本公開涉及半導(dǎo)體，具體地，涉及一種存儲(chǔ)器及其操作方法、存儲(chǔ)器系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

1、存儲(chǔ)器是現(xiàn)代信息技術(shù)中用于保存信息的記憶設(shè)備。作為一種典型的非易失性半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，nand閃存器由于具有較高的存儲(chǔ)密度、合適的編擦速度及良好的數(shù)據(jù)保持特性，已經(jīng)成為存儲(chǔ)市場(chǎng)中的主流產(chǎn)品。nand存儲(chǔ)器可以執(zhí)行讀取、編程和擦除等操作，其中數(shù)據(jù)存儲(chǔ)是通過改變存儲(chǔ)單元的閾值電壓來實(shí)現(xiàn)的。nand存儲(chǔ)器中存儲(chǔ)單元通常被組織為存儲(chǔ)串的形式，目前，存儲(chǔ)串中選擇晶體管方面的一些問題仍需優(yōu)化。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、根據(jù)本公開的第一個(gè)方面，提供了一種存儲(chǔ)器的操作方法，所述存儲(chǔ)器包括存儲(chǔ)串，所述存儲(chǔ)串包括依次串聯(lián)在位線和源極線之間的上選擇管、多個(gè)存儲(chǔ)單元以及和下選擇管；所述操作方法包括：

2、在對(duì)所述下選擇管執(zhí)行編程操作期間，提供第一編程電壓到與所述下選擇管耦接的下選擇柵線，并提供第一電壓到所述源極線；其中，所述第一電壓小于所述第一編程電壓；

3、在對(duì)所述下選擇管執(zhí)行編程操作期間，提供第二電壓到所述位線，并基于所述第二電壓和所述第一電壓，提供不同的控制電壓到與所述上選擇管耦接的上選擇柵線；其中，若所述第二電壓和所述第一電壓存在壓差，所述控制電壓用于關(guān)斷所述上選擇管。

4、在一些實(shí)施例中，若所述第二電壓等于所述第一電壓，所述控制電壓用于關(guān)斷或?qū)ㄋ錾线x擇管。

5、在一些實(shí)施例中，所述第一電壓為接地電壓。

6、在一些實(shí)施例中，所述操作方法還包括：

7、在對(duì)所述下選擇管執(zhí)行編程操作期間，提供通過電壓到與所述存儲(chǔ)單元耦接的字線，以導(dǎo)通所述存儲(chǔ)單元。

8、在一些實(shí)施例中，所述存儲(chǔ)串的數(shù)量為多個(gè)，所述多個(gè)存儲(chǔ)串中的下選擇管耦接至同一條所述下選擇柵線；

9、所述提供第一編程電壓到與所述下選擇管耦接的下選擇柵線，并提供第一電壓到所述源極線，包括：

10、提供所述第一編程電壓到與所述多個(gè)存儲(chǔ)串中的下選擇管耦接的所述下選擇柵線，并提供所述第一電壓到與所述多個(gè)存儲(chǔ)串連接的所述源極線；

11、所述提供第二電壓到所述位線，并基于所述第二電壓和所述第一電壓，提供不同的控制電壓到與所述上選擇管耦接的上選擇柵線，包括：

12、提供所述第二電壓到與所述多個(gè)存儲(chǔ)串連接的所述位線，并提供相同的所述控制電壓到與所述多個(gè)存儲(chǔ)串中的上選擇管耦接的所述上選擇柵線。

13、在一些實(shí)施例中，所述多個(gè)存儲(chǔ)串位于同一指存儲(chǔ)區(qū)；或者，所述多個(gè)存儲(chǔ)串位于同一存儲(chǔ)塊。

14、在一些實(shí)施例中，所述操作方法還包括：

15、在所述編程操作之后，提供驗(yàn)證電壓到與所述多個(gè)存儲(chǔ)串中的下選擇管耦接的所述下選擇柵線，以判斷所述多個(gè)存儲(chǔ)串中的下選擇管的閾值電壓是否達(dá)到驗(yàn)證電壓；

16、若所述多個(gè)存儲(chǔ)串中至少一個(gè)所述存儲(chǔ)串的下選擇管的閾值電壓未達(dá)到所述驗(yàn)證電壓，則在下一編程操作期間，提供大于所述第一編程電壓的第二編程電壓到所述下選擇柵線。

