本發(fā)明涉及傳導(dǎo)敏感度的測試方法技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種基于耦合裝置的傳導(dǎo)敏感度測試方法。

背景技術(shù)：
現(xiàn)代戰(zhàn)爭中武器裝備面臨的電磁環(huán)境愈加復(fù)雜和惡劣，由于強(qiáng)電磁輻射場能夠顯著干擾系統(tǒng)和設(shè)備的正常工作，嚴(yán)重威脅裝備正常效能的發(fā)揮，因此需要預(yù)先開展強(qiáng)場電磁輻射敏感度試驗，檢驗裝備的戰(zhàn)場電磁環(huán)境生存能力。目前廣泛采用的方法是全電平電磁輻照測試法，這類方法已日趨完善和成熟。然而，現(xiàn)行電磁兼容測試標(biāo)準(zhǔn)中給出的電磁輻射敏感度測試場強(qiáng)不斷提高。在現(xiàn)有實驗室條件下，想要在大空間范圍內(nèi)模擬標(biāo)準(zhǔn)要求的電磁環(huán)境是十分昂貴甚至難以實現(xiàn)的，這導(dǎo)致傳統(tǒng)的全電平電磁輻照法已無法滿足測試需求。為此，必須發(fā)展新的測試方法，電流注入法就是在這樣的背景下受到關(guān)注并逐步發(fā)展起來的。電流注入法目前主要用于傳導(dǎo)敏感度測試，主要包括大電流注入(bulkcurrentinjection,BCI)法、直接電流注入(directcurrentinjection,DCI)法和脈沖電流注入(pulsedcurrentinjection,PCI)法等。從上世紀(jì)60年代開始，國內(nèi)外研究單位就競相開展相關(guān)研究，使得電流注入技術(shù)得到了持續(xù)的發(fā)展，其中BCI技術(shù)的發(fā)展最快，目前已被寫進(jìn)多種行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)中，成為了一種不可或缺的測試方法。DCI技術(shù)主要應(yīng)用于飛機(jī)和導(dǎo)彈的電磁兼容(electromagneticcompatibility,EMC)測試。PCI技術(shù)主要用于檢驗防護(hù)設(shè)備的瞬態(tài)抑制性能和電路對傳導(dǎo)脈沖干擾的耐受程度。BCI是一種使用鐵氧體注入探頭的共模注入方法，干擾信號首先通過注入探頭耦合至互聯(lián)線纜，進(jìn)一步以傳導(dǎo)方式耦合至線纜終端的EUT，試驗配置如圖1所示。作為一種傳導(dǎo)敏感度測試方法，BCI已被廣泛接受，尤其是在軍用和汽車行業(yè)領(lǐng)域中。例如，國軍標(biāo)GJB151B-2013中傳導(dǎo)敏感度測試測試項目CS114、CS115和CS116都是基于BCI技術(shù)實現(xiàn)的。研究表明，BCI技術(shù)在200MHz以下的測試結(jié)果有著良好的重復(fù)性，但在200MHz以上其測試結(jié)果對探頭的位置十分敏感，但英國國防標(biāo)準(zhǔn)將BCI的適用頻率上限定為400MHz。造成BCI方法適用頻率范圍受限的原因主要有兩方面：一是當(dāng)頻率升高后，由于波長與線纜長度可比擬，所以在線纜上會產(chǎn)生明顯的駐波效應(yīng)，此時監(jiān)測電流值和注入響應(yīng)均與注入位置密切相關(guān)，從而影響了試驗的可重復(fù)性；二是電流注入探頭的應(yīng)用頻帶受限。隨著頻率的上升，注入探頭內(nèi)部鐵氧體環(huán)的相對磁導(dǎo)率迅速下降，由于磁滯現(xiàn)象及渦流的存在，磁芯的損耗會顯著上升，高頻時的諧振現(xiàn)象限制了探頭的傳輸功能，因此400MHz以上的注入技術(shù)還有待進(jìn)一步研究。傳導(dǎo)敏感度測試中需要獲取的關(guān)鍵參數(shù)是EUT出現(xiàn)效應(yīng)時對應(yīng)輸入端口的電流IEUT，測試標(biāo)準(zhǔn)中給出的方法是根據(jù)監(jiān)測探頭測量的電壓值和該探頭的轉(zhuǎn)移阻抗計算得到IEUT。