本發(fā)明涉及玻璃工藝技術領域，具體為一種導電玻璃的制造方法。

背景技術：

玻璃是由二氧化硅和其他化學物質熔融在一起形成的(主要生產(chǎn)原料為：純堿、石灰石、石英)。在熔融時形成連續(xù)網(wǎng)絡結構，冷卻過程中粘度逐漸增大并硬化致使其結晶的硅酸鹽類非金屬材料，現(xiàn)在廣泛應用在建筑、科技和電子產(chǎn)品之中，然而普通玻璃為一種絕緣體，對產(chǎn)品的適用性不是很高，極大的限制了玻璃制品在社會之中的適用范圍。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種可以進行電傳導的導電玻璃的制造方法，以解決背景技術中提出的問題。

為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供如下技術方案：一種導電玻璃的制造方法，包括玻璃基層制造方法和導電膜層，所述玻璃基層制造方法包括配料、溶制、成型和退火，所述導電膜層的組成材料包括氧化銦、氧化鋅和氧化錫，所述氧化銦的體積百分比為20％-60％，所述氧化鋅的體積百分比為20％-60％，所述氧化錫的體積百分比為20％-60％。

優(yōu)選的，所述玻璃基層制造方法包括以下步驟：

(1)配料：按照設計好的料方單，將各種原料稱量后按照一定比例在混料機內(nèi)混合均勻；

(2)溶制：將混合好的配料投入池窯內(nèi)，所述池窯內(nèi)部溫度設置為1300℃-1600℃，將配好的原料經(jīng)過高溫加熱，形成均勻無氣泡的玻璃液；

(3)成型：將溶制完成后的玻璃液放入模具之中形成需要的一種形態(tài)，所述玻璃成型過程中溫度大約在900℃-1250℃之間，熱膨脹系數(shù)5.0X10-7；

(4)退火：將已經(jīng)成型的玻璃基層由退火爐的入口放入，由退火爐出口取出，所述退火過程持續(xù)進行3-5min，所述退火爐溫度控制在550℃-570℃之間。

優(yōu)選的，所述導電膜層通過平面磁控濺射的方式將導電膜層混合物質噴灑在玻璃基層的表面形成導電膜層，所述導電膜層的厚度應小于10納米。

本發(fā)明采用完整的玻璃生產(chǎn)機制保證了玻璃基層的完整，不同的成型模具適應各種不同的技術領域，而多種混合的導電膜層混合成分保證了導電的持續(xù)性和穩(wěn)定性。

具體實施方式

對本發(fā)明實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本發(fā)明中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。

實施例一：

一種導電玻璃的制造方法，包括玻璃基層制造方法和導電膜層，玻璃基層制造方法包括配料、溶制、成型和退火，導電膜層的組成材料包括氧化銦、氧化鋅和氧化錫，氧化銦的體積百分比為30％，氧化鋅的體積百分比為25％，氧化錫的體積百分比為45％。

玻璃基層制造方法包括以下步驟：

(1)配料：按照設計好的料方單，將各種原料稱量后按照一定比例在混料機內(nèi)混合均勻；

(2)溶制：將混合好的配料投入池窯內(nèi)，池窯內(nèi)部溫度設置為1500℃，將配好的原料經(jīng)過高溫加熱，形成均勻無氣泡的玻璃液；

(3)成型：將溶制完成后的玻璃液放入模具之中形成需要的一種形態(tài)，玻璃成型過程中溫度設置為1100℃，熱膨脹系數(shù)5.0X10-7；

(4)退火：將已經(jīng)成型的玻璃基層由退火爐的入口放入，由退火爐出口取出，退火過程持續(xù)進行4min，退火爐溫度控制在560℃。

導電膜層通過平面磁控濺射的方式將導電膜層混合物質噴灑在玻璃基層的表面形成導電膜層，導電膜層的厚度為8納米。

將加工好的導電玻璃的制造方法用莫氏硬度進行測試，測試結果為6-6.5，導電玻璃的電阻為5-10歐姆，符合標準。

實施例二：

一種導電玻璃的制造方法，包括玻璃基層制造方法和導電膜層，玻璃基層制造方法包括配料、溶制、成型和退火，導電膜層的組成材料包括氧化銦、氧化鋅和氧化錫，氧化銦的體積百分比為25％，氧化鋅的體積百分比為20％，氧化錫的體積百分比為55％。

玻璃基層制造方法包括以下步驟：

(1)配料：按照設計好的料方單，將各種原料稱量后按照一定比例在混料機內(nèi)混合均勻；

(2)溶制：將混合好的配料投入池窯內(nèi)，池窯內(nèi)部溫度設置為1550℃，將配好的原料經(jīng)過高溫加熱，形成均勻無氣泡的玻璃液；

(3)成型：將溶制完成后的玻璃液放入模具之中形成需要的一種形態(tài)，玻璃成型過程中溫度設置為1050℃，熱膨脹系數(shù)5.0X10-7；

(4)退火：將已經(jīng)成型的玻璃基層由退火爐的入口放入，由退火爐出口取出，退火過程持續(xù)進行3.5min，退火爐溫度控制在550℃。

導電膜層通過平面磁控濺射的方式將導電膜層混合物質噴灑在玻璃基層的表面形成導電膜層，導電膜層的厚度為9納米。

將加工好的導電玻璃的制造方法用莫氏硬度進行測試，測試結果為6.8-7.5，導電玻璃的電阻為3-7歐姆，符合標準。

盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實施例，對于本領域的普通技術人員而言，可以理解在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下可以對這些實施例進行多種變化、修改、替換和變型，本發(fā)明的范圍由所附權利要求及其等同物限定。