專利名稱：太陽能電池模塊的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及太陽能電池模塊。
背景技術：
最近，由于預計到諸如石油和煤炭的現有能源將耗盡，因此對于替代現有能源的可再生能源的興趣正在增加。在可再生能源中，從太陽能產生電能的太陽能電池受到了特別的關注。最近開發(fā)了背接觸太陽能電池以增加光接收面積并且提高其效率，在背接觸太陽能電池中，電子電極和空穴電極形成在基板的背表面上(即，基板的不被入射光的表面)。均具有上述結構的多個背接觸太陽能電池被彼此串聯或者并聯連接，從而以面板形式制造防潮太陽能模塊，因而獲得期望的輸出。

發(fā)明內容
在一個方面，提供了一種太陽能電池模塊，所述太陽能電池模塊包括多個太陽能電池，每一個太陽能電池包括基板、定位在所述基板的背表面的第一邊緣處并且在第一方向上延伸的第一電極電流收集器以及定位在所述基板的所述背表面的第二邊緣處并且在第一方向上延伸的第二電極電流收集器；導電粘附膜，所述導電粘附膜被配置為接觸所述多個太陽能電池的第一太陽能電池的第一電極電流收集器，或者接觸與所述第一太陽能電池相鄰的第二太陽能電池的第二電極電流收集器，或者接觸所述第一電極電流收集器和所述第二電極電流收集器；互連件，所述互連件被配置為接觸所述導電粘附膜并且將相鄰的所述第一太陽能電池和所述第二太陽能電池彼此電氣連接；前包封件和背包封件，所述前包封件和背包封件被配置為保護所述多個太陽能電池；透明構件，所述透明構件定位在所述多個太陽能電池的所述基板的前表面上的所述前包封件上；以及背板，所述背板定位在所述多個太陽能電池的所述基板的背表面上的所述背包封件下面。所述多個太陽能電池中的每一個可以是背接觸太陽能電池。所述背接觸太陽能電池的基板可以是晶體半導體基板。所述背接觸太陽能電池可以包括位于所述基板的背表面處的發(fā)射極區(qū)域和背表面場(BSF)區(qū)域。所述背接觸太陽能電池可以進一步包括多個第一電極和多個第二電極，所述多個第一電極的第一端部使用第一電極電流收集器彼此連接，并且所述多個第二電極的第一端部使用第二電極電流收集器彼此連接。所述多個第一電極和所述多個第二電極可以交替布置。所述多個第一電極可以接觸所述發(fā)射極區(qū)域，并且所述多個第二電極可以接觸所述背表面場區(qū)域。作為一個示例，導電粘附膜可以包括第一導電粘附膜和第二導電粘附膜，所述第一導電粘附膜接觸所述第一太陽能電池的第一電極電流收集器，并且所述第二導電粘附膜接觸所述第二太陽能電池的第二電極電流收集器。所述互連件可以接觸所述第一導電粘附膜和所述第二導電粘附膜。所述第一導電粘附膜的寬度可以等于或者小于第一電極電流收集器的寬度，并且所述第二導電粘附膜的寬度可以等于或者小于第二電極電流收集器的寬度。所述第一導電粘附膜的長度可以等于或者小于第一電極電流收集器的長度，并且所述第二導電粘附膜的長度可以等于或者小于第二電極電流收集器的長度。所述多個太陽能電池中的每一個可以進一步包括多個第一電極，所述多個第一電極在與所述第一方向垂直的第二方向上延伸；以及多個第二電極，所述多個第二電極中的每一個第二電極被定位在所述第一電極之間并且在所述第二方向上延伸。所述多個第一電極的第一端部可以連接到所述第一電極電流收集器，并且所述多個第二電極的第一端部可以連接到所述第二電極電流收集器。所述第一導電粘附膜可以不接觸所述多個第一電極，并且所述第二導電粘附膜可以不接觸所述多個第二電極。所述互連件的長度可以等于或者小于所述第一導電粘附膜的長度和所述第二導電粘附膜的長度。所述互連件的寬度可以大于所述第一導電粘附膜和所述第二導電粘附膜的相鄰端部之間的距離。作為另一個示例，所述導電粘附膜可以包括接觸所述第一太陽能電池的所述第一電極電流收集器和所述第二太陽能電池的所述第二電極電流收集器并且從所述第一電極電流收集器延伸到所述第二電極電流收集器的導電粘附膜。所述互連件可以接觸所述導電粘附膜。 所述導電粘附膜的寬度可以等于或者大于所述互連件的寬度。所述互連件的長度可以等于或者小于所述導電粘附膜的長度。所述多個太陽能電池中的每一個可以進一步包括多個第一電極，所述多個第一電極在與所述第一方向垂直的第二方向上延伸；以及多個第二電極，所述多個第二電極中的每一個第二電極被定位在所述第一電極之間并且在所述第二方向上延伸。所述多個第一電極的第一端部可以連接到所述第一電極電流收集器，并且所述多個第二電極的第一端部可以連接到所述第二電極電流收集器。所述導電粘附膜可以不接觸所述多個第一電極和所述多個第二電極。間隔物可以布置在相鄰的所述第一太陽能電池和所述第二太陽能電池之間。所述導電粘附膜可以具有其中掩埋有所述間隔物的一部分的凹槽。所述間隔物可以被定位在相鄰的所述第一太陽能電池和所述第二太陽能電池的基板之間。另選地，所述間隔物可以被定位在所述第一太陽能電池的所述第一電極電流收集器和所述第二太陽能電池的所述第二電極電流收集器之間。另選地，所述間隔物可以被定位在相鄰的所述第一太陽能電池和所述第二太陽能電池的基板之間以及在所述第一太陽能電池的所述第一電極電流收集器和所述第二太陽能電池的所述第二電極電流收集器之間。當所述間隔物定位在相鄰的所述第一太陽能電池和所述第二太陽能電池的基板之間時，所述前包封件或者所述背包封件可以填充在所述間隔物和所述互連件之間的空間中。當所述間隔物被定位在所述第一太陽能電池的所述第一電極電流收集器和所述第二太陽能電池的所述第二電極電流收集器之間時，所述前包封件或者所述背包封件可以填充在相鄰的所述第一太陽能電池和所述第二太陽能電池的基板之間的空間中。
所述間隔物可以具有與每一個太陽能電池的基板大致相同的厚度。另選地，間隔物可以具有對應于電流收集器和導電粘附膜的厚度之和的厚度。另選地，間隔物可以具有對應于基板、電流收集器和導電粘附膜的厚度之和的厚度。當所述間隔物具有與每一個太陽能電池的基板大致相同的厚度時，所述前包封件或者所述背包封件可以填充在所述間隔物和所述互連件之間的空間中。當間隔物具有對應于電流收集器和導電粘附膜的厚度之和的厚度時，所述前包封件或者所述背包封件可以填充在相鄰的所述第一太陽能電池和所述第二太陽能電池的基板之間的空間中。與此不同地，導電粘附膜可以包括執(zhí)行與間隔物類似的功能的空間支撐件。導電粘附膜和空間支撐件可以形成為一體。該一體形式意味著空間支撐件由與導電粘附膜相同的材料形成。根據太陽能電池的上述特征，可以使用導電粘附膜將第一電極電流收集器和第二電極電流收集器直接連接到互連件。因此，可以在低溫(例如，約140° C到180° C)進行搭接處理。在具有異質結結構的背接觸太陽能電池中，因為發(fā)射極區(qū)域和背表面場區(qū)域由非晶硅形成，當在搭接處理中將高的溫度施加到發(fā)射極區(qū)域和背表面場區(qū)域時，發(fā)射極區(qū)域和背表面場區(qū)域容易損壞。然而，因為在根據本發(fā)明的實施方式的背接觸太陽能電池中在低溫進行搭接處理，因此可以防止由非晶硅形成的發(fā)射極區(qū)域和背表面場區(qū)域被損壞?？