本發(fā)明涉及可調光衰減器，具體涉及一種mems芯片封裝組件和mems可調光衰減器。

背景技術：

1、隨著5g通信技術和有線電視網(wǎng)絡的一體化飛速發(fā)展，光纖到戶(fiber?to?thehome，ftth)被廣泛運用于世界各地，全光網(wǎng)絡(al?l-opt?ical?network，aon)的出現(xiàn)解除了光電轉換速率慢的限制，成為了新一代光通信技術的趨勢。在整個aon中，密集光波分復用系統(tǒng)(dense?wavelength?divis?ion?mul?t?iplexing，dwdm)起著重要的作用，而基于微電子機械系統(tǒng)(micro-electro-mechanical?system，mems)的可調光衰減器(variable?optical?attenuator，voa)是該系統(tǒng)中重要的無源器件之一。模塊的小型化，導致小型化memsvoa需求增加。在memsvoa中，mems芯片被固定在管座與管帽圍合出的封裝結構內，且為了保護mems芯片，在其兩端并聯(lián)了保護電阻，然而，mems芯片與保護電阻分別鋪設于管座上，使得封裝結構的橫截面積過大，無法使memsvoa進一步小型化。

技術實現(xiàn)思路

1、有鑒于此，本發(fā)明提供一種mems芯片封裝組件和mems可調光衰減器，以解決上述技術問題。

2、本發(fā)明提供的mems芯片封裝組件包括：

3、安裝座；

4、管座，所述管座與所述安裝座固定連接，所述管座的橫截面直徑小于所述安裝座的橫截面直徑；

5、第一管腳，所述第一管腳貫穿所述安裝座與所述管座，并與所述管座背向所述安裝座的一側表面平齊；

6、第二管腳，所述第二管腳與所述安裝座固定連接；

7、絕緣載體，所述絕緣載體設置有相對的第一表面與第二表面，所述第一表面設置有第一導電層，所述第二表面設置有第二導電層，所述絕緣載體的側邊設置有第三導電層，所述第三導電層連接所述第一導電層和所述第二導電層，所述絕緣載體開設有貫穿所述第一表面和所述第二表面的放置槽，且所述放置槽貫穿所述絕緣載體的側邊，所述第一表面與所述管座背向所述安裝座的一側表面固定連接，所述第一管腳的一部分與所述第一導電層接觸，另一部分露出所述放置槽；

8、保護電阻，所述保護電阻插入所述放置槽內，所述保護電阻的一部分與所述第一管腳連接，另一部分與所述管座連接；

9、mems芯片，所述mems芯片的正極與所述絕緣載體的第二表面連接，并與所述第二導電層接觸，所述mems芯片的負極與所述管座連接；

10、管帽，所述管帽罩設所述mems芯片，并與所述安裝座固定連接。

11、可選地，所述第一管腳、所述安裝座與所述管座同軸設置。

12、可選地，所述第一導電層、所述第二導電層和所述第三導電層均由鍍金工藝成型。

13、可選地，所述絕緣載體由陶瓷材質制作而成。

14、可選地，所述第一導電層的范圍與所述第一管腳的橫截面相匹配。

15、可選地，所述mems芯片的正極與所述絕緣載體的第二表面通過金絲壓焊工藝連接。

16、可選地，所述mems芯片的負極與所述管座通過金絲鍵合工藝連接。

17、本發(fā)明還提供一種mems可調光衰減器，包括雙纖準直器，所述雙纖準直器的一端固定有透鏡，還包括權上述任一項所述的mems芯片封裝組件，所述mems芯片封裝組件的mems芯片與所述雙纖準直器耦合。

18、可選地，所述mems芯片封裝組件的管帽朝向所述雙纖準直器的一端貫穿開設有定位孔，所述透鏡插入所述定位孔中，并與所述管帽固定連接。

19、可選地，所述mems可調光衰減器還包括：套筒，所述套筒套設所述管帽與所述雙纖準直器，并與所述管帽和所述雙纖準直器固定連接。

20、本發(fā)明提供的以上技術方案，與現(xiàn)有技術相比，至少具有如下有益效果：

21、采用本發(fā)明mems芯片封裝組件和mems可調光衰減器(memsvoa)，mems芯片封裝組件通過增設絕緣載體，并在絕緣載體上開設放置槽，使保護電阻可以插設于放置槽內，同時與管座及放置槽內露出的第一管腳電連接，mems芯片固定至絕緣載體上，借助絕緣載體相對兩側表面及側邊設置的導電層，能夠實現(xiàn)mems芯片與第一管腳連接，從而，mems芯片和保護電阻分別實現(xiàn)與管座及第一管腳電連接的同時，mems芯片和保護電阻借助絕緣載體能夠實現(xiàn)縱向部分疊置，減小了二者所占平面面積，有利于實現(xiàn)memsvoa進一步小型化。

技術特征：

1.一種mems芯片封裝組件，其特征在于，包括：

2.根據(jù)權利要求1所述的mems芯片封裝組件，其特征在于：

3.根據(jù)權利要求1或2所述的mems芯片封裝組件，其特征在于：

4.根據(jù)權利要求1或2所述的mems芯片封裝組件，其特征在于：

5.根據(jù)權利要求1或2所述的mems芯片封裝組件，其特征在于：

6.根據(jù)權利要求1或2所述的mems芯片封裝組件，其特征在于：

7.根據(jù)權利要求1或2所述的mems芯片封裝組件，其特征在于：

8.一種mems可調光衰減器，包括雙纖準直器，所述雙纖準直器的一端固定有透鏡，其特征在于，還包括權利要求1-7任一項所述的mems芯片封裝組件，所述mems芯片封裝組件的mems芯片與所述雙纖準直器耦合。

9.根據(jù)權利要求8所述的mems可調光衰減器，其特征在于：

10.根據(jù)權利要求8或9所述的mems可調光衰減器，其特征在于，還包括：

技術總結
本發(fā)明提供一種MEMS芯片封裝組件和MEMS可調光衰減器，MEMS芯片封裝組件包括：安裝座；管座，與安裝座固定連接；第一管腳，貫穿安裝座與管座，與管座背向安裝座的一側表面平齊；第二管腳，與安裝座固定連接；絕緣載體，設置有相對的第一表面與第二表面，第一表面設置第一導電層，第二表面設置第二導電層，其側邊設置連接兩個導電層的第三導電層，開設貫穿第一表面和第二表面的放置槽，并貫穿絕緣載體側邊，第一表面連接管座，第一管腳的一部分接觸第一導電層，另一部分露出放置槽；保護電阻，插入放置槽，一部分連接第一管腳，一部分連接管座；MEMS芯片，正極連接絕緣載體的第二表面，接觸第二導電層，負極連接管座；管帽，罩設MEMS芯片，連接安裝座。

技術研發(fā)人員：吳雪峰
受保護的技術使用者：世維通河北科技有限公司
技術研發(fā)日：
技術公布日：2025/5/12