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一種以濃硫酸為插層劑制備單層或寡層氮化硼納米片的方法與流程

文檔序號(hào):11228731閱讀:來源:國知局

技術(shù)特征:

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種以濃硫酸為插層劑制備單層或寡層氮化硼納米片的方法,包括如下步驟:室溫下,將市售的塊體氮化硼原料與濃硫酸均勻混合,攪拌,使?jié)饬蛩岵迦氲饘娱g,得到均勻混合溶液;將均勻混合溶液快速倒入定量超純水中,進(jìn)行超聲分散,得到氮化硼分散液;將氮化硼分散液經(jīng)抽濾,洗滌至抽濾液pH值為中性后,再將濾渣均勻地分散到超純水中,得到均勻分散液;將均勻分散液靜置,去除大塊未被剝離的氮化硼,取上層清液,即得到氮化硼納米片分散液;將氮化硼納米片分散液中的氮化硼納米片分離出來,干燥,即得到產(chǎn)品氮化硼納米片。本發(fā)明具有反應(yīng)設(shè)備簡(jiǎn)單、反應(yīng)時(shí)間短、成本低、產(chǎn)率高、環(huán)境友好、易于規(guī)模化生產(chǎn)、產(chǎn)品質(zhì)量好等特點(diǎn)。

技術(shù)研發(fā)人員:袁頌東;朱星;袁澤緯;熊劍;江國棟
受保護(hù)的技術(shù)使用者:深圳市澤緯科技有限公司
技術(shù)研發(fā)日:2017.07.18
技術(shù)公布日:2017.09.12
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