專利名稱：陣列基板及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種陣列基板及其制造方法，特別是一種應(yīng)用于顯示器的陣列基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
顯示器中的陣列基板主要包含有薄膜晶體管以及其它電子組件。一般是使用5道以上光罩制程來制造陣列基板。其中薄膜晶體管結(jié)構(gòu)中的半導(dǎo)體層大多為非晶硅。絕緣層多為無機(jī)氧化物，例如氧化硅或氮化硅。然而，由于一般需使用化學(xué)氣相沉積法來制造半導(dǎo)體層及絕緣層，故制程溫度較高。因此必須選用耐高溫的材料。故基板多為耐熱的玻璃材質(zhì)，使得陣列基板不具有可撓性。但由于目前對(duì)于顯示器輕、薄與可撓折的需求，使得軟性顯示器的開發(fā)越來越重要。然而制造軟性顯示器的陣列基板也需要使用5-6道光罩制程。因此，需要一種可以減少制程所需光罩及制程步驟的制造方法以降低制程成本與擊是倉(cāng)泛。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一方面是在提供一種陣列基板及其制造方法，能以4道光罩制程來制作陣列基板。在本發(fā)明一或多個(gè)實(shí)施方式中，制造方法包括下列步驟。提供一基材。在基材上形成源極以及漏極。依序形成半導(dǎo)體層、有機(jī)絕緣層以與柵極層來覆蓋基材、源極及漏極。在柵極層上形成圖案化光阻層。移除暴露出的柵極層及其下方的有機(jī)絕緣層與半導(dǎo)體層，以形成柵極。在柵極、源極及漏極上形成有機(jī)保護(hù)層，其中有機(jī)保護(hù)層具有接觸窗以露出部分的漏極。在有機(jī)保護(hù)層以及露出部分的漏極上形成像素電極。在本發(fā)明一或多個(gè)實(shí)施方式中，制造方法包括下列步驟。在基材上形成源極以及漏極。形成半導(dǎo)體層覆蓋基材、源極及漏極。在半導(dǎo)體層上形成圖案化有機(jī)絕緣層，以定義半導(dǎo)體層的通道層。在圖案化有機(jī)絕緣層以及半導(dǎo)體層上形成柵極層。在柵極層上形成圖案化光阻層，其中圖案化光阻層位于圖案化有機(jī)絕緣層的上方。移除露出的柵極層及其下方的半導(dǎo)體層，以形成柵極及通道層。在柵極、源極及漏極上形成有機(jī)保護(hù)層，其中有機(jī)保護(hù)層具有接觸窗以露出一部分的漏極。在有機(jī)保護(hù)層以及露出部分的漏極上形成像素電極。本發(fā)明的另一方面是在提供一種陣列基板，包含基材、源極與漏極、作為通道層的半導(dǎo)體層、作為柵絕緣層的有機(jī)絕緣層、柵極、有機(jī)保護(hù)層以及像素電極。源極與漏極設(shè)置于基材上。半導(dǎo)體層設(shè)置于源極、漏極以及位于源極與漏極間的基材上。有機(jī)絕緣層設(shè)置于半導(dǎo)體層上。柵極設(shè)置于有機(jī)絕緣層上。有機(jī)保護(hù)層覆蓋柵極、源極、漏極及基材，其中有機(jī)保護(hù)層中具有接觸窗以露出一部分的漏極。像素電極設(shè)置于露出部分的漏極及有機(jī)保護(hù)層上。
因此，本發(fā)明上述實(shí)施方式具有下列優(yōu)點(diǎn):(I)能以4道光罩制程制作顯示器陣列基板，可提高產(chǎn)能與節(jié)省運(yùn)作成本。(2)有機(jī)絕緣層及有機(jī)保護(hù)層不需在高溫下制作，因此可節(jié)省運(yùn)作成本。(3)有機(jī)絕緣層、有機(jī)保護(hù)層及半導(dǎo)體層的結(jié)構(gòu)可使薄膜晶體管具有較高的電子移動(dòng)度。


為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、優(yōu)點(diǎn)與實(shí)施例能更明顯易懂，所附附圖的說明如下:圖1A-1D是繪示依照本發(fā)明一實(shí)施方式的陣列基板的制造方法的各制程階段剖面示意圖；圖2A-2D是繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施方式的陣列基板的制造方法的各制程階段剖面示意圖。主要組件符號(hào)說明100a、200a:像素區(qū)100b、200b:走線區(qū)

