技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提出了一種CMOS反相器MOS閾值電壓的測量方法，用于解決現(xiàn)有技術(shù)無法同時測量已封裝CMOS反相器內(nèi)部NMOS閾值電壓和PMOS閾值電壓的技術(shù)問題，實現(xiàn)步驟為：直流電壓源為CMOS反相器施加直流電壓，同時信號發(fā)生器為CMOS反相器施加脈沖信號；雙通道示波器同時采集CMOS反相器的輸入電壓和輸出電壓；繪制CMOS反相器一個周期的靜態(tài)電壓傳輸曲線；計算靜態(tài)電壓傳輸曲線轉(zhuǎn)換點的增益；繪制轉(zhuǎn)換點增益直線；計算轉(zhuǎn)換點增益直線與靜態(tài)電壓傳輸曲線重合區(qū)間的端點；獲取NMOS的閾值電壓Vthn和PMOS的閾值電壓Vthp。本發(fā)明測量效率高，通用性強，可用于數(shù)字電路設(shè)計和仿真中閾值電壓的提取和分析。

技術(shù)研發(fā)人員：劉剛;李靜月;劉錦輝;李苗蕊;王泉
受保護的技術(shù)使用者：西安電子科技大學(xué)
技術(shù)研發(fā)日：2017.05.22
技術(shù)公布日：2017.10.03