專(zhuān)利名稱(chēng)：電流檢測(cè)電路的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及一種檢測(cè)電路，尤指一種用于一次可編程只讀存儲(chǔ)器的電流檢測(cè) 電路。
背景技術(shù)：
只讀存儲(chǔ)器(Read-Only Memory, ROM)是一種只能讀出事先所存數(shù)據(jù)的固態(tài)半導(dǎo) 體存儲(chǔ)器。其內(nèi)所存數(shù)據(jù)，一般是裝入整機(jī)前事先寫(xiě)好的，整機(jī)工作過(guò)程中只能讀出，而不 像隨機(jī)存儲(chǔ)器那樣能快速地、方便地加以改寫(xiě)。只讀存儲(chǔ)器所存數(shù)據(jù)穩(wěn)定，斷電后所存數(shù)據(jù) 也不會(huì)改變，其結(jié)構(gòu)較簡(jiǎn)單，讀出較方便，因而常用于存儲(chǔ)各種固定程序和數(shù)據(jù)。一次可編程只讀存儲(chǔ)器(One Time Progarmming ROM, 0TP-R0M)為只讀存儲(chǔ)器中 的一種，其只能寫(xiě)入一次。為了了解存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的情況，有必要提供一種可以檢測(cè)出 存儲(chǔ)器中是否存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的電流檢測(cè)電路，而傳統(tǒng)的電流檢測(cè)電路往往結(jié)構(gòu)比較復(fù)雜。
發(fā)明內(nèi)容鑒于以上內(nèi)容，有必要提供一種用于一次可編程只讀存儲(chǔ)器的電流檢測(cè)電路。一種電流檢測(cè)電路，用于檢測(cè)一存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)情況，所述電流檢測(cè)電路 包括一連接所述存儲(chǔ)單元的檢測(cè)電流輸入端、一基準(zhǔn)電流端、一與所述檢測(cè)電流輸入端相 連的第一開(kāi)關(guān)元件、一與所述基準(zhǔn)電流端相連的第二開(kāi)關(guān)元件、一與所述第一開(kāi)關(guān)元件及 所述第二開(kāi)關(guān)元件相連的運(yùn)算放大器及一與所述第一開(kāi)關(guān)元件及所述第二開(kāi)關(guān)元件相連 的比較器，所述電流檢測(cè)電路根據(jù)所述比較器輸出的電平高低判斷所述存儲(chǔ)單元中是否存 儲(chǔ)數(shù)據(jù)。優(yōu)選地，所述第一開(kāi)關(guān)元件為一第一場(chǎng)效應(yīng)管，所述第二開(kāi)關(guān)元件為一第二場(chǎng)效應(yīng)管。優(yōu)選地，所述第一場(chǎng)效應(yīng)管的漏極連接所述檢測(cè)電流輸入端，所述第二場(chǎng)效應(yīng)管 的漏極連接所述基準(zhǔn)電流端，所述第一場(chǎng)效應(yīng)管與所述第二場(chǎng)效應(yīng)管的柵極共同連接所述 運(yùn)算放大器，所述第一場(chǎng)效應(yīng)管與所述第二場(chǎng)效應(yīng)管的源極共同連接一接地端。優(yōu)選地，所述運(yùn)算放大器的一反相輸入端連接一基準(zhǔn)電壓端，所述運(yùn)算放大器的 一正相輸入端及所述第一場(chǎng)效應(yīng)管的漏極共同連接所述檢測(cè)電流輸入端，所述運(yùn)算放大器 的一輸出端連接所述第一場(chǎng)效應(yīng)管與所述第二場(chǎng)效應(yīng)管的柵極。優(yōu)選地，所述比較器的一反相輸入端、所述第一場(chǎng)效應(yīng)管的漏極及所述運(yùn)算放大 器的正相輸入端共同連接所述檢測(cè)電流輸入端，所述比較器的一正相輸入端及所述第二場(chǎng) 效應(yīng)管的漏極共同連接所述基準(zhǔn)電流端。優(yōu)選地，如果所述存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)有數(shù)據(jù)，所述檢測(cè)電流輸入端的電流大小大于 所述基準(zhǔn)電流端的電流大小，所述比較器輸出一低電平電壓。優(yōu)選地，如果所述存儲(chǔ)單元中沒(méi)有存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，所述檢測(cè)電流輸入端的電流大小小 于所述基準(zhǔn)電流端的電流大小，所述比較器輸出一高電平電壓。[0012]相對(duì)現(xiàn)有技術(shù)，本實(shí)用新型電流檢測(cè)電路根據(jù)輸出的電平高低來(lái)判斷存儲(chǔ)器中是 否存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單，使用方便。

