一種十二寸晶圓框架的制作方法
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種十二寸晶圓框架，包括一框架主體，所述框架主體為圓環(huán)形被沿其外邊緣截取四部分后的形狀；在此其截取位置四條邊定義為截取邊，相鄰所述截取邊之間的框架主體弧形外邊緣部分定義為弧形邊；其中，間隔的兩個所述截取邊相互平行，相鄰的兩個所述截取邊相互垂直；且四條所述截取邊中的其中一條截取邊兩端設(shè)有兩個齒形缺口。通過將框架主體設(shè)計為圓環(huán)形被沿其外邊緣截取四部分后的形狀；且四條所述截取邊中的其中一條邊兩端設(shè)有兩個齒形缺口，使得晶圓加工時支撐效果好，易于加工，從而達到了設(shè)計合理、結(jié)構(gòu)簡單、且固定牢固應(yīng)用效果好的目的。
【專利說明】—種十二寸晶圓框架
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及晶圓加工【技術(shù)領(lǐng)域】，具體涉及一種十二寸晶圓框架。
【背景技術(shù)】
[0002]晶圓是指硅半導(dǎo)體集成電路制作所用的硅晶片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓；在硅晶片上可加工制作成各種電路元件結(jié)構(gòu)，而成為有特定電性功能之IC產(chǎn)品。晶圓的原始材料是硅，而地殼表面有用之不竭的二氧化硅。二氧化硅礦石經(jīng)由電弧爐提煉，鹽酸氯化，并經(jīng)蒸餾后，制成了高純度的多晶硅，其純度高達99.999999999%。晶圓制造廠再把許多晶硅融解，再于融液里種入籽晶，然后將其慢慢拉出，以形成圓柱狀的單晶硅晶棒，由于硅晶棒是由一顆晶面取向確定的籽晶在熔融態(tài)的硅原料中逐漸生成，此過程稱為“長晶”。硅晶棒再經(jīng)過切段，滾磨，切片，倒角，拋光，激光刻，包裝后，即成為積體電路工廠的基本原料-硅晶圓片，這就是“晶圓”。
[0003]然而，由于晶圓較薄易碎，在晶圓片的加工過程中，必須對其整個面積進行支撐，以防止不必要的損壞。一種保護薄晶圓的常見方法涉及使用粘性層將薄晶圓暫時接合到平板上，從而利用晶圓框架來防止薄晶圓橫向移動。
[0004]因此，如何設(shè)計一種對晶圓支撐效果好，易于加工，且能牢固安裝到設(shè)備上的晶圓框架，是本行業(yè)技術(shù)人員亟待解決的技術(shù)問題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]有鑒于此，本發(fā)明的目的在于提供一種安裝牢固應(yīng)用效果好的晶圓框架，通過將所述框架主體設(shè)計為圓環(huán)形被沿其外邊緣截取四部分后的形狀；且截取的邊緣兩兩平行，并分別與兩個相垂直的直徑平行；且四條所述截取邊中的其中一條邊兩端設(shè)有兩個齒形缺口，使得晶圓加工時支撐效果好，易于加工。
[0006]為達到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案如下:
[0007]—種十二寸晶圓框架，包括一框架主體，所述框架主體為圓環(huán)形被沿其外邊緣截取四部分后的形狀；在此其截取位置四條邊定義為截取邊，相鄰所述截取邊之間的框架主體弧形外邊緣部分定義為弧形邊；其中，間隔的兩個所述截取邊相互平行，相鄰的兩個所述截取邊相互垂直；且四條所述截取邊中的其中一條截取邊兩端設(shè)有兩個齒形缺口。
[0008]優(yōu)選的，所述兩個齒形缺口中的一個齒形缺口夾角為60°，另一個齒形缺口夾角為 120。。
[0009]優(yōu)選的，所述框架主體內(nèi)徑為699.96mm，所述弧形邊到圓心的距離為399.98mm,兩條所述平行的截取邊之間的距離為759.95mm，所述齒形缺口夾角為60°的缺口底部到與兩齒形缺口之間的截取邊相平行的直徑之間的距離為341.78mm，所述齒形缺口夾角為120°的缺口底部到與兩齒形缺口之間的截取邊相平行的直徑之間的距離為343.58mm。
[0010]從上述的技術(shù)方案能夠看出，本發(fā)明所公開的一種十二寸晶圓框架，通過將框架主體設(shè)計為圓環(huán)形被沿其外邊緣截取四部分后的形狀；且截取的邊緣兩兩平行，并分別與兩個相垂直的直徑平行；且靠近四條所述截取邊中的其中一條邊兩端設(shè)有兩個齒形缺口，使得晶圓加工時支撐效果好，易于加工，從而達到了設(shè)計合理、結(jié)構(gòu)簡單、且固定牢固應(yīng)用效果好的目的。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0011]為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
