本實(shí)用新型涉及一種低透低反雙銀LOW-E玻璃。

背景技術(shù)：

LOW-E玻璃由于其良好的熱學(xué)性能被廣泛的應(yīng)用，隨著人們生活水平的逐步提高，以及越來(lái)越嚴(yán)格的節(jié)能政策的頒布，普通的雙銀LOW-E玻璃已經(jīng)不能滿足許多地區(qū)對(duì)玻璃節(jié)能方面的需求，特別是華東地區(qū)為了減少光污染，明確規(guī)定室外反射率不允許超過(guò)15％，但同時(shí)又對(duì)遮陽(yáng)系數(shù)有著極高的標(biāo)準(zhǔn)。然而，目前的LOW-E玻璃要想遮陽(yáng)系數(shù)低，反射就會(huì)很高，相反反射低，遮陽(yáng)系數(shù)就會(huì)很高，對(duì)應(yīng)的玻璃的透光率也會(huì)很高。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的旨在提供一種低透光率、低反射率的低透低反雙銀LOW-E玻璃，以克服現(xiàn)有技術(shù)中的不足之處。

按此目的設(shè)計(jì)的一種低透低反雙銀LOW-E玻璃，包括玻璃基層，其結(jié)構(gòu)特征是所述玻璃基層上依次覆蓋有第一介質(zhì)層、第二介質(zhì)層、第三介質(zhì)層、第一功能層、第一阻擋層、中間干涉層、平整層、第二功能層、第二阻擋層和第四介質(zhì)層。

進(jìn)一步，所述第一介質(zhì)層為Si₃N₄層，該第一介質(zhì)層的厚度為10nm～100nm。

進(jìn)一步，所述第二介質(zhì)層為T(mén)iO₂層，該第二介質(zhì)層的厚度為10nm～100nm。

進(jìn)一步，所述第三介質(zhì)層為AZO層，該第三介質(zhì)層的厚度為5nm～30nm。

進(jìn)一步，所述第一功能層為Ag層，該第一功能層的厚度為5nm～15nm。

進(jìn)一步，所述第一阻擋層為NiCr層，該第一阻擋層的厚度為2nm～10nm。

進(jìn)一步，所述中間干涉層為ZnSn層，該中間干涉層的厚度為10nm～100nm。

所述平整層為AZO層，該平整層的厚度為5nm～30nm；第二功能層為Ag層，該第二功能層的厚度為5nm～15nm；第二阻擋層為NiCr層，該第二阻擋層的厚度為2nm～10nm。

所述第四介質(zhì)層為Si₃N₄層，該第四介質(zhì)層的厚度為10nm～100nm。

一種低透低反雙銀LOW-E玻璃的制備方法，其特征是采用真空磁控濺射生產(chǎn)線制備低透低反雙銀LOW-E玻璃，

通過(guò)真空磁控濺射生產(chǎn)線在玻璃基層上依次覆蓋有第一介質(zhì)層、第二介質(zhì)層、第三介質(zhì)層、第一功能層、第一阻擋層、中間干涉層、平整層、第二功能層、第二阻擋層和第四介質(zhì)層；制備時(shí)使用旋轉(zhuǎn)雙陰極十三個(gè)，平面單陰極四個(gè)，其中，

真空磁控濺射生產(chǎn)線上的一號(hào)靶位和二號(hào)靶位用于在玻璃基層上制備第一介質(zhì)層，一號(hào)靶位和二號(hào)靶位分別采用旋轉(zhuǎn)雙陰極，靶材料為SiAl，濺射工藝氣體為3*10^-3mbar；工藝氣體成分及質(zhì)量比例為氬：氮＝1：1.5，成膜厚度為50nm；

真空磁控濺射生產(chǎn)線上的三號(hào)靶位和四號(hào)靶位用于在玻璃基層上制備第二介質(zhì)層，三號(hào)靶位和四號(hào)靶位分別采用旋轉(zhuǎn)雙陰極，靶材料為T(mén)iO，濺射工藝氣體為3.1*10^-3mbar；工藝氣體成分及質(zhì)量比例為氬：氧＝1：1.2，成膜厚度為30nm；

