一種cmp工藝中新品研磨數(shù)據(jù)計算方法
【專利摘要】一種CMP工藝中新品研磨數(shù)據(jù)計算方法，應用于APC系統(tǒng)，按以下方法同步新品的定時程序中控制信息：一，TECH、Layer、PPID、PostTargetclearratio相同，則復制controller；二，clearratio不同，clearratio差異在5%以內(nèi)的任意兩筆舊品記錄，按公式（A的刻開比clearratio-B的刻開比clearratio）/（B的刻開比clearratio-C的刻開比clearratio）=（A的研磨量Table–B的消除前值影響的研磨量Table’）/（B的消除前值影響的研磨量Table’-C的消除前值影響的研磨量Table’）計算出新品A的研磨量Table，取A的前值=B、C前值的平均值；三，將A的研磨量Table和A的前值寫入控制信息controller，其它信息數(shù)據(jù)復制任意一個選取的舊品B或C的數(shù)據(jù)。本發(fā)明的新品上線成功率高、成本低、減少浪費。
【專利說明】—種CMP工藝中新品研磨數(shù)據(jù)計算方法

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及芯片制造的CMP工藝，特別是一種CMP工藝中新品研磨數(shù)據(jù)計算方法。

【背景技術(shù)】
[0002]半導體平坦化(CMP)是半導體制造中至關(guān)重要的環(huán)節(jié)。在CMP業(yè)內(nèi)，通常的晶圓的返工率(rework rat1 by wafer)大概在10%左右,所以控制返工率有利于節(jié)約成本、提高工作效率。
[0003]CMP工藝中，有一個重要指標是刻開率(clear rat1)，是指刻開面積和未刻開面積之比，CMP的研磨時間和刻開率有一定的關(guān)系。但是這個內(nèi)在關(guān)系并沒有被利用到返工率控制上。
[0004]新品上線的時候,其成功率(success rat1)大約在80%。業(yè)內(nèi)將追求新品的一次成功率、不返工作為關(guān)鍵項目指標(KPI)，用來體現(xiàn)質(zhì)量和技術(shù)水平、贏得客戶。所以如何提高新品的成功率是一個重要研究課題。而成功率的控制主要來自新品的理論研磨量(理論polish量、即Table)的計算和設定。
[0005]現(xiàn)有的手段，憑經(jīng)驗設定數(shù)據(jù)，質(zhì)量不穩(wěn)定，將嚴重增加成本、影響機臺產(chǎn)能和使用效率，影響 CT、影響 cost down、影響 SPC CPK 的提升、OCAP rat1、hold lot rat1,甚至影響defect, MO等一系列指標,還浪費人力和消耗能源。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的是發(fā)明一種利用clear rat1計算CMP新品的研磨量Table的方法，以提高新品的成功率(success rat1),減少返工率。
[0007]為此，采用的技術(shù)手段是:
一種CMP工藝中新品研磨數(shù)據(jù)計算方法，應用于APC系統(tǒng)，所述APC系統(tǒng)的控制信息controller中含有晶圓工藝TECH、層次Layer、層次上應用的工藝程序PPID、中心值PostTarget、刻開比clear rat1數(shù)據(jù)、前值(研磨之前的膜厚值)和舊品的研磨量Table,其特征是，按以下方法同步新品的定時程序中控制信息controller:
一，舊品的晶圓工藝TECH、層次Layer、層次上應用的工藝程序PPID、中心值PostTarget和刻開比clear rat1數(shù)據(jù)與新品的對應數(shù)據(jù)相同，貝U復制當前的舊品控制信息controller ；
二，舊品的晶圓工藝TECH、層次Layer、層次上應用的工藝程序PPID、中心值PostTarget與新品的對應數(shù)據(jù)相同，刻開比clear rat1不同，貝U按以下公式方法計算出新品的研磨量Table:
(A 的刻開比 clear rat1-B 的刻開比 clear rat1)/ (B 的刻開比 clear rat1-C 的刻開比clear rat1) = (A的研磨量Table _ B的消除前值影響的研磨量Table’)/ (B的消除前值影響的研磨量Table’ -C的消除前值影響的研磨量Table’ )
式中A表示新品，B、C為任意兩個刻開比差異在5%以內(nèi)的舊品；A、B、C的刻開比clear rat1均為預設值；B的消除其前值不同影響的研磨量Table’ =B的前值-A的前值+控制信息controller中已經(jīng)定義的B的研磨量Table ；C的消除其前值不同影響的研磨量Table’ =C的前值-A的前值+控制信息controller中已經(jīng)定義的C的研磨量Table ；其中，控制信息controller中已經(jīng)存在B、C的前值和研磨量Table數(shù)據(jù)，A的前值=B、C前值的平均值；
然后將計算出的新品A的研磨量Table和A的前值寫入控制信息controller,其它信息數(shù)據(jù)復制自任意一個選取的舊品B或C的數(shù)據(jù)。
[0008]優(yōu)選的是，所述的新品研磨量Table的上下限設定為±800 A。
[0009]本發(fā)明通過尋找新品研磨量Table和刻開比clear rat1的關(guān)系,揭示了一種CMP上線新品的控制信息數(shù)據(jù)的計算方法，能夠提供精確的控制信息數(shù)據(jù)，大幅度提高新品成功率success rat1,最終實現(xiàn)減少返工率、提升廣能、提升CT、降低成本、提聞效率、提聞品質(zhì)的有益效果。