110、210:剛性基板120、220:可撓性高分子層130a、230a:源極130b、230b:漏極130c,230c:第一連接墊140,240:氧化物半導(dǎo)體層140a、240a:通道層150:有機(jī)絕緣層150a:柵絕緣層160,260:柵極層160a、260a:柵極160b、260b:第二連接墊170a、170b、270a、270b:圖案化光阻層180,280:有機(jī)保護(hù)層182,282:接觸窗184、284:第一開口186、286:第二開口190a、290a:像素電極190b、290b:透明導(dǎo)電層250a:圖案化有機(jī)絕緣層
具體實(shí)施例方式圖1A-1D是繪示依照本發(fā)明一實(shí)施方式的陣列基板的制造方法的各制程階段剖面示意圖。在本實(shí)施例中，陣列基板可為應(yīng)用于顯示器的陣列基板，但不以此為限。首先，提供一基材100，如圖1A所示。基材100包含有像素區(qū)IOOa以及走線區(qū)IOOb0走線區(qū)IOOb的電路是用以連接其它電子組件，例如驅(qū)動(dòng)芯片(driver 1C)。在一實(shí)施例中，基材100包含剛性基板110以及可撓性高分子層120?？蓳闲愿叻肿訉?20形成在剛性基板110上。剛性基板110可為玻璃基板?？蓳闲愿叻肿訉?20可例如為聚酸亞胺(Polyimide)、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酉旨(Polyethylene Terephthalate, PET)、聚萘二甲酸乙二酯(Polyethylene Naphthalate, PEN)或聚甲基丙烯酸甲酯(Poly(methylmethacrylate)，PMMA)。在另一實(shí)施例中，基材100僅為玻璃基板，而不包含上述可撓性高分子層120。然后，在基材100上形成源極130a與漏極130b，如圖1A所示。源極130a與漏極130b可形成在可撓性高分子層120上。源極130a電性連接一信號(hào)線(未繪示)，例如源極130a可為信號(hào)線的一部分。源極130a與漏極130b的材料可為鉻、鋁、銅、鑰、鈦或其它導(dǎo)電材料?？墒褂脼R鍍制程及光學(xué)微影制程來形成源極130a與漏極130b。在一實(shí)施方式中，在形成源極130a與漏極130b的同時(shí)，可在走線區(qū)IOOb中形成第一連接墊130c。第一連接墊130c用以連接驅(qū)動(dòng)芯片(圖未示)，且第一連接墊130c電性連接源極130a。在形成源極130a與漏極130b后，依序形成氧化物半導(dǎo)體層140、有機(jī)絕緣層150以與柵極層160，以覆蓋基材100、源極130a以及漏極130b，如第IB圖所示。上述氧化物半導(dǎo)體層140的材質(zhì)可例如為氧化鋅(ZnO)、氧化鋅錫(ZnSnO)、氧化鉻錫(CdSnO)、氧化鎵錫(GaSnO)、氧化鈦錫(TiSnO)、氧化銦鎵鋅(InGaZnO)、氧化銅鋁(CuAlO)、氧化銀銅(SrCuO)或硫氧化鑭銅(LaCuOS)?？墒褂门慑冎瞥虂硇纬裳趸锇雽?dǎo)體層140。上述氧化物半導(dǎo)體層140可在室溫下以濺鍍方式形成，因此，在一實(shí)施方式中，氧化物半導(dǎo)體層140可直接形成在可撓性高分子層120上。上述有機(jī)絕緣層150的材質(zhì)可為聚酰亞胺(Polyimide)或聚硅氧烷(polysiloxane)等。可使用任何已知的涂布方式來形成有機(jī)絕緣層150。相較于無機(jī)絕緣層的制程溫度，有機(jī)絕緣層150可以在較低溫的條件下制作。因此，可適用于耐熱性較差的可撓性高分子層120。上述柵極層160的材料可與源極130a與漏極130b的材料相同或不同。柵極層160與氧化物半導(dǎo)體層140之間設(shè)置有機(jī)絕緣層150，用以避免柵極層160直接接觸氧化物半導(dǎo)體層140。接著，在柵極層160上形成圖案化光阻層170a，如圖1B所示。上述圖案化光阻層170a用以定義柵極的位置，因此圖案化光阻層170a設(shè)置在欲形成柵極位置的正上方?？墒褂萌魏我阎墓鈱W(xué)微影制程來形成圖案化光阻層170a。在一實(shí)施方式中，在形成圖案化光阻層170a的同時(shí)，可在走線區(qū)IOOb中形成圖案化光阻層170b。圖案化光阻層170b用以定義第二連接墊160b，下文中將更詳細(xì)敘述。在形成圖案化光阻層170a后，移除暴露出圖案化光阻層170a外的柵極層160及其下方的有機(jī)絕緣層150和氧化物半導(dǎo)體層140，以形成柵極160a、柵絕緣層150a以及通道層140a，如圖1C所示。上述柵極160a電性連接掃描線(未繪示)，例如，柵極160a可為掃描線的一部分。