然而，PaoloS.Crovetti等人的研究表明，上述方法僅當(dāng)頻率低于100MHz時有效，頻率繼續(xù)升高后，由于寄生參數(shù)的影響，計算值與真實值間的誤差會不斷增大，最大誤差可達(dá)30dB左右。由此可見，當(dāng)前傳導(dǎo)敏感度測試方法在100MHz以上時存在局限性。此外，國標(biāo)GBT17626.6中還使用CDN和電磁鉗開展傳導(dǎo)敏感度測試，適用頻率上限為230MHz。對于GJB151B-2013中的CS103、CS104和CS105，雖然規(guī)定通過天線端口對接收機(jī)開展傳導(dǎo)敏感度試驗的頻率達(dá)到了20GHz，但其關(guān)注的主要是互調(diào)干擾、無用信號抑制和交調(diào)干擾情況，而且不適用于輔助設(shè)備有工作信號傳輸?shù)那闆r。在400MHz以上，目前的電磁兼容測試標(biāo)準(zhǔn)還沒有給出針對其他干擾或損傷情況的傳導(dǎo)敏感度測試方法。相比于輻射敏感度測試，傳導(dǎo)敏感度測試操作更為簡便，十分適合在設(shè)備研制階段用于電磁兼容預(yù)實驗測試。工程實際中，將傳導(dǎo)敏感度測試應(yīng)用于400MHz以上是有必要的。例如，在射頻前端系統(tǒng)中，為保護(hù)低噪聲放大器和后續(xù)信號處理電路中的敏感設(shè)備，一般會在天線接收主通道上添加一級或多級防護(hù)電路。在研制階段，通過注入方法研究射頻前端主通道的防護(hù)能力是十分方便的。然而，此類系統(tǒng)的干擾信號頻率可能大于400MHz，例如高功率微波和超寬帶電磁脈沖等。因此，有必要研究400MHz以上開展傳導(dǎo)敏感度測試的方法。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種基于耦合裝置的傳導(dǎo)敏感度測試方法，所述方法不必關(guān)心測試時被測試件EUT特性是否發(fā)生變化，只需通過測試得到的其它參數(shù)就可以判斷EUT是否出現(xiàn)干擾或損傷效應(yīng)。為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明所采取的技術(shù)方案是：一種基于耦合裝置的傳導(dǎo)敏感度測試方法，其特征在于包括如下步驟：1)使用耦合裝置構(gòu)建傳導(dǎo)敏感度測試系統(tǒng)，將整個系統(tǒng)除被測試件EUT和注入源外的部分視作一個三端口網(wǎng)絡(luò)，其中耦合裝置的注入端口、監(jiān)測端口和輸出端口分別視為1#～3#端口；2)當(dāng)被測試件EUT工作在線性區(qū)時，通過耦合裝置監(jiān)測端電壓Um、三端口的網(wǎng)絡(luò)參數(shù)S以及被測試件EUT輸入端口的反射系數(shù)ΓEUT獲取被測試件EUT輸入端口電流IEUT，通過被測試件EUT出現(xiàn)干擾或損傷效應(yīng)時對應(yīng)輸入端口的電流IEUT判斷被測試件EUT的傳導(dǎo)敏感度；3)當(dāng)被測試件EUT工作在線性或非線性區(qū)時，通過獲取被測試件EUT輸入端口的入射波電流作為判斷EUT是否出現(xiàn)干擾或損傷效應(yīng)的參量。進(jìn)一步的技術(shù)方案在于：所述的步驟2)具體通過以下方法獲得：1#～3#端口的入射波分別為其中US為注入源電壓，ΓEUT為EUT輸入端口的反射系數(shù)，b2為2#端口的反射波，Z0為各端口的輸入阻抗；根據(jù)S參數(shù)性質(zhì)，可得2#和3#端口的反射波分別為其中，S21、S22、S31和S32為上述三端口網(wǎng)絡(luò)的S參數(shù)；根據(jù)各端口的入射波和反射波，可得監(jiān)測端電壓Um和EUT輸入端口電流IEUT分別為根據(jù)式(1)至(3)，可得到Um和IEUT的關(guān)系如下因此，通過測試三端口網(wǎng)絡(luò)的S參數(shù)、Um和ΓEUT可以計算出被測試件EUT輸入端口電流IEUT。