圖1為本實(shí)用新型電流檢測(cè)電路較佳實(shí)施方式的電路圖。
具體實(shí)施方式
請(qǐng)參閱圖1，本實(shí)用新型電流檢測(cè)電路較佳實(shí)施方式包括一檢測(cè)電流輸入端IDET、 一基準(zhǔn)電流端Ikef、一與該檢測(cè)電流輸入端Idet相連的第一開(kāi)關(guān)元件、一與該基準(zhǔn)電流端Ikef 相連的第二開(kāi)關(guān)元件、一運(yùn)算放大器ΟΡΑ、一比較器CMP、一基準(zhǔn)電壓端Vkef、一輸出端Vott及 一接地端GND。其中，該檢測(cè)電流輸入端Idet與一存儲(chǔ)器的一存儲(chǔ)單元相連接。在本實(shí)施方式中，該第一開(kāi)關(guān)元件為一第一場(chǎng)效應(yīng)管Μ1，該第二開(kāi)關(guān)元件為一第 二場(chǎng)效應(yīng)管Μ2，且第一場(chǎng)效應(yīng)管Ml及第二場(chǎng)效應(yīng)管Μ2均為N型場(chǎng)效應(yīng)管(NMOS)。在其他 實(shí)施方式中，開(kāi)關(guān)元件可根據(jù)需要變更為能夠?qū)崿F(xiàn)同樣功能的其它開(kāi)關(guān)元件或電路。該電路的具體連接關(guān)系如下該檢測(cè)電流輸入端Idet與該第一場(chǎng)效應(yīng)管Ml的漏 極、該運(yùn)算放大器OPA的一正相輸入端及該比較器CMP的一反相輸入端相連，該基準(zhǔn)電流端 Ieef與該第二場(chǎng)效應(yīng)管Μ2的漏極及該比較器CMP的一正相輸入端相連。該第一場(chǎng)效應(yīng)管 Ml與該第二場(chǎng)效應(yīng)管Μ2的源級(jí)共同連接該接地端GND。該運(yùn)算放大器OPA的一反相輸入 端連接該基準(zhǔn)電壓端Vkef，該運(yùn)算放大器OPA的一輸出端連接該第一場(chǎng)效應(yīng)管Ml與該第二 場(chǎng)效應(yīng)管Μ2的柵極。該比較器CMP的一輸出端連接該輸出端VQUT。該運(yùn)算放大器OPA使得該第一場(chǎng)效應(yīng)管Ml的漏極電壓與該基準(zhǔn)電壓端Vkef的電壓 相等，為存儲(chǔ)單元提供了一個(gè)合適的電壓偏置，同時(shí)該運(yùn)算放大器OPA的輸出端連接該第 一場(chǎng)效應(yīng)管Ml與該第二場(chǎng)效應(yīng)管M2的柵極，使得第一場(chǎng)效應(yīng)管Ml與第二場(chǎng)效應(yīng)管M2成為 鏡像關(guān)系，為第一場(chǎng)效應(yīng)管Ml與第二場(chǎng)效應(yīng)管M2提供了合適的電壓偏置。該第一場(chǎng)效應(yīng) 管Ml用于讀取該檢測(cè)電流輸入端Idet的電流大小，該第二場(chǎng)效應(yīng)管M2用于讀取該基準(zhǔn)電流 端Ikef的電流大小。當(dāng)存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)有數(shù)據(jù)時(shí)，則該檢測(cè)電流輸入端Idet的電流大小將大 于該基準(zhǔn)電流端Ikef的電流大?。划?dāng)存儲(chǔ)單元中沒(méi)有存儲(chǔ)數(shù)據(jù)時(shí)，則該檢測(cè)電流輸入端Idet 將無(wú)電流流過(guò)或該檢測(cè)電流輸入端Idet的電流大小小于該基準(zhǔn)電流端Ikef的電流大小。當(dāng)該第一場(chǎng)效應(yīng)管Ml與該第二場(chǎng)效應(yīng)管M2讀取到該檢測(cè)電流輸入端Idet的電流 大小大于該基準(zhǔn)電流端Ikef的電流大小時(shí)，則該比較器CMP的反相輸入端的電壓大于正相 輸入端的電壓，從而使得該比較器CMP的輸出端輸出一低電平電壓至該輸出端VOT，從而證 明存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)有數(shù)據(jù)；當(dāng)該第一場(chǎng)效應(yīng)管Ml與該第二場(chǎng)效應(yīng)管M2讀取到該 檢測(cè)電流輸入端Idet的電流大小小于該基準(zhǔn)電流端Ikef的電流大小時(shí)，則該比較器CMP的反 相輸入端的電壓小于正相輸入端的電壓，從而使得該比較器CMP的輸出端輸出一高電平電 壓至該輸出端VOT，從而證明存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單元中沒(méi)有存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。該電流檢測(cè)電路根據(jù)輸出端Vtm輸出的電平高低來(lái)檢測(cè)存儲(chǔ)器中是否存儲(chǔ)數(shù)據(jù)， 檢測(cè)速度較快、功耗較低，且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、使用方便。
