本發(fā)明涉及觸控顯示基板技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種觸控顯示基板的制作方法及觸控顯示基板。

背景技術(shù)：

目前，對于OLED(Organic Light-Emitting Diode，有機(jī)發(fā)光二極管)觸控屏來講，主要是采用外掛式實(shí)現(xiàn)觸控，通常采用打印或者黃光工藝制作觸控電極，并將觸控電極制作在像素與像素之間的非開口區(qū)域。由于打印或者黃光工藝所制作的觸控電極只能做到微米量級，因而對于OLED高PPI(Pixels Per Inch，像素密度)很難保證觸控電極完全設(shè)置在非開口區(qū)域。例如，目前的打印工藝可以實(shí)現(xiàn)的最小線寬在30um左右，線間距至少在20um以上，而且打印的位置精度偏差比較大，至少有數(shù)個(gè)微米，這樣打印出來的金屬會偏移到顯示像素中，影響畫質(zhì)，且觸控屏的良率較低。

綜上所述，目前由于OLED觸控屏的分辨率要求越來越高，采用打印或者黃光工藝制作的觸控電極的線寬只能達(dá)到微米量級，很難滿足高PPI的要求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種觸控顯示基板的制作方法及觸控顯示基板，用以解決目前由于OLED觸控屏的分辨率要求越來越高，采用打印或者黃光工藝制作的觸控電極的線寬只能達(dá)到微米量級，很難滿足高PPI的要求的問題。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種觸控顯示基板的制作方法，包括：

在襯底基板上依次制作有機(jī)發(fā)光二極管OLED器件的各個(gè)功能膜層，得到OLED基板；

采用電子濺射和轉(zhuǎn)印的方式，在所述OLED基板上制作納米級線寬的線狀觸控電極。

較佳的，采用電子濺射和轉(zhuǎn)印的方式，在所述OLED基板上制作納米級線寬的線狀觸控電極，包括：

采用電子濺射方式，在具有納米級金屬線圖形的載體上濺鍍金屬導(dǎo)電材料，以使所述金屬線上形成納米級線寬的金屬導(dǎo)電材料；

采用轉(zhuǎn)印的方式，將所述金屬線上形成的納米級線寬的金屬導(dǎo)電材料轉(zhuǎn)印到所述OLED基板上，以使所述OLED基板形成納米級線寬的線狀觸控電極。

較佳的，采用下列方式制作具有納米級金屬線圖形的載體：

采用電子束曝光的方式，在載體的主體上制作至少一條納米級金屬線。

較佳的，采用轉(zhuǎn)印的方式，將所述金屬線上形成的納米級線寬的金屬導(dǎo)電材料轉(zhuǎn)印到所述OLED基板上之前，還包括：

將所述載體上形成的納米級線寬的金屬導(dǎo)電材料，與所述OLED基板進(jìn)行對位。

較佳的，所述對位的方式包括粗略對位和精確對位；其中，

所述粗略對位是將所有納米級線寬的金屬導(dǎo)電材料與所述OLED基板的顯示區(qū)域進(jìn)行對準(zhǔn)；

所述精確對位是將所有納米級線寬的金屬導(dǎo)電材料分別與所述顯示區(qū)域中的非開口區(qū)域進(jìn)行對準(zhǔn)。

較佳的，將所述金屬線上形成的納米級線寬的金屬導(dǎo)電材料轉(zhuǎn)印到所述OLED基板上，包括：

將所述納米級線寬的金屬導(dǎo)電材料與所述OLED基板在預(yù)設(shè)條件下進(jìn)行接觸，以使所述納米級線寬的金屬導(dǎo)電材料與所述載體上的金屬線分離，且將所述納米級線寬的金屬導(dǎo)電材料轉(zhuǎn)印到所述OLED基板上。

較佳的，所述預(yù)設(shè)條件包括但不僅限于下列條件中的一種或者多種：

施加外力，施加電壓，光照，或者加熱。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種采用本發(fā)明實(shí)施例提供的上述方法制作的觸控顯示基板，包括：襯底基板，設(shè)置在襯底基板上的OLED器件，以及設(shè)置在所述OLED器件上、且為納米級線寬的線狀觸控電極；其中，

