1.一種用以判定用來(lái)冷卻一半導(dǎo)體裝置(9,13)的一可制造冷卻結(jié)構(gòu)(6,6’)的計(jì)算機(jī)實(shí)施方法，其中該方法至少接收下列項(xiàng)目作為輸入(10)：
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的計(jì)算機(jī)實(shí)施方法，還包含通過(guò)將一基于像素的文件類型轉(zhuǎn)換為一基于向量的文件類型來(lái)形成該基于向量的文件類型的一步驟。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的計(jì)算機(jī)實(shí)施方法，其中拓?fù)渥罴鸦菟惴橐环菂?shù)拓?fù)渥罴鸦菟惴ā?/p>
4.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的計(jì)算機(jī)實(shí)施方法，其中該冷卻流體被體現(xiàn)為水、或?yàn)樗?乙二醇混合物、或?yàn)槔涿健⒒驗(yàn)榻殡娎鋮s劑、或?yàn)榈V物油。
5.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的計(jì)算機(jī)實(shí)施方法，其中使用于基于所接收輸入來(lái)判定(11)該冷卻結(jié)構(gòu)的該拓?fù)渥罴鸦菟惴ò铝胁襟E：
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的計(jì)算機(jī)實(shí)施方法，其中在每一最佳化迭代處，下列子步驟可被實(shí)現(xiàn)：i)至少使用模型化方程式，特別是奈威-斯托克方程式及熱移轉(zhuǎn)方程式、以及該等實(shí)體參數(shù)，來(lái)模擬具有該目前幾何形狀的冷卻結(jié)構(gòu)的一實(shí)體行為，ii)基于模擬的該實(shí)體行為來(lái)判定該損失函數(shù)的至少一目前值，iii)判定關(guān)于該冷卻結(jié)構(gòu)的幾何形狀遠(yuǎn)離該目前幾何形狀的變化的任選地限制的該損失函數(shù)的至少一梯度，特別是使用一伴隨法以及，iv)將判定的該至少一梯度提供至一組、特別是受規(guī)劃方程式，其以任選地限制的該損失函數(shù)被進(jìn)一步極值化的方式來(lái)更新該目前幾何形狀。
7.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的計(jì)算機(jī)實(shí)施方法，其中使用該最佳化演算法判定的該冷卻結(jié)構(gòu)(6,6’)是組配來(lái)至少部分于具有裝置邏輯(13)的該半導(dǎo)體裝置的該晶粒上實(shí)體制造。
8.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的計(jì)算機(jī)實(shí)施方法，其中該冷卻結(jié)構(gòu)包含于該半導(dǎo)體裝置的邊緣處的不具有冷卻通道的一區(qū)域，且其中該最佳化演算法是組配來(lái)最佳化該區(qū)域的寬度；且其中一密封粘合可設(shè)置于該區(qū)域上以便將該冷卻結(jié)構(gòu)粘合至該半導(dǎo)體裝置。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的計(jì)算機(jī)實(shí)施方法，其中該區(qū)域具有介于20微米–2毫米間的一寬度。
10.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的計(jì)算機(jī)實(shí)施方法，其中使用該最佳化演算法判定的該冷卻結(jié)構(gòu)(6,6’)是組配來(lái)至少部分于該冷卻結(jié)構(gòu)晶粒上實(shí)體制造，其中該冷卻結(jié)構(gòu)晶粒是組配來(lái)由一粘合界面粘合至具有裝置邏輯的該半導(dǎo)體裝置的該晶粒，及/或其中該冷卻結(jié)構(gòu)晶粒是組配來(lái)由一附接層附接至具有裝置邏輯的該半導(dǎo)體裝置的該晶粒，及/或其中該冷卻結(jié)構(gòu)晶粒是組配來(lái)由熱界面材料附接至具有裝置邏輯的該半導(dǎo)體裝置的該晶粒。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的計(jì)算機(jī)實(shí)施方法，其中該最佳化演算法是組配來(lái)通過(guò)考量該冷卻結(jié)構(gòu)及該半導(dǎo)體裝置間的該粘合界面的厚度及/或熱傳導(dǎo)性、及/或通過(guò)考量該冷卻結(jié)構(gòu)及該半導(dǎo)體裝置間的該附接層的厚度及/或熱傳導(dǎo)性、及/或通過(guò)考量該冷卻結(jié)構(gòu)及該半導(dǎo)體裝置間的該熱界面材料的厚度及/或熱傳導(dǎo)性，來(lái)最佳化一冷卻結(jié)構(gòu)的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
