本實(shí)用新型涉及可控硅與IGBT測(cè)試盒技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種可控硅與IGBT測(cè)試盒。

背景技術(shù)：

可控硅能在高電壓、大電流條件下工作，具有耐壓高、容量大、體積小等優(yōu)點(diǎn)，它是大功率開關(guān)型半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用在電力、電子線路中。

IGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

目前市場(chǎng)上的可控硅與IGBT測(cè)試盒的電路連接復(fù)雜，使得成本較高，且可控硅與IGBT測(cè)試盒內(nèi)部的電路受溫度的影響大，使得可控硅與IGBT測(cè)試盒測(cè)試的結(jié)構(gòu)不準(zhǔn)確。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型的目的是為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的缺點(diǎn)，而提出的一種可控硅與IGBT測(cè)試盒。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型采用了如下技術(shù)方案：

一種可控硅與IGBT測(cè)試盒，包括盒體，所述盒體為中空結(jié)構(gòu)，且盒體的內(nèi)壁上設(shè)有電路板，所述電路板上設(shè)有整流元件QZ，所述整流元件QZ引腳1連接有電容C1和變壓器T的次級(jí)線圈L2，且變壓器T的次級(jí)線圈L2的另一端分別與電容C1的另一端和整流元件QZ的引腳3相連接，所述變壓器T的初級(jí)線圈L1的一端連接有輸入端VT1，且變壓器T的初級(jí)線圈L1的另一端連接有輸入端VT2，所述整流元件QZ的引腳4連接有電阻R1和二極管D2的正極，所述電阻R1的另一端連接有電阻R2、電阻R3、電阻R4和二極管D6的負(fù)極，所述電阻R2的另一端連接有二極管D1的正極，且二極管D1的負(fù)極連接有二極管D7的正極、電容C2和輸出端S0，所述二極管D7的負(fù)極和二極管D6的正極相連接，所述電容C2的另一端連接有電阻R5的一端和滑動(dòng)端，且電容C2的另一端連接有雙基二極管D11的發(fā)射極e，所述電阻R5的另一端和電阻R3的另一端相連接，所述雙基二極管D11的基極b1和電阻R4的另一端相連接，且雙基二極管D11的基極b2連接有電阻R6和電阻R7，所述電阻R6的另一端連接有二極管D8的負(fù)極、電容C3和輸出端S1，所述電容C3的另一端、二極管D8的正極和電阻R7的另一端均與輸出端S0相連接，所述整流元件QZ的引腳2連接有電容C4的負(fù)極、二極管D10的正極、電阻R10和電容C5，且整流元件QZ的引腳2和輸出端S0相連接，所述電容C4的正極連接有電阻R8、二極管D9的負(fù)極、電阻R9和PNP型三極管Q2的發(fā)射極，所述電阻R8和二極管D2的負(fù)極相連接，所述二極管D9的正極和二極管D10的負(fù)極相連接，所述電阻R9的另一端連接有PNP型三極管Q1的發(fā)射極，所述PNP型三極管Q1的基極連接有輸出端S1，且PNP型三極管Q1的集電極連接有電阻R10的另一端、電容C5的另一端、電阻R12和電阻R11，所述電容C5的一端連接有輸出端S0，所述電阻R11的另一端連接有輸出端S2、二極管D3的負(fù)極和PNP型三極管Q2的發(fā)射極，所述二極管D3的正極連接有PNP型三極管Q2的集電極、二極管D4的負(fù)極和PNP型三極管Q3的發(fā)射極，所述PNP型三極管Q2的基極和輸出端S0相連接，所述PNP型三極管Q3的基極懸空設(shè)置，且PNP型三極管Q3的集電極連接有二極管D4的正極和二極管D5的負(fù)極，所述二極管D5的正極和電阻R12的另一端相連接。

優(yōu)選的，所述二極管D6、二極管D7、二極管D8、二極管D9和二極管D10均為穩(wěn)壓二極管。

優(yōu)選的，所述電阻R5為可調(diào)電阻，且電容C4為電解電容。

優(yōu)選的，所述輸入端VT1為正極輸入端，且輸入端VT2為負(fù)極輸入端。

優(yōu)選的，所述雙基二極管D11為單向可控硅二極管。

本實(shí)用新型的有益效果：通過(guò)變壓器T和整流元件QZ可以共同構(gòu)成一個(gè)橋式整流電路，可以將市電交流電220伏電壓轉(zhuǎn)化為我們所需要的24伏電壓，并對(duì)電路中的電流進(jìn)行整流；通過(guò)二極管D6和二極管D7，可以輸入的電壓進(jìn)行穩(wěn)壓處理；通過(guò)雙基二極管D11，使得電路具有較好的熱穩(wěn)定性，且電路可以具有穩(wěn)定的觸發(fā)電壓和極小的觸發(fā)電流，通過(guò)二極管D9、二極管D10和電容C4共同構(gòu)成了一個(gè)穩(wěn)壓電路，使得輸出端S2輸出的波形具有穩(wěn)定性，便于人們進(jìn)行觀察；通過(guò)PNP型三極管Q2、PNP型三極管Q3、二極管D3和二極管D4共同構(gòu)成了一個(gè)IGBT電路，使得測(cè)試盒可以進(jìn)行IGBT測(cè)試，本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，成本較低，熱穩(wěn)定性強(qiáng)，且可控硅與IGBT測(cè)試盒具有穩(wěn)定的觸發(fā)電壓和極小的觸發(fā)電流。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型提出的一種可控硅與IGBT測(cè)試盒的工作原理圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。