梢栽谔柲茈姵啬K中使用薄的基板。例如，當基板的厚度是約200 μ m時，在使用熱空氣熔融焊劑的現有技術的搭接處理中，基板的翹曲量等于或者大于約2. 1mm。另一方面，在使用導電粘附膜的搭接處理中，基板的翹曲量是約O. 5_?？梢酝ㄟ^基板的背表面的中心部分和周邊部分的高度之間的差來表示基板的翹 曲量。隨著基板的厚度的減小，基板的翹曲量增加。例如，基板的厚度是約80 μ m,在現有技術的搭接處理中，基板的翹曲量等于或者大于約14_。另一方面，在使用導電粘附膜的搭接處理中，基板的翹曲量是約1.8mm。當基板的翹曲量超過預定值(例如，約2. 5mm)時，在基板中可能產生裂紋或者在后續(xù)的層壓處理中在太陽能電池模塊中可能產生氣泡。因此，不能夠在使用現有技術的搭接處理制造的太陽能電池模塊中使用薄的基板。另一方面，與現有技術的搭接處理比較，使用導電粘附膜的搭接處理可以極大地減小基板的翹曲量。因此，可以在太陽能電池模塊中使用薄的基板。例如，在使用導電粘附膜的搭接處理中可以使用具有約80μπι到180μπι的厚度的基板。因而，因為基板的厚度的減少使得可以降低材料成本?，F有技術的搭接處理可以在電流收集器和互連件之間的接口處產生裂紋，或者在互連件的焊料內的多個材料之間產生剝離現象，因而降低了太陽能電池模塊的輸出。另一方面，使用導電粘附膜的搭接處理可以解決上述問題。因而，提高了太陽能電池模塊的可靠性。因為施加到互連件的熱應力被導電粘附膜吸收，因此可以防止或者減少由熱應力導致的互連件和電流收集器之間的電氣連接的損壞。由此，可以進一步改進太陽能電池模塊的可靠性和耐久性。


附圖被包括進來以提供對本發(fā)明的進一步理解，并結合到本申請中且構成本申請的一部分，這些附圖例示了本發(fā)明的實施方式，并與說明書一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中圖1是移除了太陽能電池模塊的背板的狀態(tài)下的根據本發(fā)明的第一實施方式的太陽能電池模塊的平面圖；圖2是根據本發(fā)明的示例實施方式的太陽能電池模塊中使用的背接觸太陽能電池的構造的立體圖；圖3是根據本發(fā)明的示例實施方式的太陽能電池模塊中使用的背接觸太陽能電池的構造的截面圖；圖4是根據本發(fā)明的第一實施方式的太陽能電池模塊的部分截面圖；圖5是圖4中所示的太陽能電池模塊的第一變型的部分截面圖；圖6是圖4中所示的太陽能電池模塊的第二變型的部分截面圖；圖7是圖4中所示的太陽能電池模塊的第三變型的部分截面圖；圖8是移除了太陽能電池模塊的背板的狀態(tài)下的根據本發(fā)明的第二實施方式的太陽能電池模塊的平面圖；圖9是根據本發(fā)明的第二實施方式的太陽能電池模塊的部分截面圖；圖10是圖9中所示的太陽能電池模塊的第一變型的部分截面圖；圖11是圖9中所示的太陽能電池模塊的第二變型的部分截面圖；圖12是圖9中所示的太陽能電池模塊的第三變型的部分截面圖；圖13是圖9中所示的太陽能電池模塊的第四變型的部分截面圖；圖14是移除了太陽能電池模塊的背板的狀態(tài)下的根據本發(fā)明的第三實施方式的太陽能電池模塊的平面圖；圖15是移除了太陽能電池模塊的背板的狀態(tài)下的根據本發(fā)明的第四實施方式的太陽能電池模塊的平面圖；以及圖16是移除了太陽能電池模塊的背板的狀態(tài)下的根據本發(fā)明的第五實施方式的太陽能電池模塊的平面圖。
具體實施例方式下面將參照附圖更加全面地描述本發(fā)明的實施方式，附圖中求出了本發(fā)明的示例實施方式。然而，本發(fā)明可以以許多不同形式來實施，并且不應當解釋為是對這里闡述的實施方式的限制。在附圖中，為了清楚起見，夸大了層、膜、板、區(qū)域等的厚度。整個說明書中相同的附圖標記表示類似的元件。將理解的是，當將諸如層、膜、區(qū)域或基板的元件稱為“位于”另一元件“上”時，它可以直接位于所述另一元件上，或者也可以存在中間元件。相反，如果元件被稱為“直接位于”另一元件“上”，則不存在中間元件。此外，應該理解，當將諸如層、膜、區(qū)域或基板之類的元件稱為“整體”位于另一元件上時，它可以位于所述另一元件的整個表面上，且可以沒有位于所述另一元件的邊緣的一部分上。下面將參照圖1到圖15詳細描述本發(fā)明的示例性實施方式。 下面，將參照圖1到圖3詳細描述根據本發(fā)明的第一實施方式的太陽能電池模塊。圖1是移除了太陽能電池模塊的背板的狀態(tài)下的根據本發(fā)明的第一實施方式的太陽能電池模塊的平面圖。圖2是根據本發(fā)明的示例實施方式的太陽能電池模塊中使用的背接觸太陽能電池的構造的立體圖。圖3是根據本發(fā)明的另一示例實施方式的太陽能電池模塊中使用的背接觸太陽能電池的構造的截面圖。圖4是根據本發(fā)明的第一實施方式的太陽能電池模塊的部分截面圖。根據本發(fā)明的第一實施方式的太陽能電池模塊包括多個背接觸太陽能電池110、定位在背接觸太陽能電池110的背表面上并且將相鄰的背接觸太陽能電池110彼此電氣連接的互連件120、用于保護背接觸太陽能電池110的前包封件130和背包封件140、定位在背接觸太陽能電池110的光接收表面上的前包封件130上的透明構件150以及定位在與背接觸太陽能電池110的光接收表面相反的表面上的背包封件140下方的背板160。盡管圖1和圖4僅僅示出兩個背接觸太陽能電池110，但是背接觸太陽能電池110的數量不限于此。如圖2中所示，太陽能電池模塊中使用的每一個背接觸太陽能電池110包括晶體半導體基板111、定位在其上入射光的晶體半導體基板111的入射表面(在下文，稱為“前表面”)上的前保護層116a、定位在前保護層116a處的前表面場(FSF)區(qū)域117、定位在FSF區(qū)域117上的防反射層118、定位在其上沒有入射光的與晶體半導體基板111的入射表面相反的表面(在下文，稱為“背表面”)上的背保護層116b、定位在背保護層116b上的多個第一非晶娃層119a、定位在背保護層116b上以與多個第一非晶娃層119a隔開的多個第二非晶娃層119b、定位在多個第一非晶娃層119a上的多個第一電極112和第一電極電流收集器114 (參照圖1)以及定位在多個第二非晶硅層119b上的多個第二電極113和第二電極電流收集器115 (參照圖1)。圖2示出了包括FSF區(qū)域117、第二非晶硅層11%和背保護層116b的背接觸太陽能電池110。然而，可以根據需要省略FSF區(qū)域117、第二非晶硅層11%和背保護層116b。每個第一非晶硅層119a用作發(fā)射極區(qū)域，并且每個第二非晶硅層11%用作背表面場(BSF)區(qū)域。因而，第一非晶硅層119a在下文稱為發(fā)射極區(qū)域，并且第二非晶硅層11%在下文稱為BSF區(qū)域。晶體半導體基板111是由第一導電類型的硅(例如η型硅)形成的基板。在晶體半導體基板111中使用的娃可以是諸如單晶娃和多晶娃的晶體娃。