本發(fā)明屬于飼料滅菌，特別涉及一種氣基氧化或還原焙燒的回轉(zhuǎn)窯裝置。

背景技術(shù)：

1、在冶金領(lǐng)域，國(guó)家鼓勵(lì)發(fā)展氣基或氫基非高爐短流程法冶金，盡可能減少化石能源的應(yīng)用。因此，在粉礦或球團(tuán)法氣基或氫基直接還原鐵生產(chǎn)時(shí)，需先將磁鐵礦粉或球團(tuán)礦氧化焙燒進(jìn)行改性，以利于后序進(jìn)一步深度還原，同時(shí)，還可獲得1000℃以上高溫顯熱、深度氧化改性了的氧化鐵粉，從而可減少和減輕了還原氣體的加熱溫度和加熱總量，利于后序深度還原。

2、對(duì)于需要還原焙燒或者磁化焙燒的礦物質(zhì)原料，比如：赤鐵礦粉的磁化焙燒；高鐵高錳礦粉的還原焙燒，也需要大產(chǎn)能進(jìn)行規(guī)?；幚恚乾F(xiàn)有的懸浮閃速焙燒裝置，其單條生產(chǎn)線的年處理量最大規(guī)模僅為50～60萬(wàn)噸，無(wú)法滿足100萬(wàn)噸以上的高產(chǎn)能的規(guī)模，設(shè)備龐大，操作復(fù)雜，其設(shè)備和土建的投資巨大，且焙燒效果并不好。

3、因此，對(duì)一種氣基氧化或還原焙燒的回轉(zhuǎn)窯裝置進(jìn)行設(shè)計(jì)，在提高年處理量的基礎(chǔ)上，提高焙燒效果是本領(lǐng)域技術(shù)人員需要解決的技術(shù)問(wèn)題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供一種氣基氧化或還原焙燒的回轉(zhuǎn)窯裝置，在提高年處理量的基礎(chǔ)上，提高焙燒效果。

2、為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了如下方案：

3、一種氣基氧化或還原焙燒的回轉(zhuǎn)窯裝置，包括傾斜設(shè)置的回轉(zhuǎn)窯裝置，設(shè)置在所述回轉(zhuǎn)窯裝置一端的高溫物料進(jìn)口，以及設(shè)置在所述回轉(zhuǎn)窯裝置另一端的高溫物料出口，所述回轉(zhuǎn)窯裝置內(nèi)壁上靠近所述高溫物料進(jìn)口處設(shè)置有后組揚(yáng)料板，所述回轉(zhuǎn)窯裝置靠近所述高溫物料出口一端貫穿設(shè)置有噴射火舌的燒嘴總成，所述回轉(zhuǎn)窯裝置內(nèi)壁沿所述火舌噴射方向布設(shè)有前組揚(yáng)料板，所述回轉(zhuǎn)窯裝置上穿設(shè)有用于埋設(shè)在焙燒物料內(nèi)部的噴氣頭總成，所述噴氣頭總成靠近所述燒嘴總成設(shè)置，所述回轉(zhuǎn)窯裝置靠近所述高溫物料進(jìn)口處設(shè)置有排煙管。

4、優(yōu)選地，所述噴氣頭總成包括進(jìn)氣室，開(kāi)設(shè)在所述進(jìn)氣室上的進(jìn)氣口，與所述進(jìn)氣室連通且布設(shè)在所述進(jìn)氣室上的兩個(gè)或兩個(gè)以上的噴氣細(xì)管，所述噴氣細(xì)管上均勻開(kāi)設(shè)有兩個(gè)或兩個(gè)以上的噴氣細(xì)孔，所述進(jìn)氣室通過(guò)所述進(jìn)氣口與外部氣源連通。