【具體實施方式】
[0010]CMP研磨的時間和刻開比clear rat1有一定的關(guān)系,本發(fā)明是按照刻開比clearrat1來計算產(chǎn)品的理論研磨量polish amout等信息數(shù)據(jù)。本發(fā)明應用于APC系統(tǒng),所述的APC系統(tǒng)的控制信息controller中含有晶圓工藝TECH、層次Layer、層次上應用的工藝程序PPID、中心值Post Target、刻開比clear rat1數(shù)據(jù)、前值(研磨之前的膜厚值)和研磨量Table。同樣的產(chǎn)品，不同的層次,亥Ij開比不一樣,亥Ij開比clear rat1是反映產(chǎn)品模板pattern疏密的一個參數(shù)，根據(jù)clear rat1計算polish的理論polish量，即Table。
[0011]設定新品為A,同步新品A的定時程序中同步控制信息controller的方法如下: 一，舊品的晶圓工藝TECH、層次Layer、層次上應用的工藝程序PPID、中心值Post
Target和刻開比clear rat1數(shù)據(jù)與新品的對應數(shù)據(jù)相同，貝U復制當前的舊品控制信息controller ；
二，舊品的晶圓工藝TECH、層次Layer、層次上應用的工藝程序PPID、中心值PostTarget與新品的對應數(shù)據(jù)相同，刻開比clear rat1不同，貝U按以下公式方法計算出新品的研磨量Table:
(A 的刻開比 clear rat1-B 的刻開比 clear rat1)/ (B 的刻開比 clear rat1-C 的刻開比clear rat1) = (A的研磨量Table - B的消除前值影響的研磨量Table’ )/ (B的消除前值影響的研磨量Table’ -C的消除前值影響的研磨量Table’ )；
式中A表示新品，B、C為任意兩個刻開比差異在5%以內(nèi)的舊品；A、B、C的刻開比clear rat1均為預設值；B的消除其前值不同影響的研磨量Table’ =B的前值-A的前值+控制信息controller中已經(jīng)定義的B的研磨量Table ；C的消除其前值不同影響的研磨量Table’ =C的前值-A的前值+控制信息controller中已經(jīng)定義的C的研磨量Table ；其中，控制信息controller中已經(jīng)存在B、C的前值和研磨量Table數(shù)據(jù)，A的前值=B、C前值的平均值；
該公式所體現(xiàn)的計算方法，是以偏差比率的形式檢驗(check)未知數(shù)研磨量，刻開比clear rat1的差異越大,研磨量Table的差異也越大，由此區(qū)分一個未知的Table值的大概值，以差異的大小做Table的分布。
[0012]最后，將新品A的研磨量Table和前值寫入控制信息controller，其它需要的信息數(shù)據(jù)復制自任意一個選取的B或C的數(shù)據(jù)。新品A研磨量Table的上下限設定為±800A。
[0013]至此，新品A的研磨量信息數(shù)據(jù)計算完成，通過對CMP設備的數(shù)據(jù)輸入，可以完成新品的上線生產(chǎn)。相比現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的數(shù)據(jù)準確，批次研磨量(lot polish)數(shù)據(jù)一步到位，不用返工調(diào)試，減少返工率，提高了效率、降低了成本。
【權(quán)利要求】
1.一種CMP工藝中新品研磨數(shù)據(jù)計算方法，應用于APC系統(tǒng)，所述APC系統(tǒng)的控制信息controller中含有晶圓工藝TECH、層次Layer、層次上應用的工藝程序PPID、中心值PostTarget、刻開比clear rat1數(shù)據(jù)、前值和舊品的研磨量Table,其特征是,按以下方法同步新品的定時程序中控制信息controller: 一，舊品的晶圓工藝TECH、層次Layer、層次上應用的工藝程序PPID、中心值PostTarget和刻開比clear rat1數(shù)據(jù)與新品的對應數(shù)據(jù)相同，貝U復制當前的舊品控制信息controller ； 二，舊品的晶圓工藝TECH、層次Layer、層次上應用的工藝程序PPID、中心值PostTarget與新品的對應數(shù)據(jù)相同，刻開比clear rat1不同，貝U按以下公式方法計算出新品的研磨量Table: (A 的刻開比 clear rat1-B 的刻開比 clear rat1)/ (B 的刻開比 clear rat1-C 的刻開比clear rat1) = (A的研磨量Table - B的消除前值影響的研磨量Table’ )/ (B的消除前值影響的研磨量Table’ -C的消除前值影響的研磨量Table’ ) 式中A表示新品，B、C為任意兩個刻開比差異在5%以內(nèi)的舊品；A、B、C的刻開比clear rat1均為預設值；B的消除其前值不同影響的研磨量Table’ =B的前值-A的前值+控制信息controller中已經(jīng)定義的B的研磨量Table ；C的消除其前值不同影響的研磨量Table’ =C的前值-A的前值+控制信息controller中已經(jīng)定義的C的研磨量Table ；其中，控制信息controller中已經(jīng)存在B、C的前值和研磨量Table數(shù)據(jù)，A的前值=B、C前值的平均值； 然后將計算出的新品A的研磨量Table和A的前值寫入控制信息controller,其它信息數(shù)據(jù)復制自任意一個選取的舊品B或C的數(shù)據(jù)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的CMP工藝中新品研磨數(shù)據(jù)計算方法，其特征是:所述的新品的研磨量Table的上下限為±800A。
【文檔編號】G06F19/00GK104517018SQ201310455072
【公開日】2015年4月15日 申請日期:2013年9月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年9月30日
【發(fā)明者】張禮麗, 劉毅 申請人:無錫華潤上華科技有限公司