當晶體半導體基板111是η型時，晶體半導體基板111可以慘雜有諸如憐(P)、神(As)和銻(Sb)的V族元素的雜質。另選地，晶體半導體基板111可以是P型和/或由除了硅以外的半導體材料形成。當晶體半導體基板111是P型時，晶體半導體基板111可以慘雜有諸如砸(B)、嫁(Ga)和鋼(In)的III族元素的雜質。晶體半導體基板111的前表面可以被紋理化，以形成對應于不平坦表面的或者具有不平坦特性的紋理表面。為了簡化，圖2僅示出了晶體半導體基板111、前保護層116a、FSF區(qū)域117和防反射層118的邊緣具有紋理表面。然而，晶體半導體基板111、前保護層116a、FSF區(qū)域117和防反射層118中的每一個的整個前表面基本上都具有紋理表面?？梢允褂脽o定形非晶娃(a-Si)、氮化娃(SiNx)和氧化娃(SiOx)中的一種形成定位在晶體半導體基板111的前表面上的前保護層116a。前保護層116a執(zhí)行鈍化功能，該鈍化功能將存在于晶體半導體基板111的表面處或者周圍的缺陷(例如，懸鍵)轉換為穩(wěn)定鍵，因而防止或者減少移動到晶體半導體基板111的表面的載流子的復合和/或消失。在此，前保護層116a減小了由于晶體半導體基板111的表面處和周圍的缺陷造成的載流子損失的量。當前保護層116a的厚度等于或者大于約Inm時，前保護層116a被均勻涂布在晶體半導體基板111的前表面上，因而平滑地執(zhí)行鈍化功能。當前保護層116a的厚度等于或者小于約30nm時，前保護層116a中吸收的光的量減少。因此，入射在晶體半導體基板111上的光的量會增加。因而，前保護層116a可以具有約Inm到30nm的厚度。定位在前保護層116a處的FSF區(qū)域117是用與晶體半導體基板111相同導電類型(例如，η型)的雜質比晶體半導體基板111更重摻雜的區(qū)域。FSF區(qū)域117的雜質濃度可以是約101°到IO21個原子/W。可以使用非晶硅、非晶氧化硅(a-SiOx)和非晶碳化硅(a-SiC)形成FSF區(qū)域117。當使用以上材料形成FSF區(qū)域117時，通過晶體半導體基板111和FSF區(qū)域117的雜質濃度之間的差形成勢壘。因此，可以獲得電效應以防止或者減少載流子(例如，空穴)移動到晶體半導體基板111的前表面。非晶氧化硅(a-SiOx)和非晶碳化硅(a-SiC)—般分別具有約2.1和約2. 8的能帶隙。因而，非晶氧化硅(a-SiOx)和非晶碳化硅(a-SiC)的能帶隙大于具有約1. 7到1. 9的能帶隙的非晶硅。當由非晶氧化硅(a-SiOx)或者非晶碳化硅(a_SiC)形成FSF區(qū)域117時，在FSF區(qū)域117中吸收的光的量減小。因此，入射在晶體半導體基板111上的光的量進一步增加。定位在FSF區(qū)域117上的防反射層118減小了入射在背接觸太陽能電池110上的光的反射并且增加了預定波長帶的選擇性，因而增加了背接觸太陽能電池110的效率。可以由氮化硅(SiNx)或者氧化硅(SiOx)等形成防反射層118。防反射層118可以具有單層結構或者多層結構?？梢愿鶕枰÷苑婪瓷鋵?18。背保護層116b直接位于晶體半導體基板111的背表面上并且以與前保護層116a相同的方式執(zhí)行鈍化功能，因而防止或者減少移動到晶體半導體基板111的背表面的載流子的復合和/或消失。背保護層116b可以以與前保護層116a相同的方式由非晶硅形成。背保護層116b具有使得移動到晶體半導體基板111的背表面的載流子可以通過背保護層116b并且然后可以移動到發(fā)射極區(qū)域119a或者BSF區(qū)域11%的厚度。 當背保護層116b的厚度等于或者大于約Inm時，背保護層116b被均勻涂布在晶體半導體基板111的背表面上，因而進一步增加鈍化效果。當背保護層116b的厚度等于或者小于約IOnm時，穿過晶體半導體基板111并且然后被吸收在保護層116b中的光的量減少。因此，可以增加再一次入射在晶體半導體基板111上的光的量。因而，背保護層116b可以具有約Inm到IOnm的厚度。
多個BSF區(qū)域119b中的每一個是用與晶體半導體基板111相同導電類型(例如，η型)的雜質比晶體半導體基板111更重摻雜的區(qū)域。例如，每個BSF區(qū)域119b可以是η+型區(qū)域。多個BSF區(qū)域11%在背保護層116b上彼此隔開，并且在固定方向上彼此平行延伸。在本發(fā)明的實施方式中，BSF區(qū)域11%可以由諸如非晶硅的非晶半導體形成。與FSF區(qū)域117類似地，BSF區(qū)域119b使用由晶體半導體基板111和BSF區(qū)域119b的雜質濃度之間的差形成的勢壘防止或者減少空穴向BFS區(qū)域119b的移動并且使得電子更容易移動到BSF區(qū)域119b。因此，BSF區(qū)域119b減少了由于BSF區(qū)域119b處和周圍或者第一電極部分(112、114)和第二電極部分(113、115)處的電子和空穴的復合和/或消失引起的載流子損失的量，并且加速電子的移動，因而增加了移動到BSF區(qū)域11%的電子的量。在本發(fā)明的實施方式中，第一電極部分包括多個第一電極112和第一電極電流收集器114，并且第二電極部分包括多個第二電極113和第二電極電流收集器115。每個BSF區(qū)域119b可以具有約IOnm到25nm的厚度。當BSF區(qū)域119b的厚度等于或者大于約IOnm時，可以更順利地形成 防止空穴的移動的勢壘。因此，可以進一步減少載流子的損失。當BSF區(qū)域119b的厚度等于或者小于約25nm時，BSF區(qū)域119b中吸收的光的量減少。因此，可以增加再一次入射在晶體半導體基板111上的光的量。在晶體半導體基板111的背表面處，多個發(fā)射極區(qū)域119a多個BSF區(qū)域119b隔開，并且平行于多個BSF區(qū)域119b延伸。因而，如圖2中所示，多個發(fā)射極區(qū)域119a和多個BSF區(qū)域119b交替地定位在晶體半導體基板ill的背表面處。定位在晶體半導體基板111的背表面處的多個發(fā)射極區(qū)域119a中的每一個是與晶體半導體基板111的第一導電類型(例如，η型)相反的第二導電類型(例如，P型)。發(fā)射極區(qū)域119a包含不同于晶體半導體基板111的半導體，例如，非晶硅。因而,發(fā)射極區(qū)域119a和晶體半導體基板111形成異質結以及p_n結。根據背接觸太陽能電池110的上述構造，由入射在晶體半導體基板111上的光產生的載流子(即，電子-空穴對)被由晶體半導體基板111和發(fā)射極區(qū)域119a之間的p-n結導致的內建電勢差分離為電子和空穴。接著，分離出的電子移動到η型半導體，并且分離出的空穴移動到P型半導體。因而，當晶體半導體基板111是η型并且發(fā)射極區(qū)域119a是P型時，分離出的空穴穿過背保護層116b并且移動到發(fā)射極區(qū)域119a。