有機電致發(fā)光半導體材料及其制備方法和應用的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種有機電致發(fā)光半導體材料及其制備方法和應用。該有機電致發(fā)光半導體材料分子結(jié)構(gòu)通式為下述（Ⅰ），（Ⅰ）式中的R為苯基或C1～C6的烷基。其制備方法包括提供化合物A、B和將化合物A、B進行Suzuki偶聯(lián)反應生成有機電致發(fā)光半導體材料的步驟，該有機電致發(fā)光半導體材料熱穩(wěn)定性優(yōu)異，避免了其薄膜再結(jié)晶或熔解現(xiàn)象發(fā)生。同時該有機電致發(fā)光半導體材料電子傳輸性能和溶解性優(yōu)異，成膜性好，應用范圍寬。其制備方法工藝成熟，產(chǎn)率高。
【專利說明】有機電致發(fā)光半導體材料及其制備方法和應用

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明屬于有機發(fā)光材料【技術(shù)領(lǐng)域】，具體的說是涉及一種有機電致發(fā)光半導體材 料及其制備方法和應用。

【背景技術(shù)】
[0002] 有機電致發(fā)光器件（OrganicLightEmissionDiode,以下簡稱0LED)是基于有機 材料的一種電流型半導體發(fā)光器件。0LED的發(fā)光原理是基于在外加電場的作用下，電子從 陰極注入到有機物的最低未占有分子軌道（LUM0)，而空穴從陽極注入到有機物的最高占有 軌道（HOMO)。電子和空穴在發(fā)光層相遇、復合、形成激子，激子在電場作用下遷移，將能量傳 遞給發(fā)光材料，并激發(fā)電子從基態(tài)躍遷到激發(fā)態(tài)，激發(fā)態(tài)能量通過輻射失活，產(chǎn)生光子，釋 放光能。
[0003] 0LED具有發(fā)光效率高、材料選擇范圍寬、驅(qū)動電壓低、全固化主動發(fā)光、輕、薄等 優(yōu)點，同時擁有高清晰、廣視角、響應速度快、低成本以及色彩鮮艷等優(yōu)勢，是一種極具潛力 的顯示技術(shù)和光源，符合信息時代移動通信和信息顯示的發(fā)展趨勢，以及綠色照明技術(shù)的 要求，因此，被業(yè)內(nèi)人士認為是最有可能在未來的照明和顯示器件市場上占據(jù)霸主地位的 新一代器件。正是由于該0LED具有該優(yōu)點，隨著信息時代的發(fā)展，具有高效、節(jié)能、輕質(zhì)的 有機電致發(fā)光平板顯示器（OLEDs)及大面積白光照明越來越受到人們的關(guān)注，同時對制備 0LED的材料提出了較高的要求。
[0004] 1987年，美國Eastman Kodak公司的Tang和VanSlyke報道了有機電致發(fā)光研究 中的突破性進展。但是要實現(xiàn)全色顯示及照明等應用目的，發(fā)光器件必須具有一定的效率 和壽命。而由于在有機材料電荷傳輸中電子通常是少子，將其應用于電致發(fā)光器件中時，如 應用于0LED器件中時影響了 0LED器件光率。另外，目前具有較好電子傳輸性能的有機電 致發(fā)光材料還比較缺乏。
[0005] 目前，簡單的聯(lián)噻吩噻咯發(fā)藍光，由于〇 *_ *共軛降低了其LUM0水平，因此該聯(lián) 噻吩噻咯也可以作為多層有機電致發(fā)光器件的電子傳輸材料。但是，在實際應用過程中，發(fā) 現(xiàn)該聯(lián)噻吩噻咯所形成的薄膜層熱不穩(wěn)定，應用到器件，常常會因為結(jié)晶或熔化導致器件 性能的急劇降低。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006] 本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的上述不足，提供一種有機電致發(fā)光半導體材 料，以解決現(xiàn)有簡單的聯(lián)噻吩噻咯熱穩(wěn)定性差易發(fā)生結(jié)晶或熔化不利現(xiàn)象的技術(shù)問題。
[0007] 本發(fā)明的另一目的在于提供一種產(chǎn)率高，易于操作和控制的有機電致發(fā)光半導體 材料的制備方法。
[0008] 本發(fā)明進一步的目的在于提供上述有機電致發(fā)光半導體材料的應用。
[0009] 為了實現(xiàn)上述發(fā)明目的，本發(fā)明的技術(shù)方案如下：
[0010] 一種有機電致發(fā)光半導體材料，其分子結(jié)構(gòu)通式為下述（I ):
[0011]
[0012] 式中，R為苯基或(^?C6的烷基。
[0013] 以及，一種制備上述有機電致發(fā)光半導體材料的方法，包括如下步驟：
[0014] 提供如下結(jié)構(gòu)式通式的化合物A、B :
[0015]

【權(quán)利要求】
1. 一種有機電致發(fā)光半導體材料，其分子結(jié)構(gòu)通式為下述（I):
式中，R為苯基或C1?C6的烷基。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的有機電致發(fā)光半導體材料，其特征在于：所述C1?C6的烷基 為C3?C6的燒基。
3. -種制備如權(quán)利要求1或2所述的有機電致發(fā)光半導體材料的方法，包括如下步 驟： 提供如下結(jié)構(gòu)式通式的化合物A、B :
在無氧、堿性環(huán)境中和有機金屬催化劑、有機溶劑存在的條件下，將所述化合物A與B 進行Suzuki偶聯(lián)反應，得到如下結(jié)構(gòu)通式為（I )表示的有機電致發(fā)光半導體材料：
其中，化合物A、結(jié)構(gòu)通式（I )中的R為苯基或C1?C6的烷基。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機電致發(fā)光半導體材料的方法，其特征在于：所述Suzuki 偶聯(lián)反應的溫度為75?120°C，反應時間為24?48小時。
5. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機電致發(fā)光半導體材料的方法，其特征在于：所述化合物A 與B的摩爾比為1: (2?3)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的有機電致發(fā)光半導體材料的方法，其特征在于：所述有機金 屬催化劑的用量與化合物A用量的摩爾比為（0. 05?0. 1) : 1。
7. 根據(jù)權(quán)利要求3?6任一所述所述的有機電致發(fā)光半導體材料的方法，其特征在于： 所述有機金屬催化劑為有機鈀。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的有機電致發(fā)光半導體材料的方法，其特征在于：所述有機鈀 為四（三苯基膦）鈀、雙（三苯基膦）二氯化鈀、三（二亞芐基丙酮）二鈀中至少一種。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1至2任一項所述的有機電致發(fā)光半導體材料在有機光電材料、聚合 物太陽能電池、有機電致發(fā)光器件、有機場效應晶體管、有機光存儲器件、有機非線性材料 或/和有機激光器件中的應用。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的有機電致發(fā)光半導體材料的應用，其特征在于：所述有機電 致發(fā)光器件包括依次層疊結(jié)合的陽極層、有機功能層、陰極層，其中，所述有機功能層包括 在外加電源的驅(qū)動下發(fā)光的發(fā)光層，且所述發(fā)光層材料為如權(quán)利要求1至2任一項所述的 有機電致發(fā)光半導體材料。
【文檔編號】C09K11/06GK104327837SQ201310309638
【公開日】2015年2月4日 申請日期:2013年7月22日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月22日
【發(fā)明者】周明杰, 王平, 梁祿生, 張振華 申請人:海洋王照明科技股份有限公司, 深圳市海洋王照明技術(shù)有限公司, 深圳市海洋王照明工程有限公司