參照?qǐng)D1，一種可控硅與IGBT測(cè)試盒，包括盒體，盒體為中空結(jié)構(gòu)，且盒體的內(nèi)壁上設(shè)有電路板，電路板上設(shè)有整流元件QZ，整流元件QZ引腳1連接有電容C1和變壓器T的次級(jí)線圈L2，且變壓器T的次級(jí)線圈L2的另一端分別與電容C1的另一端和整流元件QZ的引腳3相連接，變壓器T的初級(jí)線圈L1的一端連接有輸入端VT1，且變壓器T的初級(jí)線圈L1的另一端連接有輸入端VT2，整流元件QZ的引腳4連接有電阻R1和二極管D2的正極，電阻R1的另一端連接有電阻R2、電阻R3、電阻R4和二極管D6的負(fù)極，電阻R2的另一端連接有二極管D1的正極，且二極管D1的負(fù)極連接有二極管D7的正極、電容C2和輸出端S0，二極管D7的負(fù)極和二極管D6的正極相連接，電容C2的另一端連接有電阻R5的一端和滑動(dòng)端，且電容C2的另一端連接有雙基二極管D11的發(fā)射極e，電阻R5的另一端和電阻R3的另一端相連接，雙基二極管D11的基極b1和電阻R4的另一端相連接，且雙基二極管D11的基極b2連接有電阻R6和電阻R7，電阻R6的另一端連接有二極管D8的負(fù)極、電容C3和輸出端S1，電容C3的另一端、二極管D8的正極和電阻R7的另一端均與輸出端S0相連接，整流元件QZ的引腳2連接有電容C4的負(fù)極、二極管D10的正極、電阻R10和電容C5，且整流元件QZ的引腳2和輸出端S0相連接，電容C4的正極連接有電阻R8、二極管D9的負(fù)極、電阻R9和PNP型三極管Q2的發(fā)射極，電阻R8和二極管D2的負(fù)極相連接，二極管D9的正極和二極管D10的負(fù)極相連接，電阻R9的另一端連接有PNP型三極管Q1的發(fā)射極，PNP型三極管Q1的基極連接有輸出端S1，且PNP型三極管Q1的集電極連接有電阻R10的另一端、電容C5的另一端、電阻R12和電阻R11，電容C5的一端連接有輸出端S0，電阻R11的另一端連接有輸出端S2、二極管D3的負(fù)極和PNP型三極管Q2的發(fā)射極，二極管D3的正極連接有PNP型三極管Q2的集電極、二極管D4的負(fù)極和PNP型三極管Q3的發(fā)射極，PNP型三極管Q2的基極和輸出端S0相連接，PNP型三極管Q3的基極懸空設(shè)置，且PNP型三極管Q3的集電極連接有二極管D4的正極和二極管D5的負(fù)極，二極管D5的正極和電阻R12的另一端相連接，二極管D6、二極管D7、二極管D8、二極管D9和二極管D10均為穩(wěn)壓二極管，電阻R5為可調(diào)電阻，且電容C4為電解電容，輸入端VT1為正極輸入端，且輸入端VT2為負(fù)極輸入端，雙基二極管D11為單向可控硅二極管。

工作原理：變壓器T可以將市電220伏的交流電轉(zhuǎn)化成我們所需要的24伏的直流電，然后24伏的直流電經(jīng)過(guò)整流元件QZ，整流元件QZ可以對(duì)變壓器輸出的電壓進(jìn)行整流處理，然后輸入電壓再經(jīng)過(guò)二極管D6和二極管D7可以24伏直流電壓進(jìn)行穩(wěn)壓處理，雙基二極管D11使得電路具有較好的熱穩(wěn)定性，且電路可以具有穩(wěn)定的觸發(fā)電壓和極小的觸發(fā)電流，二極管D9、二極管D10和電容C4一起可以構(gòu)成穩(wěn)壓電路，該穩(wěn)壓電路可以使得輸出端S2輸出的波形具有穩(wěn)定性，便于人們進(jìn)行觀察，PNP型三極管Q2、PNP型三極管Q3、二極管D3和二極管D4一起可以構(gòu)成IGBT電路，該IGBT電路可以對(duì)被測(cè)試元件的IGBT性能進(jìn)行測(cè)試，使得可控硅與IGBT測(cè)試盒檢測(cè)的檢測(cè)結(jié)果準(zhǔn)確。

以上，僅為本實(shí)用新型較佳的具體實(shí)施方式，但本實(shí)用新型的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本實(shí)用新型揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，根據(jù)本實(shí)用新型的技術(shù)方案及其實(shí)用新型構(gòu)思加以等同替換或改變，都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。