本發(fā)明涉及計(jì)算機(jī)技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種1U存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)。

背景技術(shù)：

隨著互聯(lián)網(wǎng)業(yè)務(wù)的不斷發(fā)展，存儲(chǔ)數(shù)據(jù)量的年增長率達(dá)到50％～60％。存儲(chǔ)數(shù)據(jù)量的快速增長，使得對(duì)高性能存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的需求日益增強(qiáng)。

現(xiàn)有技術(shù)中，單個(gè)1U存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)一般設(shè)置12個(gè)盤位，每一個(gè)盤位對(duì)應(yīng)一個(gè)硬盤。但是，這12個(gè)硬盤的存儲(chǔ)能力相對(duì)較低，已不能滿足海量數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)需求。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種1U存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)，能夠提高1U存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的存儲(chǔ)能力。

一方面，本發(fā)明實(shí)施例提供了一種1U存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)，包括：主板、擴(kuò)展卡、至少三個(gè)第一硬盤背板、至少一個(gè)第二硬盤背板、第一硬盤和第二硬盤；

所述擴(kuò)展卡，包括：至少四個(gè)數(shù)據(jù)接口；

所述擴(kuò)展卡通過所述至少四個(gè)數(shù)據(jù)接口，分別與所述至少三個(gè)第一硬盤背板以及所述至少一個(gè)第二硬盤背板相連；

每一個(gè)所述第一硬盤背板，與至少四個(gè)所述第一硬盤相連；

每一個(gè)所述第二硬盤背板，與至少一個(gè)所述第二硬盤相連；

所述至少三個(gè)第一硬盤背板和相連的所述第一硬盤，位于所述1U存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)中的第一層；

所述至少一個(gè)第二硬盤背板和相連的所述第二硬盤，位于所述1U存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)中的第二層；

所述主板與所述擴(kuò)展卡相連。

優(yōu)選地，

所述至少三個(gè)第一硬盤背板和相連的所述第一硬盤，位于所述1U存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)中的上層，所述至少一個(gè)第二硬盤背板和相連的所述第二硬盤，位于所述1U存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)中的下層；

或，

所述至少三個(gè)第一硬盤背板和相連的所述第一硬盤，位于所述1U存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)中的下層，所述至少一個(gè)第二硬盤背板和相連的所述第二硬盤，位于所述1U存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)中的上層。

優(yōu)選地，

所述第一硬盤為3.5寸的硬盤；

和/或，

所述第二硬盤為2.5寸的硬盤。

優(yōu)選地，

每一個(gè)所述第一硬盤背板，與四個(gè)所述第一硬盤相連；

和/或，

每一個(gè)所述第二硬盤背板，與兩個(gè)所述第二硬盤相連。

優(yōu)選地，

三個(gè)所述第一硬盤背板、兩個(gè)所述第二硬盤背板；

所述擴(kuò)展卡，包括：四個(gè)數(shù)據(jù)接口；

所述三個(gè)所述第一硬盤背板與三個(gè)所述數(shù)據(jù)接口一一對(duì)應(yīng)相連；

所述擴(kuò)展卡的一個(gè)所述數(shù)據(jù)接口與兩個(gè)所述第二硬盤背板相連。

優(yōu)選地，

進(jìn)一步包括：節(jié)點(diǎn)托盤，用于存放所述主板、所述擴(kuò)展卡、所述至少三個(gè)第一硬盤背板、所述至少一個(gè)第二硬盤背板、所述第一硬盤和所述第二硬盤。

優(yōu)選地，

進(jìn)一步包括：二級(jí)電源板，用于為所述主板、所述擴(kuò)展卡、所述至少三個(gè)第一硬盤背板和所述至少一個(gè)第二硬盤背板供電；

所述至少三個(gè)第一硬盤背板，用于為相連的所述第一硬盤供電；

所述至少一個(gè)第二硬盤背板，用于為相連的所述第二硬盤供電。

優(yōu)選地，

進(jìn)一步包括：獨(dú)立磁盤冗余陣列卡；

所述主板，包括：總線和接口標(biāo)準(zhǔn)PCIE插槽；

所述獨(dú)立磁盤冗余陣列卡，一端插接在所述PCIE插槽上，另一端與所述擴(kuò)展卡相連，用于將相連的每一個(gè)所述第一硬盤和每一個(gè)所述第二硬盤，組合成一個(gè)邏輯硬盤。