此外，分離出的電子穿過背保護層116b并且移動到具有比晶體半導體基板111更高的雜質濃度的BSF區(qū)域119b。多個發(fā)射極區(qū)域119a中的每一個可以具有約5nm到15nm的厚度。當發(fā)射極區(qū)域119a的厚度等于或者大于約5nm時,可以更順利地形成p-n結。當發(fā)射極區(qū)域119a的厚度等于或者小于約15nm時，在發(fā)射極區(qū)域119a中吸收的光的量減少。因此，可以增加再一次入射在晶體半導體基板111上的光的量。背保護層116b由其中沒有雜質或者幾乎不存在雜質的無定形非晶硅(a-Si)形成，并且定位在發(fā)射極區(qū)域119a和BSF區(qū)域119b下方。因此，發(fā)射極區(qū)域119a和BSF區(qū)域11%沒有直接位于晶體半導體基板111上，而是定位在背保護層116b上。結果，減少了結晶現象。此外，改進了定位在無定形非晶硅層(B卩，背保護層116b)上的發(fā)射極區(qū)域119a和BSF區(qū)域119b的特性。分別接觸多個發(fā)射極區(qū)域119a的多個第一電極112在第二方向X_X’上沿著發(fā)射極區(qū)域119a延伸，并且電氣連接到發(fā)射極區(qū)域119a。第一電極112收集移動到發(fā)射極區(qū)域119a的載流子(例如，空穴)。分別接觸多個BSF區(qū)域119b的多個第二電極113在第二方向X-X’上沿著BSF區(qū)域119b延伸，并且電氣連接到BSF區(qū)域119b。第二電極113收集移動到BSF區(qū)域119b的載流子(例如，電子)。多個第一電極112和多個第二電極113可以由從由鎳(Ni)、銅(Cu)、銀(Ag)、鋁(Al)、錫(Sn)、鋅(Zn)、銦(In)、鈦(Ti)、金(Au)和其組合組成的組中選擇的至少一種導電材料形成?？梢允褂闷渌鼘щ姴牧?。發(fā)射極區(qū)域119a均勻地位于第一電極電流收集器114的形成區(qū)域中，并且BSF區(qū)域119b均勻地位于第二電極電流收集器115的形成區(qū)域中。第一電極電流收集器114接觸發(fā)射極區(qū)域119a并且電氣連接到發(fā)射極區(qū)域119a。第一電極電流收集器114定位在晶體半導體基板111的第一邊緣處并且在垂直于第二方向X-X'的第一方向Y-Y’上延伸。因此，第 一電極電流收集器114將多個第一電極112的第一端部彼此物理地連接。第二電極電流收集器115接觸BSF區(qū)域119b并且電氣連接到BSF區(qū)域119b。第二電極電流收集器115定位在晶體半導體基板111的第二邊緣處并且在第一方向Y-Y’上延伸。因此，第二電極電流收集器115將多個第二電極113的第一端部彼此物理地連接。因此，第一電極電流收集器114收集移動到第一電極112的載流子，并且第二電極電流收集器115收集移動到第二電極113的載流子。第一電極電流收集器114和第二電極電流收集器115可以由與第一電極112和第二電極113相同的材料形成。圖3是根據本發(fā)明的另一個示例實施方式的太陽能電池模塊中使用的背接觸太陽能電池210的構造的截面圖。太陽能電池210包括第一導電類型半導體基板211、形成在半導體基板211的一個表面(例如，光接收表面)中的前鈍化層216a、形成在前鈍化層216a上的防反射層218、形成在半導體基板211的另一表面中并且用第一導電類型雜質重摻雜的第一摻雜區(qū)域219a、形成在半導體基板211的另一表面中與第一摻雜區(qū)域219a相鄰的位置處的并且用與第一導電類型雜質相反的第二導電類型雜質重摻雜的第二摻雜區(qū)域21%、暴露第一摻雜區(qū)域219a和第二摻雜區(qū)域219b中的每一個的一部分的背鈍化層216b、電氣連接到第一摻雜區(qū)域219a的暴露部分的第一電極212和第一電極電流收集器以及電氣連接到第二摻雜區(qū)域219b的暴露部分的第二電極213和第二電極電流收集器。形成在半導體基板211的光接收表面中的前鈍化層216a是用諸如磷(P)、砷(As)和銻(Sb)的V族元素比半導體基板211更重摻雜的區(qū)域。與背表面場(BSF)層類似地，前鈍化層216a用作前表面場(FSF)層。因而，防止或降低了在半導體基板21的光接收表面周圍由入射光分離的電子和空穴的復合和/或消失。
前鈍化層216a的表面上的防反射層218由氮化硅(SiNx)和/或二氧化硅(SiO2)形成。形成在半導體基板211的另一表面中的第一摻雜區(qū)域219a是用η型雜質比半導體基板211更重摻雜的區(qū)域，并且形成在半導體基板211的另一表面中的第二摻雜區(qū)域219b是P型重摻雜區(qū)域。因而,P型第二摻雜區(qū)域219b和η型半導體基板211形成p-n結。第一摻雜區(qū)域219a和第二摻雜區(qū)域219b用作載流子(電子和空穴)的移動路徑并且分別收集電子和空穴。暴露第一摻雜區(qū)域219a和第二摻雜區(qū)域219b中的每一個的一部分的背鈍化層216b由氮化硅(SiNx)、二氧化硅(SiO2)或者其組合形成。背鈍化層216b防止或者減少從載流子分離出的電子和空穴的復合和/或消失，并且將入射光反射到太陽能電池的內部，從而入射光沒有被反射到太陽能電池的外部。即，背鈍化層216b防止了入射光的損失并且減少了入射光損失的量。背鈍化層216b可以具有單層結構或者諸如雙層結構或者三層結構的多層結構。
第一電極212形成在沒有被背鈍化層216b覆蓋的第一摻雜區(qū)域219a上以及在與沒有被背鈍化層216b覆蓋的第一摻雜區(qū)域219a相鄰的背鈍化層216b的一部分上。第二電極213形成在沒有被背鈍化層216b覆蓋的第二摻雜區(qū)域21%上以及在與沒有被背鈍化層216b覆蓋的第二摻雜區(qū)域219b相鄰的背鈍化層216b的一部分上。因而，第一電極212電氣連接到第一摻雜區(qū)域219a，并且第二電極213電氣連接到第二摻雜區(qū)域219b。如上所述，因為第一電極212和第二電極213中的每一個的一部分與背鈍化層216b的一部分交疊并且連接到匯流條區(qū)域，當第一電極212和第二電極213接觸外部驅動電路等時產生的接觸電阻和串聯電阻減小。因此，改進了太陽能電池的效率。背板160防止潮濕和氧氣滲透到太陽能電池模塊的背表面中，從而保護背接觸太陽能電池Iio免受外部環(huán)境影響。背板160可以具有包括潮濕/氧氣滲透防止層、化學腐蝕防止層、絕緣層等的多層結構。前包封件130和背包封件140分別定位在背接觸太陽能電池110的上面和下面并且彼此附接，從而與背接觸太陽能電池Iio形成為一體。因此，前包封件130和背包封件140防止由于潮濕滲透導致的背接觸太陽能電池110的腐蝕并且針對沖擊保護背接觸太陽能電池110。在本發(fā)明的實施方式中，前包封件130和背包封件140可以由相同材料形成。