12.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的計(jì)算機(jī)實(shí)施方法，其中該方法進(jìn)一步接收作為至少一設(shè)計(jì)限制(2)的該半導(dǎo)體裝置的至少一區(qū)域作為輸入，且其中該最佳化演算法是限制來(lái)判定對(duì)應(yīng)于該半導(dǎo)體裝置的該至少一區(qū)域的該冷卻結(jié)構(gòu)的至少一區(qū)域中不具有冷卻結(jié)構(gòu)部件的一冷卻結(jié)構(gòu)(6,6’)。
13.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的計(jì)算機(jī)可執(zhí)行方法，其中該最佳化演算法于最佳化期間使用一二又二分之一維度模型，其中該最佳化演算法是組配來(lái)于該冷卻結(jié)構(gòu)(6,6’)的判定(11)期間，假設(shè)該冷卻結(jié)構(gòu)的一平面外維度中的一拋物線流動(dòng)輪廓。
14.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的計(jì)算機(jī)實(shí)施方法，其中該最佳化演算法使用至少一制造限制，特別是有關(guān)所判定的該冷卻結(jié)構(gòu)(6,6’)的一制造程序的微影術(shù)限制及蝕刻限制作為另一最佳化限制。
15.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的計(jì)算機(jī)實(shí)施方法，其中該最佳化演算法通過(guò)考量封裝方法論限制來(lái)判定該冷卻結(jié)構(gòu)(6,6’)的若干入口(3’)及出口(3”)以及所判定的該等入口及出口的位置。
16.根據(jù)權(quán)利要求5所述的計(jì)算機(jī)實(shí)施方法，其中該冷卻結(jié)構(gòu)(6,6’)的該初始幾何形狀是基于指出一空間功率分配的數(shù)字陣列(1)來(lái)判定。
17.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的計(jì)算機(jī)實(shí)施方法，其中指出一空間功率分配圖的該數(shù)字陣列(1)描繪該半導(dǎo)體裝置的熱通量；且其中該輸出(12)為一冷卻結(jié)構(gòu)，其中對(duì)應(yīng)于具有較高熱通量的該空間功率分配圖的區(qū)域的冷卻結(jié)構(gòu)的區(qū)域具有比對(duì)應(yīng)于具有較小熱通量的該空間功率分配圖的區(qū)域的冷卻結(jié)構(gòu)的區(qū)域還窄的通道。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的計(jì)算機(jī)實(shí)施方法，其中對(duì)應(yīng)于具有較小熱通量的該空間功率分配圖的區(qū)域的冷卻結(jié)構(gòu)的該區(qū)域具有較寬通道，以使冷卻液體以比對(duì)應(yīng)于具有較高熱通量的該空間功率分配圖的區(qū)域的冷卻結(jié)構(gòu)的該等區(qū)域中的通道還低的一壓差流過(guò)。
19.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的計(jì)算機(jī)實(shí)施方法，其中所判定的該冷卻結(jié)構(gòu)于輸出的該文件類型中為一二維度冷卻設(shè)計(jì)，且該方法還包含將該二維度冷卻設(shè)計(jì)擠壓為一三維度結(jié)構(gòu)的步驟。
20.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的計(jì)算機(jī)實(shí)施方法，還包含將一過(guò)濾器施加至所判定的該冷卻結(jié)構(gòu)的一步驟，以確保該冷卻結(jié)構(gòu)的所有特征遵守一或更多預(yù)定的制造限制。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的計(jì)算機(jī)實(shí)施方法，其中該一或更多預(yù)定的制造限制包含一最小通道寬度，及/或一最小特征寬度。