優(yōu)選地，

所述節(jié)點(diǎn)托盤，進(jìn)一步包括：至少十二個(gè)第一硬盤安裝位、至少一個(gè)第二硬盤安裝位；

所述第一硬盤安裝位，用于固定所述第一硬盤；

所述第二硬盤安裝位，用于固定所述第二硬盤。

優(yōu)選地，

所述第一硬盤的類型，包括：混合硬盤、固態(tài)硬盤和傳統(tǒng)硬盤中任意一種或多種；

和/或，

所述第二硬盤的類型，包括：混合硬盤、固態(tài)硬盤和傳統(tǒng)硬盤中任意一種或多種。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種1U存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)，其中，擴(kuò)展卡通過至少四個(gè)數(shù)據(jù)接口，分別與至少三個(gè)第一硬盤背板以及至少一個(gè)第二硬盤背板相連；每一個(gè)第一硬盤背板，與至少四個(gè)第一硬盤相連；每一個(gè)第二硬盤背板，與至少一個(gè)第二硬盤相連；至少三個(gè)第一硬盤背板和相連的第一硬盤，位于1U存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)中的第一層；至少一個(gè)第二硬盤背板和相連的第二硬盤，位于1U存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)中的第二層。該1U存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)至少可以與13個(gè)硬盤相連，與現(xiàn)有的1U存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)相比，具備更高的存儲(chǔ)能力。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖是本發(fā)明的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例提供的一種1U存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例提供的另一種1U存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖3是本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例提供的又一種1U存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例，基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種1U存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)，包括：主板、擴(kuò)展卡、至少三個(gè)第一硬盤背板、至少一個(gè)第二硬盤背板、第一硬盤和第二硬盤；

所述擴(kuò)展卡，包括：至少四個(gè)數(shù)據(jù)接口；

所述擴(kuò)展卡通過所述至少四個(gè)數(shù)據(jù)接口，分別與所述至少三個(gè)第一硬盤背板以及所述至少一個(gè)第二硬盤背板相連；

每一個(gè)所述第一硬盤背板，與至少四個(gè)所述第一硬盤相連；

每一個(gè)所述第二硬盤背板，與至少一個(gè)所述第二硬盤相連；

所述至少三個(gè)第一硬盤背板和相連的所述第一硬盤，位于所述1U存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)中的第一層；

所述至少一個(gè)第二硬盤背板和相連的所述第二硬盤，位于所述1U存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)中的第二層；

所述主板與所述擴(kuò)展卡相連。

擴(kuò)展卡通過至少四個(gè)數(shù)據(jù)接口，分別與至少十二個(gè)第一硬盤、至少一個(gè)第二硬盤相連。第一硬盤背板和相連的第一硬盤，位于1U存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)中的第一層；第二硬盤背板和相連的第二硬盤，位于1U存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)中的第二層。該1U存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)至少可以與13個(gè)硬盤相連，與現(xiàn)有的1U存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)相比，具備更高的存儲(chǔ)能力。

如圖1所示，該存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)可以包括：主板101、擴(kuò)展卡102、三個(gè)第一硬盤背板103、一個(gè)第二硬盤背板104、四個(gè)第一硬盤105和一個(gè)第二硬盤106；

擴(kuò)展卡102，包括：四個(gè)數(shù)據(jù)接口1021；

擴(kuò)展卡102通過四個(gè)數(shù)據(jù)接口1021，分別與三個(gè)第一硬盤背板103以及一個(gè)第二硬盤背板104相連；

每一個(gè)第一硬盤背板103，與四個(gè)第一硬盤105相連；

每一個(gè)第二硬盤背板104，與一個(gè)第二硬盤106相連；

三個(gè)第一硬盤背板103和相連的第一硬盤105，位于1U存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)中的第一層；