真空磁控濺射生產(chǎn)線上的五號(hào)靶位用于在玻璃基層上制備第三介質(zhì)層，五號(hào)靶位采用旋轉(zhuǎn)雙陰極，靶材料為AZO，濺射工藝氣體為3.15*10^-3mbar；工藝氣體成分及質(zhì)量比例為氬：氧＝10：1；成膜厚度為10nm；

真空磁控濺射生產(chǎn)線上的六號(hào)靶用于在玻璃基層上制備第一功能層，六號(hào)靶位采用旋轉(zhuǎn)雙陰極，靶材料為Ag，濺射工藝氣體為3*10^-3mbar；工藝氣體成分為全氬氣氛；成膜厚度為3.5nm；

真空磁控濺射生產(chǎn)線上的七號(hào)靶用于在玻璃基層上制備第一阻擋層，七號(hào)靶位采用平面單陰極，靶材料為NiCr；濺射工藝氣體為3*10^-3mbar；工藝氣體成分為全氬氣氛；成膜厚度為6.2nm；

真空磁控濺射生產(chǎn)線上的八號(hào)靶位、九號(hào)靶位、十號(hào)靶位和十一號(hào)靶位用于在玻璃基層上制備中間干涉層，八號(hào)靶位、九號(hào)靶位、十號(hào)靶位和十一號(hào)靶位分別采用旋轉(zhuǎn)雙陰極，靶材料為ZnSn，濺射工藝氣體為3.5*10^-3mbar；工藝氣體成分及質(zhì)量比例為氬：氧＝1：1.2；成膜厚度為85nm；

真空磁控濺射生產(chǎn)線上的十二號(hào)靶位用于在玻璃基層上制備平整層，十二號(hào)靶位采用旋轉(zhuǎn)雙陰極，靶材料為AZO，濺射工藝氣體為3.18*10^-3mbar；工藝氣體成分及質(zhì)量比例為氬：氧＝10：1；成膜厚度為10nm；

真空磁控濺射生產(chǎn)線上的十三號(hào)靶位用于在玻璃基層上制備第二功能層，十三號(hào)靶位采用平面單陰極，靶材料為Ag，濺射工藝氣體為3*10^-3mbar；工藝氣體成分為全氬氣氛；成膜厚度為8nm；

真空磁控濺射生產(chǎn)線上的十四號(hào)靶位用于在玻璃基層上制備第二阻擋層，十四號(hào)靶位采用平面單陰極，靶材料為NiCr；濺射工藝氣體為 3*10^-3mbar；工藝氣體成分為全氬氣氛；成膜厚度為5.8nm；

真空磁控濺射生產(chǎn)線上的十五號(hào)靶位、十六號(hào)靶位和十七號(hào)靶位用于在玻璃基層上制備第四介質(zhì)層，十五號(hào)靶位、十六號(hào)靶位和十七號(hào)靶位分別采用旋轉(zhuǎn)雙陰極，靶材料為SiAl，濺射工藝氣體為3.6*10^-3mbar；工藝氣體成分及質(zhì)量比例為氬：氮＝1：1.2，成膜厚度為40nm。

本實(shí)用新型中的玻璃基層上設(shè)置有鍍膜層，該鍍膜層包括玻璃基層上依次覆蓋有第一介質(zhì)層、第二介質(zhì)層、第三介質(zhì)層、第一功能層、第一阻擋層、中間干涉層、平整層、第二功能層、第二阻擋層和第四介質(zhì)層；其中，第一介質(zhì)層用于提高膜層的物理性能和抗氧化性能；第二介質(zhì)層用于提高膜層的致密性和折射率；第三介質(zhì)層用于阻擋玻璃表面的Na+對(duì)功能層的破壞。平復(fù)銀層，鋼化過(guò)程中防止銀層塌方，提高玻璃的折射率；第一功能層用于降低輻射率；第一阻擋層用于提高耐磨性能；中間干涉層用于提高玻璃的折射率；平整層用于降低輻射率；第二功能層用于降低輻射率；第二阻擋層用于提高膜層耐磨性、以及鋼化時(shí)抗高溫氧化性；第四介質(zhì)層用于提高膜層的物理性能和抗氧化性能；最終調(diào)試出的LOW-E玻璃的顏色參數(shù)呈現(xiàn)低透低反淺藍(lán)灰色。