22.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的計(jì)算機(jī)實(shí)施方法，其中該最佳化演算法是組配來(lái)辨識(shí)及調(diào)節(jié)非均勻網(wǎng)格分配，使得該最佳化演算法不會(huì)因具有不同尺寸的網(wǎng)格元件而偏差。
23.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的計(jì)算機(jī)實(shí)施方法，其中該最佳化演算法包含降低該冷卻結(jié)構(gòu)的出口處的流動(dòng)中斷的一流動(dòng)穩(wěn)定機(jī)制。
24.根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的計(jì)算機(jī)實(shí)施方法，其中該半導(dǎo)體裝置為操作期間展現(xiàn)非均勻熱分配的一半導(dǎo)體裝置。
25.一種電子設(shè)計(jì)自動(dòng)工具，其中該電子設(shè)計(jì)自動(dòng)工具包含程序碼，當(dāng)其于一計(jì)算裝置上執(zhí)行時(shí)，造成該計(jì)算裝置實(shí)現(xiàn)根據(jù)權(quán)利要求1至24中任一項(xiàng)的用以判定一冷卻結(jié)構(gòu)(6,6’)的方法，且其中該電子設(shè)計(jì)自動(dòng)工具還包含程序碼，當(dāng)其于一計(jì)算裝置上執(zhí)行時(shí)，造成該計(jì)算裝置實(shí)現(xiàn)提供一半導(dǎo)體裝置的裝置邏輯的一平面配置圖的平面配置及/或后布局分析，且其中該電子設(shè)計(jì)自動(dòng)工具是組配來(lái)至少基于該平面配置圖且使用后布局分析，來(lái)判定指出該半導(dǎo)體裝置的一空間功率分配的一數(shù)字陣列(1)，且其中用于判定一冷卻結(jié)構(gòu)的該電子設(shè)計(jì)自動(dòng)工具的該程序碼是組配來(lái)使用指出一空間功率分配的相應(yīng)判定的該數(shù)字陣列作為輸入。
26.一種半導(dǎo)體裝置(9,13)，其包含使用根據(jù)權(quán)利要求1至24中任一項(xiàng)的方法判定的一冷卻結(jié)構(gòu)(9)，其中該冷卻結(jié)構(gòu)是使用光學(xué)微影制造。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的半導(dǎo)體裝置(9,13)，其中該半導(dǎo)體裝置的裝置邏輯(13)是設(shè)置于該半導(dǎo)體裝置的一晶粒的一側(cè)上，且其中該冷卻結(jié)構(gòu)是設(shè)置于該晶粒相對(duì)于該裝置邏輯設(shè)置于其上的該側(cè)的相對(duì)側(cè)上。
28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的半導(dǎo)體裝置(9,13)，其中該半導(dǎo)體裝置包含該半導(dǎo)體裝置的裝置邏輯(13)設(shè)置于其上的一第一晶粒，且其中該半導(dǎo)體裝置包含該冷卻結(jié)構(gòu)(9)設(shè)置于其上的一第二晶粒，其中該第一晶粒及該第二晶粒間的一實(shí)體連接被體現(xiàn)為該第一晶粒及該第二晶粒間的一粘合界面、及/或?yàn)橐桓浇訉印⒓?或?yàn)闊峤缑娌牧稀?/p>
29.一種用以判定用來(lái)冷卻一半導(dǎo)體裝置(9,13)的一可制造冷卻結(jié)構(gòu)(6,6’)的計(jì)算機(jī)實(shí)施方法，其中該方法至少接收下列項(xiàng)目作為輸入(10)：i)該半導(dǎo)體裝置的實(shí)體參數(shù)，其中該等實(shí)體參數(shù)是有關(guān)該半導(dǎo)體裝置的實(shí)體特性，以及ii)指出該半導(dǎo)體裝置的一空間功率分配的一數(shù)字陣列(1)，其中該方法包含下列步驟：
30.一種用以判定用來(lái)冷卻一半導(dǎo)體裝置(9,13)的一可制造冷卻結(jié)構(gòu)(6,6’)的計(jì)算機(jī)實(shí)施方法，其中該方法至少接收下列項(xiàng)目作為輸入(10)：
31.根據(jù)權(quán)利要求29或30所述的計(jì)算機(jī)實(shí)施方法，其中該半導(dǎo)體裝置為在操作期間展現(xiàn)非均勻熱分配的一半導(dǎo)體裝置。