一個(gè)第二硬盤背板104和相連的第二硬盤106，位于1U存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)中的第二層；

主板101與擴(kuò)展卡102相連。

本發(fā)明實(shí)施例提供了一種1U存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)，其中，擴(kuò)展卡102通過四個(gè)數(shù)據(jù)接口1021，分別與三個(gè)第一硬盤背板103以及一個(gè)第二硬盤背板104相連；每一個(gè)第一硬盤背板103，與四個(gè)第一硬盤105相連；每一個(gè)第二硬盤背板104，與一個(gè)第二硬盤106相連。擴(kuò)展卡102可以將與其相連的主板101中的數(shù)據(jù)，通過四個(gè)數(shù)據(jù)接口1021分別存儲(chǔ)于12個(gè)第一硬盤和一個(gè)第二硬盤中。三個(gè)第一硬盤背板103和相連的第一硬盤105，位于1U存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)中的第一層；一個(gè)第二硬盤背板104和相連的第二硬盤106，位于1U存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)中的第二層。其中，第一層和第二層為1U存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的不同層。該1U存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)可以與13個(gè)硬盤相連，與現(xiàn)有的1U存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)相比，具備更高的存儲(chǔ)能力。

在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，為了在1U的空間內(nèi)設(shè)置更多的硬盤，提高存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的存儲(chǔ)能力，在本實(shí)施例中，硬盤背板和硬盤的位置可以包括兩種情況：

情況1：至少三個(gè)第一硬盤背板和相連的第一硬盤，位于1U存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)中的上層，至少一個(gè)第二硬盤背板和相連的第二硬盤，位于1U存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)中的下層，即第一層為上層，第二層為下層。

情況2：至少三個(gè)第一硬盤背板和相連的第一硬盤，位于1U存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)中的下層，至少一個(gè)第二硬盤背板和相連的第二硬盤，位于1U存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)中的上層，即第一層為下層，第二層為上層。

在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，為了適應(yīng)1U存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的空間，第一硬盤為3.5寸的硬盤。

在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，第二硬盤為2.5寸的硬盤。由于空間的限制，第二硬盤不能使用3.5寸的硬盤，因此，選擇2.5寸的硬盤。

在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，每一個(gè)第一硬盤背板可以提供四個(gè)盤位，與四個(gè)第一硬盤相連。

在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，每一個(gè)第二硬盤背板可以提供兩個(gè)盤位，與兩個(gè)第二硬盤相連。

在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，如圖2所示，1U存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)包括：三個(gè)第一硬盤背板103、兩個(gè)第二硬盤背板104；擴(kuò)展卡102，包括：四個(gè)數(shù)據(jù)接口1021；三個(gè)第一硬盤背板103與三個(gè)數(shù)據(jù)接口1021一一對(duì)應(yīng)相連；擴(kuò)展卡102的一個(gè)數(shù)據(jù)接口1021與兩個(gè)第二硬盤背板104相連。

在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，如圖3所示，1U存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)，還包括：節(jié)點(diǎn)托盤107，用于存放主板101、擴(kuò)展卡102、三個(gè)第一硬盤背板103、兩個(gè)第二硬盤背板104、十二個(gè)第一硬盤105和四個(gè)第二硬盤106。

節(jié)點(diǎn)托盤107分為兩層，其中，三個(gè)第一硬盤背板103和十二個(gè)第一硬盤105位于上層；兩個(gè)第二硬盤背板104和四個(gè)第二硬盤106位于下層，并且兩個(gè)第二硬盤背板104和四個(gè)第二硬盤106，與上層的靠外側(cè)的兩個(gè)第一硬盤105相對(duì)應(yīng)。

需要說明的是，三個(gè)第一硬盤背板103和十二個(gè)第一硬盤105也可以置于下層，兩個(gè)第二硬盤背板104和四個(gè)第二硬盤106置于上層。

在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，1U存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)，還包括：二級(jí)電源板，用于為主板101、擴(kuò)展卡102、至少三個(gè)第一硬盤背板103和至少一個(gè)第二硬盤背板104供電；至少三個(gè)第一硬盤背板103，用于為相連的第一硬盤105供電；至少一個(gè)第二硬盤背板104，用于為相連的第二硬盤106供電。