本實(shí)用新型通過(guò)優(yōu)化材料以及氣體的配比，提供了一種新型膜系，公開(kāi)了一種低透低反雙銀LOW-E玻璃的制備方法，在降低透光率的同時(shí)將反射率作到很低，使得該產(chǎn)品既能滿足反射率低、光污染低，又能夠使得玻璃具有較好的光學(xué)性能以及教低的遮陽(yáng)系數(shù)。

綜上所述，本實(shí)用新型采用上述技術(shù)方案獲得的LOW-E玻璃具有較好的遮光性能，并且合成中空玻璃后，具有低透低反低遮陽(yáng)系數(shù)和優(yōu)良的光學(xué)性能。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型一實(shí)施例的局部剖切示意圖。

圖2為本實(shí)用新型中的膜系結(jié)構(gòu)模擬圖表。

圖中：1為玻璃基層，2為第一介質(zhì)層，3為第二介質(zhì)層，4為第三介質(zhì)層，5為第一功能層，6為第一阻擋層，7為中間干涉層，8為平整層，9為第二功能層，10為第二阻擋層，11為第四介質(zhì)層。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述。

參見(jiàn)圖1-圖2，本低透低反雙銀LOW-E玻璃，包括玻璃基層1，所述玻璃基層1上依次覆蓋有第一介質(zhì)層2、第二介質(zhì)層3、第三介質(zhì)層4、第一 功能層5、第一阻擋層6、中間干涉層7、平整層8、第二功能層9、第二阻擋層10和第四介質(zhì)層11。

膜系結(jié)構(gòu)為Glass-Si₃N₄-TiO₂-AZO-Ag-NiCr-ZnSn-AZO-Ag-NiCr-Si₃N₄。

在本實(shí)施例中，Glass為玻璃基層。玻璃輸送速度為3.5m/min。

所述第一介質(zhì)層2為Si₃N₄層，該第一介質(zhì)層2的厚度為10nm～100nm。第一介質(zhì)層2通過(guò)交流中頻電源、氮?dú)庾鞣磻?yīng)氣體濺射半導(dǎo)體材料SiAl，其密度為96％，其中，SiAl中的Si：Al的質(zhì)量比為98:2。第一介質(zhì)層2用于提高膜層的物理性能和抗氧化性能。

在本實(shí)施例中，第一介質(zhì)層2厚度的優(yōu)選為10nm、15nm、20nm、25nm、30nm、35nm、40nm、45nm、50nm、55nm、60nm、65nm、70nm、75nm、80nm、85nm、90nm、95nm、100nm中的一種。

所述第二介質(zhì)層3為T(mén)iO₂層，該第二介質(zhì)層3的厚度為10nm～100nm。第二介質(zhì)層3通過(guò)交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶后形成。第二介質(zhì)層3用于阻擋玻璃表面的Na⁺對(duì)功能層的破壞、平復(fù)銀層以及提高玻璃的折射率。

在本實(shí)施例中，第二介質(zhì)層3厚度的優(yōu)選為10nm、15nm、20nm、25nm、30nm、35nm、40nm、45nm、50nm、55nm、60nm、65nm、70nm、75nm、80nm、85nm、90nm、95nm、100nm中的一種。

所述第三介質(zhì)層4為AZO層，該第三介質(zhì)層4的厚度為5nm～30nm。第三介質(zhì)層4通過(guò)交流中頻電源濺射陶瓷鈦靶后形成。第三介質(zhì)層4用于阻擋玻璃表面的Na+對(duì)功能層的破壞、以及平復(fù)銀層，在鋼化過(guò)程中防止銀層塌方，提高玻璃的折射率。

在本實(shí)施例中，第三介質(zhì)層4厚度的優(yōu)選為5nm、10nm、15nm、20nm、25nm、30nm中的一種。

所述第一功能層5為Ag層，該第一功能層5的厚度為5nm～15nm。第一功能層5通過(guò)交流電源濺射形成，用于降低輻射率和提高玻璃的光學(xué)性能。

在本實(shí)施例中，第一功能層5厚度的優(yōu)選為5nm、6nm、7nm、8nm、9nm、10nm、11nm、12nm、13nm、14nm、15nm中的一種。