進(jìn)一步的技術(shù)方案在于：利用矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀VNA獲得三端口網(wǎng)絡(luò)的S參數(shù)。進(jìn)一步的技術(shù)方案在于：所述的步驟3)具體通過以下方法獲得：在輔助設(shè)備端口匹配或者反射可忽略的情況下，可得所述三端口網(wǎng)絡(luò)的S22參數(shù)為0，又因為耦合裝置的輸出端口和監(jiān)測端口是隔離的，所以三端口網(wǎng)絡(luò)的S32參數(shù)近似為0，此時式(4)可化簡為而被測試件EUT輸入端口的入射波電流與IEUT的關(guān)系為需要說明的是，由于ΓEUT為電壓反射系數(shù)，所以上式括號中ΓEUT的系數(shù)為負(fù)，由式(5)和(6)可得上式說明，與EUT特性無關(guān)，可由Um計算得到；對于電磁脈沖情況，同樣可以根據(jù)監(jiān)測端電壓波形um(t)獲取入射波電流波形即其中本發(fā)明還公開了一種基于耦合裝置的傳導(dǎo)敏感度測試系統(tǒng)，其特征在于：所述系統(tǒng)包括耦合裝置，信號源的輸入端經(jīng)40dB衰減器后與所述耦合裝置的輸入端口連接，干擾信號注入源經(jīng)干擾信號衰減器后與所述耦合裝置的注入端口連接，耦合裝置的輸出端口與被測試件EUT的輸入端連接，所述被測試件EUT的輸出端經(jīng)20dB衰減器后與示波器的一個信號輸入端連接，所述耦合裝置的監(jiān)測端口與示波器的另一個輸入端連接。進(jìn)一步的技術(shù)方案在于：所述干擾信號注入源為方波源或連續(xù)波源。進(jìn)一步的技術(shù)方案在于：所述被測試件EUT為低噪聲放大器。采用上述技術(shù)方案所產(chǎn)生的有益效果在于：所述方法的優(yōu)勢在于不必考慮試驗時EUT特性是否發(fā)生變化，只需通過測試得到的相關(guān)參數(shù)就可以判斷EUT是否出現(xiàn)干擾或損傷效應(yīng)。相比之下，以被測試件EUT輸入端口電流IEUT為判斷參量時，需要準(zhǔn)確獲知EUT特性，但這在很多情況下是難以實現(xiàn)的。因此，本方法具有一定的優(yōu)勢，更便于實現(xiàn)，且測試準(zhǔn)確度較高。附圖說明圖1是現(xiàn)有技術(shù)中BCI試驗配置圖；圖2是本發(fā)明實施例中耦合裝置用于傳導(dǎo)敏感度試驗時的配置圖；圖3a是本發(fā)明實施例所述方法在連續(xù)波注入情況下通過監(jiān)測端電壓和EUT輸出端電壓得到的IEUT對比圖；圖3b是本發(fā)明實施例所述方法在脈沖注入情況下通過監(jiān)測端電壓和EUT輸出端電壓得到的IEUT對比圖；圖4是本發(fā)明實施例所述方法根據(jù)監(jiān)測端電壓所得入射波電流與實際值對比圖；圖5是本發(fā)明實施例所述系統(tǒng)的原理框圖；圖6是本發(fā)明實施例方波作用下LNA響應(yīng)圖；圖7是本發(fā)明實施例圖6中響應(yīng)對應(yīng)的入射波電流圖；其中：1、注入探頭2、監(jiān)測探頭3、耦合裝置4、匹配負(fù)載。具體實施方式下面結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施例的限制?？