專利名稱:一種用于溫控電路的智能開關(guān)mos管的制作方法
【專利摘要】本實用新型公開了一種用于溫控電路的智能開關(guān)MOS管，包括底部殼體、上部端蓋、熱敏電阻、柵極接線柱，底部殼體上方安裝有上部端蓋，上部端蓋的外表面安裝有熱敏電阻，底部殼體上表面中央設(shè)置有P型硅襯底，P型硅襯底外部連接到接地螺栓，P型硅襯底內(nèi)部設(shè)置有漏極N型摻雜區(qū)和源極N型摻雜區(qū)，P型硅襯底上方設(shè)置有絕緣層，絕緣層上方設(shè)置有柵極金屬層，柵極金屬層和漏極N型摻雜區(qū)以及源極N型摻雜區(qū)外部都連接有金屬引腳，柵極金屬層的外部引腳端部連接有一條引腳外接導(dǎo)線，引腳外接導(dǎo)線的另一端連接在熱敏電阻上，熱敏電阻內(nèi)部伸出柵極接線柱。有益效果在于：能夠通過環(huán)境溫度的變化自動控制開關(guān)電壓，繼而實現(xiàn)自動控制負載電路。
【專利說明】
一種用于溫控電路的智能開關(guān)MOS管
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本實用新型屬于晶體管優(yōu)化設(shè)計領(lǐng)域，具體涉及一種用于溫控電路的智能開關(guān)MOS 管。
【背景技術(shù)】
[0002]在開關(guān)電源中常用MOS管的漏極開路電路，漏極原封不動地接負載，叫開路漏極，開路漏極電路中不管負載接多高的電壓，都能夠接通和關(guān)斷負載電流，是理想的模擬開關(guān)器件，這就是MOS管做開關(guān)器件的原理。當然MOS管做開關(guān)使用的電路形式比較多了。在開關(guān)電源應(yīng)用方面，需要MOS管定期導(dǎo)通和關(guān)斷，例如DC-DC電源中常用的基本降壓轉(zhuǎn)換器依賴兩個MOS管來執(zhí)行開關(guān)功能，這些開關(guān)交替在電感里存儲能量，然后把能量釋放給負載。常選擇數(shù)百kHz乃至IMHz以上的頻率，因為頻率越高，磁性元件可以更小更輕。在正常工作期間，MOS管只相當于一個導(dǎo)體。但是MOS管在電路中起到開關(guān)作用時必須通過人為控制才能決定電路的通斷，在一些諸如溫控開關(guān)等自動控制的場合還無法使用。
【實用新型內(nèi)容】
[0003]本實用新型的目的就在于為了解決上述問題而提供一種用于溫控電路的智能開關(guān)MOS管。
[0004]本實用新型通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)上述目的:
[0005]—種用于溫控電路的智能開關(guān)MOS管，包括底部殼體、上部端蓋、熱敏電阻、柵極接線柱，底部殼體上方安裝有上部端蓋，上部端蓋的外表面安裝有熱敏電阻，底部殼體上表面中央設(shè)置有P型硅襯底，P型硅襯底外部連接到接地螺栓，P型硅襯底內(nèi)部設(shè)置有漏極N型摻雜區(qū)和源極N型摻雜區(qū)，P型硅襯底上方設(shè)置有絕緣層，絕緣層上方設(shè)置有柵極金屬層，柵極金屬層和漏極N型摻雜區(qū)以及源極N型摻雜區(qū)外部都連接有金屬引腳，柵極金屬層的外部引腳端部連接有一條引腳外接導(dǎo)線，引腳外接導(dǎo)線的另一端連接在熱敏電阻上，熱敏電阻內(nèi)部伸出柵極接線柱。
[0006]上述結(jié)構(gòu)中，將底部殼體與上部端蓋密封后，通過底部的接地螺栓將MOS管安裝在所需設(shè)備上并接地，將兩根金屬引腳分別接入負載電路，將柵極接線柱接入到控制電路中，在不同的溫度下，熱敏電阻的阻值會發(fā)生變化，繼而導(dǎo)致柵極金屬層與P型硅襯底之間的電壓發(fā)生變化，直到溫度達到特定值時，柵極金屬層與P型硅襯底之間的電壓達到閾值，使漏極N型摻雜區(qū)與源極N型摻雜區(qū)在絕緣層的電子流動條件下實現(xiàn)通路，最終實現(xiàn)了在溫控開關(guān)內(nèi)自動控制電路狀態(tài)的目的。
