1.一種半導(dǎo)體材料的密封器件，其特征在于，包括：
封裝本體(51)，具有基礎(chǔ)元件(52)；
半導(dǎo)體材料的第一芯片(56)；以及
至少一個柱元件(60；60A)，布置在所述第一芯片(56)和所述基礎(chǔ)元件(52)之間并且將所述第一芯片(56)和所述基礎(chǔ)元件(52)固定到一起，所述柱元件(60；60A)的楊氏模量低于所述第一芯片的楊氏模量。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其特征在于，包括位于所述第一芯片(56)和所述封裝本體(51)之間的空置空間。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的器件，其特征在于，所述第一芯片(56)是MEMS。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的器件，其特征在于，第二芯片(57)接合至所述第一芯片(56)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的器件，其特征在于，包括多個柱元件(60)，其中所述第一芯片(56)具有包括角部的矩形形狀的固定表面(56A)，并且所述柱元件(60)被固定為與所述芯片(56)的所述固定表面(56A)的所述角部鄰近。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的器件，其特征在于，所述第一芯片(56)具有面對所述基礎(chǔ)元件(58)的固定表面(56A)，其中所述柱元件被布置在中心(60A)處并且固定至所述第一芯片(56)的所述固定表面(56A)的中心部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的器件，其特征在于，所述至少一個柱元件(60；60A)是有機(jī)材料、抗蝕劑或軟膠的。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的器件，其特征在于，所述至少一個柱元件(60；60A)是DAF層。
9.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的器件，其特征在于，所述封裝本體(51)是陶瓷材料的。
10.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的器件，其特征在于，還包括支撐芯片(59)，所述支撐芯片(59)被布置在所述基礎(chǔ)元件(52)與所述至少一個柱元件(60；60A)之間。
11.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的器件，其特征在于，所述柱元件(60；60A)的楊氏模量低于500MPa。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的器件，其特征在于，所述柱元件(60；60A)的楊氏模量低于300MPa。