一種基于擊穿現(xiàn)象傳感器的穩(wěn)壓器的制造方法
【專利摘要】一種基于擊穿現(xiàn)象傳感器的穩(wěn)壓器，其特征是：一個(gè)第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET），它的漏極連接到第一端子，它的源極連接到地電勢(shì)，它的柵極連接到自己的源極；一個(gè)電阻連接在電壓源和第一端子之間；一個(gè)第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管，它的源極連接到第一端子，漏極和柵極共同連接到第二端子；一個(gè)第三場(chǎng)效應(yīng)晶體管，它的漏極連接到電壓源，它的源極連接到第二端子，柵極連接到電阻和第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極之間的交叉點(diǎn)；其他幾個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管各自按序聯(lián)接，通過具體實(shí)施獲得一種用來提供控制的電壓到電路的穩(wěn)壓器。
【專利說明】一種基于擊穿現(xiàn)象傳感器的穩(wěn)壓器
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及集成電路，特別是一個(gè)集成的，高精確度的穩(wěn)壓器。
【背景技術(shù)】
[0002]MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET )的微型化是一種傳統(tǒng)的方法在高密度動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM )的發(fā)展。然而，亞微米幾何構(gòu)型的MOSFET可能源/漏電流穿通，以及襯底電流穿通。解決方法之一就是減小電源電壓I低于5V。然而這種減小電源電壓與希望兼容晶體管-晶體管邏輯電路(TTL)還有其他5 V單電源設(shè)計(jì)的愿望沖突了。
[0003]為了解決這個(gè)矛盾，一個(gè)芯片上的電壓穩(wěn)壓器已被提出，利用一個(gè)外部的5 V電源提供包含一個(gè)相對(duì)較小的晶體管數(shù)量的I / O電路，而由一個(gè)低電壓的轉(zhuǎn)換器供給電路的主要部分，如圖1所示。電壓轉(zhuǎn)換電路是根據(jù)四個(gè)在二極管配置下順序連接的MOSFET: Ml、M2、M3和M4。如此的電壓轉(zhuǎn)換器的缺點(diǎn)是，在源/漏穿通電壓被連接到四個(gè)晶體管Ml -M4的閾值電壓。例如，如果每一個(gè)晶體管的閾值變化土 0.2 V，然后該轉(zhuǎn)換器的輸出電壓具有的不確定性系數(shù)就為±0.8 V。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供了 一種穩(wěn)壓電路，用于產(chǎn)生一個(gè)控制電壓。
[0005]本發(fā)明的技術(shù)解決方案是:
這個(gè)穩(wěn)壓器包括一個(gè)第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)，它的漏極連接到第一端子，它的源極連接到地電勢(shì)，它的柵極連接到自己的源極。有一個(gè)電阻連接在電壓源和第一端子之間。有一個(gè)第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管，它的源極連接到第一端子，漏極和柵極共同連接到第二端子。有一個(gè)第三場(chǎng)效應(yīng)晶體管，它的漏極連接到電壓源，它的源極連接到第二端子，柵極連接到電阻和第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極之間的交叉點(diǎn)。有一個(gè)第四場(chǎng)效應(yīng)晶體管，它的漏極連接到第二端子，它的源極被連接來提供一個(gè)輸出信號(hào)。有一個(gè)第五場(chǎng)效應(yīng)晶體管，它的漏極連接到電壓源，它的源極連接到第六場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極，它的漏極連接到第一端子。有一個(gè)第六場(chǎng)效應(yīng)晶體管，它的漏極連接到第五場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極，它的源極連接到第二端子，它的柵極連接到它的漏極。有一個(gè)電容，一端連接在第五場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極和第六場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極之間，另一端連接到諧振振蕩器。根據(jù)現(xiàn)有的發(fā)明，第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管的溝道長度與電路中的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的溝道長度相一致。
[0006]對(duì)比專利文獻(xiàn):CN202854636新型穩(wěn)壓器201220571447.0。
[0007]【專利附圖】

【附圖說明】:
圖1展示了傳統(tǒng)的電壓轉(zhuǎn)換器電路的示意圖。
[0008]圖2展示了在根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)穩(wěn)壓電路的一個(gè)實(shí)例的示意圖。
[0009]【具體實(shí)施方式】:
根據(jù)本發(fā)明的基于擊穿現(xiàn)象傳感器的穩(wěn)壓器10展示在圖2中。
[0010]如圖2所示，本發(fā)明的穩(wěn)壓器包括場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)12，它的漏極連接到節(jié)點(diǎn)A，源極連接到地電勢(shì)，柵極連接到它的源極。一個(gè)電阻R連接在5V的電源和節(jié)點(diǎn)A之間。一個(gè)第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管14連接在節(jié)點(diǎn)A和節(jié)點(diǎn)B之間，這樣它的源極連接到節(jié)點(diǎn)A，漏極和柵極可共同連接到節(jié)點(diǎn)B。一個(gè)第三場(chǎng)效應(yīng)晶體管16，它的漏極連接到電源Re，源極連接到節(jié)點(diǎn)B，柵極連接到電阻R和場(chǎng)效應(yīng)晶體管12的漏極之間的連接點(diǎn)。一個(gè)第四場(chǎng)效應(yīng)晶體管18，它的漏極連接到電源Vcc柵極連接到節(jié)點(diǎn)B，源極連接到提供輸出信號(hào)的輸出端。兩個(gè)另外的場(chǎng)效應(yīng)晶體管20和22順序連接在電源Vcc和節(jié)點(diǎn)B跟場(chǎng)效應(yīng)晶體管18的柵極之間的連接點(diǎn)之間。場(chǎng)效應(yīng)晶體管20的漏極連接到電源Re，源極連接到場(chǎng)效應(yīng)晶體管22的漏極，柵極連接到節(jié)點(diǎn)A。場(chǎng)效應(yīng)晶體管22的漏極連接到場(chǎng)效應(yīng)晶體管20的源極，它的源極連接到節(jié)點(diǎn)B，柵極連接到它的漏極。一個(gè)電容C，它的一端連接到場(chǎng)效應(yīng)晶體管20的源極與場(chǎng)效應(yīng)晶體管22的漏極之間的連接點(diǎn)，另一端連接到一個(gè)諧振振蕩器。
[0011]電阻R和場(chǎng)效應(yīng)晶體管12形成漏/源穿通傳感器。場(chǎng)效應(yīng)晶體管12的溝道長度，對(duì)應(yīng)于芯片上的最低限度。因此，節(jié)點(diǎn)A處的最大電壓等于芯片上的最小尺寸晶體管的穿通電壓。在二極管配置的場(chǎng)效應(yīng)晶體管14，保持場(chǎng)效應(yīng)晶體管18的柵極上面的電壓電平Vb=Va=Vt ( Vt是場(chǎng)效應(yīng)晶體管14的閾值電壓)對(duì)應(yīng)于Vout (匕。當(dāng)上電時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)晶體管16給節(jié)點(diǎn)B預(yù)充電。場(chǎng)效應(yīng)晶體管20和22，以及電容器C形成一個(gè)電荷泵，以維持在節(jié)點(diǎn)B處的電壓。
[0012]因此，本發(fā)明的穩(wěn)壓器具有自相關(guān)性，使得穩(wěn)壓器的輸出電壓等于裝置12的漏極/源極擊穿電壓或VCC電源，以較少者為準(zhǔn)。
[0013]本領(lǐng)域技術(shù)人員也會(huì)理解，本發(fā)明可以不同于上述的實(shí)例，所描述的實(shí)例僅為了說明的目的，而不是限制性的，并且本發(fā)明僅由權(quán)利要求限定范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種基于擊穿現(xiàn)象傳感器的穩(wěn)壓器，其特征是:一種用來提供控制的電壓到電路的穩(wěn)壓器包括:一個(gè)第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)，它的漏極連接到第一端子，它的源極連接到地電勢(shì)，它的柵極連接到自己的源極；一個(gè)電阻連接在電壓源和第一端子之間；一個(gè)第二場(chǎng)效應(yīng)晶體管，它的源極連接到第一端子，漏極和柵極共同連接到第二端子；一個(gè)第三場(chǎng)效應(yīng)晶體管，它的漏極連接到電壓源，它的源極連接到第二端子，柵極連接到電阻和第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極之間的交叉點(diǎn)；一個(gè)第四場(chǎng)效應(yīng)晶體管，它的漏極連接到第二端子，它的源極被連接來提供一個(gè)輸出信號(hào)；一個(gè)第五場(chǎng)效應(yīng)晶體管，它的漏極連接到電壓源，它的源極連接到第六場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極，它的漏極連接到第一端子；一個(gè)第六場(chǎng)效應(yīng)晶體管，它的漏極連接到第五場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極，它的源極連接到第二端子，它的柵極連接到它的漏極；一個(gè)電容，一端連接在第五場(chǎng)效應(yīng)晶體管的源極和第六場(chǎng)效應(yīng)晶體管的漏極之間，另一端連接到諧振振蕩器；其中第一場(chǎng)效應(yīng)晶體管的溝道長度與電路中的場(chǎng)效應(yīng)晶體管的溝道長度相一致。
【文檔編號(hào)】G05F1/46GK103677032SQ201310509790
【公開日】2014年3月26日 申請(qǐng)日期:2013年10月25日 優(yōu)先權(quán)日:2013年10月25日
【發(fā)明者】不公告發(fā)明人 申請(qǐng)人:蘇州貝克微電子有限公司