[0007]為了實現(xiàn)溫度自動控制電路工作，上部端蓋與底部殼體通過邊緣的卡槽配合安裝并卡緊，熱敏電阻用螺釘固定在上部端蓋的外表面，柵極接線柱嵌入熱敏電阻內(nèi)部，P型硅襯底用絕緣膠粘貼在底部殼體上表面中央，接地螺栓穿過底部殼體嵌入P型硅襯底內(nèi)部，N型摻雜區(qū)和源極N型摻雜區(qū)分別填充在P型硅襯底內(nèi)部溝槽中。
[0008]為了實現(xiàn)溫度自動控制電路工作，絕緣層用導(dǎo)電膠粘貼在P型硅襯底上方，柵極金屬層用導(dǎo)電膠粘貼在絕緣層上表面，金屬引腳分別嵌入柵極金屬層和漏極N型摻雜區(qū)以及源極N型摻雜區(qū)內(nèi)部并固定。
[0009]為了實現(xiàn)溫度自動控制電路工作，引腳外接導(dǎo)線的始端焊接在柵極金屬層的外部引腳端部，引腳外接導(dǎo)線的盡頭焊接在熱敏電阻的一端，柵極接線柱從熱敏電阻另一端伸出。
[0010]有益效果在于:能夠通過環(huán)境溫度的變化自動控制開關(guān)電壓，繼而實現(xiàn)自動控制負載電路，控制精度較高。
【附圖說明】

[0011]圖1是本實用新型所述一種用于溫控電路的智能開關(guān)MOS管的后表面立體視圖；
[0012]圖2是本實用新型所述一種用于溫控電路的智能開關(guān)MOS管的前表面立體視圖；
[0013]圖3是本實用新型所述一種用于溫控電路的智能開關(guān)MOS管的內(nèi)部視圖。
[0014]1、底部殼體;2、上部端蓋;3、熱敏電阻;4、柵極接線柱;5、引腳外接導(dǎo)線;6、金屬引腳;7、接地螺栓;8、P型硅襯底;9、漏極N型摻雜區(qū)；10、源極N型摻雜區(qū)；11、絕緣層；12、柵極金屬層。
【具體實施方式】
[0015]下面結(jié)合附圖對本實用新型作進一步說明:
[0016]如圖1-圖3所示，一種用于溫控電路的智能開關(guān)MOS管，包括底部殼體1、上部端蓋
2、熱敏電阻3、柵極接線柱4，底部殼體I上方安裝有上部端蓋2，上部端蓋2的外表面安裝有熱敏電阻3，底部殼體I上表面中央設(shè)置有P型硅襯底8，P型硅襯底8外部連接到接地螺栓7，P型硅襯底8內(nèi)部設(shè)置有漏極N型摻雜區(qū)9和源極N型摻雜區(qū)10，P型硅襯底8上方設(shè)置有絕緣層U，絕緣層11上方設(shè)置有柵極金屬層12，柵極金屬層12和漏極N型摻雜區(qū)9以及源極N型摻雜區(qū)10外部都連接有金屬引腳6，柵極金屬層12的外部引腳端部連接有一條引腳外接導(dǎo)線5，引腳外接導(dǎo)線5的另一端連接在熱敏電阻3上，熱敏電阻3內(nèi)部伸出柵極接線柱4。
[0017]上述結(jié)構(gòu)中，將底部殼體I與上部端蓋2密封后，通過底部的接地螺栓7將MOS管安裝在所需設(shè)備上并接地，將兩根金屬引腳6分別接入負載電路，將柵極接線柱4接入到控制電路中，在不同的溫度下，熱敏電阻3的阻值會發(fā)生變化，繼而導(dǎo)致柵極金屬層12與P型硅襯底8之間的電壓發(fā)生變化，直到溫度達到特定值時，柵極金屬層12與P型硅襯底8之間的電壓達到閾值，使漏極N型摻雜區(qū)9與源極N型摻雜區(qū)10在絕緣層11的電子流動條件下實現(xiàn)通路，最終實現(xiàn)了在溫控開關(guān)內(nèi)自動控制電路狀態(tài)的目的。