[0012]圖1為本發(fā)明實施例所公開的一種十二寸晶圓框架的結(jié)構(gòu)示意圖。
[0013]圖中的數(shù)字或字母所表示的相應(yīng)部件的名稱:
[0014]1、框架主體 11、截取邊 12、弧形邊 13、60°夾
[0015]角齒形缺口14、120°夾角齒形缺口
【具體實施方式】
[0016]下面將結(jié)合附圖，對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例，而不是全部的實施例?；诒景l(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本發(fā)明的保護的范圍。
[0017]本發(fā)明公開了一種十二寸晶圓框架，通過將所述框架主體設(shè)計為圓環(huán)形被沿其外邊緣截取四部分后的形狀；且截取的邊緣兩兩平行，并分別與兩個相垂直的直徑平行；且四條所述截取邊中的其中一條邊兩端設(shè)有兩個齒形缺口`，使得晶圓加工時支撐效果好，易于加工，安裝牢固應(yīng)用效果好的。
[0018]實施例.[0019]如圖1所示，一種十二寸晶圓框架，包括一框架主體I，所述框架主體I為圓環(huán)形被沿其外邊緣截取四部分后的形狀；在此其截取位置四條邊定義為截取邊11，相鄰所述截取邊11之間的框架主體I的弧形外邊緣部分定義為弧形邊12 ;其中，間隔的兩個所述截取邊11相互平行，相鄰的兩個所述截取邊11相互垂直；且四條所述截取邊11中的其中一條截取邊11兩端設(shè)有兩個齒形缺口，所述兩個齒形缺口中的一個為60°夾角齒形缺口 13，另一個為120°夾角齒形缺口 14。
[0020]其中，所述框架主體I內(nèi)徑為699.96mm,所述弧形邊12到圓心的距離為399.98mm,兩條所述平行的截取邊11之間的距離為759.95mm，所述60°夾角齒形缺口 13底部到與兩齒形缺口之間的截取邊相平行的直徑之間的距離為341.78mm，所述120°夾角齒形缺口 14底部到與兩齒形缺口之間的截取邊相平行的直徑之間的距離為343.58mm。
[0021]從上述的技術(shù)方案能夠看出，本發(fā)明所公開的一種十二寸晶圓框架，通過將框架主體I設(shè)計為圓環(huán)形被沿其外邊緣截取四部分后的形狀；且截取的邊緣兩兩平行，并分別與兩個相垂直的直徑平行；且靠近四條所述截取邊11中的其中一條邊兩端設(shè)有兩個齒形缺口，使得晶圓加工時支撐效果好，易于加工，從而達到了設(shè)計合理、結(jié)構(gòu)簡單、且固定牢固應(yīng)用效果好的目的。[0022]以上為對本發(fā)明一種十二寸晶圓框架實施例的描述，通過對所公開的實施例的上述說明，使本領(lǐng)域?qū)I(yè)技術(shù)人員能夠?qū)崿F(xiàn)或使用本發(fā)明。對這些實施例的多種修改對本領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員來說將是顯而易見的，本文中所定義的一般原理可以在不脫離本發(fā)明的精神或范圍的情況下，在其它實施例中實現(xiàn)。因此，本發(fā)明將不會被限制于本文所示的這些實施例，而是要符合與本文所公開的原理和新穎特點相一致的最寬的范圍。
【權(quán)利要求】
1.一種十二寸晶圓框架，其特征在于，包括一框架主體，所述框架主體為圓環(huán)形被沿其外邊緣截取四部分后的形狀；在此其截取位置四條邊定義為截取邊，相鄰所述截取邊之間的框架主體弧形外邊緣部分定義為弧形邊；其中，間隔的兩個所述截取邊相互平行，相鄰的兩個所述截取邊相互垂直；且四條所述截取邊中的其中一條截取邊兩端設(shè)有兩個齒形缺□。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種十二寸晶圓框架，其特征在于，所述兩個齒形缺口中的一個齒形缺口夾角為60°，另一個齒形缺口夾角為120°。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種十二寸晶圓框架，其特征在于，所述框架主體內(nèi)徑為.699.96mm，所述弧形邊到圓心的距離為399.98mm,兩條所述平行的截取邊之間的距離為.759.95mm，所述齒形缺口夾角為60°的缺口底部到與兩齒形缺口之間的截取邊相平行的直徑之間的距離為341.78mm，所述齒形缺口夾角為120°的缺口底部到與兩齒形缺口之間的截取邊相平行的直徑之間的距離為343.58mm。
【文檔編號】H01L21/673GK103681418SQ201210361033
【公開日】2014年3月26日 申請日期:2012年9月25日 優(yōu)先權(quán)日:2012年9月25日
【發(fā)明者】李德峰 申請人:昆山英博爾電子科技有限公司