所述第一阻擋層6為NiCr層，該第一阻擋層6的厚度為2nm～10nm。第一阻擋層6用直流電源濺射、用氬氣濺射，相對(duì)以往的產(chǎn)品，提高本產(chǎn)品的耐磨性能。

在本實(shí)施例中，第一阻擋層6厚度的優(yōu)選為2nm、3nm、4nm、5nm、6nm、7nm、8nm、9nm、10nm中的一種。

所述中間干涉層7為ZnSn層，該中間干涉層7的厚度為10nm～100nm。中間干涉層7用于提高玻璃的折射率。

在本實(shí)施例中，中間干涉層7厚度的優(yōu)選為10nm、15nm、20nm、25nm、 30nm、35nm、40nm、45nm、50nm、55nm、60nm、65nm、70nm、75nm、80nm、85nm、90nm、95nm、100nm中的一種。

所述平整層8為AZO層，該平整層8的厚度為5nm～30nm；平整層8采用中頻交流電源濺射陶瓷Zn(或AZO)靶，為Ag層作鋪墊，用于降低輻射率。

在本實(shí)施例中，平整層8厚度的優(yōu)選為5nm、10nm、15nm、20nm、25nm、30nm中的一種。

第二功能層9為Ag層，該第二功能層9的厚度為5nm～15nm；第二功能層9通過(guò)交流電源濺射形成，用于降低輻射率。

在本實(shí)施例中，第二功能層9厚度的優(yōu)選為5nm、6nm、7nm、8nm、9nm、10nm、11nm、12nm、13nm、14nm、15nm中的一種。

第二阻擋層10為NiCr層，該第二阻擋層10的厚度為2nm～10nm。第二阻擋層10采用直流電源濺射、氬氣濺射氣體。第二阻擋層10用于提高膜層耐磨性、以及鋼化時(shí)抗高溫氧化性。

在本實(shí)施例中，第二阻擋層10厚度的優(yōu)選為2nm、3nm、4nm、5nm、6nm、7nm、8nm、9nm、10nm中的一種。

所述第四介質(zhì)層11為Si₃N₄層，該第四介質(zhì)層11的厚度為10nm～100nm。第四介質(zhì)層11采用交流中頻電源、氮?dú)庾鞣磻?yīng)氣體濺射半導(dǎo)體材料SiAl，密度96％，提高膜層的物理性能和抗氧化性能，其中，SiAl中的Si：Al的質(zhì)量比為98:2。

在本實(shí)施例中，第四介質(zhì)層11厚度的優(yōu)選為10nm、15nm、20nm、25nm、30nm、35nm、40nm、45nm、50nm、55nm、60nm、65nm、70nm、75nm、80nm、85nm、90nm、95nm、100nm中的一種。

制備上述的產(chǎn)品時(shí)，可以采用下面的制備方法。

一種低透低反雙銀LOW-E玻璃的制備方法，是采用真空磁控濺射生產(chǎn)線制備低透低反雙銀LOW-E玻璃，通過(guò)真空磁控濺射生產(chǎn)線在玻璃基層上依次覆蓋有第一介質(zhì)層2、第二介質(zhì)層3、第三介質(zhì)層4、第一功能層5、第一阻擋層6、中間干涉層7、平整層8、第二功能層9、第二阻擋層10和第四介質(zhì)層11；制備時(shí)使用旋轉(zhuǎn)雙陰極十三個(gè)，平面單陰極四個(gè)，

其中，真空磁控濺射生產(chǎn)線上的一號(hào)靶位和二號(hào)靶位用于在玻璃基層1上制備第一介質(zhì)層，一號(hào)靶位和二號(hào)靶位分別采用旋轉(zhuǎn)雙陰極，靶材料為SiAl，濺射工藝氣體為3*10^-3mbar；工藝氣體成分及質(zhì)量比例為氬：氮＝1：1.5，成膜厚度為50nm；

真空磁控濺射生產(chǎn)線上的三號(hào)靶位和四號(hào)靶位用于在玻璃基層1上制備第二介質(zhì)層，三號(hào)靶位和四號(hào)靶位分別采用旋轉(zhuǎn)雙陰極，靶材料為T(mén)iO，濺射工藝氣體為3.1*10^-3mbar；工藝氣體成分及質(zhì)量比例為氬：氧＝1：1.2， 成膜厚度為30nm；