傮w的，本發(fā)明公開了一種基于耦合裝置的傳導(dǎo)敏感度測試方法，包括如下步驟：1)使用耦合裝置構(gòu)建傳導(dǎo)敏感度測試系統(tǒng)，將整個系統(tǒng)除被測試件EUT和注入源外的部分視作一個三端口網(wǎng)絡(luò)，其中耦合裝置的注入端口、監(jiān)測端口和輸出端口分別視為1#～3#端口；2)當(dāng)被測試件EUT工作在線性區(qū)時，通過耦合裝置監(jiān)測端電壓Um、三端口的網(wǎng)絡(luò)參數(shù)S以及被測試件EUT輸入端口的反射系數(shù)ΓEUT獲取被測試件EUT輸入端口電流IEUT，通過被測試件EUT出現(xiàn)干擾或損傷效應(yīng)時對應(yīng)輸入端口的電流IEUT判斷被測試件EUT的傳導(dǎo)敏感度；3)當(dāng)被測試件EUT工作在線性或非線性區(qū)時，通過獲取被測試件EUT輸入端口的入射波電流作為判斷EUT是否出現(xiàn)干擾或損傷效應(yīng)的參量。具體的，當(dāng)被測試件EUT工作在線性區(qū)時，通過以下方法進(jìn)行測試：試驗時將耦合裝置與EUT輸入端口連接，具體配置如圖2所示。耦合裝置1#端口連接輔助設(shè)備，保證正常工作信號等可通過耦合裝置主通道傳輸?shù)紼UT端。4#端口作為注入端口，可實現(xiàn)在不影響正常信號傳輸?shù)那闆r下將干擾信號注入到EUT端。5#端口作為監(jiān)測端口，通過在該端口連接監(jiān)測設(shè)備，可以實時監(jiān)測傳輸?shù)紼UT輸入端的信號大小。在傳導(dǎo)敏感度試驗中，當(dāng)EUT出現(xiàn)干擾或損傷效應(yīng)時，需要確定此時EUT輸入端口的電流或電壓值，即傳導(dǎo)敏感度閾值。為獲得這一閾值，BCI方法首先通過預(yù)實驗進(jìn)行校準(zhǔn)，獲取監(jiān)測探頭的轉(zhuǎn)移阻抗，之后在正式試驗中根據(jù)轉(zhuǎn)移阻抗和監(jiān)測探頭所測電壓，可以換算出傳導(dǎo)敏感度閾值。然而，這種獲取閾值方法的有效應(yīng)用頻率上限約為100MHz左右，當(dāng)頻率繼續(xù)升高后，由于寄生參數(shù)的出現(xiàn)，該方法確定的閾值與真實閾值間的誤差可能會達(dá)到30dB。對于本方法，為準(zhǔn)確獲得EUT輸入端口電流，需借助耦合裝置的監(jiān)測端電壓和圖2中系統(tǒng)的網(wǎng)絡(luò)參數(shù)。為簡便起見，將整個系統(tǒng)除EUT和注入源外的部分視作一個三端口網(wǎng)絡(luò)，其中耦合裝置的注入端口、監(jiān)測端口和輸出端口分別視為1#～3#端口。可得這3個端口的入射波分別為其中US為注入源電壓，ΓEUT為EUT輸入端口的反射系數(shù)，b2為2#端口的反射波，Z0為各端口的輸入阻抗。根據(jù)S參數(shù)性質(zhì)，可得2#和3#端口的反射波分別為其中，S21、S22、S31和S32為上述三端口網(wǎng)絡(luò)的S參數(shù)。根據(jù)各端口的入射波和反射波，可得監(jiān)測端電壓Um和EUT輸入端口電流IEUT分別為根據(jù)式(1)至(3)，可得到Um和IEUT的關(guān)系如下因此，通過測試S參數(shù)、Um和ΓEUT可以計算出IEUT。下面通過試驗證明理論分析的正確性。需要注意的是，工程中直接監(jiān)測IEUT一般比較困難，而EUT輸出端口的電壓便于監(jiān)測，因此可通過計算由該輸出電壓獲取IEUT。為此，將包含單個輸入和輸出端口的EUT等效為2端口網(wǎng)絡(luò)。為便于獲取各端口電壓和電流間的關(guān)系，該網(wǎng)絡(luò)使用Z參數(shù)表示。令I(lǐng)1和I2分別為流過EUT輸入和輸出端口的電流，U1和U2分別為EUT輸入和輸出端口電壓。根據(jù)Z參數(shù)性質(zhì)，可得其中，z21和z22為網(wǎng)絡(luò)的Z參數(shù)，Z0為輸出端口所接阻抗，本試驗中Z0其實是監(jiān)測設(shè)備的輸入阻抗，其值為50Ω。