17、在一些實(shí)施例中，所述操作方法還包括：

18、對(duì)所述下選擇管執(zhí)行編程操作之前，對(duì)所述下選擇管和所述存儲(chǔ)單元執(zhí)行擦除操作；

19、對(duì)所述下選擇管執(zhí)行編程操作之后，對(duì)所述存儲(chǔ)單元執(zhí)行編程操作。

20、根據(jù)本公開的第二個(gè)方面，提供了一種存儲(chǔ)器，包括：

21、存儲(chǔ)單元陣列，包括存儲(chǔ)串，所述存儲(chǔ)串包括依次串聯(lián)在位線和源極線之間的上選擇管、多個(gè)存儲(chǔ)單元以及下選擇管；

22、下選擇柵線，耦接到所述下選擇管；

23、上選擇柵線，耦接到所述上選擇管；

24、外圍電路，耦接到所述位線、源極線、下選擇柵線和上選擇柵線，所述外圍電路被配置為：

25、在對(duì)所述下選擇管執(zhí)行編程操作期間，提供第一編程電壓到所述下選擇柵線，并提供第一電壓到所述源極線；其中，所述第一電壓小于所述第一編程電壓；

26、在對(duì)所述下選擇管執(zhí)行編程操作期間，提供第二電壓到所述位線，并基于所述第二電壓和所述第一電壓，提供不同的控制電壓到所述上選擇柵線；其中，若所述第二電壓和所述第一電壓存在壓差，所述控制電壓用于關(guān)斷所述上選擇管。

27、在一些實(shí)施例中，所述外圍電路被配置為：若所述第二電壓等于所述第一電壓，所述控制電壓用于關(guān)斷或?qū)ㄋ錾线x擇管。

28、在一些實(shí)施例中，所述第一電壓為接地電壓。

29、在一些實(shí)施例中，所述存儲(chǔ)器還包括：字線，耦接到所述存儲(chǔ)單元；所述外圍電路被配置為：在對(duì)所述下選擇管執(zhí)行編程操作期間，提供通過電壓到所述字線，以導(dǎo)通所述存儲(chǔ)單元。

30、在一些實(shí)施例中，所述存儲(chǔ)串的數(shù)量為多個(gè)，所述多個(gè)存儲(chǔ)串中的下選擇管耦接至同一條所述下選擇柵線；所述外圍電路被配置為：

31、提供所述第一編程電壓到與所述多個(gè)存儲(chǔ)串中的下選擇管耦接的所述下選擇柵線，并提供所述第一電壓到與所述多個(gè)存儲(chǔ)串連接的所述源極線；

32、提供所述第二電壓到與所述多個(gè)存儲(chǔ)串連接的所述位線，并提供相同的所述控制電壓到與所述多個(gè)存儲(chǔ)串中的上選擇管耦接的所述上選擇柵線。

33、在一些實(shí)施例中，所述多個(gè)存儲(chǔ)串位于同一指存儲(chǔ)區(qū)；或者，所述多個(gè)存儲(chǔ)串位于同一存儲(chǔ)塊。

34、在一些實(shí)施例中，所述外圍電路被配置為：

35、在所述編程操作之后，提供驗(yàn)證電壓到與所述多個(gè)存儲(chǔ)串中的下選擇管耦接的所述下選擇柵線，以判斷所述多個(gè)存儲(chǔ)串中的下選擇管的閾值電壓是否達(dá)到驗(yàn)證電壓；

36、若所述多個(gè)存儲(chǔ)串中至少一個(gè)所述存儲(chǔ)串的下選擇管的閾值電壓未達(dá)到所述驗(yàn)證電壓，則在下一編程操作期間，提供大于所述第一編程電壓的第二編程電壓到所述下選擇柵線。