5、優(yōu)選地，所述噴氣細(xì)管遠(yuǎn)離所述進(jìn)氣室的一端朝向或遠(yuǎn)離所述進(jìn)氣室中軸線彎曲。

6、優(yōu)選地，所述噴氣細(xì)管的端部與所述回轉(zhuǎn)窯裝置內(nèi)壁的間距為10mm至20mm。

7、優(yōu)選地，所述回轉(zhuǎn)窯裝置的內(nèi)壁上設(shè)置有爐襯，所述回轉(zhuǎn)窯裝置的外壁上設(shè)置有用于支撐所述回轉(zhuǎn)窯裝置的后托圈支承總成和前托圈支承總成，以及用于驅(qū)動(dòng)所述回轉(zhuǎn)窯裝置旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)總成，所述回轉(zhuǎn)窯裝置兩端分別設(shè)置有窯尾罩和窯頭罩。

8、優(yōu)選地，所述燒嘴總成通過(guò)設(shè)置在所述回轉(zhuǎn)窯裝置外壁上的煤氣進(jìn)口與外部燃?xì)夂椭硷L(fēng)連通。

9、優(yōu)選地，所述前組揚(yáng)料板和所述后組揚(yáng)料板均沿所述回轉(zhuǎn)窯裝置內(nèi)壁周向上間隔布置，且設(shè)置在所述回轉(zhuǎn)窯裝置內(nèi)壁周向上的所述前組揚(yáng)料板和所述后組揚(yáng)料板分別為6至12片，所述前組揚(yáng)料板和所述后組揚(yáng)料板沿所述回轉(zhuǎn)窯裝置內(nèi)壁軸向上間隔布置，且設(shè)置在所述回轉(zhuǎn)窯裝置內(nèi)壁軸向上的所述前組揚(yáng)料板和所述后組揚(yáng)料板分別為4至8片。

10、優(yōu)選地，所述前組揚(yáng)料板和所述后組揚(yáng)料板遠(yuǎn)離所述回轉(zhuǎn)窯裝置內(nèi)壁一端均設(shè)置有折彎段，所述折彎段與所述前組揚(yáng)料板和所述后組揚(yáng)料板的夾角為135°至145°。

11、優(yōu)選地，所述前組揚(yáng)料板與所述后組揚(yáng)料板的厚度與所述焙燒物料的厚度一致，沿所述回轉(zhuǎn)窯裝置軸向上，相鄰沿所述回轉(zhuǎn)窯裝置周向布設(shè)的前組揚(yáng)料板或后組揚(yáng)料板交錯(cuò)布置。

12、優(yōu)選地，所述回轉(zhuǎn)窯裝置的安裝斜度為3°至5°。

13、本發(fā)明相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)取得了以下技術(shù)效果：

14、通過(guò)在高溫物料進(jìn)口處和火舌噴射方向上分別設(shè)置后組揚(yáng)料板和前組揚(yáng)料板，且在靠近燒嘴總成處設(shè)置噴氣頭總成，物料從高溫物料進(jìn)口逐漸向高溫物料出口翻轉(zhuǎn)的過(guò)程中，通過(guò)前組揚(yáng)料板對(duì)高溫焙燒物料進(jìn)行不斷的揚(yáng)料，使此處的焙燒物料處于多道不斷地降落和翻轉(zhuǎn)狀態(tài)，形成“雨幕”，高溫焙燒物料不斷的下落，利于埋入焙燒物料的噴氣頭總成向焙燒物料中鼓入氣體，使高溫焙燒物料與噴氣頭總成總噴出的氣體充分接觸，進(jìn)而保證焙燒物料的氧化或還原效果，而對(duì)于沒(méi)有完全反應(yīng)從焙燒物料溢出的氣體，在排煙管后引風(fēng)機(jī)的作用下，上升并向排煙管方向運(yùn)動(dòng)，溢出的氣體穿過(guò)焙燒物料形成的“雨幕”狀高溫物料時(shí)，繼續(xù)進(jìn)行直接接觸、不間斷的交換，進(jìn)一步反應(yīng)，促使物料反應(yīng)充分，反應(yīng)速度快，處理量大，物料還原或氧化處理的時(shí)間僅為10～40min，極大縮短了物料還原或氧化的時(shí)間；