例如，前包封件130和背包封件140可以由通過對液體化合物執(zhí)行熱處理而固化的材料(例如，包含聚二甲硅氧烷的固化硅氧烷)形成。當液體化合物(即，液體硅氧烷)被涂布在背接觸太陽能電池110上時，涂布的硅氧烷前體的一部分由于其液體性質而填充在背接觸太陽能電池110之間的空間中并且通過熱處理進行固化。另選地，前包封件130和背包封件140可以由以膜類型制造的材料(例如，乙烯-醋酸乙烯酯(EVA))形成。此外，前包封件130和背包封件140可以由不同材料制成。例如，前包封件130可以由膜類型的EVA形成，并且背包封件140可以由固化的硅氧烷形成。定位在前包封件130上的透明構件150由具有高的光透射率的鋼化玻璃形成，以從而防止太陽能電池模的塊損壞。鋼化玻璃可以是包含很少量鐵的低鐵鋼化玻璃。透明構件150可以具有壓花內表面從而增加光散射效果?；ミB件120由導電金屬形成，并且將相鄰的太陽能電池110彼此電氣連接?；ミB件120可以由包含等于或者小于約IOOOppm的鉛(Pb)的無鉛材料的導電金屬形成。另選地，互連件120可以包括由涂布在導電金屬的表面上的含Pb材料形成的焊料?；ミB件120接觸導電粘附膜，以將相鄰的太陽能電池110彼此電氣連接。在本發(fā)明的實施方式中，導電粘附膜包括接觸第一電極電流收集器114的第一導電粘附膜CFl和接觸第二電極電流收集器115的第二導電粘附膜CF2。以下詳細描述互連件和電流收集器之間的接合結構。第一導電粘附膜CFl定位在第一電極電流收集器114上，并且第二導電粘附膜CF2定位在第二電極電流收集器115上。第一導電粘附膜CFl包括樹脂CFl-1和分布在樹脂CFl-1中的多個導電顆粒CF1-2。樹脂CFl-1的材料不沒有特別的限制，只要其具有粘附性質即可。優(yōu)選的是(但是不要求)，熱固樹脂用于樹脂CFl-1以增加粘附性質。熱固樹脂可以使用 從環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、丙烯樹脂、聚酰亞胺樹脂和聚碳酸酯中選擇的至少一種。樹脂CFl-1可以進一步包含預定材料，例如，除了熱固樹脂的已知的固化劑和已知的固化加速劑。例如，樹脂CFl-1可以包含諸如基于硅烷的耦合劑、基于鈦酸鹽的耦合劑和基于鋁酸鹽的耦合劑的重整材料，以改進第一電極電流收集器114和互連件120之間的粘附強度。樹脂CFl-1可以包含分散劑(例如磷酸鈣和碳化鈣)，以改進導電顆粒CF1-2的分散性。樹脂CFl-1可以包含諸如丙烯酸橡膠、硅橡膠和聚氨酯橡膠的橡膠成分，以控制第一導電粘附膜CFl的彈性模量。導電顆粒CF1-2的材料沒有具體的限制，只要其具有導電性。導電顆粒CF1-2可以包括各種尺寸的基礎金屬顆粒。在本發(fā)明的實施方式中，“基礎金屬顆粒”是接近球形形狀的金屬顆粒，其包含從銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)、鐵(Fe)、鎳(Ni)、鉛(Pb)、鋅(Zn)、鈷(Co)、鈦(Ti)和鎂(Mg)中選擇的至少一種金屬作為主要成分，并且在其表面上均具有非均勻形成的多個突起。第一導電粘附膜CFl可以包括具有比樹脂CFl-1的厚度更大的大小的至少一個基礎金屬顆粒，從而電流在第一電極電流收集器114和互連件120之間順利地流動。根據第一導電粘附膜CFl的上述構造，具有比樹脂CFl-1的厚度大的大小的基礎金屬顆粒的一部分被掩埋在第一電極電流收集器114和/或互連件120中。因此，基礎金屬顆粒和第一電極電流收集器114之間的接觸面積和/或基礎金屬顆粒和互連件120之間的接觸面積增加，并且接觸電阻減小。接觸電阻的減小使第一電極電流收集器114和互連件120之間的電流流動平滑。
至此，描述了使用基礎金屬顆粒作為導電顆粒CF1-2的本發(fā)明的實施方式。然而，所述導電顆粒CF1-2可以是包含從銅(Cu)、銀(Ag)、金(Au)、鐵(Fe)、鎳(Ni)、鉛(Pb)、鋅(Zn)、鈷(Co)、鈦(Ti)和鎂(Mg)中選擇的至少一種金屬作為主要成分的涂布有金屬的樹脂顆粒。當導電顆粒CF1-2是涂布有金屬的樹脂顆粒時，每個導電顆粒CF1-2可以具有圓形或者橢圓形形狀。導電顆粒CF1-2可以彼此物理地接觸。優(yōu)選的是(但是不要求)，考慮樹脂CFl-1被固化之后的連接可靠性，基于第一導電粘附膜CFl的總體積，分布在樹脂CFl-1中的導電顆粒CF1-2的含量是約O. 5%到20%.當導電顆粒CF1-2的含量小于約O. 5%時，因為第一電極電流收集器114和導電顆粒CF1-2之間的物理接觸面積的減少使得電流不會平滑地流動。當導電顆粒CF1-2的含量大于約20%時，因為樹脂CFl-1的含量相對降低，因此第一電極電流收集器114和互連件120之間的粘附強度可以減小。第一導電粘附膜CFl在平行于第一電極電流收集器114的方向上附接到第一電極電流收集器114。使用搭接處理來將第一電極電流收集器114接合到互連件120。搭接處理包括用于將第一導電粘附膜CFl接合到第一電極電流收集器114的預接合處理和用于將第一導電粘附膜CFl接合到互連件120的最終接合處理。當使用第一導電粘附膜CFl進行搭接處理時，搭接處理的加熱溫度和壓力沒有特別的限制，只要其被設置在能夠確保電氣連接并且保持粘附強度的范圍內。例如，預接合處理中的加熱溫度可以被設置為等于或者小于約100° C，并且在最終接合處理中的加熱溫度可以被設置為樹脂CFl-1的固化溫度，例如約140° C到180° C。此外，預接合處理中的壓力可以被設置為約IMPa。最終接合處理中的壓力可以被設置為能夠將第一電極電流收集器114和互連件120充分地接合到第一導電粘附膜CFl的范圍，例如，約2MPa到3MPa。在該情況下，最終接合處理中的壓力可以被設置為導電顆粒CF1-2的至少一部分被掩埋在第一電極電流收集器114和/或互連件120之間。預接合處理中施加熱和壓力所要求的時間可以被設置為約5秒。最終接合處理中施加熱和壓力所要求的時間可以被設置為第一電極電流收集器114、互連件120等不被熱損壞或者形變的程度，例如，約10秒。第一導電粘附膜CFl在第二方向X-X’上的寬度可以等于或者小于第一電極電流收集器114的寬度，并且第二導電粘附膜CF2在第二方向X-X’上的寬度可以等于或者小于第二電極電流收集器115的寬度。根據導電粘附膜的上述構造，第一導電粘附膜CFl沒有接觸第一電極112，并且第二導電粘附膜CF2沒有接觸第二電極113。此外，第一導電粘附膜CFl沒有接觸第二電極113，并且第二導電粘附膜CF2沒有接觸第一電極112。在第一方向Y-Y’上測量的第一導電粘附膜CFl的長度可以等于或者小于第一電極電流收集器114的長度，并且在第一方向Y-Y’上測量的第二導電粘附膜CF2的長度可以等于或者小于第二電極電流收集器115的長度?；ミB件120的長度可以等于或者小于第一導電粘附膜CFl的長度和第二導電粘附膜CF2的長度。