承上所述，可使用濕式酸蝕刻制程或干式蝕刻制程來移除暴露出的柵極層160及其下方的有機(jī)絕緣層150及氧化物半導(dǎo)體層140。具體來說，可使用相同的蝕刻劑來移除柵極層160、有機(jī)絕緣層150與氧化物半導(dǎo)體層140，以減少制程步驟。或者，可先用濕式酸蝕刻制程來移除暴露出的柵極層160，接著使用干式蝕刻制程或顯影液來移除露出的有機(jī)絕緣層150，再使用濕式酸蝕刻制程來溶解露出的氧化物半導(dǎo)體層140。因此，可通過一道光罩制程來形成柵極160a、柵絕緣層150a以及通道層140a，使通道層140a、柵絕緣層150a與柵極160a具有大致相同的上視輪廓，并節(jié)省制造成本。在完成上述步驟后，移除圖案化光阻層170a。在一實(shí)施方式中，在移除上述柵極層160、有機(jī)絕緣層150和氧化物半導(dǎo)體層140的同時(shí)，可在走線區(qū)IOOb中形成第二連接墊160b。換言之，第二連接墊160b是與柵極160a、柵絕緣層150a以及通道層140a同時(shí)形成。在本實(shí)施方式中，第二連接墊160b用以連接一驅(qū)動(dòng)芯片，且第二連接墊160b電性連接?xùn)艠O160a (圖未示)。在形成上述柵極160a、柵絕緣層150a以及通道層140a之后，在柵極160a、源極130a與漏極130b上形成有機(jī)保護(hù)層180，如第ID圖所示。有機(jī)保護(hù)層180具有接觸窗182，以露出一部分的漏極130b。有機(jī)保護(hù)層180的材質(zhì)可與有機(jī)絕緣層150的材質(zhì)相同或不同。有機(jī)保護(hù)層180的材質(zhì)可為聚酰亞胺(Polyimide)或聚娃氧燒(Polysiloxane)等?？墒褂萌魏我阎墓鈱W(xué)微影制程來形成有機(jī)保護(hù)層180。在一實(shí)施方式中，走線區(qū)IOOb中的有機(jī)保護(hù)層180可具有第一開口 184及第二開口 186，以分別露出第二連接墊160b及第一連接墊130c。在形成有機(jī)保護(hù)層180后，形成像素電極190a于有機(jī)保護(hù)層180及露出部分的漏極130b上。像素電極190a透過接觸窗182與漏極130b電性連接。像素電極190a的材質(zhì)可為氧化銦錫、氧化銦鋅或其它透明導(dǎo)電材料。在一實(shí)施方式中，在形成像素電極190a時(shí)，可同時(shí)在露出的第二連接墊160b及第一連接墊130c上形成透明導(dǎo)電層190b。因此，透明導(dǎo)電層190b可透過第一開口 184連接驅(qū)動(dòng)掃描線的芯片(scan driver IC),并可透過第二開口 186連接驅(qū)動(dòng)信號(hào)線芯片(datadriver IC)。在一實(shí)施方式中，在完成上述步驟后，將剛性基板110與可撓性高分子層120分離，而得到形成在可撓性高分子層120上的軟性顯示器陣列基板。舉例來說，可使用準(zhǔn)分子激光的方法來分離剛性基板110與可撓性高分子層120，而得到軟性顯示器陣列基板。圖2A-2D是繪示依照本發(fā)明另一實(shí)施方式的顯示器陣列基板的各制程階段剖面示意圖。在本實(shí)施例中，陣列基板可為應(yīng)用于顯示器的陣列基板，但不以此為限。首先，在基材200上形成源極230a與漏極230b，如圖2A所示?；?00包含有像素區(qū)200a以及走線區(qū)200b。走線區(qū)200b的電路是用以連接其它電子組件?；?00、源極230a、漏極230b的材質(zhì)及其制造方法可參考第IA圖中的基材100、源極130a與漏極130b的敘述。在一實(shí)施方式中，可于形成源極230a、漏極230b時(shí),于走線區(qū)200b中同時(shí)形成第一連接墊230c。然后，在基材200、源極230a與漏極230b上形成氧化物半導(dǎo)體層240，如圖2A所示。上述氧化物半導(dǎo)體層240的材質(zhì)及其制造方法可參考圖1B中的氧化物半導(dǎo)體層140的敘述。