37、在一些實(shí)施例中，所述外圍電路被配置為：

38、對(duì)所述下選擇管執(zhí)行編程操作之前，對(duì)所述下選擇管和所述存儲(chǔ)單元執(zhí)行擦除操作；

39、對(duì)所述下選擇管執(zhí)行編程操作之后，對(duì)所述存儲(chǔ)單元執(zhí)行編程操作。

40、根據(jù)本公開的第三個(gè)方面，提供了一種存儲(chǔ)器系統(tǒng)，包括：

41、一個(gè)或多個(gè)如本公開第二個(gè)方面所述的存儲(chǔ)器；

42、存儲(chǔ)器控制器，耦合至所述存儲(chǔ)器并且被配置為控制所述存儲(chǔ)器。

43、本公開實(shí)施例提供的存儲(chǔ)器的操作方法中，在對(duì)下選擇管執(zhí)行編程操作期間，提供第一編程電壓到與下選擇管耦接的下選擇柵線，提供第一電壓到源極線，提供第二電壓到位線，并根據(jù)施加在位線上的第二電壓和施加在源極線上的第一電壓決定施加在上選擇管的柵極上的控制電壓的大小。當(dāng)?shù)诙妷汉偷谝浑妷捍嬖趬翰睿布吹诙妷翰坏扔诘谝浑妷簳r(shí)，存儲(chǔ)串的溝道中源極端和漏極端存在壓差，滿足產(chǎn)生泄漏電流的條件，這種情況下利用施加到上選擇管的柵極的控制電壓關(guān)斷上選擇管，可切斷電流路徑，避免溝道中產(chǎn)生泄漏電流，進(jìn)而避免泄漏電流對(duì)編程效率和外圍電路其它信號(hào)的影響。

技術(shù)特征：

1.一種存儲(chǔ)器的操作方法，其特征在于，所述存儲(chǔ)器包括存儲(chǔ)串，所述存儲(chǔ)串包括依次串聯(lián)在位線和源極線之間的上選擇管、多個(gè)存儲(chǔ)單元以及下選擇管；所述操作方法包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器的操作方法，其特征在于，若所述第二電壓等于所述第一電壓，所述控制電壓用于關(guān)斷或?qū)ㄋ錾线x擇管。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器的操作方法，其特征在于，所述第一電壓為接地電壓。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器的操作方法，其特征在于，所述操作方法還包括：

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲(chǔ)器的操作方法，其特征在于，所述存儲(chǔ)串的數(shù)量為多個(gè)，所述多個(gè)存儲(chǔ)串中的下選擇管耦接至同一條所述下選擇柵線；

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲(chǔ)器的操作方法，其特征在于，所述多個(gè)存儲(chǔ)串位于同一指存儲(chǔ)區(qū)；

7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的存儲(chǔ)器的操作方法，其特征在于，所述操作方法還包括：

8.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的存儲(chǔ)器的操作方法，其特征在于，所述操作方法還包括：

9.一種存儲(chǔ)器，其特征在于，包括：

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述外圍電路被配置為：

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述第一電壓為接地電壓。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述存儲(chǔ)器還包括：字線，耦接到所述存儲(chǔ)單元；所述外圍電路被配置為：

13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述存儲(chǔ)串的數(shù)量為多個(gè)，所述多個(gè)存儲(chǔ)串中的下選擇管耦接至同一條所述下選擇柵線；

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述多個(gè)存儲(chǔ)串位于同一指存儲(chǔ)區(qū)；

15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述外圍電路被配置為：

16.根據(jù)權(quán)利要求9或13所述的存儲(chǔ)器，其特征在于，所述外圍電路被配置為：

17.一種存儲(chǔ)器系統(tǒng)，其特征在于，所述存儲(chǔ)器系統(tǒng)包括：

技術(shù)總結(jié)
本公開實(shí)施例提供了一種存儲(chǔ)器及其操作方法、存儲(chǔ)器系統(tǒng)。該存儲(chǔ)器包括存儲(chǔ)串，存儲(chǔ)串包括依次串聯(lián)在位線和源極線之間的上選擇管、多個(gè)存儲(chǔ)單元以及下選擇管；存儲(chǔ)器的操作方法包括：在對(duì)下選擇管執(zhí)行編程操作期間，提供第一編程電壓到與下選擇管耦接的下選擇柵線，并提供第一電壓到源極線；其中，第一電壓小于第一編程電壓；在對(duì)下選擇管執(zhí)行編程操作期間，提供第二電壓到位線，并基于第二電壓和第一電壓，提供不同的控制電壓到與上選擇管耦接的上選擇柵線；其中，若第二電壓和第一電壓存在壓差，控制電壓用于關(guān)斷上選擇管。

技術(shù)研發(fā)人員：王硯,郭曉江
受保護(hù)的技術(shù)使用者：長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/22