互連件120的寬度可以大于相鄰的第一導電粘附膜CFl和第二導電粘附膜CF2之間的距離。可以考慮互連件120和第一導電粘附膜CFl之間的交疊面積以及互連件120和第二導電粘附膜CF2之間的交疊面積，適當地設置互連件120的寬度?；ミB件120可以具有狹縫或者孔122，以減少由于熱收縮和熱膨脹導致的應力。當背包封件140由固化的硅氧烷形成時，背包封件140可以填充在兩個相鄰的背接觸太陽能電池Iio之間的空間中。另選地，當前包封件130和背包封件140由EVA或者固化的硅氧烷形成時，前包封件130可以填充在兩個相鄰的背接觸太陽能電池110之間的空間中。根據前包封件130和背包封件140的材料，前包封件130和背包封件140都可以填充在該空間中。下面參照圖5到圖7描述圖4中所示的太陽能電池模塊的各個修改。圖5到圖7中所示的太陽能電池模塊的構造與圖4中所示的太陽能電池的構造基本相同，不同之處在于間隔物170位于兩個相鄰的背接觸太陽能電池110之間。因此，在圖5到圖7中所示的變型中僅描述間隔物170。在圖4中所示的本發(fā)明的實施方式中，背包封件140從前包封件130延伸到互連件120。如圖5中所示，間隔物170可以定位在相鄰的第一電極電流收集器114和第二電極電流收集器115之間。在圖4中所示的本發(fā)明的實施方式中，背包封件140從前包封件130延伸到間隔物170，并且間隔物170從背包封件140延伸到互連件120。另選地，如圖6中所示，間隔物170可以被定位在兩個相鄰的晶體半導體基板111之間。在圖6中所示的本發(fā)明的實施方式中，間隔物170從前包封件130延伸到背包封件140，并且背包封件140從間隔物170延伸到互連件120。另選地，如圖7中所示，間隔物170可以被定位在兩個相鄰的晶體半導體基板111之間以及在相鄰的第一電極電流收集器114和第二電極電流收集器115之間。在圖7中所示的本發(fā)明的實施方式中，間隔物170從前包封件130延伸到互連件120。如圖5中所示，當間隔物170被定位在相鄰的第一電極電流收集器114和第二電極電流收集器115之間時，間隔物170可以具有對應于第一電極電流收集器114的厚度與第一導電粘附膜CFl的厚度之和或者第二電極電流收集器115的厚度與第二導電粘附膜CF2的厚度之和的厚度。當背包封件140由固化的硅氧烷形成時，背包封件140可以填充在兩個相鄰的晶體半導體基板111之間的空間中。另選地，當前包封件130和背包封件140由EVA和固化的硅氧烷之一形成時，前包封件130可以填充在兩個相鄰的晶體半導體基板111之間的空間中。根據前包封件130和背包封件140的材料，前包封件130和背包封件140都可以填充在該空間中。如圖6中所示，當間隔物170被定位在兩個相鄰的晶體半導體基板111之間時，間隔物170可以具有與晶體半導體基板111相同的厚度。背包封件140可以填充在間隔物170和互連件120之間的空間中。另選地，前包封件130或者前包封件130和背包封件140都可以填充在間隔物170和互連件120之間的空間中。如圖7中所示，當間隔物170被定位在兩個相鄰的晶體半導體基板111之間和在相鄰的第一電極電流收集器114和第二電極電流收集器115之間時，間隔物170可以具有對應于晶體半導體基板111、第一電極電流收集器114和第一導電粘附膜CFl的厚度之和或者晶體半導體基板111、第二電極電流收集器115和第二導電粘附膜CF2的厚度之和的厚度。在本發(fā)明的實施方式中，相鄰的背接觸太陽能電池110之間的距離和電氣絕緣由間隔物170實施。因而，當在太陽能電池模塊的光接收表面觀察時，可以通過相鄰的背接觸太陽能電池110之間的空間觀看到互連件120?；ミB件120由不同于背接觸太陽能電池110的顏色的導電金屬形成。因而，朝向太陽能電池模塊的光接收表面的間隔物170的表面可以被處理為與晶體半導體基板111或者背板160相同的顏色(例如，黑或者白)，以改進太陽能電池模塊的外觀?？梢酝ㄟ^下述步驟 制造具有上述構造的太陽能電池模塊在透明構件150上形成前包封件130，以恒定間距在前包封件130上布置背接觸太陽能電池110，分別在第一電極電流收集器114和第二電極電流收集器115上布置第一導電粘附膜CFl和第二導電粘附膜CF2，將互連件120搭接到第一導電粘附膜CFl和第二導電粘附膜CF2，在互連件120和第一導電粘附膜CFl以及第二導電粘附膜CF2上形成背包封件140，在背包封件140上布置背板160以及執(zhí)行層壓處理。在該情況下，可以通過涂布和固化諸如二甲硅基氧丙烯酸酯的液體硅氧烷前體來形成前包封件130和背包封件140。當涂布液體硅氧烷前體時，涂布的液體硅氧烷前體的一部分填充在相鄰的背接觸太陽能電池110之間的空間中。下面，將參照圖8和圖9描述根據本發(fā)明的第二實施方式的太陽能電池模塊。本發(fā)明的第一實施方式使用第一導電粘附膜CFl將互連件120電氣連接到第一電極電流收集器114，并且使用第二導電粘附膜CF2將互連件120電氣連接到第二電極電流收集器115。另一方面，本發(fā)明的第二實施方式僅使用第三導電粘附膜CF3將互連件120電氣連接到第一電極電流收集器114和第二電極電流收集器115。用相同附圖標記表示與本發(fā)明的第一實施方式和第二實施方式中的結構和部件相同或者等效的結構和部件，并且可以簡要進行進一步描述或者可以整體省略。在本發(fā)明的第二實施方式中，第三導電粘附膜CF3在第二方向X-X’上的寬度可以等于或者大于互連件120的寬度，并且第三導電粘附膜CF3在第一方向Y-Y’上的長度可以等于或者大于互連件120的長度。此外，第三導電粘附膜CF3可以不接觸第一電極112和第二電極113，并且互連件120可以具有狹縫或者孔122。下面參照圖10到圖13描述圖9中所示的太陽能電池模塊的各種變型。在圖9中所示的太陽能電池模塊中，背包封件140從前包封件130延伸到第三導電粘附膜CF3。在圖10中所示的太陽能電池模塊中，第三導電粘附膜CF3可以包括空間支撐件170’，其執(zhí)行與根據本發(fā)明的第一實施方式的間隔物170類似的功能。第三導電粘附膜CF3和空間支撐件170’可以形成為一體。一體形式意味著空間支撐件170’由與第三導電粘附膜CF3相同的材料形成。圖10示出第三導電粘附膜CF3的空間支撐件170’接觸晶體半導體基板111。然而，因為背保護層116b定位在晶體半導體基板111的表面上，所以空間支撐件170’沒有直接接觸晶體半導體基板111。在圖10中所示的太陽能電池模塊中，背包封件140從前包封件130延伸到空間支撐件170’，并且空間支撐件170’從背包封件140延伸到第三導電粘附膜 CF3。另選地，根據本發(fā)明的第二實施方式的太陽能電池模塊可以與本發(fā)明的第一實施方式的變型相同的方式包括間隔物170。如圖11中所示，間隔物170可以定位在相鄰的第一電極電流收集器114和第二電極電流收集器115之間。