接著，在氧化物半導(dǎo)體層240上形成圖案化有機(jī)絕緣層250a以定義氧化物半導(dǎo)體層240的通道層240a，如圖2A所示。具體來說，可先在氧化物半導(dǎo)體層240上涂布一層感旋光性的有機(jī)絕緣材料，然后再進(jìn)行烘烤。接著進(jìn)行曝光及顯影制程，而形成圖案化有機(jī)絕緣層250a。上述曝光制程所選用的光波長(zhǎng)需搭配有機(jī)絕緣層250a的材料來調(diào)整。通常，光波長(zhǎng)可為可見光或紫外光范圍，例如波長(zhǎng)為436nm的G-line、波長(zhǎng)為405nm的H-1ine或波長(zhǎng)為365nm的I_line。有機(jī)絕緣層250a材料可為感光的有機(jī)材料，例如聚酰亞胺(Polyimide)或聚娃氧燒(Polysiloxane)等。在形成上述圖案化有機(jī)絕緣層250a后，形成柵極層260覆蓋圖案化有機(jī)絕緣層250a及氧化物半導(dǎo)體層240，如圖2B所示。上述柵極層260的材質(zhì)及其制造方法可參考圖1B中的柵極層160的敘述。然后，在柵極層260上形成圖案化光阻層270a，如圖2B所示。圖案化光阻層270a可位于圖案化有機(jī)絕緣層250a的正上方，并用以定義柵極的位置。上述圖案化光阻層270a的材質(zhì)及其制造方法可參考圖1B中的圖案化光阻層170a的敘述。在一實(shí)施方式中，在形成圖案化光阻層270a的同時(shí)，可在走線區(qū)200b中形成圖案化光阻層270b。圖案化光阻層270b可用以定義第二連接墊，下文中將更詳細(xì)敘述。在形成圖案化光阻層270a后，選擇性地移除暴露出圖案化光阻層270a外的柵極層260及其下方的氧化物半導(dǎo)體層240，以形成柵極260a及通道層240a，如圖2C所示。例如，可使用相同的蝕刻劑來移除柵極層260及氧化物半導(dǎo)體層240，以減少制程步驟。在上述蝕刻過程中，圖案化有機(jī)絕緣層250a定義通道層240a的區(qū)域，因此，通道層240a與圖案化有機(jī)絕緣層250a具有大致相同的上視輪廓。在一實(shí)施例中，柵極260a的面積略小于有機(jī)絕緣層250a的面積。在完成上述步驟后，移除圖案化光阻層270a。在一實(shí)施方式中，在移除上述柵極層260及氧化物半導(dǎo)體層240的同時(shí)，可在走線區(qū)200b中形成第二連接墊260b。在形成上述柵極260a及通道層240a之后，在柵極260a、源極230a及漏極230b上形成有機(jī)保護(hù)層280，如圖2D所示。有機(jī)保護(hù)層280具有接觸窗282，以露出漏極230b。上述有機(jī)保護(hù)層280的材質(zhì)及其制造方法可參考圖1D中有機(jī)保護(hù)層180的敘述。在一實(shí)施方式中，走線區(qū)200b中的有機(jī)保護(hù)層280可具有第一開口 284及第二開口 286，以分別露出第二連接墊260b及第一連接墊230c。在形成有機(jī)保護(hù)層280后，形成像素電極290a于有機(jī)保護(hù)層280及露出部分的漏極230b上，以使像素電極290a透過接觸窗282與漏極230b電性連接，如圖2D所示。上述像素電極290a的材質(zhì)及其制造方法可參考圖1D中像素電極190a的敘述。在一實(shí)施方式中，在形成像素電極290a時(shí),可同時(shí)形成透明導(dǎo)電層290b于露出的第二連接墊260b及第一連接墊230c上。因此，透明導(dǎo)電層290b可透過第一開口 284連接驅(qū)動(dòng)掃描線的芯片(scan driver IC),并可透過第二開口 286連接驅(qū)動(dòng)信號(hào)線芯片(datadriver IC)。上述實(shí)施方式的一特點(diǎn)在于，先形成圖案化有機(jī)絕緣層250a，用以定義通道層240a。因此，若選擇使用耐酸蝕刻的有機(jī)絕緣層材料，則可在移除步驟中以相同的蝕刻劑來移除柵極層260及氧化物半導(dǎo)體層240。所以可減少制程步驟。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，是提供一種應(yīng)用于顯示器的陣列基板。