專利名稱：一種電壓跟隨控制電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域，具體涉及一種電壓跟隨控制電路，適用于控制電壓高電平在一個(gè)較大范圍變化，且最高值遠(yuǎn)高于開(kāi)關(guān)MOS管的Vgs (th)門檻電壓的控制電路。
背景技術(shù)：
當(dāng)控制電壓邏輯高電平在一個(gè)較大范圍變化，且最高值遠(yuǎn)高于開(kāi)關(guān)MOS管的Vgs(th)門檻電壓時(shí)，如果使用電阻分壓的方式來(lái)降低加到開(kāi)關(guān)MOS管的柵極G和源極S，加到Vgs將會(huì)無(wú)法控制在一個(gè)安全且有效的電壓值。所以有必要在開(kāi)關(guān)MOS管的控制端加一個(gè)電壓跟隨模塊，來(lái)使開(kāi)關(guān)MOS管的Vgs在一個(gè)安全且有效的電壓值。
發(fā)明內(nèi)容本實(shí)用新型的目的是提供一種電壓跟隨控制電路，能夠使開(kāi)關(guān)MOS管的Vgs在一個(gè)安全且有效的電壓值。為了實(shí)現(xiàn)這一目的，本實(shí)用新型的技術(shù)方案如下:一種電壓跟隨控制電路，包括一開(kāi)關(guān)MOS管，其特征在于該開(kāi)關(guān)MOS管的源極接地，該開(kāi)關(guān)MOS管的柵極通過(guò)一個(gè)N溝道MOS管和控制電壓連接。根據(jù)本實(shí)用新型的具體實(shí)施例，該開(kāi)關(guān)MOS管的柵極與N溝道MOS管的源極連接，N溝道MOS管的漏極通過(guò)第一電阻接控制電壓端，N溝道MOS管的柵極通過(guò)第二電阻與跟隨電壓連接。開(kāi)關(guān)MOS管的柵極和源極之間連接有一偏置電阻。本實(shí)用新型在開(kāi)關(guān)MOS管的柵極和控制電壓之間增加一個(gè)N溝道MOS管，并且引入一個(gè)能起到安全有效控制的電壓，但是邏輯控制仍然來(lái)自控制端:當(dāng)控制電壓邏輯為低時(shí)，開(kāi)關(guān)MOS的柵極G通過(guò)該N溝道MOS被拉低，開(kāi)關(guān)MOS關(guān)閉；當(dāng)控制電壓為高時(shí)，開(kāi)關(guān)MOS的G得到該引入的跟隨電壓減去Ql導(dǎo)通的門檻電壓。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于當(dāng)控制電壓不是一個(gè)恒定值，并且最高電壓高于開(kāi)關(guān)MOS的Vgs能承受的最大值時(shí)，既能夠有效控制開(kāi)關(guān)MOS的導(dǎo)通與否，又對(duì)MOS不造成傷害。

圖1為本實(shí)用新型的電路圖。
具體實(shí)施方式
如圖所示，一種電壓跟隨控制電路，包括一開(kāi)關(guān)MOS管Q2，其特征在于該開(kāi)關(guān)MOS管Q2的源極接地，該開(kāi)關(guān)MOS管Q2的柵極通過(guò)一個(gè)N溝道MOS管Ql和控制電壓端(controlvoltage)連接。有根據(jù)本實(shí)用新型的具體實(shí)施例，該開(kāi)關(guān)MOS管Q2的柵極與N溝道MOS管Ql的源極連接，N溝道MOS管Ql的漏極通過(guò)第一電阻Rl接控制電壓端，N溝道MOS管Ql的柵極通過(guò)第二電阻R2與跟隨電壓連接。開(kāi)關(guān)MOS管Q2的柵極和源極之間連接有一偏置電阻R3。[0008]開(kāi)關(guān)MOS管Q2的源極接地，漏極收到柵極的電平控制，如果柵極為低則漏極和源極不導(dǎo)通；如果柵極為高，則漏極和源極導(dǎo)通，但是柵極的電壓不能太高，如果太高可能會(huì)將柵極和源極之間會(huì)被擊穿，導(dǎo)致?lián)p壞該開(kāi)關(guān)MOS管Q2。將該開(kāi)關(guān)MOS管Q2的柵極與起跟隨作用的N溝道MOS管Ql的源極相連，N溝道MOS管Ql的漏極通過(guò)第一電阻Rl連接控制電壓，N溝道MOS管Ql的柵極通過(guò)第二電阻R2連接跟隨電壓10V。