在圖11中所示的太陽能電池模塊中，背包封件140從前包封件130延伸到間隔物170，并且間隔物170從背包封件140延伸到第三導電粘附膜CF3。另選地，如圖12中所示，間隔物170可以被定位在兩個相鄰的晶體半導體基板111之間。在圖12中所示的太陽能電池模塊中，間隔物170從前包封件130延伸到背包封件140，并且背包封件140從間隔物170延伸到第三導電粘附膜CF3。另選地，如圖13中所示，間隔物170可以被定位在兩個相鄰的晶體半導體基板111之間以及在相鄰的第一電極電流收集器114和第二電極電流收集器115之間。在圖13中所示的太陽能電池模塊中，間隔物170從前包封件130延伸到第三導電粘附膜CF3。如圖11中所示，當間隔物170被定位在相鄰的第一電極電流收集器114和第二電極電流收集器115之間時，間隔物170的厚度可以基本上等于第一電極電流收集器114和第二電極電流收集器115中的每一個的厚度或者可以大于第一電極電流收集器114和第二電極電流收集器115中的每一個的厚度。當間隔物170的厚度大于第一電極電流收集器114和第二電極電流收集器115中的每一個的厚度時，第三導電粘附膜CF3可以具有其中掩埋有間隔物170的一部分的凹槽Hl0當背包封件140由固化的硅氧烷形成時，背包封件140可以填充在兩個相鄰的晶體半導體基板ill之間的空間中。另選地，前包封件130或者前包封件130和背包封件140都可以填充在兩個相鄰的晶體半導體基板111之間的空間中。如圖12中所示，當間隔物170被定位在兩個相鄰的晶體半導體基板111之間時，間隔物170可以具有與晶體半導體基板111相同的厚度。背包封件140可以填充在間隔物170和第三導電粘附膜CF3之間的空間中。另選地，前包封件130或者前包封件130和背包封件140都可以填充在間隔物170和第三導電粘附膜CF3之間的空間中。如圖13中所示，當間隔物170被定位在兩個相鄰的晶體半導體基板111之間和在相鄰的第一電極電流收集器114和第二電極電流收集器115之間時，間隔物170的厚度可以等于或者大于晶體半導體基板111和第一電極電流收集器114的厚度之和以及晶體半導體基板111和第二電極電流收集 器115的厚度之和。
當間隔物170的厚度等于或者大于晶體半導體基板111和第一電極電流收集器114的厚度之和以及晶體半導體基板111和第二電極電流收集器115的厚度之和時，第三導電粘附膜CF3可以具有其中掩埋間隔物170的一部分的凹槽H1。在本發(fā)明的實施方式中，相鄰的背接觸太陽能電池110之間的距離和電氣絕緣由間隔物170實施。因而，當在太陽能電池模塊的光接收表面觀察時，可以通過相鄰的背接觸太陽能電池110之間的空間觀看到互連件120。互連件120由不同于背接觸太陽能電池110的顏色的導電金屬形成。因而，朝向太陽能電池模塊的光接收表面的間隔物170的表面可以被處理為與晶體半導體基板111或者背板160相同的顏色(例如，黑或者白)，以改進太陽能電池模塊的外觀。下面，將參照圖14描述根據本發(fā)明的第三實施方式的太陽能電池模塊。圖14是移除了太陽能電池模塊的背板的狀態(tài)下的根據本發(fā)明的第三實施方式的太陽能電池模塊的平面圖。根據本發(fā)明的第三實施方式的太陽能電池模塊的構造與根據本發(fā)明的第二實施方式的太陽能電池模塊基本上致相同，不同之處在于使用了多個互連件120將相鄰的背接觸太陽能電池110彼此電氣連接。如圖14中所示，第三導電粘附膜CF3的一部分接觸定位在其左側的背接觸太陽能電池Iio的第二電極電流收集器115。此外，第三導電粘附膜CF3的另一部分接觸定位在其右側的背接觸太陽能電池110的第一電極電流收集器114。在第三導電粘附膜CF3的縱方向上(B卩，第一方向Y-Y’)上，在第三導電粘附膜CF3上布置至少兩個互連件120。使用至少兩個互連件120的本發(fā)明的第三實施方式可以同樣地應用于本發(fā)明的第一實施方式。例如，圖14示出三個互連件120附接到一個第三導電粘附膜CF3。另選地，如示出根據本發(fā)明的第四實施方式的太陽能電池模塊的圖15中所示，第三導電粘附膜CF3可以以與互連件120相同的方式劃分為多個部分。在此情況下，可以使用至少兩個第三導電粘附膜CF3和具有與第三導電粘附膜CF3相同數量的互連件120將一個背接觸太陽能電池110的第二電極電流收集器115電氣連接到與所述一個背接觸太陽能電池110相鄰的另一個背接觸太陽能電池110的第一電極電流收集器114。另選地，如示出根據本發(fā)明的第五實施方式的太陽能電池模塊的圖16中所示，一個背接觸太陽能電池Iio的第二電極電流收集器115和與所述一個背接觸太陽能電池110相鄰的另一個背接觸太陽能電池110的第一電極電流收集器114可以接觸至少兩個第三導電粘附膜CF3。此外，所述至少兩個第三導電粘附膜CF3可以接觸一個互連件120。根據本發(fā)明的實施方式中的太陽能電池模塊中使用的背接觸太陽能電池110中的每一個可以具有無匯流條結構，其中沒有電流收集器，即，匯流條。在無匯流條結構的背接觸太陽能電池110中，第一電極部分僅包括在垂直于第一方向的第二方向上延伸的多個第一電極，并且第二電極部分僅包括在第二方向上延伸的多個第二電極。因此，第一電極和第二電極被交替布置。在無匯流條結構的背接觸太陽能電池110中，由于用于形成第一電極的電極材料使得第一電極沒有彼此物理地連接，并且，由于用于形成第二電極的電極材料使得第二電極沒有彼此物理地連接。無匯流條結構的背接觸太陽能電池110可以減少由于形成匯流條所導致的制造成本和制造步驟的數目。在無匯流條結構的背接觸太陽能電池110中，導電粘附膜膜物理地接觸每個第一電極的一端或者每個第二電極的一端，因而將第一電極的端部彼此電氣連接或者將第二電極的端部彼此電氣連接。 每個第一電極的一端和每個第二電極的一端可以具有寬度延伸的接觸部分。盡管參照多個示例性實施方式描述了實施方式，應理解的是本領域技術人員可提出落入本公開的原理的范圍內的許多其他修改和實施方式。更具體地說，可以在本公開、附圖及所附權利要求的范圍內對本主題組合裝置的組成部件和/裝置進行各種變換和修改。除對組成部件和/或裝置的變換和修改外，替代性使用對本領域的技術人員也是明顯的。本申請要求2011年9月29日在韓國專利局提交的韓國專利申請No. 10-2011-0098998和No. 10-2011-0099000的優(yōu)先權，其完整內容在此通過引用并入。
權利要求
1.一種太陽能電池模塊，所述太陽能電池模塊包括 多個太陽能電池，每一個太陽能電池包括基板、定位在所述基板的背表面的第一邊緣處并且在第一方向上延伸的第一電極電流收集器以及定位在所述基板的所述背表面的第二邊緣處并且在所述第一方向上延伸的第二電極電流收集器； 導電粘附膜，所述導電粘附膜被構造為接觸所述多個太陽能電池中的第一太陽能電池的第一電極電流收集器，或者接觸與所述第一太陽能電池相鄰的第二太陽能電池的第二電極電流收集器，或者接觸所述第一電極電流收集器和所述第二電極電流收集器；以及 互連件，所述互連件被構造為接觸所述導電粘附膜并且將相鄰的所述第一太陽能電池和所述第二太陽能電池彼此電氣連接。