I2和U2的關(guān)系為根據(jù)式(5)和(6)，可以解得根據(jù)Z參數(shù)與S參數(shù)的等效關(guān)系，可得其中S′11和S′21均為EUT等效的2端口網(wǎng)絡(luò)S參數(shù)。通過式(8)可將EUT輸出端電壓換算為IEUT。驗證試驗按照圖2所示配置開展，輔助設(shè)備為75Ω負(fù)載，互聯(lián)線纜是長為1.7m的同軸線，EUT為某型限幅器。利用VNA(矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀)分別測量整個受試系統(tǒng)和EUT的S參數(shù)。試驗分為連續(xù)波和電磁脈沖兩種情況，對于連續(xù)波情況，將VNA的1#端口連接耦合裝置的注入端口，各頻點下1#端口的輸出功率均為0dBm，VNA的2#端連接監(jiān)測端口。對于電磁脈沖情況，注入端口連接方波源，監(jiān)測端口連接示波器。需要說明的是，限幅器為非線性器件，若輸入端口電壓過高，其輸出電壓會被限幅，此時輸入輸出電壓間為非線性關(guān)系。上述方法需要獲知ΓEUT，而在非線性響應(yīng)情況下ΓEUT為變量，因此，為保證試驗結(jié)果的準(zhǔn)確性，限幅器輸入端電壓應(yīng)較小，使得試驗過程中限幅器工作在線性區(qū)。連續(xù)波和電磁脈沖情況下，兩種方法所得IEUT如圖3a-3b所示?？梢钥闯?，圖中兩種方法所得IEUT間誤差均很小，證明了利用監(jiān)測端電壓獲取EUT輸入端口電流是可行的。需要說明的是，圖3a中波形在30MHz附近有一個峰值點，這是因為在該頻點限幅器輸入阻抗有極小值，導(dǎo)致在同樣的功率下IEUT變大。由于圖3a中頻率高于400MHz時IEUT仍有較高的準(zhǔn)確性，因而證明了提出的試驗方法在400MHz以上是可行的。此外，圖3b中方波的上升沿小于1ns，這說明該方波400MHz以上的頻譜成分不可忽略，由于圖中兩種情況所得電流波形有良好的一致性，因此進(jìn)一步說明了400MHz以上本試驗方法的準(zhǔn)確性。當(dāng)被測試件EUT工作在非線性區(qū)時，通過以下方法進(jìn)行測試：對于EUT響應(yīng)為非線性的情況，式(4)中ΓEUT可能是變化的，采用該式給出的方法獲取IEUT似乎并不可行。實際的電磁敏感度試驗中，EUT表現(xiàn)出非線性是普遍的，因此需要在非線性情況下對所述方法進(jìn)行改進(jìn)。由于IEUT為EUT輸入端口電流，其值必然會受到EUT特性影響。為避免這一問題，試驗時可將EUT輸入端口的入射波電流作為判斷是否出現(xiàn)效應(yīng)的參量，由于未經(jīng)EUT反射的與EUT特性無關(guān)，因而可避免以IEUT作為判斷參量時存在的問題。而且，通過同樣可以準(zhǔn)確獲知EUT的抗干擾能力。下面分析獲取的方法。在輔助設(shè)備端口匹配或者反射可忽略的情況下，可得三端口網(wǎng)絡(luò)的S22參數(shù)為0，又因為耦合裝置的輸出端口和監(jiān)測端口是隔離的，所以三端口網(wǎng)絡(luò)的S32參數(shù)近似為0，此時式(4)可簡化為而與IEUT的關(guān)系為需要說明的是，由于ΓEUT為電壓反射系數(shù)，所以上式括號中ΓEUT的系數(shù)為負(fù)。由式(9)和(10)可得上式說明，與EUT特性無關(guān)，可由Um計算得到。需要注意的是，式(11)成立的條件是輔助設(shè)備端反射可忽略，否則會導(dǎo)致試驗誤差增大。對于電磁脈沖情況，同樣可以根據(jù)監(jiān)測端電壓波形um(t)獲取入射波電流波形即其中開展方波注入試驗，驗證上述方法的正確性。具體配置如圖2所示，仍選用限幅器作為EUT，只是輔助設(shè)備端換接50Ω匹配負(fù)載。通過增大方波脈沖幅值，使限幅器在試驗時工作在明顯的限幅狀態(tài)，代表其響應(yīng)表現(xiàn)出了顯著的非線性。