當(dāng)控制電壓為低時(shí)，N溝道MOS管Ql導(dǎo)通，低電平通過(guò)N溝道MOS管Ql傳至開(kāi)關(guān)MOS管Q2的柵極，從而將開(kāi)關(guān)MOS管Q2關(guān)閉。當(dāng)控制電平為高時(shí)，以圖示為例:控制電壓為60V，當(dāng)N溝道MOS管Ql導(dǎo)通時(shí)源極電壓被控制電壓拉高，當(dāng)源極電壓升高到接近柵極電壓IOV時(shí)，N溝道MOS管Ql不導(dǎo)通，當(dāng)N溝道MOS管Ql不導(dǎo)通時(shí)，N溝道MOS管Ql源極電壓又被地拉低，所以N溝道MOS管Ql的源極電壓會(huì)維持在IOV-Vgs (th)左右，即被鉗制在IOV-Vgs (th)，使開(kāi)關(guān)MOS管Q2的柵極電壓控制在IOV-Vgs (th)左右，進(jìn)而使開(kāi)關(guān)MOS管Q2安全的導(dǎo)通。因此當(dāng)控制電壓邏輯為高電平時(shí)(以如附圖為例，30V到60V)，該串入的N溝道MOS將開(kāi)關(guān)MOS的柵極電壓會(huì)鉗制在IOV-Vgs (th)大小，不至于會(huì)達(dá)到60V而破壞開(kāi)關(guān)M0S，使開(kāi)關(guān)MOS安全的打開(kāi)。只要控制電壓高電平高于該跟隨電壓，開(kāi)關(guān)MOS柵極G得到的電壓始終為跟隨電壓減去該N溝道門檻電壓。在具體實(shí)施時(shí)，上述控制電壓為3(T60V，跟隨電壓為8 12V。
權(quán)利要求1.一種電壓跟隨控制電路，包括一開(kāi)關(guān)MOS管，其特征在于該開(kāi)關(guān)MOS管的源極接地，該開(kāi)關(guān)MOS管的柵極通過(guò)一個(gè)N溝道MOS管和控制電壓連接。
2.按權(quán)利要求1的電壓跟隨控制電路，其特征在于該開(kāi)關(guān)MOS管的柵極與N溝道MOS管的源極連接，N溝道MOS管的漏極通過(guò)第一電阻接控制電壓端，N溝道MOS管的柵極通過(guò)第二電阻與跟隨電壓連接。
3.按權(quán)利要求2的電壓跟隨控制電路，其特征在于開(kāi)關(guān)MOS管的柵極和源極之間連接有一偏置電阻。
4.按權(quán)利要求2的電壓跟隨控制電路，其特征在于控制電壓為3(T60V，跟隨電壓為8 12V。
專利摘要本實(shí)用新型公開(kāi)了一種電壓跟隨控制電路，包括一開(kāi)關(guān)MOS管，其特征在于該開(kāi)關(guān)MOS管的源極接地，該開(kāi)關(guān)MOS管的柵極通過(guò)一個(gè)N溝道MOS管和控制電壓連接。本實(shí)用新型在開(kāi)關(guān)MOS管的柵極和控制電壓之間增加一個(gè)N溝道MOS管，并且引入一個(gè)能起到安全有效控制的電壓，但是邏輯控制仍然來(lái)自控制端當(dāng)控制電壓邏輯為低時(shí)，開(kāi)關(guān)MOS的柵極G通過(guò)該N溝道MOS被拉低，開(kāi)關(guān)MOS關(guān)閉；當(dāng)控制電壓為高時(shí)，開(kāi)關(guān)MOS的G得到該引入的跟隨電壓減去Q1導(dǎo)通的門檻電壓。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于當(dāng)控制電壓不是一個(gè)恒定值，并且最高電壓高于開(kāi)關(guān)MOS的Vgs能承受的最大值時(shí)，既能夠有效控制開(kāi)關(guān)MOS的導(dǎo)通與否，又對(duì)MOS不造成傷害。
文檔編號(hào)G05F1/56GK202929512SQ20122061053
公開(kāi)日2013年5月8日 申請(qǐng)日期2012年11月19日 優(yōu)先權(quán)日2012年11月19日
發(fā)明者胡建東 申請(qǐng)人:薩康電子(上海)有限公司