2.根據權利要求1所述的太陽能電池模塊，其中，所述多個太陽能電池中的每一個太陽能電池是背接觸太陽能電池。
3.根據權利要求2所述的太陽能電池模塊，其中，所述背接觸太陽能電池的所述基板是晶體半導體基板，并且 其中，所述背接觸太陽能電池包括位于所述晶體半導體基板的背表面處的發(fā)射極區(qū)域和背表面場(BSF)區(qū)域。
4.根據權利要求3所述的太陽能電池模塊，其中，所述背接觸太陽能電池進一步包括多個第一電極和多個第二電極，所述多個第一電極的第一端部使用所述第一電極電流收集器彼此連接，并且所述多個第二電極的第一端部使用所述第二電極電流收集器彼此連接， 其中，所述多個第一電極和所述多個第二電極被交替布置，并且 其中，所述多個第一電極接觸所述發(fā)射極區(qū)域，并且所述多個第二電極接觸所述背表面場區(qū)域。
5.根據權利要求1所述的太陽能電池模塊，其中，所述導電粘附膜包括第一導電粘附膜和第二導電粘附膜，所述第一導電粘附膜接觸所述第一太陽能電池的所述第一電極電流收集器，并且所述第二導電粘附膜接觸所述第二太陽能電池的所述第二電極電流收集器，并且 其中，所述互連件接觸所述第一導電粘附膜和所述第二導電粘附膜。
6.根據權利要求5所述的太陽能電池模塊，其中，所述第一導電粘附膜的寬度等于或者小于所述第一電極電流收集器的寬度，并且所述第二導電粘附膜的寬度等于或者小于所述第二電極電流收集器的寬度。
7.根據權利要求5所述的太陽能電池模塊，其中，所述第一導電粘附膜的長度等于或者小于所述第一電極電流收集器的長度，并且所述第二導電粘附膜的長度等于或者小于所述第二電極電流收集器的長度。
8.根據權利要求5所述的太陽能電池模塊，其中，所述多個太陽能電池中的每一個太陽能電池進一步包括多個第一電極，所述多個第一電極在與所述第一方向垂直的第二方向上延伸；以及多個第二電極，所述多個第二電極中的每一個第二電極被定位在所述第一電極之間并且在所述第二方向上延伸，所述多個第一電極的第一端部連接到所述第一電極電流收集器，并且所述多個第二電極的第一端部連接到所述第二電極電流收集器，并且 其中，所述第一導電粘附膜不接觸所述多個第一電極，并且所述第二導電粘附膜不接觸所述多個第二電極。
9.根據權利要求5所述的太陽能電池模塊，其中，所述互連件的長度等于或者小于所述第一導電粘附膜的長度和所述第二導電粘附膜的長度。
10.根據權利要求5所述的太陽能電池模塊，其中，所述互連件的寬度大于所述第一導電粘附膜和所述第二導電粘附膜的相鄰端部之間的距離。
11.根據權利要求1所述的太陽能電池模塊，其中，所述導電粘附膜接觸所述第一太陽能電池的所述第一電極電流收集器和所述第二太陽能電池的所述第二電極電流收集器，并且從所述第一電極電流收集器延伸到所述第二電極電流收集器，并且 其中，所述互連件接觸所述導電粘附膜。
12.根據權利要求11所述的太陽能電池模塊，其中，所述導電粘附膜的寬度等于或者大于所述互連件的寬度。
13.根據權利要求11所述的太陽能電池模塊，其中，所述互連件的長度等于或者小于所述導電粘附膜的長度。
14.根據權利要求11所述的太陽能電池模塊，其中，所述多個太陽能電池中的每一個太陽能電池進一步包括多個第一電極，所述多個第一電極在與所述第一方向垂直的第二方向上延伸；以及多個第二電極，所述多個第二電極中的每一個第二電極被定位在所述第一電極之間并且在所述第二方向上延伸，所述多個第一電極的第一端部連接到所述第一電極電流收集器，所述多個第二電極的第一端部連接到所述第二電極電流收集器，并且 其中，所述導電粘附膜不接觸所述多個第一電極和所述多個第二電極。
15.根據權利要求1所述的太陽能電池模塊，其中，在相鄰的所述第一太陽能電池和所述第二太陽能電池之間布置有間隔物。
16.根據權利要求15所述的太陽能電池模塊，其中，所述導電粘附膜具有其中掩埋所述間隔物的一部分的凹槽。
17.根據權利要求15所述的太陽能電池模塊，所述太陽能電池模塊進一步包括 前包封件和背包封件，所述前包封件和背包封件被構造為保護所述多個太陽能電池；透明構件，所述透明構件定位在所述多個太陽能電池的所述基板的前表面上的所述前包封件上；以及 背板，所述背板定位在所述多個太陽能電池的所述基板的所述背表面上的所述背包封件下面， 其中，所述間隔物位于相鄰的所述第一太陽能電池和所述第二太陽能電池的所述基板之間，并且 其中，所述前包封件或所述背包封件被填充在所述間隔物與所述互連件之間的空間中。
18.根據權利要求15所述的太陽能電池模塊，所述太陽能電池模塊進一步包括 前包封件和背包封件，所述前包封件和背包封件被構造為保護所述多個太陽能電池； 透明構件，所述透明構件定位在所述多個太陽能電池的所述基板的前表面上的所述前包封件上；以及 背板，所述背板定位在所述多個太陽能電池的所述基板的所述背表面上的所述背包封件下面， 其中，所述間隔物位于所述第一太陽能電池的所述第一電極電流收集器和所述第二太陽能電池的所述第二電極電流收集器之間，并且 其中，所述前包封件或所述背包封件被填充在相鄰的所述第一太陽能電池和所述第二太陽能電池的所述基板之間的空間中。
19.根據權利要求15所述的太陽能電池模塊，其中，所述間隔物定位在相鄰的所述第一太陽能電池和所述第二太陽能電池的所述基板之間和所述第一太陽能電池的所述第一電極電流收集器和所述第二太陽能電池的所述第二電極電流收集器之間。
20.根據權利要求15所述的太陽能電池模塊，所述太陽能電池模塊進一步包括 前包封件和背包封件，所述前包封件和背包封件被構造為保護所述多個太陽能電池；透明構件，所述透明構件定位在所述多個太陽能電池的所述基板的前表面上的所述前包封件上；以及 背板，所述背板定位在所述多個太陽能電池的所述基板的所述背表面上的所述背包封件下面， 其中，所述間隔物具有與每個太陽能電池的所述基板基本上相同的厚度，并且 其中，所述前包封件或所述背包封件被填充在所述間隔物與所述互連件之間的空間中。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種太陽能電池模塊。根據本發(fā)明的實施方式的太陽能電池模塊包括多個太陽能電池，每一個太陽能電池包括基板、定位在基板的背表面的第一邊緣處并且在第一方向上延伸的第一電極電流收集器以及定位在基板的背表面的第二邊緣處并且在第一方向上延伸的第二電極電流收集器；導電粘附膜，其接觸多個太陽能電池的第一太陽能電池的第一電極電流收集器，或者接觸與第一太陽能電池相鄰的第二太陽能電池的第二電極電流收集器，或者接觸這兩者；以及互連件，其接觸導電粘附膜并且將相鄰的第一和第二太陽能電池彼此電氣連接。
文檔編號H01L31/048GK103035763SQ20121036794
公開日2013年4月10日 申請日期2012年9月28日 優(yōu)先權日2011年9月29日
發(fā)明者曹珍鉉, 崔正薰, 池光善 申請人:Lg電子株式會社