在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，1U存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)，還包括：獨(dú)立磁盤冗余陣列卡；主板101，包括：總線和接口標(biāo)準(zhǔn)PCIE插槽；獨(dú)立磁盤冗余陣列卡，一端插接在PCIE插槽上，另一端與擴(kuò)展卡102相連，用于將相連的每一個(gè)第一硬盤105和每一個(gè)第二硬盤106，組合成一個(gè)邏輯硬盤。

獨(dú)立磁盤冗余陣列卡可以將相連的第一硬盤105和第二硬盤106，組合成一個(gè)邏輯硬盤，相比于各個(gè)硬盤單獨(dú)存在時(shí)，形成的邏輯硬盤能夠增強(qiáng)數(shù)據(jù)整合度，增強(qiáng)容錯(cuò)功能，增加吞吐量或容量。

在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，節(jié)點(diǎn)托盤107還包括：至少十二個(gè)第一硬盤安裝位、至少一個(gè)第二硬盤安裝位；第一硬盤安裝位，用于固定第一硬盤；第二硬盤安裝位，用于固定第二硬盤。其中，一個(gè)安裝位對(duì)應(yīng)一個(gè)硬盤。

其中，第一硬盤安裝位和第二硬盤安裝位可以通過固定螺絲進(jìn)行固定，也可以通過卡扣的方式進(jìn)行固定。

在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，第一硬盤105的類型，包括：混合硬盤、固態(tài)硬盤和傳統(tǒng)硬盤中任意一種或多種。

在本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例中，第二硬盤106的類型，包括：混合硬盤、固態(tài)硬盤和傳統(tǒng)硬盤中任意一種或多種。

根據(jù)上述方案，本發(fā)明的各實(shí)施例，至少具有如下有益效果：

1、在本發(fā)明實(shí)施例中，擴(kuò)展卡通過至少四個(gè)數(shù)據(jù)接口，分別與至少三個(gè)第一硬盤背板以及至少一個(gè)第二硬盤背板相連；每一個(gè)第一硬盤背板，與至少四個(gè)第一硬盤相連；每一個(gè)第二硬盤背板，與至少一個(gè)第二硬盤相連；至少三個(gè)第一硬盤背板和相連的第一硬盤，位于1U存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)中的第一層；至少一個(gè)第二硬盤背板和相連的第二硬盤，位于1U存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)中的第二層。該1U存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)至少可以與13個(gè)硬盤相連，與現(xiàn)有的1U存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)相比，具備更高的存儲(chǔ)能力。

2、在本發(fā)明實(shí)施例中，利用節(jié)點(diǎn)托盤存放存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)中的器件，將第一硬盤背板、第一硬盤和第二硬盤背板、第二硬盤置于不同層，充分利用存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的空間。通過安裝位，對(duì)硬盤進(jìn)行固定，防止硬盤在運(yùn)行過程中與硬盤背板接觸不良。

3、在本發(fā)明實(shí)施例中，通過獨(dú)立磁盤冗余陣列卡，將相連的每一個(gè)第一硬盤和每一個(gè)第二硬盤，組合成一個(gè)邏輯硬盤，提高數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)速度。

上述裝置內(nèi)的各單元之間的信息交互、執(zhí)行過程等內(nèi)容，由于與本發(fā)明方法實(shí)施例基于同一構(gòu)思，具體內(nèi)容可參見本發(fā)明方法實(shí)施例中的敘述，此處不再贅述。

需要說明的是，在本文中，諸如第一和第二之類的關(guān)系術(shù)語僅僅用來將一個(gè)實(shí)體或者操作與另一個(gè)實(shí)體或操作區(qū)分開來，而不一定要求或者暗示這些實(shí)體或操作之間存在任何這種實(shí)際的關(guān)系或者順序。而且，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個(gè)〃·····”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同因素。

最后需要說明的是：以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例，僅用于說明本發(fā)明的技術(shù)方案，并非用于限定本發(fā)明的保護(hù)范圍。凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。