權(quán)利要求一種電流檢測(cè)電路，用于檢測(cè)一存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)情況，其特征在于所述電流檢測(cè)電路包括一連接所述存儲(chǔ)單元的檢測(cè)電流輸入端、一基準(zhǔn)電流端、一與所述檢測(cè)電流輸入端相連的第一開(kāi)關(guān)元件、一與所述基準(zhǔn)電流端相連的第二開(kāi)關(guān)元件、一與所述第一開(kāi)關(guān)元件及所述第二開(kāi)關(guān)元件相連的運(yùn)算放大器及一與所述第一開(kāi)關(guān)元件及所述第二開(kāi)關(guān)元件相連的比較器，所述電流檢測(cè)電路根據(jù)所述比較器輸出的電平高低判斷所述存儲(chǔ)單元中是否存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
2.如權(quán)利要求1所述的電流檢測(cè)電路，其特征在于所述第一開(kāi)關(guān)元件為一第一場(chǎng)效 應(yīng)管，所述第二開(kāi)關(guān)元件為一第二場(chǎng)效應(yīng)管。
3.如權(quán)利要求2所述的電流檢測(cè)電路，其特征在于所述第一場(chǎng)效應(yīng)管的漏極連接所 述檢測(cè)電流輸入端，所述第二場(chǎng)效應(yīng)管的漏極連接所述基準(zhǔn)電流端，所述第一場(chǎng)效應(yīng)管與 所述第二場(chǎng)效應(yīng)管的柵極共同連接所述運(yùn)算放大器，所述第一場(chǎng)效應(yīng)管與所述第二場(chǎng)效應(yīng) 管的源極共同連接一接地端。
4.如權(quán)利要求3所述的電流檢測(cè)電路，其特征在于所述運(yùn)算放大器的一反相輸入端 連接一基準(zhǔn)電壓端，所述運(yùn)算放大器的一正相輸入端及所述第一場(chǎng)效應(yīng)管的漏極共同連接 所述檢測(cè)電流輸入端，所述運(yùn)算放大器的一輸出端連接所述第一場(chǎng)效應(yīng)管與所述第二場(chǎng)效 應(yīng)管的柵極。
5.如權(quán)利要求4所述的電流檢測(cè)電路，其特征在于所述比較器的一反相輸入端、所述 第一場(chǎng)效應(yīng)管的漏極及所述運(yùn)算放大器的正相輸入端共同連接所述檢測(cè)電流輸入端，所述 比較器的一正相輸入端及所述第二場(chǎng)效應(yīng)管的漏極共同連接所述基準(zhǔn)電流端。
6.如權(quán)利要求1所述的電流檢測(cè)電路，其特征在于如果所述存儲(chǔ)單元中存儲(chǔ)有數(shù)據(jù)， 所述檢測(cè)電流輸入端的電流大小大于所述基準(zhǔn)電流端的電流大小，所述比較器輸出一低電 平電壓。
7.如權(quán)利要求1所述的電流檢測(cè)電路，其特征在于如果所述存儲(chǔ)單元中沒(méi)有存儲(chǔ)數(shù) 據(jù)，所述檢測(cè)電流輸入端的電流大小小于所述基準(zhǔn)電流端的電流大小，所述比較器輸出一 高電平電壓。
專(zhuān)利摘要一種電流檢測(cè)電路，用于檢測(cè)一存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)情況，所述電流檢測(cè)電路包括一連接所述存儲(chǔ)單元的檢測(cè)電流輸入端、一基準(zhǔn)電流端、一與所述檢測(cè)電流輸入端相連的第一開(kāi)關(guān)元件、一與所述基準(zhǔn)電流端相連的第二開(kāi)關(guān)元件、一與所述第一開(kāi)關(guān)元件及所述第二開(kāi)關(guān)元件相連的運(yùn)算放大器及一與所述第一開(kāi)關(guān)元件及所述第二開(kāi)關(guān)元件相連的比較器，所述電流檢測(cè)電路根據(jù)所述比較器輸出的電平高低判斷所述存儲(chǔ)單元中是否存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。該電路檢測(cè)速度較快、功耗較低，且結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、使用方便。
文檔編號(hào)G11C16/06GK201707928SQ20102024273
公開(kāi)日2011年1月12日 申請(qǐng)日期2010年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月30日
發(fā)明者何忠波 申請(qǐng)人:四川和芯微電子股份有限公司