所述觸控電極均設(shè)置在所述觸控顯示基板的顯示區(qū)域。

較佳的，所述觸控電極的線寬均不大于190nm。

較佳的，所述OLED器件包括：有機(jī)發(fā)光層；

所述觸控電極在所述襯底基板上的正投影，與所述有機(jī)發(fā)光層圖形在所述襯底基板上的正投影部分重疊；或，

所述觸控電極均設(shè)置在所述顯示區(qū)域中的非開口區(qū)域。

較佳的，所述觸控電極的結(jié)構(gòu)為單層自容結(jié)構(gòu)，單層互容結(jié)構(gòu)，或雙層互容結(jié)構(gòu)。

較佳的，所述觸控電極為指紋電極。

較佳的，所述觸控電極的材料為透明材料。

較佳的，所述觸控電極的材料為下列材料中的一種或多種：

碳納米管導(dǎo)電粒子，納米銀，以及石墨烯。

較佳的，所述觸控顯示基板為內(nèi)嵌式觸控顯示基板，或外掛式觸控顯示基板。

本發(fā)明的有益效果：

本發(fā)明實(shí)施例提供的觸控顯示基板的制作方法及采用該方法制作的觸控顯示基板，將觸控電極制作成納米級線寬的線狀電極，減小了觸控電極的寬度，由于觸控電極的線寬小于或者接近可見光的波長，因而即使將觸控電極設(shè)置在顯示區(qū)域中像素的上方，也不會影響可見光進(jìn)入人眼，進(jìn)而能夠增加開口率，同時(shí)提高產(chǎn)品的良率，使制得的觸控顯示基板更適用于像素密度要求較高的產(chǎn)品。

附圖說明

圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種觸控顯示基板的制作方法的步驟流程圖；

圖2本發(fā)明實(shí)施例提供的一種電子濺射和轉(zhuǎn)印的方法步驟流程圖；

圖3A為本發(fā)明實(shí)施例提供的具有納米級金屬線圖形的載體的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3B為本發(fā)明實(shí)施例提供的電子濺射過程中的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4A為本發(fā)明實(shí)施例提供的轉(zhuǎn)印過程中的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖4B為本發(fā)明實(shí)施例提供的轉(zhuǎn)印之后的結(jié)構(gòu)示意圖

圖5A為本發(fā)明實(shí)施例提供的粗略對位之后的線狀觸控電極結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5B為本發(fā)明實(shí)施例提供的精確對位之后的線狀觸控電極結(jié)構(gòu)示意圖；

圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的通過上述方法制作的觸控顯示基板的基本結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，并不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

其中，附圖中薄膜厚度和區(qū)域形狀不反映其真實(shí)比例，目的只是示意說明本發(fā)明的內(nèi)容。

本發(fā)明實(shí)施例提供的一種觸控顯示基板，是在現(xiàn)有的觸控顯示基板的基礎(chǔ)上，將線狀觸控電極的線寬制作成納米量級，進(jìn)而即使將觸控電極設(shè)置在顯示區(qū)域中像素的上方，也不會影響可見光進(jìn)入人眼。由于現(xiàn)有技術(shù)中觸控顯示基板的制作方法只能制作出微米量級線寬的觸控電極，因而本發(fā)明實(shí)施例先介紹了一種觸控顯示基板的制作方法，再具體介紹采用該方法制作的觸控顯示基板的結(jié)構(gòu)。下面首先對其具體制作方法進(jìn)行詳細(xì)的說明。

如圖1所示，為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種觸控顯示基板的制作方法的步驟流程圖，具體可以采用如下步驟實(shí)現(xiàn)：

步驟101，在襯底基板上依次制作有機(jī)發(fā)光二極管OLED器件的各個(gè)功能膜層，得到OLED基板；

步驟102，采用電子濺射和轉(zhuǎn)印的方式，在OLED基板上制作納米級線寬的線狀觸控電極。

在具體實(shí)施時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例提供的觸控顯示基板的制作方法，可以通過電子濺射和轉(zhuǎn)印的方式，在OLED基板上制作出納米級線寬的線狀觸控電極，而OLED器件的各個(gè)功能膜層的具體制作方法，在此并不做限定。

目前，由于OLED觸控屏的分辨率要求越來越高，現(xiàn)有的打印或者黃光工藝制作的觸控電極的線寬只能達(dá)到微米量級，很難滿足高PPI的要求。

基于此，本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸控顯示基板的制作方法，可以通過電子濺射和轉(zhuǎn)印的方式制作出納米級線寬的線狀觸控電極，減小了觸控電極的寬度，由于觸控電極的線寬小于或者接近可見光的波長，因而即使將觸控電極設(shè)置在顯示區(qū)域中像素的上方，也不會影響可見光進(jìn)入人眼，進(jìn)而能夠增加開口率，同時(shí)提高產(chǎn)品的良率，使制得的觸控顯示基板更適用于像素密度要求較高的產(chǎn)品。