15、而且，通過(guò)設(shè)置在入料口處的后組揚(yáng)料板，利于剛?cè)霠t的低溫或含水的焙燒物料的揚(yáng)起，并使其同樣形成“雨幕”，使其充分與在燒嘴總成處形成的高溫?zé)煔膺M(jìn)行熱交換，利于焙燒物料的烘干和預(yù)熱，另外，后組揚(yáng)料板將焙燒物料揚(yáng)起所形成的“雨幕”，可以對(duì)前組揚(yáng)料板揚(yáng)起的焙燒物料形成的特別干燥的粉塵，進(jìn)行過(guò)濾，即當(dāng)干燥的粉塵運(yùn)行到后組揚(yáng)料板的“雨幕”處時(shí)，由于剛進(jìn)入回轉(zhuǎn)窯裝置高溫物料進(jìn)口處的焙燒物料溫度低，而且含有一定量的水份，可起到攔截、過(guò)濾窯頭運(yùn)行到窯尾特別干燥的粉塵作用，以減少排煙管內(nèi)排出的廢煙氣中的溫度和的粉塵含量。

技術(shù)特征：

1.一種氣基氧化或還原焙燒的回轉(zhuǎn)窯裝置，其特征在于，包括傾斜設(shè)置的回轉(zhuǎn)窯裝置，設(shè)置在所述回轉(zhuǎn)窯裝置一端的高溫物料進(jìn)口，以及設(shè)置在所述回轉(zhuǎn)窯裝置另一端的高溫物料出口，所述回轉(zhuǎn)窯裝置內(nèi)壁上靠近所述高溫物料進(jìn)口處設(shè)置有后組揚(yáng)料板，所述回轉(zhuǎn)窯裝置靠近所述高溫物料出口一端貫穿設(shè)置有噴射火舌的燒嘴總成，所述回轉(zhuǎn)窯裝置內(nèi)壁沿所述火舌噴射方向布設(shè)有前組揚(yáng)料板，所述回轉(zhuǎn)窯裝置上穿設(shè)有用于埋設(shè)在焙燒物料內(nèi)部的噴氣頭總成，所述噴氣頭總成靠近所述燒嘴總成設(shè)置，所述回轉(zhuǎn)窯裝置靠近所述高溫物料進(jìn)口處設(shè)置有排煙管。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣基氧化或還原焙燒的回轉(zhuǎn)窯裝置，其特征在于，所述噴氣頭總成包括進(jìn)氣室，開(kāi)設(shè)在所述進(jìn)氣室上的進(jìn)氣口，與所述進(jìn)氣室連通且布設(shè)在所述進(jìn)氣室上的兩個(gè)或兩個(gè)以上的噴氣細(xì)管，所述噴氣細(xì)管上均勻開(kāi)設(shè)有兩個(gè)或兩個(gè)以上的噴氣細(xì)孔，所述進(jìn)氣室通過(guò)所述進(jìn)氣口與外部氣源連通。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的氣基氧化或還原焙燒的回轉(zhuǎn)窯裝置，其特征在于，所述噴氣細(xì)管遠(yuǎn)離所述進(jìn)氣室的一端朝向或遠(yuǎn)離所述進(jìn)氣室中軸線彎曲。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的氣基氧化或還原焙燒的回轉(zhuǎn)窯裝置，其特征在于，所述噴氣細(xì)管的端部與所述回轉(zhuǎn)窯裝置內(nèi)壁的間距為10mm至20mm。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣基氧化或還原焙燒的回轉(zhuǎn)窯裝置，其特征在于，所述回轉(zhuǎn)窯裝置的內(nèi)壁上設(shè)置有爐襯，所述回轉(zhuǎn)窯裝置的外壁上設(shè)置有用于支撐所述回轉(zhuǎn)窯裝置的后托圈支承總成和前托圈支承總成，以及用于驅(qū)動(dòng)所述回轉(zhuǎn)窯裝置旋轉(zhuǎn)的驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)總成，所述回轉(zhuǎn)窯裝置兩端分別設(shè)置有窯尾罩和窯頭罩。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣基氧化或還原焙燒的回轉(zhuǎn)窯裝置，其特征在于，所述燒嘴總成通過(guò)設(shè)置在所述回轉(zhuǎn)窯裝置外壁上的煤氣進(jìn)口與外部燃?xì)夂椭硷L(fēng)連通。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣基氧化或還原焙燒的回轉(zhuǎn)窯裝置，其特征在于，所述前組揚(yáng)料板和所述后組揚(yáng)料板均沿所述回轉(zhuǎn)窯裝置內(nèi)壁周向上間隔布置，且設(shè)置在所述回轉(zhuǎn)窯裝置內(nèi)壁周向上的所述前組揚(yáng)料板和所述后組揚(yáng)料板分別為6至12片，所述前組揚(yáng)料板和所述后組揚(yáng)料板沿所述回轉(zhuǎn)窯裝置內(nèi)壁軸向上間隔布置，且設(shè)置在所述回轉(zhuǎn)窯裝置內(nèi)壁軸向上的所述前組揚(yáng)料板和所述后組揚(yáng)料板分別為4至8片。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的氣基氧化或還原焙燒的回轉(zhuǎn)窯裝置，其特征在于，所述前組揚(yáng)料板和所述后組揚(yáng)料板遠(yuǎn)離所述回轉(zhuǎn)窯裝置內(nèi)壁一端均設(shè)置有折彎段，所述折彎段與所述前組揚(yáng)料板和所述后組揚(yáng)料板的夾角為135°至145°。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的氣基氧化或還原焙燒的回轉(zhuǎn)窯裝置，其特征在于，所述前組揚(yáng)料板與所述后組揚(yáng)料板的厚度與所述焙燒物料的厚度一致，沿所述回轉(zhuǎn)窯裝置軸向上，相鄰沿所述回轉(zhuǎn)窯裝置周向布設(shè)的前組揚(yáng)料板或后組揚(yáng)料板交錯(cuò)布置。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的氣基氧化或還原焙燒的回轉(zhuǎn)窯裝置，其特征在于，所述回轉(zhuǎn)窯裝置的安裝斜度為3°至5°。