[0018]為了實現(xiàn)溫度自動控制電路工作，上部端蓋2與底部殼體I通過邊緣的卡槽配合安裝并卡緊，熱敏電阻3用螺釘固定在上部端蓋2的外表面，柵極接線柱4嵌入熱敏電阻3內(nèi)部，P型硅襯底8用絕緣膠粘貼在底部殼體I上表面中央，接地螺栓7穿過底部殼體I嵌入P型硅襯底8內(nèi)部，N型摻雜區(qū)和源極N型摻雜區(qū)1分別填充在P型硅襯底8內(nèi)部溝槽中，絕緣層11用導(dǎo)電膠粘貼在P型硅襯底8上方，柵極金屬層12用導(dǎo)電膠粘貼在絕緣層11上表面，金屬引腳6分別嵌入柵極金屬層12和漏極N型摻雜區(qū)9以及源極N型摻雜區(qū)10內(nèi)部并固定，引腳外接導(dǎo)線5的始端焊接在柵極金屬層12的外部引腳端部，引腳外接導(dǎo)線5的盡頭焊接在熱敏電阻3的一端，柵極接線柱4從熱敏電阻3另一端伸出。
[0019]以上顯示和描述了本實用新型的基本原理、主要特征和優(yōu)點。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本實用新型不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本實用新型的原理，在不脫離本實用新型精神和范圍的前提下，本實用新型還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的本實用新型范圍內(nèi)。本實用新型要求保護范圍由所附的權(quán)利要求書及其效物界定。
【主權(quán)項】
1.一種用于溫控電路的智能開關(guān)MOS管，其特征在于:包括底部殼體、上部端蓋、熱敏電阻、柵極接線柱，底部殼體上方安裝有上部端蓋，上部端蓋的外表面安裝有熱敏電阻，底部殼體上表面中央設(shè)置有P型硅襯底，P型硅襯底外部連接到接地螺栓，？型硅襯底內(nèi)部設(shè)置有漏極N型摻雜區(qū)和源極N型摻雜區(qū)，P型硅襯底上方設(shè)置有絕緣層，絕緣層上方設(shè)置有柵極金屬層，柵極金屬層和漏極N型摻雜區(qū)以及源極N型摻雜區(qū)外部都連接有金屬引腳，柵極金屬層的外部引腳端部連接有一條引腳外接導(dǎo)線，引腳外接導(dǎo)線的另一端連接在熱敏電阻上，熱敏電阻內(nèi)部伸出柵極接線柱。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于溫控電路的智能開關(guān)MOS管，其特征在于:上部端蓋與底部殼體通過邊緣的卡槽配合安裝并卡緊，熱敏電阻用螺釘固定在上部端蓋的外表面，柵極接線柱嵌入熱敏電阻內(nèi)部，P型硅襯底用絕緣膠粘貼在底部殼體上表面中央，接地螺栓穿過底部殼體嵌入P型硅襯底內(nèi)部，N型摻雜區(qū)和源極N型摻雜區(qū)分別填充在P型硅襯底內(nèi)部溝槽中。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于溫控電路的智能開關(guān)MOS管，其特征在于:絕緣層用導(dǎo)電膠粘貼在P型硅襯底上方，柵極金屬層用導(dǎo)電膠粘貼在絕緣層上表面，金屬引腳分別嵌入柵極金屬層和漏極N型摻雜區(qū)以及源極N型摻雜區(qū)內(nèi)部并固定。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于溫控電路的智能開關(guān)MOS管，其特征在于:引腳外接導(dǎo)線的始端焊接在柵極金屬層的外部引腳端部，引腳外接導(dǎo)線的盡頭焊接在熱敏電阻的一端，柵極接線柱從熱敏電阻另一端伸出。
【文檔編號】G05D23/24GK205721431SQ201620363158
【公開日】2016年11月23日
【申請日】2016年4月27日
【發(fā)明人】王興
【申請人】王興