本發(fā)明實(shí)施例提供的上述觸控顯示基板的制作方法中，可以通過電子濺射和轉(zhuǎn)印的方式，在OLED基板上制作納米級線寬的線狀觸控電極，下面具體介紹電子濺射和轉(zhuǎn)印的具體步驟。

在具體實(shí)施時(shí)，如圖2所示，為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種電子濺射和轉(zhuǎn)印的方法步驟流程圖，較佳的，步驟102具體可以采用如下步驟實(shí)現(xiàn)：

步驟1021，采用電子濺射方式，在具有納米級金屬線圖形的載體上濺鍍金屬導(dǎo)電材料，以使金屬線上形成納米級線寬的金屬導(dǎo)電材料；

步驟1022，采用轉(zhuǎn)印的方式，將金屬線上形成的納米級線寬的金屬導(dǎo)電材料轉(zhuǎn)印到OLED基板上，以使OLED基板形成納米級線寬的線狀觸控電極。

在具體實(shí)施時(shí)，在實(shí)現(xiàn)上述步驟1021時(shí)，首先需要制作具有納米級金屬線圖形的載體，如圖3A所示，為本發(fā)明實(shí)施例提供的具有納米級金屬線圖形的載體的結(jié)構(gòu)示意圖；較佳的，采用下列方式制作具有納米級金屬線圖形的載體：采用電子束曝光的方式，在載體的主體301上制作至少一條納米級金屬線302。

具體的，一般需要通過特定的儀器對載體進(jìn)行加工，例如，可以采用電子束曝光的方式在載體的主體301上形成20nm(或者上百nm)線寬的金屬線圖案，得到具有納米級金屬線圖形的載體30。

而具體的納米級金屬線的寬度以及數(shù)量，需要根據(jù)待制作的觸控電極的寬度和數(shù)量來制作，載體上形成的納米級金屬線與待制作的觸控電極一一對應(yīng)。

在制作完具有納米級金屬線圖形的載體后，采用電子濺射方式，在該載體上濺鍍金屬導(dǎo)電材料，以使金屬線上形成納米級線寬的金屬導(dǎo)電材料。如圖3B所示，為本發(fā)明實(shí)施例提供的電子濺射過程中的結(jié)構(gòu)示意圖。

在電子濺射過程中，將具有納米級金屬線圖形的載體30與金屬導(dǎo)電材料的靶材303之間通過偏壓V連接，這樣整面存在的金屬材料會在電壓的作用下，以電子濺射的方式沉積到載體的納米級金屬線302上，載體的主體301上其它沒有設(shè)置納米級金屬線的位置，不會被濺鍍上金屬導(dǎo)電材料，因而可以在納米級金屬線302上形成納米級線寬的金屬導(dǎo)電材料304，圖中305代表濺鍍過程中的金屬導(dǎo)電粒子。

在具體實(shí)施時(shí)，在實(shí)現(xiàn)上述步驟1022時(shí)，需要通過轉(zhuǎn)印的方式在OLED基板上制作線狀觸控電極。如圖4A所示，為本發(fā)明實(shí)施例提供的轉(zhuǎn)印過程中的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體的，將步驟1021中在載體的金屬線302上形成的納米級線寬的金屬導(dǎo)電材料304，轉(zhuǎn)印到步驟101制作得到的OLED基板306上，如圖4B所示，為本發(fā)明實(shí)施例提供的轉(zhuǎn)印之后的結(jié)構(gòu)示意圖，使OLED基板306(即觸控顯示基板)上形成納米級線寬的線狀觸控電極307，即在載體的金屬線302上形成的納米級線寬的金屬導(dǎo)電材料304變成OLED基板上的觸控電極307。

在轉(zhuǎn)印過程中，較佳的，將金屬線上形成的納米級線寬的金屬導(dǎo)電材料轉(zhuǎn)印到OLED基板上，包括：將納米級線寬的金屬導(dǎo)電材料304與OLED基板306在預(yù)設(shè)條件下進(jìn)行接觸，以使納米級線寬的金屬導(dǎo)電材料304與載體上的金屬線302分離，且將納米級線寬的金屬導(dǎo)電材料304轉(zhuǎn)印到OLED基板306上。