首先測試耦合裝置監(jiān)測端電壓，通過式(12)計算出之后，為能夠直接測量到將EUT直接改接為示波器，即EUT換為50Ω匹配負(fù)載，此時示波器所得電壓波形uEUT(t)與接限幅器時的入射波電壓波形一致，進(jìn)而可得到真實的入射波電流為比較兩次得到的電流波形和結(jié)果如圖4所示。可以看出，兩種情況下所得入射波電流波形間有良好的一致性，證明了所述試驗方法對被測試件EUT工作在非線性情況的可行性。本試驗方法的優(yōu)勢在于不必關(guān)心試驗時EUT特性是否發(fā)生變化，只需通過測試得到的入射波電流就可以判斷EUT是否出現(xiàn)干擾或損傷效應(yīng)。相比之下，以IEUT為判斷參量時，需要準(zhǔn)確獲知EUT特性，但這在很多情況下是難以實現(xiàn)的。因此，本方法具有一定的優(yōu)勢，更便于工程應(yīng)用。下面結(jié)合測試的實例，對試驗方法的應(yīng)用進(jìn)行具體說明。本方法適合于測試微波系統(tǒng)中電路的電磁敏感性，例如，低噪聲放大器(LNA)是射頻前端中的敏感器件，確定其電磁敏感性十分必要。由于從輸入端口進(jìn)入的干擾信號是LNA干擾的重要來源，因此可采用注入的方式確定其電磁敏感度。當(dāng)強(qiáng)電磁脈沖注入時，LNA會產(chǎn)生增益壓制效應(yīng)，具體表現(xiàn)為當(dāng)從LNA輸入端口進(jìn)入的電磁脈沖信號幅值達(dá)到一定數(shù)值后，LNA增益開始下降，隨著干擾信號的增大，增益逐漸減小直至為0。而電磁脈沖作用完之后，LNA的增益仍需要一段時間才能恢復(fù)到正常水平。在一定的幅值范圍內(nèi)，脈沖峰值電壓越高，對應(yīng)LNA的增益恢復(fù)時間越長。由于增益被壓制，正常工作信號無法得到放大，這一效應(yīng)會導(dǎo)致一段時間內(nèi)正常工作信號無法被正常接收。出現(xiàn)上述效應(yīng)是因為LNA內(nèi)部的晶體管在強(qiáng)脈沖注入下會出現(xiàn)過飽和效應(yīng)，導(dǎo)致其不能工作在放大狀態(tài)。研究表明，恢復(fù)時間的長短與LNA外圍電路參數(shù)有關(guān)。使用如圖5所示的系統(tǒng)，對LNA開展方波脈沖注入試驗，具體的，所述系統(tǒng)包括耦合裝置，信號源的輸入端經(jīng)40dB衰減器后與所述耦合裝置的輸入端口連接，干擾信號注入源經(jīng)干擾信號衰減器后與所述耦合裝置的注入端口連接，耦合裝置的輸出端口與被測試件EUT的輸入端連接，所述被測試件EUT的輸出端經(jīng)20dB衰減器后與示波器的一個信號輸入端連接，所述耦合裝置的監(jiān)測端口與示波器的另一個輸入端連接。需要指出的是，所述干擾信號注入源可以為方波源或連續(xù)波源；所述被測試件EUT可以為低噪聲放大器。連續(xù)波信號源連接耦合裝置的輸入端口(1#)，用于向LNA提供正常工作信號，方波源連接耦合裝置的注入端口(4#)，用于向LNA注入干擾信號。方波源輸出正脈沖，脈沖幅值由小逐漸增大，觀察LNA效應(yīng)。當(dāng)注入端口的方波峰值為6V時，得到LNA的輸出響應(yīng)如圖6所示。從圖6中可以看出，LNA響應(yīng)出現(xiàn)了明顯的壓制效應(yīng)，正常工作信號在一段時間內(nèi)被完全壓制，之后逐漸恢復(fù)到原有幅值水平。工作信號從被壓制到完全恢復(fù)正常所用時間定義為總壓制時間，其中工作信號被完全壓制的時間定義為完全壓制時間。圖6中波形的完全壓制時間為11.65us。由本節(jié)提出的試驗方法知，通過此時的監(jiān)測端電壓，并根據(jù)式(12)，可以得到LNA輸入端口的入射波電流值。通過計算，此時入射波電流信號如圖7所示，其峰值為35.86mA。若實際工程中以完全壓制時間等于t作為干擾門限，根據(jù)上述方法就可以得到對應(yīng)的入射波電流值，該值可以為進(jìn)一步的電磁兼容設(shè)計提供參考。