本發(fā)明涉及集成電路，特別涉及一種避免cmos集成電路被仿制的技術(shù)。

背景技術(shù)：

1、puf，全稱physical?unclonable?functions(物理不可克隆函數(shù))，是一種硬件安全技術(shù)。puf利用硅基半導(dǎo)體固有屬性隨機提取不可克隆的物理特征，這些特征類似生物指紋，是每塊芯片唯一的身份標(biāo)識符。在硅基芯片制造過程中，半導(dǎo)體制程波動帶來的工藝變化會產(chǎn)生路徑時延、晶體管閾值電壓等固有屬性的不同，導(dǎo)致流片后每一塊物理芯片都是獨一無二的。puf利用這種自然發(fā)生的內(nèi)在差異，為每個芯片生成一個唯一的識別碼，即“數(shù)字指紋”。

2、mos型反熔絲是一種利用mos(金屬-氧化物-半導(dǎo)體)結(jié)構(gòu)中的柵氧化層作為介質(zhì)層來形成反熔絲的器件。在未編程前，由于柵氧介質(zhì)層的阻擋，柵極和源漏極表現(xiàn)為高阻態(tài)。當(dāng)施加電場應(yīng)力后，柵氧化層中產(chǎn)生局部的缺陷或陷阱，隨著電場應(yīng)力的增大，產(chǎn)生的缺陷或陷阱數(shù)量增多并在電場最強處聚集，當(dāng)電場應(yīng)力的增大到一定程度，聚集的缺陷或陷阱彼此交疊并形成導(dǎo)電通道。一旦導(dǎo)電通道形成，電流通過，產(chǎn)生大量的熱，導(dǎo)致通道附近的柵氧介質(zhì)熔化，形成永久性的一個細(xì)微的擊穿通路，柵極和源漏極之間的電流激劇上升，形成電連通。由于工藝因素的影響，mos擊穿后的特性存在很大差別，表現(xiàn)在mos擊穿后的i-v特性有很大的不同。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明解決所述技術(shù)問題采用的技術(shù)方案是，提供一種基于mos型反熔絲擊穿特性的puf驗證技術(shù)，能夠有效和低成本的防止集成電路等商品的仿冒。

2、本發(fā)明解決所述技術(shù)問題采用的技術(shù)方案是，基于mos型反熔絲擊穿特性的puf標(biāo)簽生成方法，其特征在于，包括下述步驟：

3、a、采用逐漸增大的電壓，對mos型反熔絲單元進行擊穿操作；

4、b、對擊穿后的mos型反熔絲單元施加電壓進行測量，記錄柵電流——柵電壓特征值，作為該mos型反熔絲單元的特征信息，該mos型反熔絲單元即成為puf標(biāo)簽標(biāo)簽。

5、進一步的，所述步驟a為：采用線性增大的標(biāo)準(zhǔn)斜坡電壓，對mos型反熔絲單元進行擊穿操作。

6、所述步驟b中，柵電流——柵電壓特征值為柵電流——柵電壓特性曲線上采樣取得的預(yù)設(shè)數(shù)量的柵電流——柵電壓特性數(shù)值點。

7、進一步的，對于芯片類商品，所述步驟a包括：

8、a1、在作為商品的芯片流片之前，在電路中添加預(yù)設(shè)數(shù)量的mos型反熔絲單元，mos型反熔絲單元作為puf標(biāo)簽；

9、a2、采用逐漸增大的電壓，對mos型反熔絲單元進行擊穿操作。

10、本發(fā)明還提供一種基于mos型反熔絲擊穿特性的puf驗證系統(tǒng)，其特征在于，包括下述部分：

11、puf標(biāo)簽，所述puf標(biāo)簽為采用逐漸增大的電壓對mos型反熔絲單元進行擊穿所得；

12、數(shù)據(jù)庫，所述數(shù)據(jù)庫存儲有附著于商品的puf標(biāo)簽的特征信息，所述特征信息為puf標(biāo)簽的柵電流——柵電壓特征值。

13、還包括檢測裝置，所述檢測裝置包括可調(diào)電壓輸出單元和電流測量單元。

14、所述數(shù)據(jù)庫還存儲有與puf標(biāo)簽對應(yīng)的商品id。所述數(shù)據(jù)庫還存儲有與商品id對應(yīng)的流通渠道信息。

15、本發(fā)明的有益效果是，能夠有效防止集成電路被仿冒、盜版，保障了產(chǎn)品的安全性和合法性，具有低成本和高可靠的特點。

技術(shù)特征：

1.基于mos型反熔絲擊穿特性的puf標(biāo)簽生成方法，其特征在于，包括下述步驟：

2.如權(quán)利要求1所述的基于mos型反熔絲擊穿特性的puf標(biāo)簽生成方法，其特征在于，所述步驟a為：

3.如權(quán)利要求1所述的基于mos型反熔絲擊穿特性的puf標(biāo)簽生成方法，其特征在于，所述步驟b中，柵電流——柵電壓特征值為柵電流——柵電壓特性曲線上采樣取得的預(yù)設(shè)數(shù)量的柵電流——柵電壓特性數(shù)值點。

4.如權(quán)利要求1所述的基于mos型反熔絲擊穿特性的puf標(biāo)簽生成方法，其特征在于，所述步驟a包括：

5.基于mos型反熔絲擊穿特性的puf驗證系統(tǒng)，其特征在于，包括下述部分：

6.如權(quán)利要求5所述的基于mos型反熔絲擊穿特性的puf驗證系統(tǒng)，其特征在于，還包括檢測裝置，所述檢測裝置包括可調(diào)電壓輸出單元和電流測量單元。

7.如權(quán)利要求5所述的基于mos型反熔絲擊穿特性的puf驗證系統(tǒng)，其特征在于，所述數(shù)據(jù)庫還存儲有與puf標(biāo)簽對應(yīng)的商品id。

8.如權(quán)利要求7所述的基于mos型反熔絲擊穿特性的puf驗證系統(tǒng)，其特征在于，所述數(shù)據(jù)庫還存儲有與商品id對應(yīng)的流通渠道信息。

技術(shù)總結(jié)
基于MOS型反熔絲擊穿特性的PUF標(biāo)簽生成方法和驗證系統(tǒng)，涉及集成電路技術(shù)。本發(fā)明的PUF標(biāo)簽生成方法包括下述步驟：a、采用逐漸增大的電壓，對MOS型反熔絲單元進行擊穿操作；b、對擊穿后的MOS型反熔絲單元施加電壓進行測量，記錄柵電流——柵電壓特征值，作為該MOS型反熔絲單元的特征信息，該MOS型反熔絲單元即成為PUF標(biāo)簽標(biāo)簽。本發(fā)明能夠有效防止集成電路被仿冒、盜版，保障了產(chǎn)品的安全性和合法性，具有低成本和高可靠的特點。

技術(shù)研發(fā)人員：楊志明,胡志剛,要志禮,石云波
受保護的技術(shù)使用者：成都蜀郡微電子有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15