較佳的，預(yù)設(shè)條件包括但不僅限于下列條件中的一種或者多種：施加外力，施加電壓，光照，或者加熱。即可以通過一定力度接觸，或者通過光照方式或者熱量傳遞方式，將載體上濺鍍的金屬導(dǎo)電材料304轉(zhuǎn)印到需要制作線狀觸控電極的OLED基板上。

在具體實(shí)施時(shí)，要根據(jù)實(shí)際需要選擇載體的材料和金屬線的材料，不然很難使金屬導(dǎo)電材料轉(zhuǎn)印到OLED基板上。例如，載體上的納米級金屬線是和載體吸附比較牢靠的金屬材料，要轉(zhuǎn)印的金屬導(dǎo)電材料是可以受到外力或者電或者光或者熱容易掉的材料。

在轉(zhuǎn)印之前，為了能夠精確的將載體上濺鍍的金屬導(dǎo)電材料304轉(zhuǎn)印到OLED基板306的指定位置，較佳的，步驟1022之前，還包括：將載體30上形成的納米級線寬的金屬導(dǎo)電材料304，與OLED基板306進(jìn)行對位。

較佳的，對位的方式包括粗略對位和精確對位，下面對兩種對位方式進(jìn)行簡單介紹。

具體的，粗略對位是將所有納米級線寬的金屬導(dǎo)電材料304與OLED基板306的顯示區(qū)域進(jìn)行對準(zhǔn)；粗略對位的精度可以在微米或數(shù)十微米量級，轉(zhuǎn)印之后得到的線狀觸控電極307均位于顯示區(qū)域即可，不需要必須設(shè)置在顯示區(qū)域中的非開口區(qū)域，如圖5A所示，為本發(fā)明實(shí)施例提供的粗略對位之后的線狀觸控電極結(jié)構(gòu)示意圖。

另外，精確對位是將所有納米級線寬的金屬導(dǎo)電材料304分別與顯示區(qū)域中的非開口區(qū)域進(jìn)行對準(zhǔn)。對設(shè)備的精度要求極高，精度需要達(dá)到納米級別；轉(zhuǎn)印之后得到的線狀觸控電極307均位于顯示區(qū)域中的非開口區(qū)域，如圖5B所示，為本發(fā)明實(shí)施例提供的精確對位之后的線狀觸控電極結(jié)構(gòu)示意圖。

在具體實(shí)施時(shí)，不管是粗略對位還是精確對位，都可以在在OLED基板上就形成納米級線寬的線狀觸控電極。一般在制作過程，由于精確對位對設(shè)備的精度要求極高，造價(jià)較高，通常選用粗略對位的方式，雖然OLED基板的有機(jī)發(fā)光層中的顯示像素308上會存在觸控電極，但由于觸控電極的線寬小于或者和可見光的波長(380nm-780nm)比較接近，這樣即使顯示像素上存在觸控電極，也不會影響光波長進(jìn)入到人眼。

基于同一發(fā)明構(gòu)思，如圖6所示，為本發(fā)明實(shí)施例提供的通過上述方法制作的觸控顯示基板的基本結(jié)構(gòu)示意圖；該觸控顯示基板60，包括：襯底基板601，設(shè)置在襯底基板上的OLED器件602，以及設(shè)置在OLED器件上、且為納米級線寬的線狀觸控電極307；其中，觸控電極307均設(shè)置在觸控顯示基板的顯示區(qū)域。

在具體實(shí)施時(shí)，線狀觸控電極307需要設(shè)置在OLED器件的上方，一般OLED器件602包括依次設(shè)置的TFT(Thin Film Transistor，是薄膜晶體管)背板6021、有機(jī)發(fā)光層6022、陰極層6023以及TFE(Thin Film Encapsulation，薄膜封裝)層6024；由于OLED器件602中存在整面的陰極層6023，如果將觸控電極制作在陰極層6023下方的話會屏蔽信號，所以只能將觸控電極307制作在陰極層6023上方，陰極層6023上方，一般將觸控電極307制作在TFE層6024和偏光層之間(圖中未示出)。同時(shí)，為了能夠更好的檢測到觸控信號，觸控電極307需要設(shè)置在觸控顯示基板的顯示區(qū)域。