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種氣基氧化或還原焙燒的回轉(zhuǎn)窯裝置，包括傾斜設(shè)置的回轉(zhuǎn)窯裝置，設(shè)置在所述回轉(zhuǎn)窯裝置一端的高溫物料進(jìn)口，以及設(shè)置在所述回轉(zhuǎn)窯裝置另一端的高溫物料出口，所述回轉(zhuǎn)窯裝置內(nèi)壁上靠近所述高溫物料進(jìn)口處設(shè)置有后組揚(yáng)料板，所述回轉(zhuǎn)窯裝置靠近所述高溫物料出口一端貫穿設(shè)置有噴射火舌的燒嘴總成，所述回轉(zhuǎn)窯裝置內(nèi)壁沿所述火舌噴射方向布設(shè)有前組揚(yáng)料板，所述回轉(zhuǎn)窯裝置上穿設(shè)有用于埋設(shè)在焙燒物料20內(nèi)部的噴氣頭總成，所述噴氣頭總成靠近所述燒嘴總成設(shè)置，所述回轉(zhuǎn)窯裝置靠近所述高溫物料進(jìn)口處設(shè)置有排煙管，使物料反應(yīng)充分，反應(yīng)速度快，處理量大，物料還原或氧化處理的時(shí)間短，且物料還原或氧化效果好。

技術(shù)研發(fā)人員：孫玉梅,劉步有
受保護(hù)的技術(shù)使用者：山東科技大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15