請(qǐng)參照?qǐng)D1D，顯示器陣列基板包含基材100、源極130a、漏極130b、氧化物半導(dǎo)體層(即通道層140a)、有機(jī)絕緣層(即柵絕緣層150a)、柵極160a、有機(jī)保護(hù)層180以及像素電極190a。源極130a與漏極130b設(shè)置于基材100上。氧化物半導(dǎo)體層(即通道層140a)設(shè)置于源極130a、漏極130b以及位于源極130a與漏極130b間的基材100上。有機(jī)絕緣層(即柵絕緣層150a)設(shè)置于通道層140a上。柵極160a設(shè)置于有機(jī)絕緣層上。有機(jī)保護(hù)層150a覆蓋柵極160a、源極130a、漏極130b及基材100，其中有機(jī)保護(hù)層150a具有接觸窗182以露出一部分的漏極130b。像素電極190a設(shè)置于露出部分的漏極130b及有機(jī)保護(hù)層180上，使像素電極190a透過接觸窗182與漏極130b電性連接。由此可知，上述實(shí)施方式能以4道光罩制程制作顯示器陣列基板，可以減少制程步驟以提高產(chǎn)能與節(jié)省運(yùn)作成本。另外，上述實(shí)施方式結(jié)合有機(jī)絕緣層、有機(jī)保護(hù)層及氧化物半導(dǎo)體層的結(jié)構(gòu)，可以使陣列基板具有較高的電子移動(dòng)度特性。上述顯示器陣列基板也可應(yīng)用軟性顯示器上，如有機(jī)發(fā)光二極管顯示器或電泳顯示器。舉例來說，可應(yīng)用本發(fā)明實(shí)施方式并結(jié)合有機(jī)發(fā)光二極管組件或電泳組件，來設(shè)計(jì)有機(jī)發(fā)光二極管顯示器或電泳顯示器的結(jié)構(gòu)及其制造方法，以提高產(chǎn)能與節(jié)省運(yùn)作成本。雖然本發(fā)明已以實(shí)施方式揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉此技藝者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包含: 提供一基材； 形成一源極以及一漏極于該基材上； 依序形成一半導(dǎo)體層、一有機(jī)絕緣層以及一柵極層覆蓋該基材、該源極及該漏極； 形成一圖案化光阻層于該柵極層上； 移除暴露出該圖案化光阻層外的該柵極層及其下方的該有機(jī)絕緣層與該半導(dǎo)體層，以形成一柵極； 形成一有機(jī)保護(hù)層于該柵極、該源極及該漏極上，其中該有機(jī)保護(hù)層具有一接觸窗以露出一部分的該漏極；以及 形成一像素電極于該有機(jī)保護(hù)層上，以使該像素電極透過該接觸窗與該漏極電性連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，提供該基材的步驟包含: 提供一剛性基板；以及 形成一可撓性高分子層于該剛性基板上，其中該源極以及該漏極形成于該可撓性高分子層上。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，在形成該像素電極于該有機(jī)保護(hù)層上的步驟后，還包含移除該剛性基板。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，該可撓性高分子層的材質(zhì)為聚酰亞胺、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二酯或聚甲基丙烯酸甲酯。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，移除暴露出該圖案化光阻層外的該柵極層及其下方的該有機(jī)絕緣層與該半導(dǎo)體層的步驟包含使用一濕式酸蝕刻制程。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，移除暴露出該圖案化光阻層外的該柵極層及其下方的該有機(jī)絕緣層與該半導(dǎo)體層的步驟包含使用一干式蝕刻制程。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，該半導(dǎo)體層的材質(zhì)包含一材料是選自由氧化鋅、氧化鋅錫、氧化鉻錫、氧化鎵錫、氧化鈦錫、氧化銦鎵鋅、氧化銅鋁、氧化鍶銅以及硫氧化鑭銅所組成的群組。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，該有機(jī)絕緣層的材質(zhì)包含聚酰亞胺或聚硅氧烷。