在具體實(shí)施時(shí)，由于可見光的波長為380nm-780nm，所以為了不影響顯示，觸控電極的線寬至少小于1/2可見光的波長，因而觸控電極的線寬最大是380/2＝190nm。較佳的，觸控電極的線寬均不大于190nm。

由于觸控電極的線寬小于或者接近可見光的波長，因而即使將觸控電極設(shè)置在顯示區(qū)域中像素的上方，也不會影響可見光進(jìn)入人眼，不需要非得將觸控電極設(shè)置在非開口區(qū)域。較佳的，OLED器件602包括：有機(jī)發(fā)光層6022；觸控電極307在襯底基板上的正投影，與有機(jī)發(fā)光層6022圖形在襯底基板上的正投影部分重疊；或，觸控電極307均設(shè)置在顯示區(qū)域中的非開口區(qū)域。

具體的，本發(fā)明實(shí)施例提供的納米級線寬的線狀觸控電極，可以根據(jù)需要設(shè)置在顯示區(qū)域的任意位置，如圖6所示，觸控電極307設(shè)置在有機(jī)發(fā)光層6022圖形的上方，其平面結(jié)構(gòu)示意圖可以參見圖5A；也可以根據(jù)需要設(shè)置在顯示區(qū)域中的非開口區(qū)域，其平面結(jié)構(gòu)示意圖可以參見圖5B。

在具體實(shí)施時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例提供的制作的納米級線寬的線狀觸控電極，可以根據(jù)需要設(shè)置在任意需要線狀電極的觸控顯示基板上，較佳的，觸控電極的結(jié)構(gòu)為單層自容結(jié)構(gòu)，單層互容結(jié)構(gòu)，或雙層互容結(jié)構(gòu)。

例如，如圖5A和圖5B所示的結(jié)構(gòu)，是針對的觸控電極為雙層互容結(jié)構(gòu)，觸控電極包括驅(qū)動(dòng)電極和感應(yīng)電極，并且每條驅(qū)動(dòng)電極和每條感應(yīng)電極之間形成一個(gè)觸控電容；此時(shí)在制作觸控顯示基板時(shí)，需要采用電子濺射和轉(zhuǎn)印的方式分別制作驅(qū)動(dòng)電極和感應(yīng)電極，并在驅(qū)動(dòng)電極和感應(yīng)電極之間，制作一整層的絕緣層。

其中，觸控電極的結(jié)構(gòu)為單層自容結(jié)構(gòu)和單層互容結(jié)構(gòu)，其制作方法與雙層互容結(jié)構(gòu)的相同，都是采用電子濺射和轉(zhuǎn)印的方式制作觸控電極，在此不做詳細(xì)介紹。

在具體實(shí)施時(shí)，本發(fā)明實(shí)施例提供的制作方法和觸控電極，除了可以應(yīng)用到單純的觸控電極上，也可以根據(jù)需要應(yīng)用到指紋電極上。較佳的，觸控電極為指紋電極。

本發(fā)明實(shí)施例提供的線狀觸控電極是金屬導(dǎo)電材料，如果是非透明的，在顯示過程中會有一些反光；較佳的，觸控電極的材料為透明材料。如果金屬導(dǎo)電材料是透明的，則沒有反光問題，效果更優(yōu)。

具體的，觸控電極的材料可以根據(jù)需要進(jìn)行選取，較佳的，觸控電極的材料為下列材料中的一種或多種：碳納米管導(dǎo)電粒子，納米銀，以及石墨烯。

本發(fā)明實(shí)施例提供的觸控顯示基板，其觸控電極為線狀的觸控電極，較佳的，觸控顯示基板為內(nèi)嵌式觸控顯示基板，或外掛式觸控顯示基板。觸控電極可以內(nèi)嵌到顯示基板中，也可以外掛到顯示基板上，只要是能夠?qū)崿F(xiàn)觸控操作，且不影響顯示基板的正常工作即可。

綜上所述，本發(fā)明實(shí)施例提供的觸控顯示基板的制作方法及采用該方法制作的觸控顯示基板，將觸控電極制作成納米級線寬的線狀電極，減小了觸控電極的寬度，由于觸控電極的線寬小于或者接近可見光的波長，因而即使將觸控電極設(shè)置在顯示區(qū)域中像素的上方，也不會影響可見光進(jìn)入人眼，進(jìn)而能夠增加開口率，同時(shí)提高產(chǎn)品的良率，使制得的觸控顯示基板更適用于像素密度要求較高的產(chǎn)品。

顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。