本實(shí)施方式通常涉及盤裝置及斜坡。

背景技術(shù)：

1、如硬盤驅(qū)動(dòng)器(hdd)那樣的盤裝置例如具有多個(gè)磁盤、多個(gè)頭萬(wàn)向架組件(hga)以及斜坡(ramp)。hga在該hga的滑塊位于磁盤的表面上的加載位置與該hga被保持于斜坡的卸載位置之間旋轉(zhuǎn)。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)思路

1、一個(gè)實(shí)施方式涉及盤裝置，所述盤裝置具備：多個(gè)頭萬(wàn)向架組件，其能夠繞第1旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)；斜坡，其具有壁和多個(gè)突起，所述多個(gè)突起從所述壁朝向所述第1旋轉(zhuǎn)軸突出，并且，在沿著所述第1旋轉(zhuǎn)軸的軸向上隔著間隙而配置；以及多個(gè)磁盤，其能夠繞第2旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)，所述第2旋轉(zhuǎn)軸與所述多個(gè)突起在繞所述第1旋轉(zhuǎn)軸的第1旋轉(zhuǎn)方向上分離，

2、所述多個(gè)突起各自具有面向所述間隙的第1面、位于所述第1面的相反側(cè)的第2面、設(shè)置在所述第1面與所述第2面之間并朝向所述第1旋轉(zhuǎn)軸的側(cè)面以及從所述側(cè)面突出的限位器(limiter)，

3、所述第1面和所述第2面各自具有設(shè)置在所述多個(gè)突起的所述第1旋轉(zhuǎn)方向上的端部的第1傾斜區(qū)域、與所述第1傾斜區(qū)域在與所述第1旋轉(zhuǎn)方向相反的第2旋轉(zhuǎn)方向上分離的第1平坦區(qū)域以及設(shè)置在所述第1傾斜區(qū)域與所述第1平坦區(qū)域之間的第1中間區(qū)域，

4、所述限位器位于所述第1面的所述第1平坦區(qū)域與所述第2面的所述第1平坦區(qū)域之間，

5、所述第1面的所述第1傾斜區(qū)域和所述第2面的所述第1傾斜區(qū)域以從所述第1中間區(qū)域朝向所述第1旋轉(zhuǎn)方向而前端變細(xì)的方式延伸，

6、所述第1面的所述第1中間區(qū)域與所述第2面的所述第1中間區(qū)域之間的寬度為所述第1面的所述第1平坦區(qū)域與所述第2面的所述第1平坦區(qū)域之間的寬度以下、且至少局部地比所述第1面的所述第1平坦區(qū)域與所述第2面的所述第1平坦區(qū)域之間的寬度短。

7、根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，能夠提供即使磁盤的張數(shù)多、也能容易地進(jìn)行斜坡的制造的盤裝置和容易制造的斜坡。

技術(shù)特征：

1.一種盤裝置，具備：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的盤裝置，

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的盤裝置，

4.根據(jù)權(quán)利要求2或者3所述的盤裝置，

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的盤裝置，

6.根據(jù)權(quán)利要求2或者3所述的盤裝置，

7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的盤裝置，

8.根據(jù)權(quán)利要求2所述的盤裝置，

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的盤裝置，

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的盤裝置，

11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的盤裝置，

12.一種斜坡，具備：

技術(shù)總結(jié)
本公開(kāi)涉及盤裝置及斜坡。根據(jù)一個(gè)實(shí)施方式，所述盤裝置具備多個(gè)頭萬(wàn)向架組件、斜坡以及多個(gè)磁盤。所述斜坡具有在軸向上隔著間隙而配置的多個(gè)突起。所述多個(gè)突起各自具有面向所述間隙的第1面、所述第1面的相反側(cè)的第2面、側(cè)面以及從所述側(cè)面突出的限位器。所述第1面和所述第2面各自具有第1傾斜區(qū)域、第1平坦區(qū)域以及設(shè)置在所述第1傾斜區(qū)域與所述第1平坦區(qū)域之間的第1中間區(qū)域。所述限位器位于兩個(gè)所述第1平坦區(qū)域之間。兩個(gè)所述第1中間區(qū)域之間的寬度為兩個(gè)所述第1平坦區(qū)域之間的寬度以下、且至少局部地比兩個(gè)所述第1平坦區(qū)域之間的寬度短。

技術(shù)研發(fā)人員：上原學(xué)
受保護(hù)的技術(shù)使用者：株式會(huì)社 東芝
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2025/5/15