1.陣列碳納米管聚合物復合材料，包括陣列碳納米管，其特征在于：所述的陣列碳納米管表面包覆有聚合物層；
所述的聚合物是指對太赫茲透明的環(huán)氧樹脂聚合物，所述的環(huán)氧樹脂聚合物由環(huán)氧樹脂、十二碳琥珀酸酐、甲基內(nèi)次甲基四氫苯二甲酸酐和固化劑組成。
2.陣列碳納米管聚合物復合材料的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
步驟一：制備陣列碳納米管；
步驟二：將步驟一制得的陣列碳納米管置于聚合物溶液中，在40～50℃下培養(yǎng)48h，然后取出聚合物溶液中的陣列碳納米管干燥，即可獲得陣列碳納米管聚合物復合材料。
3.權利要求1所述的陣列碳納米管聚合物復合材料用于制備太赫茲偏振片的應用。
4.陣列碳納米管聚合物復合材料太赫茲偏振片的制備方法，其特征在于：包括以下步驟：
步驟一：制備陣列碳納米管；
步驟二：將步驟一制得的陣列碳納米管置于聚合物溶液中，在40～50℃下培養(yǎng)48h，然后取出聚合物溶液中的陣列碳納米管干燥，即可獲得陣列碳納米管聚合物復合材料；
步驟三：將步驟二獲得的陣列碳納米管聚合物復合材料沿陣列取向方向切片，即可得陣列碳管聚合物復合材料太赫茲偏振片；
步驟四：將步驟三制備的陣列碳管聚合物復合材料太赫茲偏振片水平放置，通過旋轉(zhuǎn)該太赫茲偏振片，測量不同偏振入射角度下太赫茲波的透射情況。
5.如權利要求1所述的陣列碳納米管聚合物復合材料，其特征在于：所述的環(huán)氧樹脂、十二碳琥珀酸酐和甲基內(nèi)次甲基四氫苯二甲酸酐的體積比為：7.5：4：3.5～8.5。
6.權利要求2或4所述的制備方法，其特征在于：所述的步驟二中干燥工藝為在50～70℃下保溫48h。
7.權利要求2或4的制備方法，其特征在于：所述的步驟一的具體步驟為：
將生長碳納米管的襯底清洗烘干，在保護氣體下將步驟一的襯底加熱至720～750℃，通入碳源和催化劑，反應5～10min，反應完成后在氬氣氣氛中冷卻至室溫，即可得到垂直陣列碳納米管。
8.權利要求7所述的制備方法，其特征在于：所述的保護氣體為氬氣和氫氣的混合氣體，氫氣的總占比為10～30％。
9.權利要求7所述的制備方法，其特征在于：所述的催化劑為二茂鐵，所述的碳源為乙炔。