9.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包含: 提供一基材； 形成一源極以及一漏極于該基材上； 形成一半導(dǎo)體層覆蓋該基材、該源極及該漏極； 形成一圖案化有機(jī)絕緣層于該半導(dǎo)體層上，以定義該半導(dǎo)體層的一通道層； 形成一柵極層于該圖案化有機(jī)絕緣層以及該半導(dǎo)體層上； 形成一圖案化光阻層于該柵極層上，其中該圖案化光阻層位于該圖案化有機(jī)絕緣層上方； 移除暴露出該圖案化光阻層外的該柵極層及其下方的該半導(dǎo)體層，以形成一柵極以及該通道層； 形成一有機(jī)保護(hù)層于該柵極、該源極及該漏極上，其中該有機(jī)保護(hù)層具有一接觸窗以露出一部分的該漏極；以及 形成一像素電極于該有機(jī)保護(hù)層上，以使該像素電極透過該接觸窗與該漏極電性連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，移除暴露出該圖案化光阻層外的該柵極層及其下方的該有機(jī)絕緣層與該半導(dǎo)體層的步驟包括:使用相同的一蝕刻劑蝕刻該柵極層以及該半導(dǎo)體層。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，該圖案化光阻層的一面積小于該圖案化有機(jī)絕緣層的一面積。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，該有機(jī)絕緣層的材質(zhì)包含聚酰亞胺或聚硅氧烷。
13.一種陣列基板，其特征在于，包含: 一基材； 一源極及一漏極，設(shè)置于該基材上； 一半導(dǎo)體層，設(shè)置于該源極、該漏極以及該基材上； 一有機(jī)絕緣層，設(shè)置于該半導(dǎo)體層上； 一柵極，設(shè)置于該有機(jī)絕緣層上； 一有機(jī)保護(hù)層，覆蓋該柵極、該源極、該漏極及該基材，其中該有機(jī)保護(hù)層中具有一接觸窗以露出一部分該漏極；以及 一像素電極，設(shè)置于該有機(jī)保護(hù)層上，并透過該接觸窗與該漏極電性連接。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的陣列基板，其特征在于，該半導(dǎo)體層、該有機(jī)絕緣層及該柵極具有相同的一輪廓。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的陣列基板，其特征在于，該半導(dǎo)體層的材質(zhì)包含一材料是選自由氧化鋅、氧化鋅錫、氧化鉻錫、氧化鎵錫、氧化鈦錫、氧化銦鎵鋅、氧化銅招、氧化銀銅以及硫氧化鑭銅所組成的群組。
16.根據(jù)權(quán)利要求13所述的陣列基板，其特征在于，該有機(jī)絕緣層的材質(zhì)包含聚酰亞胺或聚硅氧烷。
17.根據(jù)權(quán)利要求13所述的陣列基板，其特征在于，該有機(jī)保護(hù)層的材質(zhì)包含聚酰亞胺或聚硅氧烷。
18.根據(jù)權(quán)利要求13所述的陣列基板，其特征在于，該基材包含一可撓性高分子層，且該可撓性高分子層為聚酰亞胺、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯、聚萘二甲酸乙二酯或聚甲基丙烯酸甲酯。
全文摘要
本發(fā)明在此揭露一種陣列基板及其制造方法。此制造方法包括下列步驟。提供一基材。在基材上形成源極以及漏極。依序形成半導(dǎo)體層、有機(jī)絕緣層以與柵極層來覆蓋基材、源極及漏極。在柵極層上形成圖案化光阻層。移除暴露出的柵極層及其下方的有機(jī)絕緣層與半導(dǎo)體層，以形成柵極。在柵極、源極及漏極上形成有機(jī)保護(hù)層，其中有機(jī)保護(hù)層具有接觸窗以露出部分的漏極。在有機(jī)保護(hù)層以及露出部分的漏極上形成像素電極。
文檔編號(hào)H01L21/77GK103094203SQ20121000525
公開日2013年5月8日 申請(qǐng)日期2012年1月6日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月2日
發(fā)明者藍(lán)緯洲, 辛哲宏, 王裕霖, 葉佳俊 申請(qǐng)人:元太科技工業(yè)股份有限公司