上涂覆高碳含量聚合物，在聚合物涂層上均勻布置SiC籽晶顆粒，保證SiC籽晶顆粒緊密附著在聚合物涂層上；
（2）將上述多孔石墨板水平放入真空加熱爐，真空度保持在1Pa-5×104Pa之間，加熱升溫至50℃-150℃，保溫一段時(shí)間，繼續(xù)升溫至200℃-300℃；
（3）將步驟（2）中的多孔石墨板放入真空炭化爐，按一定升溫速率逐步升溫至1000℃至1500℃，使聚合物中小分子釋放，逐步石墨化，在多孔石墨板表面形成石墨層；
（4）將處理后的多孔石墨板非涂覆面固定在坩堝上蓋上，SiC粉料放于石墨坩堝底部，坩堝上蓋與SiC粉料相對(duì)放置，放入感應(yīng)加熱爐進(jìn)行SiC單晶生長(zhǎng)；
（5）在SiC單晶生長(zhǎng)過程中，生長(zhǎng)溫度保持在1800℃-2400℃，生長(zhǎng)壓力1×10-4Pa-1×104Pa，爐內(nèi)通入惰性氣體；
（6）SiC粉料升華生成Si、Si2C 和 SiC2等氣相組分,氣相組分逐步在SiC籽晶顆粒上沉積，得到顆粒狀SiC單晶。
2.如權(quán)利要求所述的顆粒狀碳化硅單晶的生長(zhǎng)方法，其特征在于，所述步驟（1）中，所述高碳含量聚合物的含碳量高于50%，包括但不限于酚醛樹脂、糠醛樹脂、環(huán)氧樹脂、聚酰亞胺。
3.如權(quán)利要求所述的顆粒狀碳化硅單晶的生長(zhǎng)方法，其特征在于，所述步驟（1）中，所述聚合物涂層的厚度為5um-100um。
4.如權(quán)利要求所述的顆粒狀碳化硅單晶的生長(zhǎng)方法，其特征在于，所述步驟（1）中，所述多孔石墨板的材質(zhì)為孔隙率≥20%的多孔石墨。
5.如權(quán)利要求所述的顆粒狀碳化硅單晶的生長(zhǎng)方法，其特征在于，所述步驟（1）中，所述聚合物涂層可以部分或者全部覆蓋多孔石墨板表面。
6.如權(quán)利要求所述的顆粒狀碳化硅單晶的生長(zhǎng)方法，其特征在于，所述步驟（1）中，所述SiC籽晶顆粒直徑≤1mm，SiC顆粒晶型為4H、6H、3C、15R中的一種；所述聚合物涂層上均勻布置的SiC籽晶顆粒之間的距離≥10mm。
7.如權(quán)利要求所述的顆粒狀碳化硅單晶的生長(zhǎng)方法，其特征在于，所述步驟（2）中，繼續(xù)升溫至200℃-300℃的升溫速率低于100℃/h。
8.如權(quán)利要求所述的顆粒狀碳化硅單晶的生長(zhǎng)方法，其特征在于，所述步驟（3）中，所述石墨層孔隙率小于5%。
9.如權(quán)利要求所述的顆粒狀碳化硅單晶的生長(zhǎng)方法，其特征在于，所述步驟（4）中，處理后的多孔石墨板非涂覆面與坩堝上蓋的固定方式為機(jī)械方式或者粘結(jié)方式。
10.如權(quán)利要求所述的顆粒狀碳化硅單晶的生長(zhǎng)方法，其特征在于，所述步驟（5）中，所述惰性氣體為氬氣或氦氣。