真空磁控濺射生產(chǎn)線上的五號(hào)靶位用于在玻璃基層1上制備第三介質(zhì)層，五號(hào)靶位采用旋轉(zhuǎn)雙陰極，靶材料為AZO，濺射工藝氣體為3.15*10^-3mbar；工藝氣體成分及質(zhì)量比例為氬：氧＝10：1；成膜厚度為10nm；

真空磁控濺射生產(chǎn)線上的六號(hào)靶用于在玻璃基層1上制備第一功能層，六號(hào)靶位采用旋轉(zhuǎn)雙陰極，靶材料為Ag，濺射工藝氣體為3*10^-3mbar；工藝氣體成分為全氬氣氛；成膜厚度為3.5nm；

真空磁控濺射生產(chǎn)線上的七號(hào)靶用于在玻璃基層1上制備第一阻擋層，七號(hào)靶位采用平面單陰極，靶材料為NiCr；濺射工藝氣體為3*10^-3mbar；工藝氣體成分為全氬氣氛；成膜厚度為6.2nm；

真空磁控濺射生產(chǎn)線上的八號(hào)靶位、九號(hào)靶位、十號(hào)靶位和十一號(hào)靶位用于在玻璃基層1上制備中間干涉層，八號(hào)靶位、九號(hào)靶位、十號(hào)靶位和十一號(hào)靶位分別采用旋轉(zhuǎn)雙陰極，靶材料為ZnSn，濺射工藝氣體為3.5*10^-3mbar；工藝氣體成分及質(zhì)量比例為氬：氧＝1：1.2；成膜厚度為85nm；

真空磁控濺射生產(chǎn)線上的十二號(hào)靶位用于在玻璃基層1上制備平整層，十二號(hào)靶位采用旋轉(zhuǎn)雙陰極，靶材料為AZO，濺射工藝氣體為3.18*10^-3mbar；工藝氣體成分及質(zhì)量比例為氬：氧＝10：1；成膜厚度為10nm；

真空磁控濺射生產(chǎn)線上的十三號(hào)靶位用于在玻璃基層1上制備第二功能層，十三號(hào)靶位采用平面單陰極，靶材料為Ag，濺射工藝氣體為3*10^-3mbar；工藝氣體成分為全氬氣氛；成膜厚度為8nm；

真空磁控濺射生產(chǎn)線上的十四號(hào)靶位用于在玻璃基層1上制備第二阻擋層，十四號(hào)靶位采用平面單陰極，靶材料為NiCr；濺射工藝氣體為3*10^-3mbar；工藝氣體成分為全氬氣氛；成膜厚度為5.8nm；

真空磁控濺射生產(chǎn)線上的十五號(hào)靶位、十六號(hào)靶位和十七號(hào)靶位用于在玻璃基層1上制備第四介質(zhì)層，十五號(hào)靶位、十六號(hào)靶位和十七號(hào)靶位分別采用旋轉(zhuǎn)雙陰極，靶材料為SiAl，濺射工藝氣體為3.6*10^-3mbar；工藝氣體成分及質(zhì)量比例為氬：氮＝1：1.2，成膜厚度為40nm。

至于真空磁控濺射生產(chǎn)線上其余部分，則與現(xiàn)有技術(shù)一樣，不再贅述。

采用上述工藝參數(shù)設(shè)計(jì)出的玻璃顏色性能如下表1。

表1

最終調(diào)試出的玻璃顏色參數(shù)呈現(xiàn)低透低反淺藍(lán)灰色。

從上述數(shù)據(jù)分析，該種顏色對(duì)應(yīng)的產(chǎn)品具有較好的遮光性能，并且合成中空玻璃后，具有低透低反低遮陽(yáng)系數(shù)，具有優(yōu)良的光學(xué)性能。

以上顯示和描述了本實(shí)用新型的基本原理和主要特征和本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本實(shí)用新型不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說(shuō)明書(shū)中描述的只是說(shuō)明本實(shí)用新型的原理，在不脫離本實(shí)用新型精神和范圍的前提下，本實(shí)用新型還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本實(shí)用新型范圍內(nèi)。本實(shí)用新型要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書(shū)及其等效物界定。